等離子體電子工程(20)―等離子體的生成方法I_圖文_第1頁
等離子體電子工程(20)―等離子體的生成方法I_圖文_第2頁
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文檔簡介

壓的升高而增加。這時的微弱電流(稱為暗流)是不穩(wěn)定的,還沒有 b 點后,電流迅 達到真正放電中的那種電流持續(xù)流動的狀態(tài)。在超過 c 點就是所謂的放電著火狀態(tài),對應的電壓 速增大而達到湯生放電。 是 4.2 節(jié)中講過的著火電壓。 在圖 5.3 中,放電從 c 點開始后會進入電流增加而電壓下降的 c 至 d 點的階段(前期輝光放電) 。產(chǎn)生這樣的負阻現(xiàn)象( dV / dI < 0 ) 是因為等離子體電阻( V / I )隨等離子體密度增加而變小。若我們再 增大電流, 那么放電就會進入電壓一定的 d 至 e 階段 (正常輝光放電) 。 造成這種定電壓特性的原因是,電流密度 j 一定、面積 A 增加而導致 總電流 I = Aj 增大。但是,電流超過流過全部陰極面積的 e 點后,放 電就要進入電流密度 j 增加而導致整個電流增大的 e 至 f 階段(反常 輝光放電) 。 在以上放電開始的 c 點至 f 點的過程中,我們可以看到等離子體 的輝光現(xiàn)象,故這種放電稱為輝光放電(glow discharge) 。進一步增 大電流,電壓 V 會下降到電離電壓值附近而到達 g 點,從而引起電 弧放電。對于這種從輝光到電?。╝

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