少子壽命測試儀

1、少子壽命測試儀TL-1B小圖TL-1B大圖TL-1C小圖TL-1C大圖1、概述。我公司生產(chǎn)的高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀共有TL-1（基本型）、TL-1B、TL-1C、TL-1D四種型號。LT-1高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，由于對樣塊體形無嚴(yán)格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。2、設(shè)備的組成壽命測試范圍：106000s按測量標(biāo)準(zhǔn)對儀器設(shè)

2、備的要求，本儀器設(shè)備配有：2.1 光脈沖發(fā)生裝置重復(fù)頻率25次/s    脈寬60s           光脈沖關(guān)斷時(shí)間5s紅外光源波長：1.061.09m（測量硅單晶） 脈沖電源：5A20A2.2 高頻源  頻率：30MHz        低輸出阻抗            輸出

3、功率1W2.3 放大器和檢波器頻率響應(yīng)：3Hz1MHz2.4 配用示波器配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz    Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)如測量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長的光源整機(jī)體積、重量、電源主機(jī)外形尺寸：W470×D365×H155總重量：12Kg電源：220V  50Hz    功耗50WTL-1B型型壽命儀。壽命測試范圍：106000s，測試單晶電阻率范圍：2· 。整機(jī)體積、重量、電源主機(jī)外形尺寸：W470×D365×H155總重量：12Kg電源：220V

4、 50Hz 功耗50WLT-1 C型壽命儀是LT-1B的改進(jìn)型，除保持LT-1B型原有性能外，在對低阻硅單晶測量時(shí)，采用了全新理念，使信噪比提高了數(shù)十倍至數(shù)百倍，將硅單晶壽命測量下限從3·cm，延伸到0.3，可滿足太陽電池級硅片的測試要求，C型儀以測量硅片為主，也可測量樣品臺可承受其重量的單晶棒（如長度為50100mm的塊狀單晶），由于測量低阻單晶一般都要清洗機(jī)械加工形成的損傷層，以降低表面復(fù)合速度并增加光的吸收效果，而太大的單晶不便于做表面化學(xué)拋光處理，因此一般可在單晶頭尾部切片測量。LT-1C型壽命儀配有兩種光源電極臺，平面型電極用于3·cm的晶棒測量，U型電極用于3&

5、#183;cm的晶片測量。測試范圍：電阻率0.3，壽命510000整機(jī)體積、重量、電源主機(jī)外形尺寸：W470×D365×H155總重量：16Kg電源：220V 50Hz 功耗50WLT-1 D型壽命儀是LT-1C的改進(jìn)型，除保持LT-1C型原有性能外，在對低阻硅單晶測量時(shí)，采用了全新理念，使信噪比提高了數(shù)十倍至數(shù)百倍，將硅單晶壽命測量下限從0.3·cm，延伸到0.1，可滿足太陽電池級硅片的測試要求，D型儀可測量硅、鍺兩種晶體壽命。包括薄片、晶錠。也可測量樣品臺可承受其重量的單晶棒（如長度為50100mm的塊狀單晶）。由于測量低阻單晶一般都要清洗機(jī)械加工形成的損傷層，以降低表面復(fù)合速度并增加光的吸收效果，而太大的單晶不便于做表面化學(xué)拋光處理，因此一般可在單晶頭尾部切片測量。LT-1D型壽命儀配有兩種光源電極臺，平面型電極用于3·cm的晶棒測量，U型電極用于3·cm的晶片測量。測試