CMOS模擬集成電路設(shè)計ch2器件物理ppt課件

1、MOSFET是一個四端器件是一個四端器件OXOXOXTCDI =0,GSTHDSGSTHVVVVV 當(dāng)且時QdWCox(VGSVTH)Qd(x) WCox(VGSV(x)VTH)dIQv ID WCoxVGS V(x) VTHvIDdxx0LWCoxnVGS V(x) VTHdVV0VDSGiven v E and E(x) dV(x)dxIDWCoxVGSV(x)VTHndV(x)dxIDnCo xWL(VGS VTH)VDS12VDS2IDnCo xWL(VGS VTH)VDS12VDS2IDnCoxWL(VGSVTH)VDS12VDS2()WDnoxGSTHDSLICVVV 1()ONW

2、noxGSTHLRCVV 2()DSGSTHVVV 當(dāng)時2()2noxDGSTHC WIVVL ,GSTHDSGSTHVVVVV 且時2=GSTHDIWCn oxLVV 飽和區(qū)內(nèi)，電流近似只與飽和區(qū)內(nèi)，電流近似只與 W/L W/L 和過飽和電壓和過飽和電壓VGS-VTH VGS-VTH 有關(guān)，有關(guān)，不隨源漏電壓不隨源漏電壓VDSVDS變化變化2)(2THGSoxnDVVLWCI因此在因此在VGSVGS不變的條件下不變的條件下MOSFETMOSFET可以等效為恒流源可以等效為恒流源 tanDmGSVDS constIgV 引入重要的概念引入重要的概念 跨導(dǎo)跨導(dǎo) gm gmtconsVDSGSDm

3、VIgtan ()WnoxGSTHLCVV2WnoxDLCI2DGSTHIVV 對于,管子導(dǎo)通,且相對于足夠高，即（,管子進(jìn)入線性）區(qū)GDGTHDVVNM SVVOV ,DSGSTHVVV管子導(dǎo)通 且時，則管子進(jìn)入?yún)^(qū)相反性區(qū)線是飽和 對于,管子導(dǎo)通,且相對于足夠低，即（,管子進(jìn)入線性）區(qū)GDGTHDVVPM SVVOV DTHGSoxnDSDDDSoIVVLWCVIIVr1)(21/12分析高頻交流特性時分析高頻交流特性時必須考慮寄生電容的影響必須考慮寄生電容的影響1D SoDDVrII gmb gm2 2FVSBgm以及串并聯(lián)關(guān)系！以及串并聯(lián)關(guān)系！ 解釋什么是小信號跨導(dǎo)，給出飽和區(qū)解釋什么是小信號跨導(dǎo)，給出飽和區(qū)MOSFET小信號跨小信號跨導(dǎo)的三種表達(dá)形式導(dǎo)的三種表達(dá)形式 2. 右圖中右圖中MOSFET的過飽和電壓是多少？管子處于什么工的過飽和電壓是多少？管子處于什么工作區(qū)？作區(qū)？3. 如下圖，如下圖，Vin隨時間線性增加。在不考慮溝調(diào)效應(yīng)，需考慮隨時間線性增加。在不考慮溝調(diào)效應(yīng)，需考慮體效應(yīng)的前提下，畫出體效應(yīng)的