C8051F單片機(jī)的IO口設(shè)置

1、C8051F單片機(jī)的IO口設(shè)置c8051f020 I/O配置小結(jié)2007-04-06 23:05020的每個(gè)I/O口引腳都可以被配置為推挽或漏極開(kāi)路輸出。同時(shí)引入了數(shù)字交叉開(kāi)關(guān)，允許將內(nèi)部數(shù)字系統(tǒng)資源映射到P0、P1、P2和P3的端口引腳。通過(guò)設(shè)置交叉開(kāi)關(guān)寄存器可將片內(nèi)的計(jì)數(shù)器/定時(shí)器、串行總線、硬件中斷、ADC轉(zhuǎn)換啟動(dòng)輸入、比較器輸出以及微控制器內(nèi)部的其他數(shù)字信號(hào)配置為出現(xiàn)在端口I/O引腳。必須在訪問(wèn)這些外設(shè)的I/O之前配置和允許交叉開(kāi)關(guān)。注意的問(wèn)題：1.低端口既能按位尋址，也可以按字節(jié)尋址；高端口只能按字節(jié)尋址。2.沒(méi)有被分配到的引腳作為一般的數(shù)字通用I/O口。3.P1口還可以用作ADC1

2、的模擬輸入。4.P0MDOUTP3MDOUT用于控制I/O端口每一位的輸出狀態(tài)。5.EMIF（外部存儲(chǔ)器接口）是用于CPU與片外XRAM之間的數(shù)據(jù)傳輸通道，通過(guò)寄存器EMI0CF和EMI0CN選擇和管理端口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸。6.為了能訪問(wèn)片外存儲(chǔ)器空間，必須設(shè)置EMI0CN寄存器的內(nèi)容為片外存儲(chǔ)器的空間頁(yè)地址。7.如果把外部存儲(chǔ)器接口（EMIF）設(shè)置在高端口則首先要把EMI0CF的PRTSEL位設(shè)置為1，選擇高端口，同時(shí)選擇地址的復(fù)用或非復(fù)用方式，在把XBR的外部寄存器的EMIFLE位設(shè)置為0。8.復(fù)用方式配置：在復(fù)用方式下，數(shù)據(jù)總線和地址總線的第8位共用相同的引腳（AD0AD7）。在該方式下，

3、要用一個(gè)外部鎖存器（如74HC373或相同功能的鎖存器）保持RAM地址的低8位。外部鎖存器由ALE(地址鎖存使能)信號(hào)控制，ALE信號(hào)由外部存儲(chǔ)器接口邏輯驅(qū)動(dòng)。9.在總線復(fù)用時(shí)，需要把地址數(shù)據(jù)復(fù)用端口配置為漏極開(kāi)路。10.ALE高/低脈寬占1個(gè)SYSCLK周期，地址建立/保持時(shí)間占0個(gè)SYSCLK周期，/WR和/RD占12個(gè)SYSCLK周期，EMIF工作在地址/數(shù)據(jù)復(fù)用方式，即：EMI0CF |= 0x2c;EMI0TC |= 0x2c;配置EMIF的步驟是：先將EMIF選到低端口或高端口；然后選擇復(fù)用方式或非復(fù)用方式；再選擇存儲(chǔ)器的模式（只用片內(nèi)存儲(chǔ)器、不帶塊選擇的分片方式、帶塊選擇的分片方

4、式或只用片外存儲(chǔ)器）；然后設(shè)置EMI0TC；最后通過(guò)寄存器PnMDOUT和P74OUT選擇所期望的相關(guān)端口的輸出方式。如：void PORT_Init (void)    XBR2     = 0x40;          P74OUT |= 0xff;          EMI0CF |= 0x2c;

5、60;     EMI0TC |= 0x6c;      P3MDOUT |= 0xdf;     11.避免高端口處于“浮空”狀態(tài)，以避免因輸入浮空為無(wú)效邏輯電平而導(dǎo)致不必要的功率消耗，為此應(yīng)采取如下措施的任何一種：a.將XBR2.7位設(shè)置為邏輯0選擇弱上拉狀態(tài)R/W              R

6、/W    R/W    R/W        R/W      R/W            R/W           R/W 

7、0;     復(fù)位值WEAKPUD   XBARE   -     T4EXE    T4E     UART1E     EMIFLE     CNVSTE   00000000位7   

8、             位6      位5     位4        位3         位2       &#

9、160;    位1             位0         SFR地址位7 WEAKPUD 弱上拉禁止位0 弱上拉全局允許1 弱上拉全局禁止位6 XBARE 交叉開(kāi)關(guān)允許位0 交叉開(kāi)關(guān)禁止端口0 1 2 和3 的所有引腳被強(qiáng)制為輸入方式1 交叉開(kāi)關(guān)允許位5 未用讀0 寫=忽略位4 T4EXE T4EX 輸入允許位0 T4EX 不連

10、到端口引腳1 T4EX 連到端口引腳位3 T4E T4 輸入允許位0 T4 不連到端口引腳1 T4 連到端口引腳位2 UART1E UART1 I/O 允許位0 UART1 I/O 不連到端口引腳1 UART1 TX 和RX 連到兩個(gè)端口引腳位1 EMIFLE 外部存儲(chǔ)器接口低端口允許位0 P0.7 P0.6 和P0.5 的功能由交叉開(kāi)關(guān)或端口鎖存器決定1 如果EMI0CF.4 = 0 外部存儲(chǔ)器接口為復(fù)用方式則P0.7 (/WR) P0.6 (/RD)和P0.5 (/ALE)被交叉開(kāi)關(guān)跳過(guò)它們的輸出狀態(tài)由端口鎖存器和外部存儲(chǔ)器接口決定1 如果EMI0CF.4 = 1 外部存儲(chǔ)器接口為非復(fù)用方

11、式則P0.7 (/WR)和P0.6 (/RD)被交叉開(kāi)關(guān)跳過(guò)它們的輸出狀態(tài)由端口鎖存器和外部存儲(chǔ)器接口決定位0 CNVSTE 外部轉(zhuǎn)換啟動(dòng)輸入允許位0 CNVSTR 不連到端口引腳1 CNVSTR 連到端口引腳；b.令P74OUT=0xFF，將高端口輸出方式配置為推拉方式(P74OUT為高端口輸出方式寄存器)；c.向高端口數(shù)據(jù)寄存器P4、P5、P6和P7寫0。12.配置端口引腳的輸出方式每個(gè)端口引腳的輸出方式都可被配置為漏極開(kāi)路或推挽方式。在推挽方式下向端口數(shù)據(jù) 寄存器中的相應(yīng)位寫邏輯0 將使端口引腳被驅(qū)動(dòng)到GND 寫邏輯1 將使端口引腳被驅(qū)動(dòng)到VDD ，在漏極開(kāi)路方式下向端口數(shù)據(jù)寄存器中的相

12、應(yīng)位寫邏輯0 將使端口引腳被驅(qū)動(dòng)到GND,寫邏輯1,將使端口引腳處于高阻狀態(tài)，當(dāng)系統(tǒng)中不同器件的端口引腳有共享連接,即多個(gè)輸出連接到同一個(gè)物理線時(shí)（例如SMBus 連接中的SDA 信號(hào)），使用漏極開(kāi)路方式以防止不同器件之間的沖突。（推挽方式在有些書(shū)中稱為推拉方式）關(guān)于開(kāi)漏、推挽方式，漏級(jí)開(kāi)路即高阻狀態(tài)，適用于輸入/輸出，其可獨(dú)立輸入/輸出低電平和高阻狀態(tài)，若需要產(chǎn)生高電平，則需使用外部上拉電阻或使用如LCX245等電平轉(zhuǎn)換芯片。有些朋友，尤其是未學(xué)過(guò)此方面知識(shí)的朋友，在實(shí)際工作中將I/O口設(shè)置為漏開(kāi)，并想輸出高電平，但向口線上寫1后對(duì)方并未認(rèn)出高電平，但用萬(wàn)用表測(cè)量引腳確有電壓，這種認(rèn)為是不對(duì)

13、的，對(duì)于高阻狀態(tài)來(lái)說(shuō)，測(cè)量電壓是無(wú)意義的，正確的方法應(yīng)是外加上拉電阻，上拉電阻的阻值=上拉電壓/芯片引腳最大灌（拉）電流。 推挽方式可完全獨(dú)立產(chǎn)生高低電平，推挽方式為低阻，這樣，才能保證口線上不分走電壓或分走極小的電壓（可忽略），保證輸出與電源相同的高電平，推挽適用于輸出而不適用于輸入，因?yàn)槿魧?duì)推挽（低阻）加高電平后，I=U/R，I會(huì)很大，將造成口的燒毀。對(duì)于C8051F的很多型號(hào)片子，將I/O口設(shè)置為推挽方式的做法為：PnMDOUT=0xff，Pn=0x00，這樣設(shè)置I/O口為推挽，并輸出低電平（可降低功耗） 將I/O口設(shè)置為漏開(kāi)方式的做法為：PnMDOUT=0x00，Pn=0x11，這樣設(shè)

14、置I/O口為漏開(kāi)。如果學(xué)過(guò)三極管放大電路一定知道，前置單管放大器和功放末級(jí)放大電路的區(qū)別。單片機(jī)內(nèi)部的邏輯經(jīng)過(guò)內(nèi)部的邏輯運(yùn)算后需要輸出到外面，外面的器件可能需要較大的電流才能推動(dòng)，因此在單片機(jī)的輸出端口必須有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。  這種驅(qū)動(dòng)電路有兩種形式:  其中的一種是采用一只N型三極管（npn或n溝道），以npn三極管為例，就是e接地，b接內(nèi)部的邏輯運(yùn)算，c引出，b受內(nèi)部驅(qū)動(dòng)可以控制三極管是否導(dǎo)通但如果三極管的c極一直懸空，盡管b極上發(fā)生高低變化，c極上也不會(huì)有高低變化，因此在這種條件下必須在外部提供一個(gè)電阻，電阻的一端接c(引出腳）另一端接電源，這樣當(dāng)三極管的b有

15、高電壓是三極管導(dǎo)通，c電壓為低，當(dāng)b為低電壓時(shí)三極管不通，c極在電阻的拉動(dòng)下為高電壓，這種驅(qū)動(dòng)電路有個(gè)特點(diǎn)：低電壓是三極管驅(qū)動(dòng)的，高電壓是電阻驅(qū)動(dòng)的（上下不對(duì)稱），三極管導(dǎo)通時(shí)的ec內(nèi)阻很小，因此可以提供很大的電流，可以直接驅(qū)動(dòng)led甚至繼電器，但電阻的驅(qū)動(dòng)是有限的，最大高電平輸出電流=(vcc-Vh)/r；  另一種是互補(bǔ)推挽輸出，采用2只晶體管，一只在上一只在下，上面的一只是n型，下面為p型（以三極管為例），兩只管子的連接為：npn（上）的c連vcc，pnp（下）的c接地，兩只管子的ee,bb相連，其中ee作為輸出（引出腳），bb接內(nèi)部邏輯，這個(gè)電路通常用于功率放大點(diǎn)路

16、的末級(jí)（音響），當(dāng)bb接高電壓時(shí)npn管導(dǎo)通輸出高電壓，由于三極管的ec電阻很小，因此輸出的高電壓有很強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力，當(dāng)bb接低電壓時(shí)npn截至，pnp導(dǎo)通，由于三極管的ec電阻很小因此輸出的低電壓有很強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力，簡(jiǎn)單的例子，9013導(dǎo)通時(shí)ec電阻不到10歐，以Vh=2.5v，vcc=5v計(jì)算，高電平輸出電流最大=250MA，短路電流500ma，這個(gè)計(jì)算同時(shí)告訴我們采用推挽輸出時(shí)一定要小心千萬(wàn)不要出現(xiàn)外部電路短路的可能，否則肯定燒毀芯片，特別是外部驅(qū)動(dòng)三極管時(shí)別忘了在三極管的基極加限流電阻。推挽輸出電路的形式很多，有些單片機(jī)上下都采用n型管，但內(nèi)部邏輯提供互補(bǔ)輸出，以上的說(shuō)明僅僅為了說(shuō)明推挽的

17、原理，為了更深的理解可以參考功率放大電路。 振蕩器問(wèn)：內(nèi)部時(shí)鐘振蕩器是否穩(wěn)定？是否可以用于產(chǎn)生波特率的時(shí)基？答：不同器件的內(nèi)部時(shí)鐘振蕩器的精度是不同的(±20%)。隨電源電壓變化，它也將發(fā)生變化（6.5%/V）。但基本不隨溫度變化（<1%溫度變化范圍-40+85）。由于不同器件內(nèi)部振蕩器的離散性較大，所以不能用于產(chǎn)生波特率，應(yīng)該外接標(biāo)準(zhǔn)晶體 。而有些器件，如C8051F3xx/f12x/f04x/f06x內(nèi)部振蕩器精度為±2%，可用于產(chǎn)生波特率 。問(wèn)：片內(nèi)/外振蕩器如何配置？答：正確步驟：1、允許外部振蕩器；2、等待1ms；3、查詢XTLVLD '0

18、'->'1'4、切換到外部振蕩器。注意：振蕩器頻率的選擇，即OSCXCN寄存器的配置（外部振蕩器頻率控制位的設(shè)置）。關(guān)于更多的信息以及源代碼可以參看應(yīng)用筆記AN002配置內(nèi)部和外部振蕩器。應(yīng)用筆記可以從我公司網(wǎng)站下載： 問(wèn)：C8051F MCU的指令執(zhí)行速度為多少？答：C8051F MCU的CIP-51內(nèi)核采用流水線結(jié)構(gòu)，與標(biāo)準(zhǔn)的8051結(jié)構(gòu)相比，指令執(zhí)行速度有很大的提高。標(biāo)準(zhǔn)的8051單片機(jī)執(zhí)行一個(gè)單周期指令需要12個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期，而C8051F MCU執(zhí)行一個(gè)單周期指令只需要一個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期。如果系統(tǒng)時(shí)鐘頻率為25MHz，執(zhí)行一個(gè)單周期指令所需時(shí)間為

19、40ns。 問(wèn)：切換外部晶振時(shí)應(yīng)注意哪些問(wèn)題？答：首先要允許外部振蕩器，但此時(shí)的系統(tǒng)時(shí)鐘源仍應(yīng)是內(nèi)部時(shí)鐘，直到外部振蕩器穩(wěn)定后，才可將系統(tǒng)時(shí)鐘源切換到外部振蕩器上，否則會(huì)出現(xiàn)切換不過(guò)去，系統(tǒng)死機(jī)的情況。 問(wèn)：使用外部晶振應(yīng)注意哪些問(wèn)題？答：1、所有的模擬和數(shù)字電源引腳都應(yīng)接電源（2.73.6V）；2、C8051F3xx系列器件的晶振引腳間應(yīng)跨接一個(gè)10M電阻（在新華龍網(wǎng)站的“主頁(yè)”“原理圖/PCB庫(kù)”中有C8051F系列單片機(jī)的典型接線圖）；3、晶振、電容等相關(guān)器件盡量靠近單片機(jī)的晶振引腳。 問(wèn)：系統(tǒng)時(shí)鐘切換到外部時(shí)鐘后，內(nèi)部的時(shí)鐘是否應(yīng)關(guān)閉？答：可以選擇關(guān)閉或不

20、關(guān)閉，但是從降低功耗的角度來(lái)說(shuō)，應(yīng)該關(guān)閉。 問(wèn)：系統(tǒng)時(shí)鐘可不可以在程序中隨時(shí)切換？答：可以，但是由內(nèi)部再一次切換到外部時(shí)應(yīng)按照技術(shù)問(wèn)答2所介紹的步驟進(jìn)行切換。 問(wèn)：使用外部晶振時(shí)如何配置芯片的引腳？答答：對(duì)于芯片上有固定晶振引腳的設(shè)備(例如C8051F02X)；相應(yīng)時(shí)鐘輸入引腳按選擇的晶振模式自動(dòng)分配引腳；對(duì)于晶振引腳與GPIO共用的芯片(例如C8051F30X)；晶振引腳要按下述方式進(jìn)行設(shè)置：(1).外接晶體體時(shí)；XTAL1與XTAL2都要配置為模擬輸入(2).外接振蕩電路為“RC”或“C”方式時(shí)，XTAL2引腳要配置為模擬輸入(3).外接CMOS時(shí)鐘電路時(shí)，XTAL2引

21、腳要配置為數(shù)字輸入(4).以上幾種方式在引腳的配置中都要使用跳過(guò)功能將此引腳跳過(guò) 問(wèn)：外接晶振的最高頻率是多少？答：外接晶振的最高頻率是30MHz；     模數(shù)轉(zhuǎn)換問(wèn)：從上電（或退出掉電模式）到ADC穩(wěn)定開(kāi)始轉(zhuǎn)換需要多長(zhǎng)時(shí)間？答：模擬建立時(shí)間也就是等待參考電平穩(wěn)定的時(shí)間。它取決于接在VREF引腳的電容容量。此電容越大VREF的噪音就越小，ADC轉(zhuǎn)換結(jié)果的噪音也就越小。如果用4.7F電容，則穩(wěn)定時(shí)間大約為2ms，如果無(wú)旁路電容（不推薦），穩(wěn)定時(shí)間大約為10S。注意：在開(kāi)始轉(zhuǎn)化之前，需要一個(gè)1.5S的跟蹤時(shí)間，這也就決定了ADC多路轉(zhuǎn)換

22、開(kāi)關(guān)（MUX）的切換速度。問(wèn)：ADC的最大輸入電壓及輸入阻抗？答：ADC的最大輸入電壓為VREF，它的輸入電壓范圍是0V-AV+/VDD。輸入電容為10pF；輸入阻抗等價(jià)于一個(gè)5k電阻和一個(gè)10pF電容的串聯(lián)。請(qǐng)參考應(yīng)用筆記AN019“計(jì)算開(kāi)關(guān)電容ADC的建立時(shí)間”。問(wèn)：ADC可編程窗口檢測(cè)器有什么用途？答：ADC可編程窗口檢測(cè)器在很多應(yīng)用中非常有用。它不停地將ADC輸出與用戶編程的限制量進(jìn)行比較，并在檢查到越限條件時(shí)通知系統(tǒng)控制器，這在中斷驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)中尤其有效，既可以節(jié)省代碼空間和CPU帶寬又能提供快速響應(yīng)的時(shí)間。問(wèn)：為了使ADC或DAC具有更好的性能，是否應(yīng)在VREF 引腳接電容？答：推薦

23、在VREF引腳接一個(gè)0.1F的陶瓷電容器與一個(gè)大的電容（典型為4.7F鉭電容）。在VREF引腳加電容是為了降低VREF的噪聲。因?yàn)閂REF的噪聲越小，ADC或DAC轉(zhuǎn)換結(jié)果的噪聲也就越小。且這兩個(gè)電容在PCB板上應(yīng)盡可能離VREF引腳近。問(wèn)：內(nèi)部參考電平是否可以用于外部電路的參考？答：可以，你可以用VREF信號(hào)作為輸出驅(qū)動(dòng)其它電路（像放大器的偏置電壓等）。注意，VREF引腳只能提供源電流，也就是說(shuō)，要有負(fù)載接地使電流流出C8051器件。例如，如果你將VREF連到OP運(yùn)放的(+)節(jié)點(diǎn)，你要加一個(gè)下拉電阻對(duì)地(24K左右)將電流限制在100A。 問(wèn)：如果測(cè)試的模擬輸入電壓范圍是0-5V怎

24、么辦？答：因?yàn)槟M輸入（AINx）引腳不能承受5V電壓，任何引腳在任何情況下(不管ADC或PGA的設(shè)置如何)必須使其輸入 電壓保持在AGND和AV之間，這是為了避免沉（或源）電流通過(guò)ESD保護(hù)裝置。為了測(cè)試0-5V范圍的信號(hào)，必須使信號(hào)衰減（衰減到AV以下）才能進(jìn)入到ADC輸入。當(dāng)使用外部VREF時(shí)，要求VREF的最大值比AV+小300mV。 問(wèn)：F02x器件內(nèi)部有PGA（可編程增益放大器）可以對(duì)輸入模擬信號(hào)進(jìn)行放大。其中的一個(gè)放大倍數(shù)為0.5 倍。是否意味著我可以外接+6V的模擬輸入電壓，經(jīng)過(guò)0.5倍的放大變成3V輸入到AINx呢？答：請(qǐng)注意：任何模擬引腳（數(shù)據(jù)IO口和VDD引腳除

25、外）的最大輸入電壓為-0.3V到 VDD+0.3V。如果超出此范圍可能造成器件永久損壞。在單端輸入方式，有兩個(gè)限制因素如下：1、AIN輸入電壓必須在AGND和AV+之間以避免吸/源電流流過(guò)ESD保護(hù)器件。2、AIN電壓必須在AGND和(VREF / GAIN) 之間。假設(shè)一個(gè)12位的ADC，AINx 引腳的輸入電壓小于AGND，結(jié)果將是0x000；如果輸入電壓大于(VREF / GAIN) ，結(jié)果將是0xFFF。例如，使用外部1.25V參考，PGA增益為0.5，允許的電壓輸入范圍是0V到 (1.25V / 0.5 = 2.5V)。問(wèn)：如何提高系統(tǒng)的ADC的性能？答：第一、將模擬電源和數(shù)字電源分

26、開(kāi)，可以使用比較簡(jiǎn)單的方法，如在模擬電源和數(shù)字電源之間加簡(jiǎn)單的濾波。第二、將模擬地和數(shù)字地分開(kāi)，并在電源附近通過(guò)磁珠連接。第三、制板時(shí)，大面積覆銅。第四、未使用到的模擬引腳要接地。第五、為了確保參考電壓的穩(wěn)定，參考電壓引腳一定要接去耦電容。第六、模擬信號(hào)的輸入電壓范圍是0-VDD，如果模擬輸入的外圍有可能侵入高電壓（超過(guò)芯片的極限允許范圍），就要采取保護(hù)措施（如加兩個(gè)肖特級(jí)二極管）。如果模擬輸入會(huì)有瞬間過(guò)電流，也要加限流保護(hù)。 問(wèn)：如果使用內(nèi)部參考源，C8051F020/F021的參考電壓引腳如何連接？答：C8051F020/F022共有4個(gè)參考電壓引腳，VREF，VREF0，VRF

27、E1和VREFD。允許ADC和DAC使用一個(gè)外部電壓基準(zhǔn)或片內(nèi)電壓基準(zhǔn)。通過(guò)配置VREF0CF基準(zhǔn)電壓控制寄存器，ADC0還可以使用DAC0的輸出作為內(nèi)部基準(zhǔn)，ADC1也可以使用模擬電源作為電壓基準(zhǔn)。內(nèi)部基準(zhǔn)電壓必須通過(guò)VREF引腳連接到芯片內(nèi)部。所以當(dāng)您的系統(tǒng)中使用到內(nèi)部基準(zhǔn)電壓時(shí)，必須確保VREF與VREF0，VREF1，VREFD（全部或部分）引腳的連接。C8051F021/F023共有兩個(gè)參考電壓引腳，VREFA和VREF。如果ADC0和ADC1使用內(nèi)部參考源，必須將VREFA與VREF引腳連接。注意：如果使用ADC或DAC，則不管電壓基準(zhǔn)取自片內(nèi)還是片外，REF0CN寄存器中的BIA

28、SE位必須被置為邏輯1。 問(wèn)：為什么在進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換時(shí)測(cè)得的數(shù)據(jù)跳變很大？答：當(dāng)輸入信號(hào)有干擾脈沖、ADC的轉(zhuǎn)換時(shí)間太短、在通道切換后通道還沒(méi)有穩(wěn)定就開(kāi)始轉(zhuǎn)換等原因都會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)跳變大，請(qǐng)仔細(xì)檢查以上三點(diǎn)并做相應(yīng)的處理就可以解決此類問(wèn)題。 問(wèn)：在進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換時(shí)所測(cè)得的數(shù)據(jù)與計(jì)算所得的數(shù)據(jù)相差很大，但跳變不大，為什么？答：1、計(jì)算時(shí)所用的基準(zhǔn)電壓是多少，如果用的是內(nèi)部基準(zhǔn)，把內(nèi)部基準(zhǔn)電壓通過(guò)交叉開(kāi)關(guān)分配到芯片引腳上，再進(jìn)行測(cè)量；2、換別的通道轉(zhuǎn)換看是否正常。 問(wèn)：ADC的單端輸入與差分輸入的區(qū)別?答答：在單端方式工作時(shí)；ADC轉(zhuǎn)換的是單輸入引腳對(duì)地的電壓值；

29、在增益為1時(shí)，測(cè)量的值就是輸入的電壓值；范圍是0V到VREF；當(dāng)增益增加時(shí)，輸入的范圍要相應(yīng)的減?。辉诓罘址绞焦ぷ鲿r(shí)；ADC轉(zhuǎn)換的是AIN+與AIN-兩個(gè)引腳的差值；在增益為1時(shí)，測(cè)量的值等于(AIN+)-(AIN-)，范圍是-VREF到+VREF；當(dāng)增益增加時(shí)，輸入的范圍要相應(yīng)的減小。注意：在差分方式時(shí)所提的負(fù)壓是指AIN-引腳的電壓大于AIN+引腳的電壓，實(shí)際輸入到兩個(gè)引腳的電壓對(duì)地都必需是正的；例如:如果AIN+引腳輸入的電壓為0V，AIN-引腳的輸入電壓為1/2VREF時(shí)，差分的輸入電壓為(0V-1/2VREF) = -1/2VREF。  端口問(wèn)：器件IO口的吸收（

30、sink）電流和源（source）電流是多少？答：IO口的沉電流和拉電流的極限參數(shù)為100mA（但是此時(shí)已經(jīng)不能保證端口的正常邏輯關(guān)系了）。具體的參數(shù)請(qǐng)參考datasheet的端口IO部分的“端口I/O直流電氣特性”。 問(wèn)：端口是否要加保護(hù)？答：在端口電流瞬間跳變的情況下，建議加限流電阻進(jìn)行保護(hù)。另外如果端口可能有超過(guò)極限電壓范圍的瞬變電平侵入，也要加瞬態(tài)保護(hù)。（瞬態(tài)保護(hù)的通常方式為接入TVS器件） 問(wèn)：C8051F系列單片機(jī)的IO口與傳統(tǒng)8051單片機(jī)相比有什么區(qū)別？答：C8051F系列單片機(jī)的IO口全部為三態(tài)雙向口（而傳統(tǒng)8051單片機(jī)P1、P2、P3口為準(zhǔn)雙向口），內(nèi)

31、部有弱上拉可禁止（傳統(tǒng)8051單片機(jī)固有），可配置為開(kāi)漏輸出和推挽輸出（傳統(tǒng)8051單片機(jī)只有開(kāi)漏輸出）。片內(nèi)數(shù)字資源要通過(guò)數(shù)據(jù)交叉開(kāi)關(guān)（crossbar）按一定的優(yōu)先級(jí)配置到IO引腳（C8051F2xx系列除外，而傳統(tǒng)8051單片機(jī)不具備這一功能）。IO口的配置更加靈活。 問(wèn)：C8051F系列單片機(jī)電源電壓全部為2.7-3.6V，那么是否有與5V系統(tǒng)接口的比較簡(jiǎn)單的解決方案？答：所有IO口允許5V（極限值為5.8V）輸入，但是輸出高電平為VDD。如果與5V系統(tǒng)接口，最簡(jiǎn)單的方法是開(kāi)漏輸出并在輸出端加接5V上拉，關(guān)鍵是上拉電阻的選擇。具體參考應(yīng)用筆記AN011“在5V系統(tǒng)中使用 C8051Fxxx”。建議：如果可能，請(qǐng)盡量選用供電電壓兼容的芯片，這是一種最理想的選擇。 問(wèn)：模擬引腳能否簡(jiǎn)單地用于數(shù)字IO？答：如果模擬引腳是獨(dú)立的是不可以的。但是如果模擬引腳和數(shù)字IO是復(fù)用的，是可以通過(guò)SFR的設(shè)置來(lái)完成配置。 問(wèn)：C