電力電子實(shí)驗(yàn)報(bào)告

1、電力電子實(shí)驗(yàn)報(bào)告 學(xué)院名稱         電氣信息學(xué)院            專業(yè)班級(jí)          電氣自動(dòng)化03班               

2、60;  學(xué)     號(hào)           學(xué)生姓名                            指導(dǎo)教師    &#

3、160;         實(shí)驗(yàn)一電力晶體管(GTR)驅(qū)動(dòng)電路研究一實(shí)驗(yàn)?zāi)康?掌握GTR對(duì)基極驅(qū)動(dòng)電路的要求2掌握一個(gè)實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路的工作原理與調(diào)試方法二實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1連接實(shí)驗(yàn)線路組成一個(gè)實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路2PWM波形發(fā)生器頻率與占空比測(cè)試3光耦合器輸入、輸出延時(shí)時(shí)間與電流傳輸比測(cè)試4貝克箝位電路性能測(cè)試5過(guò)流保護(hù)電路性能測(cè)試三實(shí)驗(yàn)線路四實(shí)驗(yàn)設(shè)備和儀器1MCL-07電力電子實(shí)驗(yàn)箱2雙蹤示波器3萬(wàn)用表4教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)主控制屏五實(shí)驗(yàn)方法1檢查面板上所有開(kāi)關(guān)是否均置于斷開(kāi)位置2PWM波形發(fā)生器頻率與占空比測(cè)試（1）開(kāi)關(guān)S1、S2打向“通”

4、，將脈沖占空比調(diào)節(jié)電位器RP順時(shí)針旋到底，用示波器觀察1和2點(diǎn)間的PWM波形，即可測(cè)量脈沖寬度、幅度與脈沖周期，并計(jì)算出頻率f與占空比D當(dāng)S2通，RP右旋時(shí)：當(dāng)S2斷，RP右旋時(shí)：當(dāng)S2通，RP左旋時(shí)：當(dāng)S2斷，RP左旋時(shí)：（2）將電位器RP左旋到底，測(cè)出f與D。（3）將開(kāi)關(guān)S2打向“斷”，測(cè)出這時(shí)的f與D。（4）電位器RP順時(shí)針旋到底，測(cè)出這時(shí)的f與D。（5）將S2打在“斷”位置，然后調(diào)節(jié)RP，使占空比D=0.2左右。3光耦合器特性測(cè)試（1）輸入電阻為R1=1.6KW時(shí)的開(kāi)門(mén)，關(guān)門(mén)延時(shí)時(shí)間測(cè)試a將GTR單元的輸入“1”與“6”分別與PWM波形發(fā)生器的輸出“1”與“2”相連，再分別連接GTR單

5、元的“3”與“5”，“9”與“7”及“6”與“11”，即按照以下表格的說(shuō)明連線。bGTR單元的開(kāi)關(guān)S1合向“”，用雙蹤示波器觀察輸入“1”與“6”及輸出“7”與“11”之間波形，記錄開(kāi)門(mén)時(shí)間ton（含延遲時(shí)間td和下降時(shí)間tf）以及關(guān)門(mén)時(shí)間toff（含儲(chǔ)存時(shí)間ts和上升時(shí)間tr）對(duì)應(yīng)的圖為：（2）輸入電阻為R2=150W時(shí)的開(kāi)門(mén)，關(guān)門(mén)延時(shí)時(shí)間測(cè)試將GTR單元的“3”與“5”斷開(kāi)，并連接“4”與“5”，調(diào)節(jié)電位器RP順時(shí)針旋到底（使RP短接），其余同上，記錄開(kāi)門(mén)、關(guān)門(mén)時(shí)間。對(duì)應(yīng)的圖為：（3）輸入加速電容對(duì)開(kāi)門(mén)、關(guān)門(mén)延時(shí)時(shí)間影響的測(cè)試斷開(kāi)GTR單元的“4”和“5”，將“2”、“3”與“5”相連，即

6、可測(cè)出具有加速電容時(shí)的開(kāi)門(mén)、關(guān)門(mén)時(shí)間。對(duì)應(yīng)的圖為：（4）輸入、輸出電流傳輸比(CTR)測(cè)定電流傳輸比定義為CTR=輸出電流/輸入電流GTR單元的開(kāi)關(guān)S1合向“5V”，S2打向“通”，連接GTR的“6”和PWM波形發(fā)生器的“2”，分別在GTR單元的“4”和“5”以及“9”與“7”之間串入直流毫安表，電位器RP左旋到底，測(cè)量光耦輸入電流Iin、輸出電流Iout。改變RP(逐漸右旋)，分別測(cè)量5-6組光耦輸入，輸出電流，填入表55。4驅(qū)動(dòng)電路輸入，輸出延時(shí)時(shí)間測(cè)試GTR單元的開(kāi)關(guān)S1合向“”，將GTR單元的輸入“1”與“6”分別與PWM波形發(fā)生器的輸出“1”與“2”相連，再分別連接GTR單元的“3”

7、與“5”，“9”與“7”及“6”與“11”、“8”，即按照以下表格的說(shuō)明連線。用雙蹤示波器觀察GTR單元輸入“1”與“6”及驅(qū)動(dòng)電路輸出“14”與“11”之間波形，記錄驅(qū)動(dòng)電路的輸入，輸出延時(shí)時(shí)間。對(duì)應(yīng)的圖為：5貝克箝位電路性能測(cè)試（1）不加貝克箝位電路時(shí)的GTR存貯時(shí)間測(cè)試。GTR單元的開(kāi)關(guān)S1合向“”，將GTR單元的輸入“1”與“6”分別與PWM波形發(fā)生器的輸出“1”與“2”相連，再分別連接GTR單元的”2“、“3”與“5”，“9”與“7”，“14”與“19”，“29”與“21”，以及GTR單元的“8”、“11”、“18”與主回路的“4”，GTR單元的“22”與主回路的“1”，即按照以下表

8、格的說(shuō)明連線。用雙蹤示波器觀察基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)ub（“19”與“18”之間）及集電極電流ic（“22”與“18”之間）波形，記錄存貯時(shí)間ts對(duì)應(yīng)的圖為：（2）加上貝克箝位電路后的GTR存貯時(shí)間測(cè)試在上述條件下，將20與14相連，觀察與記錄ts的變化。對(duì)應(yīng)的圖為：6過(guò)流保護(hù)性能測(cè)試在實(shí)驗(yàn)5接線的基礎(chǔ)上接入過(guò)流保護(hù)電路，即斷開(kāi)“8”與“11”的連接，將“36”與“21”、“37”與“8”相連，開(kāi)關(guān)S3放在“斷”位置。用示波器觀察“19”與“18”及“21”與“18”之間波形，將S3合向“通”位置，(即減小比較器的比較電壓，以此來(lái)模擬采樣電阻R8兩端電壓的增大)，此時(shí)過(guò)流指示燈亮，并封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)。將S3

9、放到斷開(kāi)位置，按復(fù)位按鈕，過(guò)流指示燈滅，即可繼續(xù)進(jìn)行試驗(yàn)。六實(shí)驗(yàn)報(bào)告1畫(huà)出PWM波形，列出PWM波形發(fā)生器S2在“通”與“斷”位置時(shí)的頻率f與最大，最小占空比。2畫(huà)出光耦合器在不同輸入電阻及帶有加速電容時(shí)的輸入、輸出延時(shí)時(shí)間曲線，探討能縮短開(kāi)門(mén)、關(guān)門(mén)延時(shí)時(shí)間的方法。3列出光耦輸入、輸出電流，并畫(huà)出電流傳輸比曲線。4列出有與沒(méi)有貝克箝位電路時(shí)的GTR存貯時(shí)間ts，并說(shuō)明使用貝克箝位電路能縮短存貯時(shí)間ts的物理原因以及對(duì)貝克箝位二極管V1的參數(shù)選擇要求。5試說(shuō)明過(guò)流保護(hù)電路的工作原理。6實(shí)驗(yàn)的收獲，體會(huì)與改進(jìn)意見(jiàn)。實(shí)驗(yàn)二功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)特性與驅(qū)動(dòng)電路研究一實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?熟悉MOSFE

10、T主要參數(shù)的測(cè)量方法2掌握MOSEET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求3掌握一個(gè)實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路的工作原理與調(diào)試方法二實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1MOSFET主要參數(shù)：開(kāi)啟閥值電壓VGS(th),跨導(dǎo)gFS,導(dǎo)通電阻Rds輸出特性ID=f（Vsd）等的測(cè)試2驅(qū)動(dòng)電路的輸入,輸出延時(shí)時(shí)間測(cè)試.3電阻與電阻、電感性質(zhì)載時(shí)，MOSFET開(kāi)關(guān)特性測(cè)試4有與沒(méi)有反偏壓時(shí)的開(kāi)關(guān)過(guò)程比較5柵-源漏電流測(cè)試三實(shí)驗(yàn)設(shè)備和儀器1MCL-07電力電子實(shí)驗(yàn)箱中的MOSFET與PWM波形發(fā)生器部分2雙蹤示波器3毫安表4電流表5電壓表四、實(shí)驗(yàn)線路見(jiàn)圖五實(shí)驗(yàn)方法1MOSFET主要參數(shù)測(cè)試（1）開(kāi)啟閥值電壓VGS(th)測(cè)試開(kāi)啟閥值電壓簡(jiǎn)稱開(kāi)啟電壓，是指器件流過(guò)

11、一定量的漏極電流時(shí)（通常取漏極電流ID=1mA) 的最小柵源電壓。在主回路的“1”端與MOS 管的“25”端之間串入毫安表，測(cè)量漏極電流ID，將主回路的“3”與“4”端分別與MOS管的“24”與“23”相連，再在“24”與“23”端間接入電壓表, 測(cè)量MOS管的柵源電壓Vgs，并將主回路電位器RP左旋到底，使Vgs=0。將電位器RP逐漸向右旋轉(zhuǎn)，邊旋轉(zhuǎn)邊監(jiān)視毫安表的讀數(shù)，當(dāng)漏極電流ID=1mA時(shí)的柵源電壓值即為開(kāi)啟閥值電壓VGS（th）。讀取67組ID、Vgs，其中ID=1mA必測(cè)，測(cè)的數(shù)據(jù)如圖所示：（2）跨導(dǎo)gFS測(cè)試雙極型晶體管（GTR）通常用hFE（）表示其增益，功率MOSFET器件以跨

12、導(dǎo)gFS表示其增益?？鐚?dǎo)的定義為漏極電流的小變化與相應(yīng)的柵源電壓小變化量之比，即gFS=ID/VGS。典型的跨導(dǎo)額定值是在1/2額定漏極電流和VDS=15V下測(cè)得，受條件限制，實(shí)驗(yàn)中只能測(cè)到1/5額定漏極電流值。根據(jù)表56的測(cè)量數(shù)值，計(jì)算gFS。（3）轉(zhuǎn)移特性IDf（VGS）柵源電壓Vgs與漏極電流ID的關(guān)系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性。根據(jù)表46的測(cè)量數(shù)值，繪出轉(zhuǎn)移特性。(4)導(dǎo)通電阻RDS測(cè)試導(dǎo)通電阻定義為RDS=VDS/ID將電壓表接至MOS 管的“25”與“23”兩端，測(cè)量UDS，其余接線同上。改變VGS從小到大讀取ID與對(duì)應(yīng)的漏源電壓VDS，測(cè)量5-6組數(shù)值。測(cè)得數(shù)據(jù)如圖所示：(5)IDf（VS

13、D）測(cè)試IDf（VSD）系指VGS0時(shí)的VDS特性，它是指通過(guò)額定電流時(shí)，并聯(lián)寄生二極管的正向壓降。a在主回路的“3”端與MOS管的“23”端之間串入安培表，主回路的“4”端與MOS管的“25”端相連，在MOS管的“23”與“25”之間接入電壓表，將RP右旋轉(zhuǎn)到底，讀取一組ID與VSD的值。數(shù)據(jù)如圖所示：b將主回路的“3”端與MOS管的“23”端斷開(kāi)，在主回路“1”端與MOS管的“23”端之間串入安培表，其余接線與測(cè)試方法同上，讀取另一組ID與VSD的值。數(shù)據(jù)如圖所示：c將“1”端與“23”端斷開(kāi)，在在主回路“2”端與“23”端之間串入安培表，其余接線與測(cè)試方法同上，讀取第三組ID與VSD的值

14、。數(shù)據(jù)如圖所示：2快速光耦6N137輸入、輸出延時(shí)時(shí)間的測(cè)試將MOSFET單元的輸入“1”與“4”分別與PWM波形發(fā)生器的輸出“1”與“2”相連，再將MOSFET單元的“2”與“3”、“9”與“4”相連，用雙蹤示波器觀察輸入波形（“1”與“4”）及輸出波形（“5”與“9”之間），記錄開(kāi)門(mén)時(shí)間ton、關(guān)門(mén)時(shí)間toff。3驅(qū)動(dòng)電路的輸入、輸出延時(shí)時(shí)間測(cè)試在上述接線基礎(chǔ)上，再將“5”與“8”、“6”與“7”、“10”、“11”與“12”、“13”、“14”與“16”相連，用示波器觀察輸入“1”與“4”及驅(qū)動(dòng)電路輸出“18”與“9”之間波形，記錄延時(shí)時(shí)間toff。4電阻負(fù)載時(shí)MOSFET開(kāi)關(guān)特性測(cè)試（

15、1）無(wú)并聯(lián)緩沖時(shí)的開(kāi)關(guān)特性測(cè)試在上述接線基礎(chǔ)上，將MOSFET單元的“9”與“4”連線斷開(kāi)，再將“20”與“24”、“22”與“23”、“21”與“9”以及主回路的“1”與“4”分別和MOSFET單元的“25”與“21”相連。用示波器觀察“22”與“21”以及“24”與“21”之間波形（也可觀察“22”與“21”及“25”與“21”之間的波形），記錄開(kāi)通時(shí)間ton與存儲(chǔ)時(shí)間ts。（2）有并聯(lián)緩沖時(shí)的開(kāi)關(guān)特性測(cè)試在上述接線基礎(chǔ)上，再將“25”與“27”、“21”與“26”相連，測(cè)試方法同上。5電阻、電感負(fù)載時(shí)的開(kāi)關(guān)特性測(cè)試（1）有并聯(lián)緩沖時(shí)的開(kāi)關(guān)特性測(cè)試將主回路“1”與MOSFET單元的“25”

16、斷開(kāi)，將主回路的“2”與MOSFET單元的“25”相連，測(cè)試方法同上。（2）無(wú)并聯(lián)緩沖時(shí)的開(kāi)關(guān)特性測(cè)試將并聯(lián)緩沖電路斷開(kāi)，測(cè)試方法同上。6有與沒(méi)有柵極反壓時(shí)的開(kāi)關(guān)過(guò)程比較（1）無(wú)反壓時(shí)的開(kāi)關(guān)過(guò)程上述所測(cè)的即為無(wú)反壓時(shí)的開(kāi)關(guān)過(guò)程。（2）有反壓時(shí)的開(kāi)關(guān)過(guò)程將反壓環(huán)節(jié)接入試驗(yàn)電路，即斷開(kāi)MOSFET單元的“9”與“21”的相連，連接“9”與“15”，“17”與“21”，其余接線不變，測(cè)試方法同上，并與無(wú)反壓時(shí)的開(kāi)關(guān)過(guò)程相比較。7不同柵極電阻時(shí)的開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電阻、電感負(fù)載，有并聯(lián)緩沖電路（1）柵極電阻采用R6=200時(shí)的開(kāi)關(guān)特性。（2）柵極電阻采用R7=470時(shí)的開(kāi)關(guān)特性。（3）柵極電阻采用R8=1.

17、2k時(shí)的開(kāi)關(guān)特性。8柵源極電容充放電電流測(cè)試電阻負(fù)載，柵極電阻采用R6，用示波器觀察R6兩端波形并記錄該波形的正負(fù)幅值。9消除高頻振蕩試驗(yàn)當(dāng)采用電阻、電感負(fù)載，無(wú)并聯(lián)緩沖，柵極電阻為R6時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的高頻振蕩，通?？捎迷龃髺艠O電阻的方法消除，當(dāng)出現(xiàn)高頻振蕩時(shí)，可將柵極電阻用較大阻值的R8。六實(shí)驗(yàn)報(bào)告1根據(jù)所測(cè)數(shù)據(jù)，列出MOSFET主要參數(shù)的表格與曲線。2列出快速光耦6N137與驅(qū)動(dòng)電路的延時(shí)時(shí)間與波形。3繪出電阻負(fù)載，電阻、電感負(fù)載，有與沒(méi)有并聯(lián)緩沖時(shí)的開(kāi)關(guān)波形，并在圖上標(biāo)出ton、toff。4繪出有與沒(méi)有柵極反壓時(shí)的開(kāi)關(guān)波形，并分析其對(duì)關(guān)斷過(guò)程的影響。5繪出不同柵極電阻時(shí)的開(kāi)關(guān)波形，

18、分析柵極電阻大小對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程影響的物理原因。6繪出柵源極電容充放電電流波形，試估算出充放電電流的峰值。7消除高頻振蕩的措施與效果。8實(shí)驗(yàn)的收獲、體會(huì)與改進(jìn)意見(jiàn)。實(shí)驗(yàn)三絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)特性與驅(qū)動(dòng)電路研究一實(shí)驗(yàn)?zāi)康?熟悉IGBT主要參數(shù)與開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試方法。2掌握混合集成驅(qū)動(dòng)電路EXB840的工作原理與調(diào)試方法。二實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1IGBT主要參數(shù)測(cè)試。2EXB840性能測(cè)試。3IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試。4過(guò)流保護(hù)性能測(cè)試。三實(shí)驗(yàn)設(shè)備和儀器1MCL-07電力電子實(shí)驗(yàn)箱中的IGBT與PWM波形發(fā)生器部分。2雙蹤示波器。3毫安表4電壓表5電流表6MCL系列教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)主控制屏四、實(shí)驗(yàn)報(bào)告1IGBT主要參

19、數(shù)測(cè)試（1）開(kāi)啟閥值電壓VGS（th）測(cè)試在主回路的“1”端與IGBT的“18”端之間串入毫安表，將主回路的“3”與“4”端分別與IGBT管的“14”與“17”端相連，再在“14”與“17”端間接入電壓表，并將主回路電位器RP左旋到底。將電位器RP逐漸向右旋轉(zhuǎn)，邊旋轉(zhuǎn)邊監(jiān)視毫安表，當(dāng)漏極電流ID=1mA時(shí)的柵源電壓值即為開(kāi)啟閥值電壓VGS（th）。讀取67組ID、Vgs，其中ID=1mA必測(cè)，填入表58。ID（MA）0.080.230.5211.5222.98VGS（V）5.85.966.086.176.246.296.35（2）跨導(dǎo)gFS測(cè)試在主回路的“2”端與IGBT的“18”端串入安培表

20、，將RP左旋到底，其余接線同上。將RP逐漸向右旋轉(zhuǎn)，讀取ID與對(duì)應(yīng)的VGS值，測(cè)量5-6組數(shù)據(jù)，填入表ID（MA）0.230，420.7111.371.832VGS（V）15.0014.9914.9814.9714.9614.9314.92（3）導(dǎo)通電阻RDS測(cè)試將電壓表接入“18”與“17”兩端，其余同上，從小到大改變VGS，讀取ID與對(duì)應(yīng)的漏源電壓VDS，測(cè)量5-6組數(shù)據(jù)，填入表ID（MA）0.080.230.5211.5222.98VGS（V）5.85.966.086.196.256.306.352EXB840性能測(cè)試（1）輸入輸出延時(shí)時(shí)間測(cè)試IGBT部分的“1”與“13”分別與PWM波

21、形發(fā)生部分的“1”與“2”相連，再將IGBT部分的“10”與“13”、與門(mén)輸入“2”與“1”相連，用示波器觀察輸入“1”與“13”及EXB840輸出“12”與“13”之間波形，記錄開(kāi)通與關(guān)斷延時(shí)時(shí)間。ton= 1US，toff=17US五、思考題1試對(duì)由EXB840構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)缺點(diǎn)作出評(píng)價(jià)。2在選用二極管V1時(shí)，對(duì)其參數(shù)有何要求？其正向壓降大小對(duì)IGBT的過(guò)流保護(hù)功能有何影響？3通過(guò)MOSFET與IGBT器件的實(shí)驗(yàn)，請(qǐng)你對(duì)兩者在驅(qū)動(dòng)電路的要求，開(kāi)關(guān)特性與開(kāi)關(guān)頻率，有、無(wú)反并聯(lián)寄生二極管，電流、電壓容量以及使用中的注意事項(xiàng)等方面作一分析比較。答：1、EXB40具有過(guò)流檢測(cè)及切斷電路的功能，

22、 并且對(duì)10S以下的過(guò)流信號(hào)不予響應(yīng)一旦確認(rèn)出現(xiàn)過(guò)流，它就低速切斷電路而慢速關(guān)斷IGBT。2、3、MOSFET是柵極電壓來(lái)控制柵極電流的，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要驅(qū)動(dòng)功率小，IGBT的驅(qū)動(dòng)電路與MOSFET相似但是需要注意對(duì)過(guò)電流和過(guò)電壓的保護(hù)。MOSFET的開(kāi)關(guān)容量比IGBT的開(kāi)關(guān)容量小，但開(kāi)關(guān)頻率高，且無(wú)反并聯(lián)寄生二極管。MOSFET的電流，電壓容量小。 實(shí)驗(yàn)四三相橋式全控整流及有源逆變電路實(shí)驗(yàn)一實(shí)驗(yàn)?zāi)康?熟悉MCL-18, MCL-33組件。2熟悉三相橋式全控整流及有源逆變電路的接線及工作原理。3了解集成觸發(fā)器的調(diào)整方法及各點(diǎn)波形。二實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1三相橋式全控整流電路2三相橋式有源逆變電路3觀察整

23、流或逆變狀態(tài)下，模擬電路故障現(xiàn)象時(shí)的波形。三實(shí)驗(yàn)線路及原理實(shí)驗(yàn)線路如圖4-12所示。主電路由三相全控變流電路及作為逆變直流電源的三相不控整流橋組成。觸發(fā)電路為數(shù)字集成電路，可輸出經(jīng)高頻調(diào)制后的雙窄脈沖鏈。三相橋式整流及有源逆變電路的工作原理可參見(jiàn)“電力電子技術(shù)”的有關(guān)教材。四實(shí)驗(yàn)設(shè)備及儀器1MCL系列教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)主控制屏。2MCL18組件（適合MCL)或MCL31組件（適合MCL）。3MCL33（A）組件或MCL53組件（適合MCL、）4MEL-03可調(diào)電阻器（或滑線變阻器1.8K, 0.65A）5MEL-02芯式變壓器6二蹤示波器7萬(wàn)用表五實(shí)驗(yàn)方法1按圖接線，未上主電源之前，檢查晶閘管的脈沖是

24、否正常。（1）打開(kāi)MCL-18電源開(kāi)關(guān)，給定電壓有電壓顯示。（2）用示波器觀察MCL-33（或MCL-53，以下同）的雙脈沖觀察孔，應(yīng)有間隔均勻，相互間隔60o的幅度相同的雙脈沖。（3）檢查相序，用示波器觀察“1”，“2”單脈沖觀察孔，“1”脈沖超前“2”脈沖600，則相序正確，否則，應(yīng)調(diào)整輸入電源。（4）用示波器觀察每只晶閘管的控制極，陰極，應(yīng)有幅度為1V2V的脈沖。注：將面板上的Ublf（當(dāng)三相橋式全控變流電路使用I組橋晶閘管VT1VT6時(shí)）接地，將I組橋式觸發(fā)脈沖的六個(gè)開(kāi)關(guān)均撥到“接通”。（5）將給定器輸出Ug接至MCL-33面板的Uct端，調(diào)節(jié)偏移電壓Ub，在Uct=0時(shí)，使a=150o。2三相橋式全控