最新整理-博士生資格考試歷年考題共12文檔

1、第1頁2019 年資格考試一、簡(jiǎn)答題1.溶化金屬為何要有一定的過冷度才能觀察到析晶現(xiàn)象？2.陶瓷燒結(jié)后期晶粒長(zhǎng)大的動(dòng)力是什么？3.為什么純固體相變總是放熱反應(yīng)？二、滑移、孿生、形變帶，這三種缺陷如何從形貌上來判斷。三、應(yīng)變 -硬化、彌散 - 硬化、晶粒細(xì)化，這三種強(qiáng)化機(jī)制的異同點(diǎn)。四、三元相圖中， 垂直截面的線與二元相圖中的線有何區(qū)別， 能否應(yīng)用杠桿定律， 在什么情況下適用？五、純金屬在凝固、溶解、固 -液平衡過程中 Gibbs 自由能與焓變關(guān)系圖。六、某金屬熔點(diǎn)為 600 度，問在 590 度時(shí)，凝固能否自發(fā)進(jìn)行，并求此時(shí)的熵變。（已知凝固熱 H）七、 關(guān)于配分函數(shù)，已知Cp,證明 U 和

2、Cv 的關(guān)系式。八、 Au 和 Ag 的晶格常數(shù)為 0.408 和 0.409，問1.在 Au 基體上鍍一層 100nm 的 Ag，用 XRD 能否檢測(cè)出這層膜；2.在 Au （111）基體上鍍一層 100nm 的 Ag，用 XRD 能否檢測(cè)出這層膜；3.在 Au （111）基體上，用外延生長(zhǎng)的方法生長(zhǎng)Ag 的（111 ）面，用 XRD 能否檢測(cè)出這層膜；九、 透射電鏡衍射, 如為單晶, 則衍射花樣為規(guī)則排列的斑點(diǎn), 如為單晶, 則衍射花樣為環(huán)。 如有一一維無限長(zhǎng)單原子鏈,用一束電子垂直照射,會(huì)出現(xiàn)什么樣的衍射花樣。十、單晶 Si 上鍍一層的 SiC 薄膜,設(shè)計(jì)一個(gè)試驗(yàn)方案分析 SiC 薄膜的

3、厚度,成份和結(jié)構(gòu)。 2019 年 4 月資格考試（可能）1. 說明|Fs|、|Ls|、I 電子 的含義及其物理意義。（10 分）2. 簡(jiǎn)述雙面法測(cè)滑移面指數(shù)的原理。（10 分）3. 給出 8 個(gè) 2seita 角，判斷晶體結(jié)構(gòu)，計(jì)算晶格常數(shù) a，寫出出現(xiàn)衍射線的面族。（10 分）4. 某單晶體，X 射線沿0 -1 0 方向入射，晶體 卜 1 0 0 方向豎直，0 0 1方向平行于底片。（a）（-3 -1 0 ）面一級(jí)反射 X 光的波長(zhǎng)。（b） 底片與晶體相距 5cm,求勞厄斑在底片上的位置。（12 分）5. Ag、Fe 的混合粉末，固溶度極小。計(jì)算在2seita 屬于45，110范圍內(nèi)衍射線條

4、數(shù)。入=1.973 ; Fe 為 bcc 結(jié)構(gòu)，a = 2.8x ; Ag 為 fcc 結(jié)構(gòu)，a= 4.xx。（12 分）6. 內(nèi)標(biāo)法物相分析。試樣：標(biāo)物=80: 20; I （TiO2）: I （AI2O3）= 1.7 : 2;I（TiO2） /Ic = 3.4。求試樣組成。（12 分）7. 簡(jiǎn)述何為織構(gòu) ?給出 Ag 的110織構(gòu)與搖擺曲線，判定織構(gòu)類型。搖擺曲線分別在 0、 90、 180、 270、 360 度的位置有峰值。（12 分）8. 簡(jiǎn)述宏觀應(yīng)力、微觀應(yīng)力、微晶對(duì)X 衍射線的影響。如何區(qū)別它們？（ 12 分）9. 簡(jiǎn)述精確測(cè)定點(diǎn)陣參數(shù)時(shí)候外推法消除誤差的原理。（10 分）1.

5、給出立方和六方晶胞，標(biāo)指數(shù)。（8 分）2. fcc 、 bcc、 hcp 密排方向、密排面、密排方向最小單位長(zhǎng)度。 （5 分）3. 某晶體從高溫降低至低溫后空位密度降低6 個(gè)數(shù)量級(jí)；已知 T1、T2 求空位形成能。（10）4. Ni 單晶，給出晶格常數(shù) a 與某面族間距 d，算是哪個(gè)晶面族。（5 分）第2頁5. 推導(dǎo)二元系綜合擴(kuò)散系數(shù)與分?jǐn)U散系數(shù)以及二組員摩爾含量間的關(guān)系。（10 分）6. 請(qǐng)分析調(diào)幅分解與脫溶分解的區(qū)別。（10 分）7. 請(qǐng)分析馬氏體相變的特征，并加以解釋。 （ 10 分）8. 按照位錯(cuò)名稱、類型、b、運(yùn)動(dòng)方式、形成方式 5 方面總結(jié) fee 中的位錯(cuò)類型。（12 分）9.

6、分析合金強(qiáng)化的機(jī)制并舉出實(shí)例。 （10 分）10. Fe-C 相圖 2合金的相關(guān)分析。 （ 20 分）2019 年 11 月份資格考試1 固溶強(qiáng)化，彌散強(qiáng)化，細(xì)晶強(qiáng)化和加工硬化的強(qiáng)化機(jī)制；答：A 固溶強(qiáng)化是固溶體的強(qiáng)度高于純組元的現(xiàn)象。無論溶質(zhì)以置換、還是間隙方式固溶，都能產(chǎn)生強(qiáng)化效果，其實(shí)質(zhì)在于溶質(zhì)對(duì)位錯(cuò)滑動(dòng)的阻礙作用。包括：溶質(zhì)對(duì)位錯(cuò)的釘扎；溶 質(zhì)與位錯(cuò)的化學(xué)交互作用；溶質(zhì)與位錯(cuò)的電交互作用； 溶質(zhì)周圍的應(yīng)力場(chǎng)對(duì)位錯(cuò)滑動(dòng)的阻礙 作用。其結(jié)果導(dǎo)致位錯(cuò)滑動(dòng)阻力增大，強(qiáng)度提高。影響固溶強(qiáng)化的因素有：溶質(zhì)種類、固溶 體濃度、溶劑和溶質(zhì)原子尺寸差、電子濃度因素和溶質(zhì)原子的強(qiáng)化效應(yīng)。一般遵循一下規(guī)律：

7、 不同溶質(zhì)原子有不同的強(qiáng)化效應(yīng)； 固溶體濃度越高， 強(qiáng)化作用越大； 溶質(zhì)與溶劑原子尺寸差 別越大，強(qiáng)化越好；溶質(zhì)與溶劑的化學(xué)價(jià)相差越大，強(qiáng)化效果越明顯。B 彌散強(qiáng)化， 合金中機(jī)械混摻于基體材料中的硬質(zhì)顆粒會(huì)引起合金強(qiáng)化， 是第二相 （彌散相） 周圍形成很強(qiáng)的應(yīng)力場(chǎng)， 阻礙了位錯(cuò)的滑移， 其中彌散相和基體原子間沒有化學(xué)的交互作用。C 細(xì)晶強(qiáng)化，根據(jù) Hall-petch 公式，屈服點(diǎn)（T s同晶粒直徑 d 之間的關(guān)系是：（T s=o+kd1/2, 所以晶粒減小后，屈服強(qiáng)度就會(huì)增大。 另外， 晶粒細(xì)化后， 晶界就會(huì)增多， 在低溫或室溫下， 晶界強(qiáng)度大于晶粒強(qiáng)度， 滑移難以穿過晶界， 同時(shí)由于晶界內(nèi)

8、大量缺陷的應(yīng)力場(chǎng)， 使晶粒內(nèi) 部滑移更加困難，從而阻礙滑移的進(jìn)行。D 加工硬化， 晶體塑性變形時(shí)其流變應(yīng)力隨應(yīng)變量增加而增大的現(xiàn)象，稱為應(yīng)變硬化。 其表現(xiàn)形式為在對(duì)金屬或合金進(jìn)行冷加工時(shí)， 其強(qiáng)度增加， 故稱之為加工硬化或加工強(qiáng)化。 加工 硬化的原因按位錯(cuò)理論可以解釋為： 位錯(cuò)間的長(zhǎng)程相互作用； 位錯(cuò)交割生成割階； 位錯(cuò)反應(yīng) 形成固定位錯(cuò)；位錯(cuò)增殖使位錯(cuò)密度不斷增加，造成位錯(cuò)纏繞；位錯(cuò)在雜質(zhì)、析出物、第二 相粒子等周圍的塞積， 位錯(cuò)切過或繞過析出物而附加應(yīng)力； 還有晶界強(qiáng)化等。 這些因素使位 錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的阻力越來越大，從而造成加工硬化。2 三元相圖垂直截面與二元相圖有何不同？為何杠桿定律不適用？三

9、元相圖垂直截面何時(shí) 適用杠桿定律？答：二元相圖是表示二組元系統(tǒng)相的平衡狀態(tài)、成分關(guān)系隨溫度變化的平面圖形，在分析合 金結(jié)晶過程時(shí)，可以用杠桿定律定量確定兩相共存狀態(tài)下兩相的相對(duì)量。三元相圖的垂直截面可分析相應(yīng)于成分特性線上任一三元合金的結(jié)晶過程， 但是在三元垂直截面中不能應(yīng)用杠 桿定率確定二相的成分和相對(duì)量， 這是因?yàn)閮上喑煞肿兓€并不是沿垂直截面的液、固相線。而是兩條空間彎曲線，垂直截面的液、固相線僅是垂直截面與立體相圖的相區(qū)分界面的交線。垂直截面圖分析與投影圖分析結(jié)果一致， 但垂直截面所分析的結(jié)晶過程更為直觀，缺點(diǎn)是不能確定成分和量的關(guān)系， 而投影圖則可以給出反應(yīng)中相成分和量的變化， 故而

10、者可以配合使 用。（其他答案：在三元相圖的垂直截面中，兩相成分變化線并不是沿垂直截面的液固相線， 而是兩條空間彎曲線，垂直截面上的液因相線僅是垂直截面與立體相圖的相區(qū)分界面的交 線。因此二元相圖的杠桿定律不能實(shí)現(xiàn)。當(dāng)垂直截面是沿三元相圖邊線截下時(shí)， 此時(shí)三元相圖退變?yōu)槎鄨D， 杠桿定律就可以 應(yīng)用了。）3 溶化金屬為何要有一定的過冷度才能觀察到析晶現(xiàn)象？陶瓷燒結(jié)后期晶粒長(zhǎng)大的動(dòng)力是 什么？答：液態(tài)金屬是長(zhǎng)程無序，短程有序的結(jié)構(gòu)，有序區(qū)稱為晶胚，這種短程有序是此起彼伏的 稱為結(jié)構(gòu)起伏，同時(shí)伴隨著能量起伏。 結(jié)晶就是晶核不斷形成并長(zhǎng)大的過程。 凝固轉(zhuǎn)變遵循熱力學(xué)條件，即 G= Gs-GL0 非自

11、發(fā)。）6 在 si 基片上上沉積 100nm 厚的多晶 SiC 薄膜，怎樣確定其結(jié)構(gòu)、厚度和成分？ 答：首先，由 X 光衍射分析，F(xiàn)T-IR , Raman 光譜以及 XPS 譜分析可以判斷薄膜的結(jié)構(gòu)，XRD是晶體的指紋，不同的物質(zhì)具有不同的XRD 寺征峰（晶面間距和相對(duì)強(qiáng)度），對(duì)照 PDF 卡片即可進(jìn)行定性分析。 紅外光譜在材料領(lǐng)域的研究中占有十分重要的地位，是研究材料的物理和化學(xué)結(jié)構(gòu)及其表征的基本手段。具有相同化學(xué)鍵或者官能團(tuán)的一系列化合物具有近似相同 的吸收頻率-基團(tuán)寺征頻率。 不過， 同一種基團(tuán)處于不同的化學(xué)環(huán)境時(shí)，其寺征頻率會(huì)略有差異。 測(cè)出薄膜的紅外光譜后， 與標(biāo)準(zhǔn)譜對(duì)照峰位就可以

12、堅(jiān)定 SiC 的結(jié)構(gòu)。 測(cè)得樣品的拉曼 譜以后，對(duì)照標(biāo)第4頁準(zhǔn)譜就可以確定其結(jié)構(gòu)。XPS 是一種研究物質(zhì)表層元素組成與離子狀態(tài)的表面分析技術(shù)。測(cè)得 XPS 譜后，通過與已知元素的原子或者離子的不同殼層的電子的能量相比 較，就可以確定未知樣品中原子或者離子的組成和狀態(tài)。另外利用 HRTEM 也可以觀察薄膜的形貌，并利用電子衍射進(jìn)行結(jié)構(gòu)的分析。利用EELS（電子能量損失譜）可以觀察物質(zhì)之間鍵的差別，通過比較薄膜的電子能量損失譜和標(biāo)準(zhǔn)的EELS 譜就可以判斷薄膜的結(jié)構(gòu)。對(duì)于厚度，可以采用 XRR（X 光反射）技術(shù)，RBS 或者 SEM 技術(shù)分析薄膜的厚度，對(duì)于 XRR技術(shù)， 一種無損檢測(cè)手段，通過相

13、關(guān)公式，編程對(duì)實(shí)驗(yàn)測(cè)得的反射率曲線進(jìn)行模擬。直到模 擬曲線和測(cè)量曲線相差不多?？梢垣@得薄膜的質(zhì)量密度、厚度、表面粗糙度、 界面粗糙度等信息。利用 Si 的解理性，可以制備出截面干凈，整齊的SEN 截面樣品，通過觀察截面的二次電子圖像或背散射電子圖像，可以得到碳薄膜厚度的信息。由于散射截面與離子發(fā)生散射時(shí) 的能量 E 的平方成反比，在靶內(nèi)深度 x 處被散射的離子由于能量損失具有較低的能量，具有較大的產(chǎn)額。所以，RBS 勺被展寬的能譜帶有了深度信息。對(duì)于厚度較大的樣品，可以通過測(cè) 量峰的能寬， 然后除以阻止截面因子， 得到薄膜的厚度 （單位是每單位面積內(nèi)的原子數(shù) Nt）。 如果要換算成厚度， 需要

14、知道材料的體積密度值。對(duì)于很薄的的樣品，不能再使用能量寬度 的方法計(jì)算，而應(yīng)該使用信號(hào)積分的方法計(jì)算，只要測(cè)得了RBS 能譜，將窄峰進(jìn)行積分，得到信號(hào)總計(jì)數(shù)就可以得到樣品的厚度了。橢圓偏振測(cè)量是測(cè)量薄膜光學(xué)寺性的一種重要手 段，橢圓偏振測(cè)量技術(shù)是研究?jī)擅劫|(zhì)間界面或薄膜中發(fā)生的現(xiàn)象及其寺性的一種光學(xué)方法。對(duì)于成分分析，可以利用 EDS 電子能量損失譜，AES RBS SIMS 分析其成分，EDS-般為 SEM 或者 TEM 勺附件，所以在觀察形貌的同時(shí)對(duì)樣品進(jìn)行點(diǎn)，線掃描或者面掃描，從而得到其成分的分布。利用 AES,SIMS 還可以利用離子束進(jìn)行濺射對(duì)薄膜進(jìn)行沿垂直方向的剝離， 從而得到沿薄膜

15、垂直方向上的成分分布。對(duì)于 RBS 因?yàn)樽柚菇孛媸且粋€(gè)帶有深度信息的量，所以如果我們將樣品看成許多足夠薄的薄層，認(rèn)為在同一薄層里阻止截面是一定的，通過模 擬我們就可以算出每個(gè)薄層中的各個(gè)元素的含量，從而得到延深度方向的各元素的分布。（其他答案： 6、也是拿不準(zhǔn) ,RBS, 用溝道譜定結(jié)構(gòu) , 能譜峰積分定厚度 , 峰位定成分。 ）7、在金屬的凝固過程、溶化過程、和固液平衡過程中，吉布斯自由能如何變化？ 答：純金屬是單組元系，沒有成分變化，其吉布斯自由能主要隨溫度變化，隨著溫度升高， 熵增大，一定溫度下 H 減去相應(yīng)的 TSf 直即可得到吉布斯自由能。吉布斯自由能隨溫度變化的 斜率由熵 S 決定

16、。隨溫度升高，吉布斯自由能下降，單下降的程度，或變化的斜率對(duì)固、液 相不同，在溫度很低時(shí)，吉布斯自由能中 TS 項(xiàng)可忽略，在 H=PV+中，PV 項(xiàng)也可以忽略，故 G疋U, GL=UL,GS=USO由于液相比固相有更高的內(nèi)能，故ULUS,GL.當(dāng)溫度升高，原子排列混亂程度增加使熵增大，TS 項(xiàng)增加，吉布斯自由能則隨溫度升高而降低，由于液相原子混亂排列，比固相有更高的熵，相應(yīng)，TSTS,所以液相的 G 的下降比固相的 GF 降的更快，因而在第5頁一定溫度下相交。在相交溫度 Tm 處 GL= GS,液、固相處于平衡狀態(tài)，低于相交溫度GG,固相處于穩(wěn)定狀態(tài)；高于相交溫度，GL 固相變過程中若體積增大

17、或減小，對(duì)熔點(diǎn)有何變化？ （條件記得不完全了）6鈣鈦礦室溫下為正交晶系（1atm），在高溫（T1），高壓（P）下轉(zhuǎn)變成三方晶系，試分析 其熱力學(xué)依據(jù)。7 選擇題1） xrr 可用來分析？2） 紅外和拉曼常用來分析？3） 光電子能譜常用來分析？& CNT 可看作是卷起來的石墨片，請(qǐng)定性畫出當(dāng)電子束分別垂直入射在CNT 和石墨片上所得的衍射花樣，并分析其相同與不同之處。9 有報(bào)道顯示 CaB 有超過室溫的居里溫度下鐵磁性，后經(jīng)研究證實(shí)該鐵磁性是由于一定量的 Fe 雜質(zhì)引起的，請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一套實(shí)驗(yàn)方案來驗(yàn)證以上結(jié)論。2019 年 11 月資格考試暫缺2019 年春資格考試1.綜述材料增強(qiáng)方法比較；

18、2.高品質(zhì)透明氧化鋁的制備方法要點(diǎn)和結(jié)構(gòu)要點(diǎn)；3.簡(jiǎn)立方薄膜的 LEED 衍射斑點(diǎn)。重構(gòu)4.固體相變的熱力學(xué)分析；5.熱力學(xué)常數(shù)就哪些？分別的物理化學(xué)意義是什么？6.固溶體的兩種缺陷，其分別在功能材料和結(jié)構(gòu)材料中的應(yīng)用。7.畫薄膜的 XRD 的衍射花樣；衍射線數(shù)目。8.二元相圖（杠桿原理）共晶9.XPS 分析10.立方晶系中畫出（ 110）位錯(cuò)2019 年 11 月資格考試單組元材料系統(tǒng)加熱過程中， 常發(fā)生密排結(jié)構(gòu)到疏排結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變， 分析其原因。 鋼的轉(zhuǎn)變符 合這一規(guī)律嗎？2. 熱力學(xué)過程參量和狀態(tài)參量分別有哪些，與材料的微觀組織變化有什么聯(lián)系。3.用統(tǒng)計(jì)熱力學(xué)的知識(shí)，解釋馬氏體相變發(fā)生原因。

19、4.純金屬的點(diǎn)缺陷主要什么形式存在，試述其形成的主要途徑。第9頁5.滑移帶，機(jī)械孿晶，退火孿晶和拋光殘留滑痕，如何在光鏡下區(qū)分。6.金屬中加入硬質(zhì)顆粒，對(duì)金屬的塑性變形、再結(jié)晶和強(qiáng)度有什么影響。7.從 Ag-Cu 相圖分析，制造銀幣為何不用純銀，而用92.5wt%Ag-7.5wt%Cu 。8.如何用 X 射線衍射法確定晶體的滑移面。9.樣品-衍射儀聯(lián)動(dòng)( -2 E 聯(lián)動(dòng))，樣品單動(dòng)，衍射儀單動(dòng)等方式，其分析原理和應(yīng)用范圍。10.給了 XRD 譜及峰位，分析晶體結(jié)構(gòu)和晶胞參數(shù)。2009 年資格考試暫缺2019 年資格考試1.畫出BCC結(jié)構(gòu)的一個(gè)密排方向， 以及包含這個(gè)方向的兩個(gè)晶面， 并說明這兩

20、 個(gè)晶面與該方向的關(guān)系。2.FCC結(jié)構(gòu)中原子的堆垛為ABCABC，寫出以下過程的原子堆垛方式(1)孿生后；(2)肖脫基不全位錯(cuò)；(3)正弗蘭克不全位錯(cuò)；(4)負(fù)弗蘭克不全位錯(cuò)；(5)FCC到HCP的相變過程。3.屈服現(xiàn)象的三條曲線(1)解釋三條曲線屈服現(xiàn)象的原因以及2、3曲線屈服點(diǎn)上升的原因；(2)屈服現(xiàn)象對(duì)材料強(qiáng)化的意義；(3)舉例說明該現(xiàn)象的應(yīng)用。4.菲克第二擴(kuò)散定律的表達(dá)式， 各項(xiàng)的物理意義， 特殊解， 舉一例說明具體應(yīng) 用。5.推導(dǎo)Gibbs自由能與有效功之間的關(guān)系，6.溫度由T1變?yōu)門2,壓強(qiáng)有P1變?yōu)镻2過程中的,dU=7.Al-Zn合金在高溫下為單向固溶體，在300E時(shí)不穩(wěn)分解為

21、富含Al的a相和 富含鋅的B相，分析在300C時(shí)影響自由能的因素，畫出Gibbs自由能一成 分曲線，該合金能發(fā)生有序 無序相變嗎？8.Co靶的Kai(入=0.17928ni) 某材料？BCC結(jié)構(gòu)，a=3.17* nm,分析可 能出現(xiàn)的衍射線。第10頁9.X射線衍射能夠分析材料的塑性變形，設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案表征滑移面。10.宏觀應(yīng)力和微觀應(yīng)力均對(duì)晶面間距產(chǎn)生影響， 試具體分析之， 微觀應(yīng)力的大 小、宏觀應(yīng)力的大小和方向?qū)?duì)衍射線產(chǎn)生什么影響？2019 年 4 月資格考試1. -Fe 和 YFe 轉(zhuǎn)變體積變化、原子大小變化？從擴(kuò)散角度解釋滲碳過程。2. 金屬中的各種缺陷？對(duì)材料性能影響？3. 擴(kuò)散，晶體

22、結(jié)構(gòu)、溫度、缺陷對(duì)擴(kuò)散的影響？4. 柯氏氣團(tuán)？對(duì)金屬有什么影響？5. 各種過程的 U、H、S、F、G 變化（大于 0、小于 0、等于零或無法判斷）等溫絕熱自由膨脹過程、熱輻射 . . .過程、 。 。 。 （記不太清了，四個(gè)）6. -Fe 至 YFe 轉(zhuǎn)變與正常不一樣，從疏排到密排結(jié)構(gòu)，從熱力學(xué)解釋原因7. 釹鐵硼快冷薄片鑄錠，相比平衡冷卻，能夠避免晶界偏析、成分均勻的原因8. 衍射儀使用時(shí)有0-2 B 連動(dòng)，只動(dòng)試樣-不動(dòng)探測(cè)儀（掃描），不動(dòng)試樣-只動(dòng)探測(cè)儀，說明這些方法的特點(diǎn)和用途。9. 請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一種方法利用布拉格定律測(cè)定X 光譜。10. 用勞埃法得到點(diǎn)陣常數(shù)為 0.4nm 的立方晶系的單晶

23、體， 0-10 為光的入射方向， -100 為晶體表面的豎直方向， 001為水平方向。 晶體距離底片為 5cm。 （ 1 ） 求 （-3-10） 發(fā)生一 次衍射的 X 光波長(zhǎng)； （2） （ -3-10 ）衍射斑在照片上的位置。2019 年 3 月資格考試1 面心立方（ -1 1 1）面有哪些全位錯(cuò)，若這些位錯(cuò)為螺位錯(cuò)，則位錯(cuò)可沿那個(gè)面進(jìn)行滑移 和交滑移？2 固相燒結(jié)液相燒結(jié)的特點(diǎn)類型，相同與不同之處3 求理想混合溶液的 U, HA VASA GA F 與濃度的關(guān)系4 實(shí)際溶液的 G 與濃度的關(guān)系并作圖說明5 證明-（ G）TP=A W6 晶粒長(zhǎng)大和二次再結(jié)晶，引起二次再結(jié)晶的原因，如何防止7

24、實(shí)際構(gòu)件經(jīng)常使用多相合金，為什么不用單相合金8AI-Ni 合金退火前后的 d （A）值退火前- -2.074 1.799- -1.265 1.078 1.022 0.893退火后 3.6 2.547 2.074 1.799 1.603 1.461 1.265 1.078 1.022 0.893分析退火前后晶體結(jié)構(gòu)以及點(diǎn)陣參數(shù)的變化。9 正空間與倒易空間的概念和物理意義，由s=g,推導(dǎo)布拉格公式10 入射線與測(cè)角儀分居試樣法線兩次， theta-2theta 聯(lián)動(dòng)，只測(cè)得 002,004,006,006 的衍射 峰，分析可能存在什么情況，并應(yīng)用 xrd 進(jìn)一步分析2019 年 9 月資格考試1.

25、 幾種強(qiáng)化的分類等（原題）2. 陶瓷燒結(jié)后期晶粒長(zhǎng)大的動(dòng)力是什么？（原題）3. ABCBABC 類型晶面，經(jīng)過各種變化（滑移、孿生、其他忘記了）后的排列順序4. 怎樣從形貌上區(qū)分?jǐn)伨А⒒茙Ш托巫儙Вㄔ}）5. 雙面法測(cè)滑移面的步驟（原題）6吉布斯自由能 G 的定義和含義 7衍射儀使用時(shí)有 9-2 0 連動(dòng)，只動(dòng)試樣-不動(dòng)探測(cè)儀（掃描），不動(dòng)試樣-只動(dòng)探測(cè)儀，說明這些方法的特點(diǎn)和用途。（原題）8. 調(diào)幅分解的吉布斯自由能關(guān)系（材科書351）9. 常規(guī)的給出各個(gè) 2 9 判斷晶體結(jié)構(gòu)和晶面指數(shù)10.證明：等溫等壓下，有用功等于吉布斯自由能變（即 dG=3W）11.用樣品衍射一聯(lián)動(dòng)，衍射儀速度是樣品速度的兩倍，晶體衍射只出現(xiàn)002, 004, 006, 008的衍射峰，分析可能的晶體結(jié)構(gòu)。2019 年 3 月資格考試試題一、 （10分）純金屬凝固時(shí)，均勻形核和非均勻形核的形核功大小是否相同？ 一 般情況下，二者哪個(gè)大？為什么？什么情況下二者相同。二、 （10分）分析反應(yīng)擴(kuò)散速度的影響因素及其對(duì)擴(kuò)散層深