等離子體電子工程(20)―等離子體的生成方法I_圖文_第1頁(yè)
等離子體電子工程(20)―等離子體的生成方法I_圖文_第2頁(yè)
等離子體電子工程(20)―等離子體的生成方法I_圖文_第3頁(yè)
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壓的升高而增加。這時(shí)的微弱電流（稱(chēng)為暗流）是不穩(wěn)定的，還沒(méi)有 b 點(diǎn)后，電流迅 達(dá)到真正放電中的那種電流持續(xù)流動(dòng)的狀態(tài)。在超過(guò) c 點(diǎn)就是所謂的放電著火狀態(tài)，對(duì)應(yīng)的電壓 速增大而達(dá)到湯生放電。 是 4.2 節(jié)中講過(guò)的著火電壓。 在圖 5.3 中，放電從 c 點(diǎn)開(kāi)始后會(huì)進(jìn)入電流增加而電壓下降的 c 至 d 點(diǎn)的階段（前期輝光放電） 。產(chǎn)生這樣的負(fù)阻現(xiàn)象（ dV / dI < 0 ） 是因?yàn)榈入x子體電阻（ V / I ）隨等離子體密度增加而變小。若我們?cè)?增大電流， 那么放電就會(huì)進(jìn)入電壓一定的 d 至 e 階段 （正常輝光放電） 。 造成這種定電壓特性的原因是，電流密度 j 一定、面積 A 增加而導(dǎo)致 總電流 I = Aj 增大。但是，電流超過(guò)流過(guò)全部陰極面積的 e 點(diǎn)后，放 電就要進(jìn)入電流密度 j 增加而導(dǎo)致整個(gè)電流增大的 e 至 f 階段（反常 輝光放電） 。 在以上放電開(kāi)始的 c 點(diǎn)至 f 點(diǎn)的過(guò)程中，我們可以看到等離子體 的輝光現(xiàn)象，故這種放電稱(chēng)為輝光放電（glow discharge） 。進(jìn)一步增 大電流，電壓 V 會(huì)下降到電離電壓值附近而到達(dá) g 點(diǎn)，從而引起電 弧放電。對(duì)于這種從輝光到電?。╝

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