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文檔簡介

1、 §6.4 半導(dǎo)體激光器 (3分布反饋式半導(dǎo)體激光器(DFB 分布反饋式半導(dǎo)體激光器是伴隨光纖通信和集成光學(xué)的發(fā)展而 研制成功的。 普通的F-P腔半導(dǎo)體激光器，光反饋是通過兩個(gè)解理面的反射實(shí) 現(xiàn)的，縱模的選擇是由增益譜決定的，由于增益譜寬通常比縱 模間隔寬得多，所以難于單縱模工作。 DFB 激光器的結(jié)構(gòu)如圖所示。 光反饋不是由激光器端面反射 鏡提供，而是在整個(gè)腔上，依 靠刻蝕在激光器有源層或其相 鄰波導(dǎo)層上的周期光 柵 所形成 的擾動(dòng)，通過布喇格衍射提供 分布反饋的。 §6.4 半導(dǎo)體激光器 (4量子阱半導(dǎo)體激光器 量子阱半導(dǎo)體激光器是伴隨著分子束外延 (MBE 、有機(jī)金屬

2、化 學(xué)氣相沉積(MOCVD及化學(xué)束外延(CBE、原子層外延(ALE等 技術(shù)的發(fā)展，研究成功并迅速發(fā)展起來的新型半導(dǎo)體激光器。 與普通半導(dǎo)體激光器的主要區(qū)別在于它的激活區(qū)不是一層激活 材料(如前面提到的p-GaAs，而是由量子阱材料構(gòu)成的。 所謂量子阱是由兩個(gè)帶隙不同的超薄層化合物半導(dǎo)體交替生長 的周期結(jié)構(gòu)，如圖。 §6.4 半導(dǎo)體激光器 圖(a是由兩種組分材料的許多薄層交替堆疊而成的結(jié)構(gòu)，稱為 多量子阱(MQW；圖(b是由兩種組分薄層構(gòu)成的，稱為單量子 阱(SQW。 這種量子阱材料的能帶在實(shí)空間中呈現(xiàn)如圖所示的不連續(xù)分布 。 量子阱結(jié)構(gòu)中的超薄層厚度僅為幾納米到十幾納米，使其呈現(xiàn)出量子 效應(yīng)，其吸收、發(fā)射和載流子輸運(yùn)特性與常規(guī)半導(dǎo)有很大的差別。由 于量子效應(yīng)，使量子阱半導(dǎo)體激光器具有極低的閾值電流 (<1mA，高 的

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