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文檔簡介

1、條形波導條形波導1. strip-loaded waveguide:(a)在平板波導表面部分地加載介質(zhì),在平板波導表面部分地加載介質(zhì),加載介質(zhì)部分的波導的等效折射率加載介質(zhì)部分的波導的等效折射率會變大,這部分把光限制起來。會變大,這部分把光限制起來。(b)加載金屬部分的等效折射率會減加載金屬部分的等效折射率會減小,在空氣覆蓋層部分將起到波導功小,在空氣覆蓋層部分將起到波導功能。能。2. ridge waveguide:首先在襯底表面上,通過蒸發(fā)、濺射、首先在襯底表面上,通過蒸發(fā)、濺射、擴散、外延生長等方法制作平板波導,擴散、外延生長等方法制作平板波導,然后刻蝕除去多余部分。然后刻蝕除去多余部分

2、。3. buried waveguide:通過選擇性的擴散、離子交換、離子通過選擇性的擴散、離子交換、離子注入、激光照射等方法,在接近襯底注入、激光照射等方法,在接近襯底表面的地方形成高折射率的波導層。表面的地方形成高折射率的波導層。第1頁/共107頁圓柱波導(光纖)圓柱波導(光纖)單模:8 10mm多模:50mm125mm纖芯包層涂覆層護套層強度元件內(nèi)護層光纖纜芯外護層第2頁/共107頁條形波導的波動方程分析馬卡梯里(Marcatili)近似第3頁/共107頁xy第4頁/共107頁設五個非陰影區(qū)的折射率分別為 12345nnnnn、 、 、 、 ,每個區(qū)域的波數(shù)用 jk表示, 它們與各分量的

3、關系為 22221,2,5jxjyjzjkkkkj各區(qū)域波數(shù)分量有如下關系: 123145xxxxyyyykkkkkkkk,1,2,5jzkj第5頁/共107頁 模式分析xmnE1.xmnE 模中各場量的關系由麥克斯韋方程,有 0i,im EHHE分量方程為002020200iiiizyzxyyxzzyxzyyzEi EyEi EiHxEEHxyHi Hn EyHn ExHn Exmm 第6頁/共107頁各電磁場分量可以用 寫成202202202001111xyxyyyyzyzHHEHnxHEnx yHEinxHHiym 222220220yyyHHk nHxy模關于主要磁場分量 的波動方程為

4、 xmnEyHyH第7頁/共107頁2.xmnE 模分析根據(jù)近似分析,可寫出5個區(qū)域中的磁場 yH的磁場函數(shù)形式23451()2()3()4()5cos()cos(),cos(),cos(),cos(),IVcos()yByAxAxBxxyyBABAy WxxBABy WyxxBAAx XyyABAx XyyHk xk yXxXWy WHk xeXxXyWHHk xeXxX WyHk yeXxWy WHk ye 區(qū)區(qū)區(qū)區(qū),VBBAxXWy W 區(qū)第8頁/共107頁12345I VIII IIIIV VxyH HHHHzkkx2345式 中、 、 、 、分 別 為 區(qū) 域 中 磁 場 的 常 數(shù)

5、 振 幅因 子 , 其 下 標 表 示 各 個 區(qū) 域 的 代 號 , 它 們 之 間 的 關 系 由 邊 界條 件 決 定 ; 是方 向 的 相 位 常 數(shù) ; 、 是 區(qū) 中 場 沿方 向和 y方 向 的 相 位 常 數(shù) ; 、 、 、分 別 是 波 導 四 周 、 、及 區(qū) 中 場 量 在 與 界 面 垂 直 方 向 上 的 衰 減 常 數(shù) 。 是兩個特定的初始相位因子,其作用是調(diào)整波導內(nèi)場量幅值的位置或空間分布的相位,以滿足波導條帶四周的邊界條件。yx、第9頁/共107頁把上式形式的解代入波動方程可得222220122222202222223032222240422222505xyxy

6、xyyxyxkkk nkk nkk nkk nkk n第10頁/共107頁3.色散方程的導出色散方程的導出2245112245arctanarctan0,1,2,3xxxABxxnnkXXqqnknk23arctanarctan0,1,2,3yyyAByykWWppkk2254221415arctanarctan1,2,3xxxABxxknknkXXmmnn23arctanarctan1,2,3yyyAByykkkWWnn第11頁/共107頁 初始相位因子為初始相位因子為225422151411arctanarctan222xxxn kn knn2311arctanarctan222yyykk

7、mnmn當 、 取奇數(shù)時, 取零;當 、 取偶數(shù)時, 取1。第12頁/共107頁模式分析ymnE00202020iiiiizyxzxyxzzxzxyxzEi EHyEi ExEEHxyHn EyHi Hn ExHn Eymm 220202202001111yxxxyxxzxzHHEnx yHEHnyHEinyHHixm 222220220 xxxHHk nHxy第13頁/共107頁的本征方程為的本征方程為ymnE45arctanarctan1,2,3xxxABxxkkkXXmm2232221213arctanarctan1,2,3yyyAByykknnkWWnnnn4511arctanarct

8、an222xxxxxhkk221213222311arctanarctan222yyyyynnln kn k 初始相位因子為初始相位因子為第14頁/共107頁導模的電場分布導模的電場分布第15頁/共107頁第16頁/共107頁平板波導變換馬卡提里近似分析得到的條形介質(zhì)波導模式本征值方程實際上是由兩個獨立的介質(zhì)平板波導TE模和TM模的模式本征方程組成的。因此,所謂馬卡提里近似分析,實際上是把條形介質(zhì)波導分解為下圖所示的兩個介質(zhì)平板波導。 第17頁/共107頁BAXX axxyy bABWW1n2n3n4n5n1n平板波導變換平板波導變換(a)x方向受約束的方向受約束的波導;波導;(b)y方向受約

9、束的波導方向受約束的波導第18頁/共107頁xmnE模 式分析2254221415arctanarctan1,2,3xxxABxxknknkXXmmnn23arctanarctan1,2,3yyyAByykkkWWnn主要電磁場分量是主要電磁場分量是Ex和和Hy,對上圖(,對上圖(a)所示波導,電場振動方)所示波導,電場振動方向與界面垂直,而磁場振動方向與界面平行,這種場型相當于向與界面垂直,而磁場振動方向與界面平行,這種場型相當于TM模;而對對上圖(模;而對對上圖(b)所示波導,電場振動方向與界面平行,)所示波導,電場振動方向與界面平行,而磁場振動方向與界面垂直,這種場型相當于而磁場振動方向

10、與界面垂直,這種場型相當于TE模。根據(jù)模。根據(jù)m、n的定義和平板波導的本征方程,直接寫出的定義和平板波導的本征方程,直接寫出 的模式本征方程為的模式本征方程為xmnE第19頁/共107頁ymnE模式分析 45arctanarctan1,2,3xxxABxxkkkXXmm2232221213arctanarctan1,2,3yyyAByykknnkWWnnnn主要電磁場分量是主要電磁場分量是Ey和和Hx,對上圖(,對上圖(a)所示波導,電場振動方)所示波導,電場振動方向與界面平行,而磁場振動方向與界面垂直,這種場型相當于向與界面平行,而磁場振動方向與界面垂直,這種場型相當于TE模;而對對上圖(模

11、;而對對上圖(b)所示波導,電場振動方向與界面垂直,而)所示波導,電場振動方向與界面垂直,而磁場振動方向與界面平行,這種場型相當于磁場振動方向與界面平行,這種場型相當于TM模。根據(jù)模。根據(jù)m、n的的定義和平板波導的本征方程,直接寫出定義和平板波導的本征方程,直接寫出 的模式本征方程為的模式本征方程為ymnE第20頁/共107頁截止條件與單模傳輸對于傳輸模式,、區(qū)域中的衰減常數(shù) 2345yyxx、都是正實數(shù)。 如果它們中的某一個為零,則該模式截止。 222220122222012,34,5iyyiixxikknnikknni45nn12220141ABmknnXX第21頁/共107頁對左右對稱的

12、波導, ymnE模的截止波長為12221421ABcXXnnm另一個截止條件為 12221221ABcWWnnn對于一個指定的模式 ymnE或或xmnE可以取上兩式中值較小的那一個作為這個模式的截止波長。第22頁/共107頁1111yxEE、模單模傳輸?shù)臈l件則為22142ABXXnn 在工作波長為定值的條件下,則單模傳輸?shù)臈l件為條形波導的寬度應滿足22142ABXXnn第23頁/共107頁xymnmnmnEE對于每套 和 值對應一個模和一個模,條型波導中導波模的最大數(shù)目為1 2222222max12142345N22;ABABkWWXXnnnnnn nn成立條件:第24頁/共107頁圓柱波導光

13、纖第25頁/共107頁第26頁/共107頁兩個出發(fā)點: 第27頁/共107頁20zzEk E2+20zzHk H2+xryz包層n2纖芯n1在柱坐標系下,有:rrzzrrzzEEEHHHaa+aaa+aEH第28頁/共107頁2222222222221111zzzzzzzzEEEErrrrrzHHHHrrrrrz 代入z方向上的亥姆霍茲方程:2222022222220222110110zzzzzzzzEEErn k ErrrrzHHHrn k Hrrrrz 第29頁/共107頁橫向分量可以由以下關系得到:0022200002220020222020022200zzrzzzzrzzkEHjEk

14、nrrkEHjEk nrrrk nHEjHk nrrHEjHk nk nrmmm 第30頁/共107頁 , ,ZErzR rZ z2222222222222021( )( )1( )( )( )( )() ( )0d Z zZ zdzdmdd R rdR rrrk nrm R rdzdr 第31頁/共107頁n 第32頁/共107頁第33頁/共107頁()(),( , , , ),imitzmzimitzmUAJr eeraaE rz tWBKr eeraa()(),( , , , ),imitzmzimitzmUCJr eeraaHrz tWDKr eeraa第34頁/共107頁第35頁/共

15、107頁 22221222011mmmmmmmmJUKWJUKWmnnUJUwKWUJUWKWkUW 2211mmmmJUKWmUJUwKWUW 弱導條件下:第36頁/共107頁第37頁/共107頁第38頁/共107頁221022210anknnaV22021knaU20222knaW222122222nnnnVWbeff0/kneff第39頁/共107頁11111201( )( )( )21( )( )( )22lim( )cos()421lim( )( )! 2mmmmmmmxmmxJxJxJxmJxJxJxxmJxxxxJxm微分公式:遞推公式:大宗量近似:小宗量近似:第40頁/共107

16、頁1111101( )( )( )21( )( )( )21lim( )(1)!2(1)lim( )2ln()(0)1.781mmmmmmxmxmmmxKxKxKxmKxKxKxxKxexmxmKxmx 微分公式:遞推公式:大宗量近似:小宗量近似:第41頁/共107頁(1)TE模和TM模00110000()()()()()()()()J UK WJ UK WUJ UWK WUJ UWK W 或(2)EH模: 11( )()( )()mmmmJUKWUJUWKW (3)HE模: 112211()()()()()()()()mmmmmmmmJUKWUJUWKWUJUWKWJUKW 或 (4)LP模

17、線性極化模11( )()( )()llllJ UK WUJUWKW 1TETM1EH1HElmm模和模模模第42頁/共107頁模LP01LP11LP21HE11TE01TM01HE21EH11HE11LP模的分類及場分布和光斑模的分類及場分布和光斑模的下標模的下標m m表示表示沿圓周方向光場出現(xiàn)沿圓周方向光場出現(xiàn)最大值的對數(shù),最大值的對數(shù),n n表表示沿半徑方向光場的示沿半徑方向光場的最大值個數(shù)。最大值個數(shù)。第43頁/共107頁LP模命名法與矢量模命名法的對應關系LP命名法矢量模命名法LP0n模(m=0)HE1n模LP1n模(m=1)TE0n模、TM0n模、HE2n模LPmn模(m2)EHm-

18、1,n模、HEm+1,n模第44頁/共107頁電力線磁力線zyr( )x第45頁/共107頁第46頁/共107頁導波模截止導波模截止 導波模截止是指電磁能量已經(jīng)不能集中在纖芯中傳播而向?qū)Р=刂故侵鸽姶拍芰恳呀?jīng)不能集中在纖芯中傳播而向包層彌散的臨界狀態(tài),此時的導波模徑向歸一化衰減常數(shù)包層彌散的臨界狀態(tài),此時的導波模徑向歸一化衰減常數(shù)W=0,我們將此時的歸一化頻率,我們將此時的歸一化頻率V和歸一化和歸一化常數(shù)常數(shù)U分別記為分別記為Vc、Uc。 (1)TE、TM模的截止條件0()0cJ U模式模式TE01、TM01TE02、TM02TE03、 TM03TE04、 TM04截 止 頻截 止 頻率率V

19、c2.404835.520088.6537311.79153若干TE0n、TM0n模的截止頻率第47頁/共107頁導模條件 cVV截止條件 cVV臨界條件 cVV第48頁/共107頁 (2)HE模的截止條件(a)m=1 10()0ccUJ U1,Um0,模式模式HEHE1111 HEHE1212HEHE1313HEHE1414HEHE1515截止頻率截止頻率V Vc c0 03.83173.83171 17.015597.0155910.1734710.1734713.3236913.32369若干HE1n模的截止頻率第49頁/共107頁(b)m22()0mcJU若干HEmn模的截止頻率模式H

20、EmnHE21HE22HE23HE24HE31HE32HE33HE34截止頻率Vc2.404835.520088.6537311.791533.831717.0155910.1734713.32369第50頁/共107頁 (3)EH模的截止條件()0mcJU若干EHmn模的截止頻率模式EHmnEH11EH12EH13EH14EH21EH22EH23EH24截止頻率Vc3.831717.0155910.1734713.323695.135628.4172411.6198414.79595第51頁/共107頁可以看出,HE2n模與TE0n和TM0n模的歸一化截止頻率相同,是互相簡并的。HE3n模與

21、EH1n和HE1,n+1模的歸一化截止頻率相同,是互相簡并的。依此類推,當m3時,EHmn和HEm-2,n模的歸一化截止頻率相同,是互相簡并的。第52頁/共107頁第53頁/共107頁現(xiàn)將較低的幾個 模式的歸一化截止頻率按照由高到低的順序排列如下:Vc=0 HE11模Vc=2.40483 TE01、TM01、HE21模Vc=3.83171 EH11、HE12、HE31模Vc=5.13562 EH21、HE41模Vc=5.52008 TE02、TM02、HE22模Vc=6.38016 EH31、HE51模第54頁/共107頁導波模遠離截止導波模遠離截止所謂遠離截止時的導波模是指歸一化頻率V遠大于

22、歸一化截止頻率Vc、能量幾乎完全集中在纖芯中的模式狀態(tài)。 為了簡化分析,將遠離截止的狀態(tài)看成V 的極限情況。 模式遠離截止的條件 W ()mKW的漸近式為 ()2WmKWeW 上式對m=0和m0都適用,將其代入各模式的特征方程就可以得到遠離截止時的特征方程。第55頁/共107頁1( )0J U TE0n模和TM0n模遠離截止時的特征方程 U值是一階貝塞爾函數(shù)的根1n=3.83171、7.01559、10.17347、13.32369 與前面截止時的u0值聯(lián)系起來可以看出:TE0n、TM0n模的u值是限制在零階貝塞爾函數(shù)的第n個根與一階貝塞爾函數(shù)的第n個根之間的。 第56頁/共107頁第57頁/

23、共107頁EHmn模遠離截止時特征方程 1( )0mJUEHmn模在遠離截止時,其U的取值為(m+1)階貝塞爾函數(shù)的根,即(m+1)n,記作:U= (m+1)n ,與截止時的情況綜合考慮,EHmn模的U值變化范圍在mn和(m+1)n之間。第58頁/共107頁HEmn模遠離截止時特征方程 1()0mJUHEmn模在遠離截止時,其U的取值為(m-1)階貝塞爾函數(shù)的根,即(m-1)n,記作:U=(m-1)n,與截止時的情況綜合考慮,當m1時,HE1n模的U值變化范圍在1(n-1)和0n之間;當m2時,HEmn模的U值變化范圍在(m-2)n和(m-1)n之間。第59頁/共107頁 各模式U值變化范圍如

24、下表所示模式名稱TE0n模TM0n模EHmn模HEmn模m=1m2U值截止0nmn1(n-1)(m-2)n遠離截止1n(m+1) n0n(m-1)n第60頁/共107頁第61頁/共107頁 給定V值, V=Vc, 則Vc越大導模數(shù)越多;反之亦然。 當Vc2.405時, 在光纖中只存在HE11模,其它導模均截止, 為單模傳輸。第62頁/共107頁 縱坐標標準化頻率的變化范圍為01,對應于模折射率n=n2和n=n1。 橫坐標標準化頻率V2.40483時,只有混合模HE11可以存在,這也就是光纖單模工作時的基?;蛑髂#渌叽文6际墙刂沟?。光纖是否單模工作,與芯徑、工作頻率和折射率平方差的平方根有關

25、;基?;蛑髂J腔旌夏E11,它沒有截止頻率,而其他模式都有截止頻率。第63頁/共107頁較大的V值,可以認為模式個數(shù)MV2/2;而且包層中傳播的光功率與總光功率的關系為 圖中的曲線可用于計算光纖的波導色散,其值與d/d或d/d有關2 23PPV包層總第64頁/共107頁405. 2)/2(22210nnaVc)/(202. 122210nnac202. 1/ )(2221nnac)/(202. 12221nnacfc單模條件: :單模光纖尺寸: :單模光纖截止波長: :單模光纖截止頻率: :僅當波長大于截止波長時方可在光纖中實現(xiàn)單模傳輸。這時,在光纖中傳輸?shù)氖荋E11模,稱為基?;蛑髂!>o鄰

26、HE11模的高階模是TE01、TM01模和HE21模,其截止值均為2.405。第65頁/共107頁第66頁/共107頁016160101010101016122221.484.0 1020.0032.21.31 10TETM2.405,1.31TETMTETM2221.484.0 1020.0031.202.405cccVk n aVn aVVVmn amVmm c由可得,而和模的歸一化截止頻率,顯然故不能傳輸波長為的和模。對于和模,其截止波長為即入射光波長小于1.20mm時,才能傳播。第67頁/共107頁第68頁/共107頁6116162162631632221.5 6 102 0.0022

27、.3061.55 102221.5 6 102 0.0022.731.31 102221.5 6 102 0.0024.210.85 10Vn aVn aVn a 第69頁/共107頁11111010121111.552.306,0()2.405(,)HEccmVV HEVV TETMHEm當時,所以光纖中只能傳輸導波模。2211010121231111101211.312.73,0()2.405(,)3.832(,)HETETMHEcccmVV HEV TETMHEVV HEEHm01當時,所以光纖中能傳輸?shù)哪J接小?31101012131111232111012111120.854.21,

28、0()2.405(,)3.832(,)5.136()HETETMHEHEEHHEccccmVV HEV TETMHEV HEEHHEVV EHm0131當時,所以光纖中能傳輸?shù)哪J接?、?0頁/共107頁光纖的演變光纖的演變 多模光纖的首先出現(xiàn)有其歷史必然性 單模光纖的大規(guī)模應用是技術和市場共同推動的結(jié)果 發(fā)光二極管:光斑直徑大 接續(xù) 業(yè)務需求量 激光器制造技術的突破 大容量業(yè)務 。第71頁/共107頁多模光纖多模光纖 最常用的多模光纖為芯徑50和62.5um的兩種光纖,主要用于通信系統(tǒng); 還有其他各種芯徑的多模光纖用于不同的場合(如40um、100um等); 包層直徑一般為125um,即常見

29、多模光纖為:50/125、62.5/125; 根據(jù)芯徑的不同還有其他直徑的包層,如200/230等。第72頁/共107頁階躍多模光纖最大的不足:模色散漸變折射率多模光纖可以彌補這個不足!第73頁/共107頁多模光纖的局限性:多模光纖的局限性:1. 殘余的色散和模噪聲限制了漸變折射率光纖的性能;2. 需要高精度的制備工藝; 新一代多模光纖通過對制備工藝的革新和光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,新一代多模光纖通過對制備工藝的革新和光纖結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,性能得到了大幅提升,成為短距離通信系統(tǒng)的理想選擇。性能得到了大幅提升,成為短距離通信系統(tǒng)的理想選擇。(50/125um)第74頁/共107頁單模光纖單模光纖 單模光纖避免了

30、模色散、模噪聲和多模傳輸附帶的其他效應,所以單模光纖傳輸信號的速度遠遠高于多模光纖,能夠?qū)崿F(xiàn)高速率、大容量、遠距離傳輸。 纖芯直徑和芯/包折射率差決定了光纖的單模狀態(tài); 常規(guī)單模光纖纖芯直徑為8-10um,包層直徑為125um第75頁/共107頁 ITU-T IEC GBG.652 (G.652.A、 G.652.B、 G.652.C、 G.652.D)G.653G.654G.655 (G.655.A、 G.655.B、 G.655.C)G.656B1 (B1.1、 B1.2、 B1.3)B2B4非色散位移單模光纖非色散位移單模光纖截止波長位移單模光纖截止波長位移單模光纖波長段擴展的非色散位移

31、單模光纖波長段擴展的非色散位移單模光纖色散位移單模光纖色散位移單模光纖非零色散位移單模光纖非零色散位移單模光纖單模光纖分類第76頁/共107頁第77頁/共107頁第78頁/共107頁B1B2B4B1.1B1.2B1.3非色散位移單模光纖 截止波長位移單模光纖波長段擴展的非色散位移單模光纖色散位移單模光纖非零色散位移單模光纖GB/T 9771.1 GB/T 9771.2GB/T 9771.3GB/T 9771.4GB/T 9771.5G.652.A/BG.654G.652.C/DG.653G.655IECGBITU-T大體上是按光纖的色散特性來分類的第79頁/共107頁第80頁/共107頁零色散

32、位移光纖零色散位移光纖 G.653B2GB/T 9771.4 零色散波長位于1550nm 現(xiàn)在基本不生產(chǎn):適當?shù)纳⒖梢砸种乒饫w的非線性效應!因此該光纖不能用于密集波分復用系統(tǒng)。是一定歷史時期的產(chǎn)物。第81頁/共107頁非零色散位移光纖非零色散位移光纖 G.655B4GB/T 9771.5 隨著波分復用技術的發(fā)展應運而生,成為長途骨干網(wǎng)的首選光纖; 零色散波長偏移1550nm;第82頁/共107頁技術背景u傳輸網(wǎng)絡繼續(xù)向高速率、大容量、長距離發(fā)展;u40Gbit/s系統(tǒng)發(fā)展面臨的技術難題:1.色度色散管理技術;2.偏振模色散(PMD);3.光信噪比;4.非線性效應;5.封裝技術第83頁/共10

33、7頁大有效面積大有效面積低色散斜率低色散斜率(大功率輸入)(寬的工作范圍)色散優(yōu)化色散優(yōu)化由于同時無法兼顧光纖的有效面積和色散斜率,所以G.655光纖大體上沿著兩個方向發(fā)展,并且根據(jù)技術發(fā)展和市場需求不斷做出調(diào)整和平衡。第84頁/共107頁 不同廠家生產(chǎn)的不同廠家生產(chǎn)的G.655G.655光纖各不相同,光纖各不相同,但是沒有哪一家的具有絕對的優(yōu)勢。但是沒有哪一家的具有絕對的優(yōu)勢。ITU-TITU-T對這個光纖的規(guī)定尺度也是很寬松的。對這個光纖的規(guī)定尺度也是很寬松的。第85頁/共107頁 G.655A G.655B G.655C 最小色散值 0.1 1.0 1.0 最大色散值 6.0 10 10

34、 符號 正或負 正或負 正或負 15301565nm色散 最大色散與最小色散差值 5 5 最小色散值 待定 待定 最大色散值 待定 待定 15651625nm色散 符號 正或負 正或負 1550nm 衰減 最大值 0.35 0.35 0.35 1625nm 衰減 最大值 0.4 0.4 PMDQ 最大值 0.5 0.5 0.2 ITU-T G.655 光纖指標 注:2006年3月新發(fā)布的標準中增加了兩個子類:G.655D和G.655E。第86頁/共107頁第87頁/共107頁寬帶光傳輸用非零色散單模光纖寬帶光傳輸用非零色散單模光纖 G.656 (在IEC和GB中暫無對應的標準)為了幫助網(wǎng)絡供應

35、商增加其核心網(wǎng)絡的帶寬,降低系統(tǒng)成本,2004年ITU-T宣布通過了“寬帶光傳輸用非零色散單模光纖”標準; 這種光纖可以用于CWDM而不需要進行色散補償,并能方便的升級為DWDM。 這種光纖應用在DWDM中,增加了40個傳輸信道。第88頁/共107頁將工作波長范圍擴展到S-波段技術背景第89頁/共107頁主要改進色度色散G.655AG.655B/CG.6561460 1530214()1530 15650.16.0()110()1565 1625待定1. 工作波長范圍擴展到S波段;2. SCL波段范圍內(nèi)色散更為平坦;3. 可以同時應用于CWDM和DWDM;4. 其它參數(shù)與G.655相似。第90頁/共107頁光纖技術的發(fā)展,使人們對光纖的色

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