單相橋式逆變電路設(shè)計(jì)

1、 電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū) 單相橋式逆變電路的設(shè)計(jì)院 、 部： 電氣與信息工程學(xué)院 學(xué)生姓名： 指導(dǎo)教師： 桂友超 職稱(chēng) 副教授 專(zhuān) 業(yè)： 電氣工程及其自動(dòng)化 班 級(jí)： 完成時(shí)間： 2014年6月 電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)任務(wù)書(shū)1、 課程設(shè)計(jì)的目的 通過(guò)課程設(shè)計(jì)達(dá)到以下目的1、 加強(qiáng)和鞏固所學(xué)的知識(shí)，加深對(duì)理論知識(shí)的理解；2、 培養(yǎng)學(xué)生文獻(xiàn)檢索的能力，特別是如何利用Internet檢索需要的文獻(xiàn)資料；3、 培養(yǎng)學(xué)生綜合分析問(wèn)題、發(fā)現(xiàn)問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力；4、 培養(yǎng)學(xué)生綜合運(yùn)用知識(shí)的能力和工程設(shè)計(jì)能力；5、 培養(yǎng)學(xué)生運(yùn)用仿真軟件的能力和方法；6、 培養(yǎng)學(xué)生科技寫(xiě)作水平。2、 課程設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容1、

2、 關(guān)于本課程學(xué)習(xí)情況簡(jiǎn)述2、 主電路的設(shè)計(jì)、原理分析和器件的選擇；3、 控制電路的設(shè)計(jì)；4、 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)；5、 利用MATLAB軟件對(duì)自己的設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。三、課程設(shè)計(jì)的要求1、 通過(guò)查閱資料，確定自己的設(shè)計(jì)方案；2、 按學(xué)號(hào)尾數(shù)定課題，即課題一的學(xué)號(hào)尾數(shù)為1，以此類(lèi)推。自擬參數(shù)不能雷同；3、 要求最后圖紙是標(biāo)準(zhǔn)的CAD圖；4、 課程設(shè)計(jì)在第18周五前交上來(lái)。4、 課題1、 課題一：?jiǎn)蜗鄻蚴娇煽卣麟娐返脑O(shè)計(jì)已知單相交流輸入交流電壓220V，負(fù)載自擬，要求整流電壓在0100V連續(xù)可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。2、 課題二：三相半波可控整流電路的設(shè)計(jì)已知三相交流輸入線(xiàn)電壓380V，要求整流電壓在01

3、00V連續(xù)可調(diào)，負(fù)載自擬，其它性能指標(biāo)自定。3、 課題三：三相橋式可控整流電路的設(shè)計(jì)已知三相交流輸入線(xiàn)電壓380V，要求整流電壓在0100V連續(xù)可調(diào)，負(fù)載自擬，其它性能指標(biāo)自定。4、 課題四：直流降壓斬波電路的設(shè)計(jì) 已知直流輸入電壓200V，負(fù)載自擬，要求輸出電壓在50100V可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。5、 課題五：直流升壓斬波電路的設(shè)計(jì) 已知直流輸入電壓200V，負(fù)載自擬，要求輸出電壓在300400V可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。6、 課題六：直流升降壓斬波電路的設(shè)計(jì)已知直流輸入電壓200V，負(fù)載自擬，要求輸出電壓在100300V連續(xù)可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。7、 課題七：?jiǎn)蜗鄻蚴侥孀冸娐返脑O(shè)計(jì)已知直

4、流輸入電壓100V，負(fù)載自擬，要求交流輸出電壓頻率范圍在3060HZ，電壓在3050V范圍可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。8、 課題八：?jiǎn)蜗嘟涣髡{(diào)壓電路設(shè)計(jì)已知單相交流輸入交流電壓220V，負(fù)載自擬，要求輸出交流電壓在0220V可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。9、 課題九：三相交流調(diào)壓電路的設(shè)計(jì)已知三相交流輸入交流線(xiàn)電壓380V，負(fù)載自擬，要求輸出交流電壓在0200V可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。10、課題十：三相橋式逆變電路的設(shè)計(jì)已知直流輸入電壓100V，負(fù)載自擬，要求交流輸出電壓頻率范圍在3060HZ，電壓在3050V范圍可調(diào)，其它性能指標(biāo)自定。注意：若已經(jīng)按上課時(shí)我講解的內(nèi)容和安排的課題進(jìn)行了設(shè)計(jì)，則不必再更

5、改。五、格式要求1、格式嚴(yán)格按照教務(wù)處規(guī)定的畢業(yè)設(shè)計(jì)格式；2、文檔內(nèi)容：1）緒言：主要介紹對(duì)本課程學(xué)習(xí)情況；本設(shè)計(jì)內(nèi)容的掌握情況；擬出設(shè)計(jì)任務(wù)書(shū)。2）主電路設(shè)計(jì)：（1）電路原理圖：用CAD繪制電路；（2）原理分析：用自己的語(yǔ)言；（3）參數(shù)計(jì)算：請(qǐng)用公司編輯器；（4）器件選擇3）控制電路設(shè)計(jì)：（1）電路原理框圖（2）電路原理圖（3）原理分析（4）主要器件介紹4）保護(hù)電路及其它輔助電路的設(shè)計(jì)（1）保護(hù)電路的作用；（2）電路原理圖；（3）原理分析5）仿真分析（1）仿真模型的建立方法（2）仿真電路模型；（3）仿真效果圖；（4）仿真結(jié)果分析。6）設(shè)計(jì)總結(jié)用自己的語(yǔ)言介紹如何完成本次設(shè)計(jì)的，通過(guò)設(shè)計(jì)自己有

6、哪些方面提高，對(duì)本課程教學(xué)有什么建議等。7）附錄：系統(tǒng)總圖目 錄一 前言 11.1電力電子簡(jiǎn)介 1二 單相橋式逆變電路 22.1電壓型與電流型的區(qū)別 22,2電壓型逆變電路 2三 單相橋式PWM逆變主電路設(shè)計(jì) 43.1逆變控制電路的設(shè)計(jì) 43.2主電路仿真圖的設(shè)計(jì) 53.3有關(guān)參數(shù)計(jì)算 5四 驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 64.1過(guò)電流保護(hù) 64.2驅(qū)路的設(shè)計(jì) 7  五 仿真實(shí)驗(yàn) 8 5.1  單相橋式PWM逆變主電路原理圖 8 5.2 控制電路原理圖 9 5.3  仿真所得波形 10 5.4  波形分析 12 六 設(shè)計(jì)總

7、結(jié) 13七 參考文獻(xiàn) 14八 致謝 15摘 要本次基于MOSFET的單相橋式無(wú)源逆變電路的課程設(shè)計(jì)，主要涉及IGBT的工作原理、全橋的工作特性和無(wú)源逆變的性能。本次所設(shè)計(jì)的單相全橋逆變電路采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，將直流電壓Ud 逆變?yōu)椴ㄐ坞妷?，并將它加到純電阻?fù)載兩端。 本次課程設(shè)計(jì)的原理圖仿真是基于MATLZB的SIMULINK，由于MATLAB軟件中電源等器件均為理想器件，使得仿真電路相對(duì)較為簡(jiǎn)便，不影響結(jié)果輸出。設(shè)計(jì)主要是對(duì)電阻負(fù)載輸出電流、電壓與器件IGBT輸出電壓的波形仿真。 關(guān)鍵字：?jiǎn)蜗啵蝗珮?；逆變；IGBTABSTRACT Control circuit with MCU as

8、 main components, inverter, voltage, frequency stabilized output power protection equipment. SPWM wave using the equivalent area, and single chip microcomputer as the leading factor, output triangle and sine wave and the two wave of superposition trigger output SPWM wave to control the inverter circ

9、uit, the variable frequency AC to DC programming Keywords inverted circuit sine wave pulse triggering一 前言 電力電子技術(shù)是利用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換的學(xué)科。它包括電力電子器件、變流電路和控制電路三個(gè)部分，是電力、電子、控制三大電氣工程技術(shù)領(lǐng)域之間的交叉學(xué)科。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電力電子技術(shù)由于和現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機(jī)工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)，已逐步發(fā)展成為一門(mén)多學(xué)科相互滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，正弦波輸出變壓變頻電源已被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域中

10、，與此同時(shí)對(duì)變壓變頻電源的輸出電壓波形質(zhì)量也提出了越來(lái)越高的要求。對(duì)逆變器輸出波形質(zhì)量的要求主要包括兩個(gè)方面：一是穩(wěn)態(tài)精度高；二是動(dòng)態(tài)性能好。因此，研究開(kāi)發(fā)既簡(jiǎn)單又具有優(yōu)良動(dòng)、靜態(tài)性能的逆變器控制策略，已成為電力電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管（SCR）、可關(guān)斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）、絕緣柵晶體管（IGBT）等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動(dòng)、低損耗、模塊化、復(fù)合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、保護(hù)容易、不用緩沖電路和開(kāi)關(guān)頻率高等特點(diǎn)，為了達(dá)到這些高性能，采用了許多用于集成電路的工藝技術(shù)，如外延技術(shù)、離子注入、精細(xì)光刻

11、等。IGBT最大的優(yōu)點(diǎn)是無(wú)論在導(dǎo)通狀態(tài)還是短路狀態(tài)都可以承受電流沖擊。它的并聯(lián)不成問(wèn)題，由于本身的關(guān)斷延遲很短，其串聯(lián)也容易。盡管IGBT模塊在大功率應(yīng)用中非常廣泛，但其有限的負(fù)載循環(huán)次數(shù)使其可靠性成了問(wèn)題，其主要失效機(jī)理是陰極引線(xiàn)焊點(diǎn)開(kāi)路和焊點(diǎn)較低的疲勞強(qiáng)度，另外絕緣材料的缺陷也是一個(gè)問(wèn)題。在現(xiàn)有的正弦波輸出變壓變頻電源產(chǎn)品中，為了得到SPWM波，一般都采用雙極性調(diào)制技術(shù)。該調(diào)制方法的最大缺點(diǎn)是它的4個(gè)功率管都工作在較高頻率(載波頻率)，從而產(chǎn)生了較大的開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)頻率越高，損耗越大。本次課程設(shè)計(jì)研究單相橋式PWM逆變電路，通過(guò)該電路實(shí)現(xiàn)逆變電源變壓、變頻輸出。二 單相橋式逆變電路特點(diǎn)及主

12、要類(lèi)型2.1 電壓型與電流型的區(qū)別根據(jù)直流側(cè)電源性質(zhì)的不同可分為兩種：直流側(cè)是電壓源的稱(chēng)為電壓型逆變電路；直流側(cè)是電流源的則稱(chēng)為電流型逆變電路。電壓型逆變電路有以下特點(diǎn)：直流側(cè)為電壓源，或并聯(lián)有大電容，相當(dāng)于電壓源。直流側(cè)電壓基本無(wú)脈動(dòng)，直流回路呈現(xiàn)低阻抗。由于直流電壓源的鉗位作用，交流側(cè)輸出電壓波形為矩形波，并且與負(fù)載阻抗角無(wú)關(guān)。而交流側(cè)輸出電流波形和相位因?yàn)樨?fù)載阻抗的情況不同而不同。當(dāng)交流側(cè)為阻感負(fù)載時(shí)需要提供無(wú)功功率，直流側(cè)電容起緩沖無(wú)功能量的作用。為了給交流側(cè)想直流側(cè)反饋的無(wú)功能量提供通道，逆變橋各臂都并聯(lián)了反饋二極管。又稱(chēng)為續(xù)流二極管。2.2 電壓型逆變電路2.2.1 電壓型逆變電路

13、的特點(diǎn)：(1)根據(jù)直流側(cè)電源性質(zhì)的不同可分為兩種：直流側(cè)是電壓源的稱(chēng)為電壓型逆變電路；直流側(cè)是電流源的則稱(chēng)為電流型逆變電路。電壓型逆變電路有以下特點(diǎn)：(2)直流側(cè)為電壓源，或并聯(lián)有大電容，相當(dāng)于電壓源。直流側(cè)電壓基本無(wú)脈動(dòng)，直流回路呈現(xiàn)低阻抗。(3)由于直流電壓源的鉗位作用，交流側(cè)輸出電壓波形為矩形波，并且與負(fù)載阻抗角無(wú)關(guān)。而交流側(cè)輸出電流波形和相位因?yàn)樨?fù)載阻抗的情況不同而不同。(4)當(dāng)交流側(cè)為阻感負(fù)載時(shí)需要提供無(wú)功功率，直流側(cè)電容起緩沖無(wú)功能量的作用。為了給交流側(cè)想直流側(cè)反饋的無(wú)功能量提供通道，逆變橋各臂都并聯(lián)了反饋二極管。又稱(chēng)為續(xù)流二極管。(5) 逆變電路分為三相和單相兩大類(lèi)。其中，單相逆

14、變電路主要采用橋式接法。主要有：?jiǎn)蜗喟霕蚝蛦蜗嗳珮蚰孀冸娐?。而三相電壓型逆變電路則是由三個(gè)單相逆變電路組成。2.2.2 單相全橋逆變電路的移相調(diào)壓方式：共四個(gè)橋臂，可看成兩個(gè)半橋電路組合而成。兩對(duì)橋臂交替導(dǎo)通180°。輸出電壓和電流波形與半橋電路形狀相同，幅值高出一倍。改變輸出交流電壓的有效值只能通過(guò)改變直流電壓Ud來(lái)實(shí)現(xiàn)。阻感負(fù)載時(shí)，還可采用移相的方式來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓 移相調(diào)壓。圖一電壓型全橋無(wú)源逆變電路的電路圖V3的基極信號(hào)比V1落后q （0 q 180 °）。V3、V4的柵極信號(hào)分別比V2、V1前移180°q。輸出電壓是正負(fù)各為q 的脈沖。改變q 就可調(diào)節(jié)輸出

15、電壓。故移相調(diào)壓就是調(diào)節(jié)輸出電壓的脈寬。三 單相橋式逆變主電路設(shè)計(jì)3.1 逆變控制電路的設(shè)計(jì)單相逆變電路主要采用橋式接法。它的電路結(jié)構(gòu)主要由四個(gè)橋臂組成，其中每個(gè)橋臂都有一個(gè)全控器件IGBT和一個(gè)反向并接的續(xù)流二極管，在直流側(cè)并聯(lián)有大電容而負(fù)載接在橋臂之間。其中橋臂1,4為一對(duì)，橋臂2，3為一對(duì)。可以看成由兩個(gè)半橋電路組合而成。其基本電路連接圖如下所示：圖2.電壓型全橋無(wú)源逆變電路的電路圖由于采用絕緣柵晶體管（IGBT）來(lái)設(shè)計(jì),如圖2的單相橋式電壓型無(wú)源逆變電路，此課程設(shè)計(jì)為電阻負(fù)載，故應(yīng)將RLC負(fù)載中電感、電容的值設(shè)為零。此電路由兩對(duì)橋臂組成，V1和V4與V2和V3兩對(duì)橋臂各導(dǎo)通180度。再

16、加上采用了移相調(diào)壓法，所以VT3的基極信號(hào)落后于VT1的90度，VT4的基極信號(hào)落后于VT2的90度。因?yàn)槭请娮柝?fù)載，故晶體管均沒(méi)有續(xù)流作用。輸出電壓和電流的波形相同，均為90度正值、90度零、90度負(fù)值、90度零 這樣一直循環(huán)下去。3.2 主電路仿真圖的設(shè)計(jì) 在本次設(shè)計(jì)中，主要采用單相全橋式無(wú)源逆變電路(電阻負(fù)載)作為設(shè)計(jì)的主電路。由于軟件上的電源等器件都是理想器件，故可將直流側(cè)并聯(lián)的大電容直接去掉。由以上工作原理概論的分析可得其主電路仿真圖如下所示：圖3單相全橋無(wú)源逆變電路（電阻負(fù)載）電路3.3 有關(guān)參數(shù)計(jì)算晶閘管需一段時(shí)間才能恢復(fù)正向阻斷能力，換流結(jié)束后還要使VT1、VT4承受一段反壓時(shí)

17、間t，tb= t5- t4應(yīng)大于晶閘管的關(guān)斷時(shí)間tq。為保證可靠換流，應(yīng)在uo過(guò)零前td= t5- t2時(shí)刻觸發(fā)VT2、VT3 。. td 為觸發(fā)引前時(shí)間 ： io超前于uo的時(shí)間 ： 表示為電角度 ： 為電路工作角頻率；g、b分別是tg、tb對(duì)應(yīng)的電角度。忽略換流過(guò)程，io可近似成矩形波，展開(kāi)成傅里葉級(jí)數(shù)： 基波電流有效值 ： 負(fù)載電壓有效值Uo和直流電壓Ud的關(guān)系（忽略L(fǎng)d的損耗，忽略晶閘管壓降）： 四 驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.1   過(guò)電流保護(hù) 過(guò)電流保護(hù)在電力電子變換和控制系統(tǒng)運(yùn)行不正常或發(fā)生故障時(shí)，可能發(fā)生過(guò)電流造成開(kāi)關(guān)器件的永久性損壞，快速熔斷器是電

18、力電子變換器系統(tǒng)中常用的一種過(guò)電流保護(hù)措施?？焖偃蹟嗥鞯倪^(guò)流保護(hù)原理是基于快速熔斷器特性與器件特性的保護(hù)配合來(lái)完成的，即通過(guò)選擇快速熔斷器的短路容量約器件的熱容量，使得當(dāng)發(fā)生過(guò)流時(shí)快速熔斷器先熔斷，以保護(hù)器件不損壞。另一種方法是采用電流檢測(cè)、比較、判斷，在過(guò)流瞬間及時(shí)關(guān)斷電路。如圖11所示,過(guò)流保護(hù)信號(hào)取自CT2,經(jīng)分壓、濾波后加至電壓比較器的同相輸入端,如圖11所示。當(dāng)同相輸入端過(guò)電流檢測(cè)信號(hào)比反相輸入端參考電平高時(shí),比較器輸出高電平,使D2從原來(lái)的反向偏置狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檎驅(qū)?并把同相端電位提升為高電平,使電壓比較器一直穩(wěn)定輸出高電平。同時(shí),該過(guò)電流信號(hào)還送到SG3525的腳10。當(dāng)SG35

19、25的腳10為高電平時(shí),其腳11及腳14上輸出的脈寬調(diào)制脈沖就會(huì)立即消失而成為零。 圖4過(guò)電流保護(hù)電路   4.2驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)  驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)既要考慮在功率管需要導(dǎo)通時(shí),能迅速地建立起驅(qū)動(dòng)電壓,又要考慮在需要關(guān)斷時(shí),能迅速地泄放功率管柵極電容上的電荷,拉低驅(qū)動(dòng)電壓。具體驅(qū)動(dòng)電路如圖12所示    圖5 驅(qū)動(dòng)電路 其工作原理是：當(dāng)光耦原邊有控制電路的驅(qū)動(dòng)脈沖電流流過(guò)時(shí),光耦導(dǎo)通,使Q1的基極電位迅速上升,導(dǎo)致D2導(dǎo)通,功率管的柵極電壓上升,使功率管導(dǎo)通;當(dāng)光耦原邊無(wú)控制電路的驅(qū)動(dòng)脈沖電流流過(guò)時(shí),光耦不導(dǎo)通,使Q1的基極電位

20、拉低,而功率管柵極上的電壓還為高,所以導(dǎo)致Q1導(dǎo)通,功率管的柵極電荷通過(guò)Q1及電阻R3迅速泄放,使功率管迅速可靠地關(guān)斷。當(dāng)然,對(duì)于功率管的保護(hù)同樣重要,所以在功率管源極和漏極之間要加一個(gè)緩沖電路避免功率管被過(guò)高的正、反向電壓所損壞。五 仿真實(shí)驗(yàn)5.1 單相橋式逆變主電路原理圖圖6單相橋式逆變主電路原理圖5.2 控制電路原理圖圖7控制電路原理圖5.3 仿真所得波形IGBT1/IGBT4觸發(fā)脈沖波形 圖8IGBT2/IGBT3觸發(fā)脈沖 圖9DC/AC逆變波形 圖10當(dāng)f=30Hz時(shí)，波形如圖11.圖12所示圖11圖12當(dāng)f=40Hz時(shí)，波形如圖13.圖14所示圖13圖14當(dāng)f=50Hz時(shí)，波形如圖

21、15.圖16所示圖15圖16當(dāng)f=60Hz時(shí)，波形如圖25.圖26所示圖17圖185.4 波形分析 從上圖中可以很清晰地看出產(chǎn)生的波形頻率為10HZ，可以通過(guò)改變信號(hào)波的頻率來(lái)改變IGBT的觸發(fā)脈沖，從而改變逆變交流電源的頻率，實(shí)現(xiàn)變頻逆變。IGBT單相電壓型全橋無(wú)源逆變電路共有4個(gè)橋臂，可以看成兩個(gè)半橋電路組合而成，采用移相調(diào)壓方式后，輸出交流電壓有效值即可通過(guò)改變直流電壓Ud來(lái)實(shí)現(xiàn)，也可通過(guò)改變來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓的脈沖寬度來(lái)改變其有效值。由于MATLAB軟件中電源等器件均為理想器件，故可將電容直接去掉。又由于在純電阻負(fù)載中，VD1VD4不再導(dǎo)通，不起續(xù)流作用，古可將起續(xù)流作用的4個(gè)二極管也去掉

22、，對(duì)結(jié)果沒(méi)有影響。相比于半橋逆變電路而言，全橋逆變電路克服了半橋逆變電路輸出交流電壓幅值僅為1/2Ud的缺點(diǎn)，且不需要有兩個(gè)電容串聯(lián)，就不需要控制電容電壓的均衡，因此可用于相對(duì)較大功率的逆變電源。六 設(shè)計(jì)總結(jié)通過(guò)此次實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，熟悉并掌握電力電子器件的實(shí)用，對(duì)一些常用的主電路或保護(hù)電路等有深入的了解。大致上了解了單相橋式PWM逆變電路的設(shè)計(jì)，基本掌握了單相橋式PWM逆變電路的工作原理，通過(guò)仿真對(duì)電路和工作原理進(jìn)一步理解，在設(shè)計(jì)以及仿真過(guò)程中所遇到的問(wèn)題能過(guò)綜合運(yùn)用所學(xué)知識(shí)，或者在網(wǎng)上找些資料解決在單相橋式全控整流電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的一些問(wèn)題，因此對(duì)單相橋式PWM逆變電路的拓?fù)?，控制的方法，系統(tǒng)的主

23、電路、控制電路和保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方法，元器件的選擇計(jì)算方法等有比較深刻的體會(huì)，間接培養(yǎng)了一定的電力電子電路及系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)和調(diào)試的能力。 參考文獻(xiàn)【1】 孫樹(shù)樸等、電力電子技術(shù)（第一版）、中國(guó)礦業(yè)大學(xué)出版社、1999【1】Sun Shupu, power electronics technology (First Edition), China University of Mining and Technology press, 1999【2】 邵丙衡、電力電子技術(shù)（第一版）、鐵道出版社、1997【2】 Shao Bingheng, power electronics technology (First Edition), Railway Publishing House, 1997【3】 王兆安，黃俊、電力電子技術(shù)（第四版）、機(jī)械工業(yè)出版社、2008【3】Wang Zhaoan, Huang Jun, power electronics technology (Fourth Edition),mechanical industry press, 2008【4】 葉斌、電力電子技術(shù)習(xí)題集（第一版）、鐵道出版社、1995【4】Ye