碳化硅涂層 碳化硅襯底 碳化硅薄膜生產(chǎn)工藝

1、碳化硅涂層 碳化硅襯底 碳化硅薄膜生產(chǎn)工藝碳化硅制備方法,碳化硅涂層,碳化硅襯底,碳化硅薄膜生產(chǎn)工藝2010年11月16日星期二下午06：43碳化硅制備方法,碳化硅涂層,碳化硅襯底,碳化硅薄膜生產(chǎn)工藝A27304-0289-0001濕法煙氣脫硫裝置中碳化硅霧化噴嘴的制造方法摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種濕法煙氣脫硫裝置中碳化硅霧化噴嘴的制造方法，其基本步驟為：(1)內(nèi)、外底模制作；(2)用外底模制作生產(chǎn)外模；(3)制作型芯；(4)注漿成型；(5)干燥；(6)素坯修整；(7)燒結(jié)；本發(fā)明準(zhǔn)確完成了霧化噴嘴復(fù)雜的內(nèi)、外結(jié)構(gòu)形式的制造，工藝簡(jiǎn)單，成品率高，制成的霧化噴嘴不僅具有優(yōu)良的防腐防銹性能，且高硬度、耐

2、高溫、使用壽命長(zhǎng)。A27304-0319-0002具有碳化硅襯底的發(fā)光二極管摘要基于未摻雜的內(nèi)稟SiC襯底(101)的發(fā)光二極管(100)，在該SiC襯底上生長(zhǎng)有：絕緣緩沖結(jié)構(gòu)或集結(jié)成核結(jié)構(gòu)(102)；發(fā)光結(jié)構(gòu)(112)；窗口層(107，108)；半透明的導(dǎo)電層(119)；結(jié)合焊盤粘結(jié)層(109)；p-型電極結(jié)合焊盤(110)；以及n-型電極結(jié)合焊盤(115)。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底(101)的發(fā)光表面(130)被粗糙處理，以使光發(fā)射最大化。A27304-0030-0003一種改進(jìn)的碳化硅薄板本發(fā)明是對(duì)陶瓷、耐火行業(yè)煅燒用碳化硅質(zhì)窯具的改進(jìn)，尤其涉及一種擱燒產(chǎn)品的碳化硅薄板，其特征在于組成為90

3、-99%(重量)3mm以下的SiC顆粒，1-10%的2-0SiC微粉，0.03-0.7%的V2O5。采用碳化硅超微粉，不僅使得制品密度提高，制品的抗氧化、耐開(kāi)裂、高溫抗折強(qiáng)度、耐急變性、耐蠕變性和承受高溫性能都得到顯著均衡提高，而且燒成簡(jiǎn)單，無(wú)需特殊控制燒成物化學(xué)成份，易燒結(jié)，時(shí)間短，能源消耗少。本發(fā)明制品SiC含量94-98%，體積密度2.68-2.75g/cm3，1400時(shí)高溫抗折達(dá)34-45MPa，最高使用溫度可達(dá)1500，在1380-1390環(huán)境中使用壽命達(dá)400次以上。A27304-0287-0004一種碳化硅發(fā)熱元件發(fā)熱部的制備工藝摘要本發(fā)明涉及一種碳化硅發(fā)熱元件發(fā)熱部陶瓷材料的制

4、備工藝，包括傳統(tǒng)工藝步驟，特征是：碳化硅、石油焦、石墨、活性炭、硅粉的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.30.9、0.050.5、00.2、00.1、00.3；共經(jīng)過(guò)包括傳統(tǒng)工藝步驟的12道工序和特定工藝條件后得到主晶相為-SiC，具有氣孔率的發(fā)熱元件發(fā)熱部。本發(fā)明制備的發(fā)熱元件發(fā)熱部主晶相為-SiC，氣孔率可調(diào)，游離硅含量<2%，性能均勻、穩(wěn)定，遠(yuǎn)高于現(xiàn)有技，可制造各種不同規(guī)格、不同形狀的發(fā)熱部。A27304-0245-0005一種嵌有增韌物質(zhì)的碳化硅陶瓷摘要本發(fā)明涉及陶瓷，是關(guān)于一種碳化硅陶瓷，特別是一種含有片狀氧化鋁嵌入顆粒的增韌碳化硅陶瓷。有別于含有碳化硅晶須或含有炭纖維的增韌碳化硅陶瓷，本發(fā)明

5、提供一種新的技術(shù)方案，本發(fā)明的方案提供的是一種含有片狀氧化鋁嵌入顆粒的增韌碳化硅陶瓷，由于所述片狀氧化鋁顆粒原料相對(duì)廉價(jià)，因而，含有片狀氧化鋁嵌入顆粒的增韌碳化硅陶瓷相對(duì)低成本。所述片狀氧化鋁顆粒是一種在制造增韌碳化硅陶瓷的過(guò)程中容易與其它生產(chǎn)原料均勻混合的物質(zhì)，由此，含有片狀氧化鋁嵌入顆粒的增韌碳化硅陶瓷是一種品質(zhì)均勻的增韌碳化硅陶瓷。本發(fā)明的方案兼顧利用熱膨脹失配誘發(fā)微裂紋、裂紋偏轉(zhuǎn)、裂紋橋聯(lián)以及片狀嵌入物的拔出效應(yīng)等有益的增韌因素。A27304-0258-0006一種嵌入物包括碳化硅晶片的多成份碳化硅陶瓷摘要本發(fā)明涉及陶瓷，是關(guān)于碳化硅陶瓷，特別是一種嵌入物包括碳化硅晶片的多成份碳化硅陶

6、瓷。本發(fā)明的特點(diǎn)，是同時(shí)用多種形貌的氧化鋁嵌入顆粒與碳化硅晶片一起對(duì)碳化硅陶瓷進(jìn)行組合增韌，碳化硅晶片分散性良好但相對(duì)昂貴，而所述氧化鋁嵌入顆粒原料相對(duì)廉價(jià)，并且，所述氧化鋁嵌入顆粒原料易于與其它物料均勻混合。本發(fā)明的方案避開(kāi)了難于混料的碳化硅晶須以及炭纖維。A27304-0626-0007升華法制備碳化硅納米棒的方法摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種升華法制備碳化硅納米棒的方法，是通過(guò)以下工藝過(guò)程實(shí)現(xiàn)的：將碳化硅粉放入坩堝中，在坩堝上部30300mm處放置沉積物收集器，置于10-3Pa以下真空環(huán)境中，再充以氬氣至大于10000Pa并升溫至18002500，之后抽氣降壓至10000Pa以下并保溫15-30小

7、時(shí)進(jìn)行升華沉積。本發(fā)明制備出的碳化硅納米棒為晶態(tài)的立方相-SiC，其表面形貌如圖1，2所示。本發(fā)明直接使用碳化硅粉末做原料，不使用任何其它前驅(qū)物和催化劑，將蒸發(fā)源和沉積生長(zhǎng)區(qū)分離，有效地避免了雜質(zhì)和其它付產(chǎn)物地影響，獲得的碳化硅純度高，直徑在1530納米，長(zhǎng)度在12微米，顯示了很好的尺寸均勻性，并且方法簡(jiǎn)單、易于推廣、適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。A27304-0354-0008金屬-絕緣層-碳化硅MISiC高溫氣體傳感器摘要金屬-絕緣層-碳化硅MISiC高溫氣體傳感器，屬電子器件領(lǐng)域，涉及一種高溫氣體傳感器，旨在解決絕緣層及其界面質(zhì)量問(wèn)題，從而提高M(jìn)ISiC氣體傳感器的高溫可靠性，使其符合高溫下長(zhǎng)期穩(wěn)

8、定工作之要求。本發(fā)明在碳化硅(SiC)基片上一面生長(zhǎng)一層SiOxNy絕緣層，其上制備TakSilOmNn緩沖層，緩沖層上制備柵電極，SiC基片另一面制備硅鉭緩沖層，其外制備背電極，其中X=0.60.8、Y=0.20.4、K=0.650.85、L=0.10.15、M=0.020.15、N=0.020.15。本發(fā)明高溫可靠性好，靈敏度高，響應(yīng)快，制備工藝簡(jiǎn)單，一致性好，易于批量生產(chǎn)。A27304-0094-0009碳化硅質(zhì)窯爐用具及其制造方法摘要本發(fā)明描述具有下述特征的SiC質(zhì)窯爐用具：向最大粒徑為4mm的SiC粉末中添加0.010.7%的V2O5、0.010.7%的CaO和0.015%的粘土，成

9、型煅燒成SiC質(zhì)窯爐用具；將該窯爐用具的表層和中心部分分別用粉末X射線衍射法用CuK_線測(cè)定，求得2為21.9°的方英石衍射峰高相對(duì)2為34.0°的碳化硅衍射峰高之比時(shí)，中心部分的上述比值相對(duì)于表層部分的上述比值的比例為20%以上；常溫時(shí)的抗彎強(qiáng)度是在1400時(shí)的抗彎強(qiáng)度±20%的范圍內(nèi)。A27304-0326-0010制備碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的真空雙攪拌裝置摘要一種制備碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的真空雙攪拌裝置，該裝置包括：內(nèi)攪拌器、外攪拌器、聯(lián)軸器、變頻電機(jī)、變頻器、軸承、軸承座、軸承套、觀察孔、支撐架、支撐臺(tái)、密封圈。外攪拌器通過(guò)圓錐滾子軸承(33)及

10、軸承座(10)安裝定位在支撐臺(tái)(8)上，通過(guò)三角帶(31)與變頻電機(jī)(13)聯(lián)結(jié)；內(nèi)攪拌器穿過(guò)空心軸(12)，由空心軸內(nèi)和支撐架(15)上的向心球軸承(6、25)支承定位，通過(guò)聯(lián)軸器(21)與變頻電機(jī)(18)聯(lián)結(jié)；變頻電機(jī)由變頻器驅(qū)動(dòng)，控制內(nèi)、外攪拌器的轉(zhuǎn)向和轉(zhuǎn)速。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了對(duì)熔體的內(nèi)外復(fù)合攪拌，大大增強(qiáng)了顆粒的卷入效率、分散均勻性和脫氣能力，降低增強(qiáng)顆粒的損失和材料內(nèi)部缺陷。A27304-0335-0011碳化硅半導(dǎo)體器件A27304-0652-0012一種碳化硅匣缽磚生產(chǎn)工藝A27304-0721-0013碳化硅半導(dǎo)體器件及其制造方法A27304-0511-0014火焰熱噴涂鋁熱劑包裹碳

11、化硅顆粒陶瓷涂層的制備方法A27304-0414-0015一種碳化硅堇青石復(fù)合多孔陶瓷及其制備方法A27304-0514-0016一種碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的表面處理方法A27304-0206-0017采用磁控濺射在碳化硅反射鏡表面涂覆硅膜的方法A27304-0585-0018碳化硅肖特基結(jié)式核電池及其A27304-0382-0019在硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅氮化鎵材料的方法A27304-0607-0020一種碳化硅水基凝膠澆注成型用有機(jī)碳源及成型工藝A27304-0659-0021一種硅晶圓線切割廢砂漿中聚乙二醇和碳化硅的回收方法A27304-0697-0022一種提高碳化硅泡沫陶瓷高溫抗氧化

12、性能的表面改性方法A27304-0578-0023碳/碳化硅陶瓷基復(fù)合材料密度標(biāo)定方法A27304-0196-0024一種制備高體積分?jǐn)?shù)碳化硅顆粒增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的方法A27304-0608-0025碳化硅舟的清洗方法A27304-0307-0026同束多形碳化硅纖維及其制備方法A27304-0084-0027碳化硅耐火板材制造工藝A27304-0025-0028一種碳化硅晶須和微粉的工業(yè)制備方法A27304-0594-0029連續(xù)制備碳化硅晶須的三室連續(xù)晶須生成真空爐A27304-0152-0030一種納米碳化硅材料的制備方法A27304-0017-0031一種碳化硅納米棒的制備方法A273

13、04-0619-0032一種碳/碳復(fù)合材料納米碳化硅外涂層的制備方法A27304-0083-0033粘土結(jié)合碳化硅耐火材料A27304-0228-0034碳纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料的制備方法A27304-0717-0035粗顆粒碳化硅制品一次反應(yīng)燒成的生產(chǎn)方法A27304-0712-0036一種電泳共沉積制備梯度碳化硅涂層的方法A27304-0530-0037反應(yīng)燒結(jié)碳化硅的生產(chǎn)方法A27304-0342-0038以碳化硅為基板的發(fā)光元件A27304-0724-0039一種碳化硅陶瓷管狀制品及其制備方法A27304-0305-0040一種碳化硅表面改性方法A27304-0480-0041凝膠包裹

14、-冷凍干燥工藝制備碳化硅多孔陶瓷的方法A27304-0682-0042處理包含碳化硅的核燃料和使核燃料顆粒脫殼的方法A27304-0423-0043碳化硅加熱元件A27304-0667-0044碳化硅半導(dǎo)體裝置及其制造方法A27304-0467-0045具有高溝道遷移率的碳化硅半導(dǎo)體器件及其制造方法A27304-0524-0046基于碳化硅與氮化硅粘合劑的燒結(jié)耐火磚A27304-0158-0047利用注入和橫向擴(kuò)散制造碳化硅功率器件的自對(duì)準(zhǔn)方法A27304-0726-0048碳化硅熱交換管及其制備方法A27304-0686-0049一種磷酸鹽結(jié)合鋁碳化硅磚及其制備方法A27304-0597-0

15、050碳化硅/氧化鋁-氧化鈣核殼結(jié)構(gòu)的納米復(fù)合粉體及制備方法A27304-0127-0051以碳化硅材料為基材并具有多個(gè)不同電氣特性的分區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)A27304-0087-0052自流型無(wú)水泥碳化硅復(fù)合澆注料A27304-0404-0053稻草預(yù)處理和預(yù)處理的稻草生產(chǎn)碳化硅及其復(fù)合材料的方法A27304-0713-0054一種用于碳化硅的歐姆電極結(jié)構(gòu)及其制造方法A27304-0327-0055鋁鉻碳化硅耐火磚A27304-0409-0056用于清洗碳化硅顆粒的方法A27304-0356-0057制備核反應(yīng)堆用石墨表面抗氧化涂層材料碳化硅的方法A27304-0517-0058碳化硅半導(dǎo)體器件及

16、其制造方法A27304-0561-0059一種碳化硅器件制備的平坦化及側(cè)壁鈍化工藝A27304-0044-0060一種提高風(fēng)機(jī)效率的碳化硅涂料A27304-0343-0061用于高擊穿電壓半導(dǎo)體器件的高阻碳化硅襯底A27304-0364-0062用天然高嶺土制備碳化硅晶須/氧化鋁復(fù)合陶瓷粉的方法A27304-0493-0063一種氮化鋁增強(qiáng)碳化硅陶瓷及其制備方法A27304-0634-0064一種碳硅化鋁和碳化硅復(fù)合材料及其制備方法A27304-0557-0065使用原子氧在碳化硅層上制造氧化層的方法A27304-0239-0066碳化硅半導(dǎo)體器件及其制造方法A27304-0461-0067鋁

17、-碳化硅-碳質(zhì)耐火材料A27304-0001-0068一種碳化硅介孔材料及其制備方法A27304-0275-0069一種向缸套鉻層內(nèi)部擠入碳化硅的方法A27304-0548-0070一種碳化硅泡沫陶瓷太陽(yáng)能空氣吸熱器A27304-0468-0071減少碳化硅外延中的胡蘿卜缺陷A27304-0317-0072在高純碳化硅晶體中產(chǎn)生半絕緣電阻率的方法A27304-0040-0073電沉積金-碳化硅復(fù)合鍍層A27304-0163-0074一種制備碳化硅多孔陶瓷管的方法A27304-0171-0075射頻功率碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的互連方法和器件A27304-0146-0076碳化硅半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件A273

18、04-0216-0077一種用于橡膠模具的碳化硅陶瓷坯體的制備方法A27304-0010-0078碳化硅的表面改性方法A27304-0640-0079化學(xué)氣相沉積的碳化硅制品A27304-0079-0080賽隆結(jié)合碳化硅耐火陶瓷材料A27304-0502-0081碳化硅微粉回收的方法A27304-0687-0082碳化硅半導(dǎo)體元件及其制造方法A27304-0675-0083利用水溶性氧化劑的碳化硅拋光方法A27304-0172-0084碳化硅復(fù)合物材料及其制備方法A27304-0222-0085碳化硅納米線的制備方法A27304-0261-0086片狀氧化鋁顆粒結(jié)合碳化硅晶片組合增韌碳化硅陶瓷

19、制造方法A27304-0143-0087一種納米碳化硅晶須的制備方法A27304-0494-0088一種泡沫碳化硅陶瓷增強(qiáng)銅基復(fù)合材料摩擦片及制備方法A27304-0709-0089一種制備碳化硅木質(zhì)陶瓷的方法A27304-0602-0090熱蒸發(fā)法制備孿晶結(jié)構(gòu)碳化硅納米線的方法A27304-0383-0091制備碳化硅晶須的方法A27304-0126-0092一種制備納米級(jí)碳化硅晶須/纖維的方法A27304-0161-0093耐熱沖擊性高的高純硅化碳化硅A27304-0447-0094一種碳化硅單晶生長(zhǎng)后的熱處理方法A27304-0119-0095碳化硅砂輪A27304-0186-0096一

20、種在鈦碳化硅材料表面制備硅化物涂層的方法A27304-0380-0097光學(xué)反射鏡用致密碳化硅涂層的制備方法A27304-0523-0098魚(yú)雷罐用鋁碳化硅碳磚及魚(yú)雷罐內(nèi)襯結(jié)構(gòu)A27304-0090-0099用碳化硅與金屬合成金剛石的方法A27304-0278-0100一種碳化硅發(fā)熱元件冷端部的制造方法A27304-0100-0101碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件A27304-0636-0102一種對(duì)炭材料進(jìn)行碳化硅涂層的方法A27304-0290-0103一種高強(qiáng)度致密的泡沫碳化硅陶瓷材料及其制備方法A27304-0600-0104一種冶煉綠色碳化硅磨料的方法A27304-

21、0581-0105一種高溫結(jié)晶碳化硅電熱元件的生產(chǎn)方法A27304-0249-0106一種含炭纖維的碳化硅陶瓷組合物A27304-0722-0107一種無(wú)焊接重結(jié)晶碳化硅發(fā)熱體的擠制成型工藝A27304-0233-0108一種碳化硅反射鏡材料的制備方法及其CVI成形裝置A27304-0038-0109減少碳化硅外延生長(zhǎng)中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)A27304-0096-0110一種碳化硅再結(jié)晶制品的冷擠壓成型一次燒成的方法A27304-0455-0111一種碳/碳復(fù)合材料基碳化硅涂層及其制備方法A27304-0099-0112用于莫來(lái)石結(jié)合的含碳化硅制品的結(jié)合劑及其制備方法A273

22、04-0256-0113一種含纖維、晶須的碳化硅陶瓷組合物A27304-0173-0114一種制備碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法A27304-0428-0115碳化硅半導(dǎo)體器件A27304-0388-0116一種碳化硅微粉的生產(chǎn)工藝A27304-0703-0117碳化硅陶瓷管或棒的制備方法A27304-0282-0118一種制備碳纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料的裝置及工藝A27304-0624-0119多晶硅-碳化硅疊層薄膜太陽(yáng)能電池A27304-0513-0120碳纖維增強(qiáng)多孔型常壓燒結(jié)碳化硅及其制備方法A27304-0458-0121離子注入掩模及其制造方法,使用離子注入掩模的碳化硅半導(dǎo)

23、體器件及其制造方法A27304-0622-0122汽車氣缸套內(nèi)壁表面浸滲碳化硅的新工藝A273 04-0133-0123碳化硅結(jié)合棕剛玉耐磨磚8850992A27304-0341-0124制備碳化硅和任選制備鋁和硅鋁明(鋁硅合金)的方法A27304-0642-0125用于排蠟的多孔碳化硅匣缽及其制造方法A27304-0465-0126一種碳化硅耐火陶瓷材料的制備方法A27304-0596-0127一種能回收冶煉廢氣的碳化硅冶煉爐A27304-0202-0128碳化硅半導(dǎo)體器件的制造方法A27304-0129-0129一種碳化硅顆粒填充鑄型尼龍復(fù)合材料的制備方法A27304-0541-0130一

24、種碳纖維增強(qiáng)反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷及其制備方法A27304-0566-0131形成具有高反型層遷移性的碳化硅MOSFETS的方法A27304-0297-0132用微波技術(shù)快速燒結(jié)氮化硅結(jié)合碳化硅耐火材料的方法A27304-0574-0133鍋爐煤粉管道碳化硅均流體及其A27304-0656-0134碳化硅單晶的制造方法A27304-0041-0135不銹鋼-碳化硅酸度電極及制造法A27304-0618-0136一種方鎂石-尖晶石-碳化硅-碳復(fù)合材料及其制備方法A27304-0334-0137一種表面涂層的碳化硅發(fā)熱體A27304-0456-0138碳化硅磁性氧化顏料組合物及其A27304-0466

25、-0139碳化硅(SiC)單晶的制造方法以及通過(guò)該方法得到的碳化硅(SiC)單晶A27304-0440-0140一種碳纖維增韌的碳-碳化硅基復(fù)合材料及其制備方法A27304-0510-0141一種低溫合成碳化硅的原料配方及方法A27304-0111-0142具有金剛石涂層的碳化硅寶石A27304-0205-0143一種介孔結(jié)構(gòu)高比表面碳化硅材料及其制備方法A27304-0308-0144碳化硅和無(wú)粘結(jié)劑碳的復(fù)合體及其制造方法A27304-0007-0145用于旋轉(zhuǎn)噴頭的碳化硅耐火陶瓷材料A27304-0187-0146一種對(duì)鈦碳化硅材料鋁-稀土共滲的方法A27304-0177-0147碳化硅電

26、熱元件及生產(chǎn)工藝A27304-0018-0148銅包裹納米碳化硅顆粒制備納米復(fù)合粉體顆粒的方法A27304-0066-0149一種單晶碳化硅短纖維的制備方法A27304-0107-0 150生產(chǎn)碳化硅單晶的方法A27304-0720-0151無(wú)微管碳化硅及其相關(guān)制備方法A27304-0345-0152碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管及其A27304-0550-0153一種從切割廢砂漿中回收硅粉和碳化硅粉的方法A27304-0444-0154鋯鈦酸鉛/碳化硅復(fù)合陶瓷材料及其制備方法A27304-0226-0155碳化硅晶體生長(zhǎng)的方法和裝置A27304-0700-0156碳/碳化硅復(fù)合材料內(nèi)部缺陷厚度測(cè)量方

27、法A27304-0006-0157采用如碳化硅所制成的電加熱元件A27304-0294-0158大面積碳化硅器件及其制造方法A27304-0692-0159碳化硅A27304-0031-0160在碳化硅中制造雙極結(jié)晶體管的方法和得到的器件A27304-0224-0161光學(xué)反射鏡致密硅/碳化硅涂層的制備方法A27304-0178-0162塊狀碳化硅單晶生長(zhǎng)的制備方法A27304-0662-0163激光照射納米碳化硅粉末材料制備碳化硅晶須的方法A27304-0122-0164碳化硅預(yù)制塊的制備工藝A27304-0477-0165具有碳化硅耐久接觸的方法和器件A27304-0479-0166一種電

28、阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料及其制備方法A27304-0135-0167利用河沙制備碳化硅晶須的方法A27304-0254-0168一種含晶須、纖維以及片狀嵌入顆粒的碳化硅陶瓷A27304-0426-0169一種合成兩種不同形狀碳化硅納米線的方法A27304-0092-0170碳化硅系列新型微孔陶瓷填料A27304-0372-0171其滑動(dòng)面或密封面具有最佳摩擦性的碳化硅燒結(jié)體A27304-0075-0172硅碳棒及碳化硅再結(jié)晶制品的節(jié)能工藝及配方A27304-0416-0173碳化硅晶體的生長(zhǎng)系統(tǒng)A27304-0668-0174碳化硅微粉分步除鐵裝置及方法A27304-0303-0175

29、生產(chǎn)低氧化硅、二氧化硅和/或碳化硅平面平行結(jié)構(gòu)的方法,采用這些方法獲得的平面平行結(jié)構(gòu)和它們的應(yīng)用A27304-0670-0176碳化硅陶瓷攪拌頭A27304-0101-0177自燒結(jié)碳化硅/碳復(fù)合材料A27304-0015-0178用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所獲得的器件和電路A27304-0272-0179一種三物質(zhì)組合增韌碳化硅陶瓷制造方法A27304-0037-0180用電阻爐生產(chǎn)碳化硅的方法A27304-0360-0181碳化硅基陶瓷材料在腐蝕性環(huán)境中的應(yīng)用A27304-0130-0182具有預(yù)定的碳化硅區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的應(yīng)用A27304-0280-0183大面積碳化硅

30、器件及其制造方法A27304-0367-0184納米線碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管A27304-0311-0185帶電子電路的碳化硅微機(jī)電器件A27304-0472-0186應(yīng)變硅CMOS晶體管的原位摻雜硅鍺與碳化硅源漏極區(qū)A27304-0706-0187一種碳纖維表面生成碳化硅涂層的方法A27304-0190-0188一種蓄能發(fā)電兼顧生產(chǎn)碳化硅的發(fā)電系統(tǒng)A27304-0296-0189基于光固化原型熱解的碳化硅陶瓷復(fù)合材料成型工藝方法A27304-0320-0190一種一次成型碳化硅發(fā)熱元件的制造方法A27304-0446-0191基體前驅(qū)物液汽相熱解制備碳/碳-碳化硅復(fù)合材料的方法A273

31、04-0051-0192氧化鋁-氧化鋯-碳化硅-氧化鎂陶瓷制品A27304-0702-0193一種在硼化鋯-碳化硅陶瓷復(fù)合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法A27304-0393-0194一種納米級(jí)碳化硅粉體的制備方法A27304-0417-0195通過(guò)在含氫氣氛中的升華生長(zhǎng)減少碳化硅晶體中的氮含量A27304-0144-0196生長(zhǎng)非常均勻的碳化硅外延層A27304-0232-0197碳/碳化硅與鈮或鈮合金用復(fù)合粉末釬焊的方法A27304-0503-0198碳/碳-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備方法A27304-0612-0199一種復(fù)合結(jié)合氧化鋁-碳化硅-(碳)系不定形耐火材料A27304-

32、0470-0200一種合成六棱柱狀碳化硅納米棒的方法A27304-0183-0201制造晶片用的碳化硅舟的切割制造方法A27304-0114-0202表面包敷與未包敷二氧化硅的碳化硅納米棒及制備方法A27304-0121-0203冶煉碳化硅的爐氣回收裝置A27304-0097-0204一種生產(chǎn)高強(qiáng)度氮化硅結(jié)合碳化硅制品的方法A27304-0174-0205碳化硅反射鏡坯體成型工藝方法及脹縮模具A27304-0684-0206碳化硅半導(dǎo)體元件的制造方法A27304-0054-0207高強(qiáng)度碳化硅基陶瓷材料及其制備工藝A27304-0159-0208碳化硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的層疊電介質(zhì)A27304-03

33、94-0209具有氧化層的碳化硅陶瓷部件A27304-0034-0210碳化硅纖維生產(chǎn)中的尾氣回收方法及裝置A27304-0023-0211在碳化硅基襯底上獲得高速電學(xué)材料結(jié)構(gòu)的方法A27304-0255-0212一種含碳化硅晶須以及片狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷A27304-0542-0213高電阻常壓燒結(jié)碳化硅制品的生產(chǎn)方法A27304-0576-0214制氫用的碳化硅納米線催化劑的制備方法及其用途A27304-0464-0215常壓燒結(jié)碳化硅制品的快速燒結(jié)法A27304-0080-0216稀土復(fù)合碳化硅材料及其用途A27304-0495-0217一種在碳纖維表面制備碳化硅涂層的方法A27

34、304-0200-0218一種包括晶須、纖維的多元組合增韌碳化硅陶瓷制造方法A27304-0168-0219碳化硅材質(zhì)熱處理用工具A27304-0637-0220塊狀碳化硅單晶的生產(chǎn)A27304-0484-0221碳化硅半導(dǎo)體裝置及其制造方法A27304-0039-0222通過(guò)化學(xué)汽相淀積生產(chǎn)碳化硅的方法和裝置A27304-0629-0223由再結(jié)晶碳化硅制成的浸漬泡沫陶瓷A27304-0505-0224碳化硅復(fù)相陶瓷的制備方法A27304-0693-0225一種碳化硅泡沫陶瓷波紋板及其制備方法A27304-0115-0226用硅襯底碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體A27304-0593-022

35、7制備碳化硅多孔陶瓷的燃燒合成法A27304-0589-0228單晶碳化硅納米線、其制備方法以及包含所述單晶碳化硅納米線的過(guò)濾器A27304-0415-0229碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料制備方法A27304-0418-0230碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗凈方法A27304-0627-0272一種致密鋁碳化硅質(zhì)復(fù)合材料及其制備方法A27304-0332-0273碳化硅/銅金屬陶瓷高溫電接觸復(fù)合材料制備方法A27 304-0694-0274納米碳化硅增韌氧化鋁防彈陶瓷的制備方法A27304-0498-0275具有超薄碳化硅中間層的硅基可協(xié)變襯底及制備方法A27304-0719-0276制造碳化硅半導(dǎo)體裝置的方法A27304-0047-0277氧化鋁包覆的碳化硅須晶-氧化鋁復(fù)合材料A27304-0086-0278防氧化碳化硅耐火材料生產(chǎn)工藝A27304-0688-0279一種生產(chǎn)塞隆/氮化硅復(fù)相結(jié)合碳化硅制品的方法A27304-0324-0280向接收基板轉(zhuǎn)移碳化硅薄層的優(yōu)化方法A27304-0723-0281碳化硅半導(dǎo)體裝置及其制