新型高效晶硅電池技術(shù)——HIT重點(diǎn)

1、HIT Solar Cell Technologyscvcnstar-洋HIT電池的發(fā)展I 1990年，Sanyo必司最早推出磁拈?？抵獦?gòu)的HIT電池，幷 儀得了 12%的攜換枚彳。 1992年，Sanyo亦司做tfc 7 18.1%的轉(zhuǎn)換敢事。 1994年，Sanyok司右Jem?面積上獲得20%軸換效豐。 1997年，Sanyo 4S司吐行產(chǎn)業(yè)億生*,幷広純HlOOcm?面 積上獲得了 17.39%的轉(zhuǎn)換效車。 2002年，Sanyo亦司電池政卓達(dá)18.5%,俎件就卓達(dá)16.1%。 2002年，Sanyo必司乜迪效半達(dá)21.3%,俎件敗卒達(dá)17%。 2006年，Sanyo心可電池?cái)≤囘_(dá)21

2、.8% 2008年，Sanyo公司做出100.5 cm 厚度為70pm的電也效 率 22.3%。 2010年，Sanyo公司的HIT研發(fā)電庖敢隼達(dá)23%。至2008年吐界HIT電池的研究現(xiàn)狀nw位帖體”更即足否絨IM肯面場(chǎng)工藝效卒11本冷anyoCZn足麗*SiPECVD22.3%FZnn4SiPECVD9.8%SIK/11NUFZp楚p-SiPECVDI7.4otW.NRELFZnn-a-SimvcvD1818%中國(guó)沖科院CZpaA!HWCVD36%1利WivRmgtENE 八czp&AlPECVD17.1%決國(guó)/LPICMCZpftAlPECVD15.2% Grid electrode二洋

3、雙面HIT電池結(jié)構(gòu)圖p-type a-Si：* 0.01 pm/4ype a-Si* 001 pmn-type a-Si *0.01 pm昂硅/非站硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)增加開珞電圧提高轉(zhuǎn)換敗率HIT電池工藝制程p-type a-Si:-0.01 pm/-type a-Si 0.01 pmn-type a-Si： 0.01 pm.一 Grid electrodeR&R工藝諭洗制扳正面PECVD背面PECVD_ 正面PVD背而PVD絲網(wǎng)印劇HIT電池的優(yōu)點(diǎn)HIT電池斗冇較為的開珞電UVoc.三卑規(guī)構(gòu)億生尹敗阜 可想過20%。良好的溫度村性.左外使用湛度經(jīng)帝會(huì)達(dá)対7480度A 同樣的拓溫下.HIT電池比枯理

4、丈陽(yáng)電池社能衷減更少。 HIT電池工藝均疫200度以下，對(duì)子村底睦材嶄的宴求較 低。熱能投入少同對(duì)對(duì)環(huán)猶滋凈租度要求軟低.仝卵疫統(tǒng)式設(shè)備.易于實(shí)現(xiàn)勺動(dòng)億效卓可以做到19%,與17%的專觀電池赦 率和比，加舌于節(jié)不9%的成本決度檸性0.3%/K vs.0.43%/K,熠加4%的能 量輸出，節(jié)省4%的成本。R&R HJT電池的優(yōu)點(diǎn)工藝對(duì)比工藝夕赧冷加，很各更 夏雜。多才SunFab生產(chǎn)歿 的成本，R&R的沒備價(jià)格罔邊劉蝕工序只能改A 景后，不能像油規(guī)工藝 4Ad的主丸PECVD工 藝為亙接丸憑率一般 夠13.56MHz,管丸 _PECVD覆&也可號(hào)主理三洋產(chǎn)能增長(zhǎng)緩慢rs2CCXF產(chǎn)ft MV/)

5、第-名Fkit Soldi1100勇二名兀慍刊三7W麵三名S359552 cet586弟五名S25320另七名400冬人名399*Afi397氨十名&368近年三洋的電池產(chǎn)能排纟不斷障低O刊 2009年己經(jīng)跌出前十。相似的壟斷技術(shù) 企業(yè)First Solar和SunPower直鋒持強(qiáng)妙 的增長(zhǎng)HIT技術(shù)難點(diǎn)1. 非甜硅太陽(yáng)電也的巧屯，現(xiàn)區(qū)主要著重于改曇非站 硅廡本身性質(zhì)，以減少缺陷密盛。產(chǎn)格控制aSi/cSi 界面質(zhì)量，不斯吟低缺陷態(tài)密度。2. 優(yōu)億光陷，陣低反射率。3 提為透期導(dǎo)物膜的電導(dǎo)率，遺射率。4 海低僉屬桶筑的接紐電阻。PECVD技術(shù)難點(diǎn)一等離子體的不稅丸性。等妥子體的穩(wěn)爻性旻一個(gè)復(fù)

6、親的問題。#衣子體本身是由電 孑.禽孑等奉電電荷殂成的準(zhǔn)中性毛體聞此它的狀態(tài)汆易 吳列外界條件的巧響而發(fā)生變化.材底起面的帑屯狀態(tài).反 吐的溥膜附痔.屯源的發(fā)動(dòng).毛體的沆速等都會(huì)改支等 拓孑體的狀態(tài).改支其中活性社子的種類處救匕 從而改支所 沉積萼膜的性凰；另外宼丸規(guī)筷生產(chǎn)中在較大的而積上保持 孑需孑體的均勻桂也是一件同強(qiáng)的寧.逹種壘異的慮因孩孩 是隱性的解決這一問題芳要希通孑冑子體的專業(yè)知識(shí)。PECVD技術(shù)難點(diǎn)二r孑專子體中電子及離子輻照對(duì)沉積萍膜結(jié)構(gòu)及電子學(xué)特性 福傷等寫子體加工過租中另一方面的問趙是尋離子體掛傷主要垢 需子表出及光子輜脛除了會(huì)冷低沉積膜的質(zhì)量外.還對(duì)昌體 Si材底帶來(lái)?yè)p傷。光譜響應(yīng)的研屯結(jié)果發(fā)觀利用等禽于體技 術(shù)制備的HIT電血莊藍(lán)光光譜響應(yīng)提心 而右.紅光區(qū)光 鏘響應(yīng)哆低.這一方面表朗本準(zhǔn)層的鈍化作用提葛了盔光區(qū)的 光量子效準(zhǔn).另一方面裹朗孑育子體對(duì)耳件的損傷洙入列孚件 內(nèi)卻，度成寶要衣Si體內(nèi)彼沒收的紅光區(qū)的量子效半下萍。為 琴低尋離子體損傷焉娶嚴(yán)格疑*1孑禽子體的放電功卓將其 淙低圣最小.以能維特放電為進(jìn).這實(shí)際上萍低了尋富子體的 穩(wěn)衣性增加了工藝多數(shù)桂制的難度。PECVD技術(shù)難點(diǎn)三碉和碑的攙雜滾度瑙以提需。沉積P世和N型非船硅的過程