半導(dǎo)體電子元器件的有哪些以及命名方式

1、半導(dǎo)體電子元器件的有哪些以及命名方式半導(dǎo)體器件(semiconductor device)通常，這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件(即晶體二極管)的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管(又稱晶體三極管)。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶

2、體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體

3、器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C(U3)I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。1、物質(zhì)的分類按照導(dǎo)電能力的大小可以分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)電能力用電阻率衡量。導(dǎo)體：具有良好導(dǎo)電性能的物質(zhì)，如銅、鐵、鋁 電阻率一般小于10-4cm絕緣體：導(dǎo)電能力很差或不導(dǎo)電的物質(zhì)，如玻璃、陶瓷、塑料。電阻率在108cm以上半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如鍺、硅。純凈的半導(dǎo)體硅的電阻率約為241000cm2、半導(dǎo)體的特性與導(dǎo)體、絕緣體相比，半導(dǎo)體具有三個顯著特點：(1)電阻率的大小受雜質(zhì)含量多少的影響極大，如硅中只要摻入百萬分之一的雜質(zhì)硼，硅的電阻率就會從24100

4、0cm下降到0.4cm，變化了50多萬倍;(2)電阻率受環(huán)境溫度的影響很大。例如：溫度每升高8時，純凈硅的電阻率就會降低一半左右;金屬每升高10時，電阻率只增加4%左右。熱敏電阻：正溫度系數(shù)隨著溫度的升高，電阻阻值增加 。負(fù)溫度系數(shù)隨著溫度的升高，電阻阻值減小 。(3)光線的照射也會明顯地影響半導(dǎo)體地導(dǎo)電性能。 光敏電阻3、半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料鍺和硅都是四價元素，它們原子核外層有四個價電子。正常情況下電子受原子核的束縛，不能任意移動，所以導(dǎo)電性能差。因為物體的導(dǎo)電是靠帶電荷的粒子定向移動來實現(xiàn)的。當(dāng)向半導(dǎo)體內(nèi)摻入雜質(zhì)后，晶體內(nèi)部原有的平衡被打破，當(dāng)摻入硼原子時，它外層原有的三個價電子和周圍的

5、硅原子中的價電子形成“共價鍵”。這時硅原子不再呈電中性，好像失去了一個帶負(fù)電的價電子，留下空位，稱它為“空穴”。由于空穴有接收電子的性質(zhì)，相當(dāng)于一個正電荷。當(dāng)摻入磷原子，它外層有五個價電子，形成共價鍵時就多出了一個價電子。此電子可以自由參加導(dǎo)電。把半導(dǎo)體中載運電荷的粒子稱為載流子，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴都是半導(dǎo)體中的載流子。在摻雜的半導(dǎo)體中電子和空穴的數(shù)目是不相等的，這就有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子之分。載流子在電場作用下，能作定向運動的粒子。在半導(dǎo)體中，載流子有兩種：自由電子和空穴。4、本征半導(dǎo)體完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。(純凈度 99.99999%)5、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中

6、摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。這種半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。根據(jù)所摻雜質(zhì)的不同，分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體 。(1)P型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入適量三價元素(硼、鋁)，形成空穴型(P型)半導(dǎo)體。它的導(dǎo)電能力大大高于本征半導(dǎo)體。多子(主要導(dǎo)電的載粒子)：空穴。少子：自由電子(熱激發(fā)形成)。(2)N型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入適量五價元素(磷、銻)，形成自由電子型(N型)半導(dǎo)體。多子(主要導(dǎo)電的載粒子)：自由電子。少子：空穴(熱激發(fā)形成)。在兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子是主要導(dǎo)電媒介，數(shù)量取決于雜質(zhì)含量;少子是本征激發(fā)產(chǎn)生的，數(shù)量取決于環(huán)境溫度。雖然雜質(zhì)半導(dǎo)體含有數(shù)量不同的兩種載

7、流子，但整體上電量平衡，對外不顯電性。簡單介紹了一下4種常見的電子元器件的基礎(chǔ)知識與命名方法。電子元器件基礎(chǔ)知識(1)-電阻電阻器(Resistor)在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的一般是兩個引腳，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。理想的電阻器是線性的，即通過電阻器的瞬時電流與外加瞬時電壓成正比。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著一至兩個可移金屬觸點。觸點位置確定電阻體任一端與觸點間的阻值。 國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成(不適用敏感電阻)第一部分：主稱 ,用字母表示

8、，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。第二部分：材料 ,用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機(jī)實心、N-無機(jī)實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。第四部分：序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等 例如：R T 1 1 型普通碳膜電阻電子元器件基礎(chǔ)知識(2)-電容電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛

9、應(yīng)用于隔直，耦合， 旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF)，1F=106uF=1012pF電容器的型號命名方法 國產(chǎn)電容器的型號一般由四部分組成(不適用于壓敏、可變、真空電容器)。依次分別代表名稱、材料、分類和序號。第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C.第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別用字母表示。第四部分：序號，用數(shù)字表示。 用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L

10、-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介電子元器件基礎(chǔ)知識(3)-電感線圈電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=103mH=106uH.電感的分類 按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。 按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。 按 工作性質(zhì) 分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。 按 繞線結(jié)構(gòu) 分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。電感線圈的主要特性

11、參數(shù)1、電感量L 電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈(色碼電感)外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。2、感抗XL 電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2fL3、品質(zhì)因素Q 品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R 線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。4、分布電容 線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為

12、分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。電子元器件基礎(chǔ)知識(4)-半導(dǎo)體器件中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半

13、導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3

14、DG18表示NPN型硅材料高頻三極管電流表 PA電壓表 PV有功電度表 PJ無功電度表 PJR頻率表 PF相位表 PPA最大需量表(負(fù)荷監(jiān)控儀) PM功率因數(shù)表 PPF有功功率表 PW無功功率表 PR無功電流表 PAR聲信號 HA光信號 HS指示燈 HL紅色燈 HR綠色燈 HG黃色燈 HY藍(lán)色燈 HB白色燈 HW連接片 XB插頭 XP插座 XS端子板 XT電線，電纜，母線 W直流母線 WB插接式(饋電)母線 WIB電力分支線 WP照明分支線 WL應(yīng)急照明分支線 WE電力干線 WPM照明干線 WLM應(yīng)急照明干線 WEM滑觸線 WT合閘小母線 WCL控制小母線 WC信號小母線 WS閃光小母線 WF事故音響小母線 WFS預(yù)告音響小母線 WPS電壓小母線 WV事故照明小母線 WELM避雷器 F熔斷器 FU快速熔斷器 FTF跌落式熔斷器 FF限壓保護(hù)器件 FV電容器 C電力電容器 CE正轉(zhuǎn)按鈕 SBF反轉(zhuǎn)按鈕 SBR停止按鈕 SBS緊急按鈕 SBE試驗按鈕 SBT復(fù)位按鈕 SR限位開關(guān) SQ接近開關(guān) SQP手動控制開關(guān) SH時間控制開關(guān) SK液位控制開關(guān) SL濕度控制開關(guān) SM壓力控制開關(guān) SP速度控制開關(guān) SS溫度控制開關(guān)，輔助開關(guān) ST電壓表切換開關(guān) SV電流表切換開關(guān) SA整流器 U可控硅整流器 UR控制電路有電源的整流器 VC變頻器 UF變流器 UC逆變器 UI電動機(jī) M