MEMS器件及其封裝相關2

1、MEMS器件及其封裝相關器件及其封裝相關MEMS壓力傳感器的發(fā)展及應用壓力傳感器的發(fā)展及應用MEMS壓力傳感器原理及封裝壓力傳感器原理及封裝MEMS壓力傳感器的概念壓力傳感器的概念及其特點及其特點重要的重要的MEMS壓力傳感器壓力傳感器MEMS器件器件慣性慣性MEMS器件器件加速度計加速度計陀螺陀螺壓力傳感器壓力傳感器光學光學MEMS器件器件微光開關微光開關微光學平臺微光學平臺微執(zhí)行器微執(zhí)行器微噴微噴微馬達微馬達生物生物MEMS器件器件其他其他MEMS壓力傳感器的概念壓力傳感器的概念微機電系統(tǒng)（微機電系統(tǒng)（MEMS）是指用微機械加工技術制作）是指用微機械加工技術制作的包括微傳感器、微致動器、微

2、能源等的包括微傳感器、微致動器、微能源等微機械基微機械基本部分本部分以及高性能的以及高性能的電子集成線路電子集成線路組成的微機電組成的微機電器件與裝置器件與裝置。MEMS壓力傳感器是一種薄膜元件，壓力傳感器是一種薄膜元件，受到壓力時變受到壓力時變形形?？梢岳脩儍x（壓阻型感測）來測量這種?？梢岳脩儍x（壓阻型感測）來測量這種形變，也可以通過電容感測兩個面之間距離的變形變，也可以通過電容感測兩個面之間距離的變化來加以化來加以測量。測量。MEMS壓力傳感器的概念壓力傳感器的概念MEMS尺度，尺度，小于小于1mmMEMS壓力傳感器的特點壓力傳感器的特點主要主要特點特點可以用類似集成電路（可以用類

3、似集成電路（IC）設計技術和制造工）設計技術和制造工藝，進行藝，進行高精度、低成本高精度、低成本的大的大批量生產(chǎn)批量生產(chǎn)相對于傳統(tǒng)的機械量傳感器，相對于傳統(tǒng)的機械量傳感器，MEMS壓力傳感壓力傳感器的器的尺寸更小尺寸更小，最大的，最大的不超過不超過1cm能耗能耗低低、可靠性可靠性高、易于集成、智能化高、易于集成、智能化MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展（1）發(fā)明階段發(fā)明階段（1945-1960年）年）：這個階段主要：這個階段主要是以是以1947年年雙極性晶體管雙極性晶體管的發(fā)明為標志的發(fā)明為標志。在此階段，。在此階段，利用了硅利用了硅與鍺的與鍺的壓阻壓阻效應效應制成的壓力傳感器制成的壓力

4、傳感器是把應是把應變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉化為電信變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉化為電信號進行測量。此階段最小尺寸大約為號進行測量。此階段最小尺寸大約為1cm。壓阻式壓力傳感器壓阻式壓力傳感器MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展（2）技術發(fā)展階段技術發(fā)展階段（1960-1970年）年）：隨著硅：隨著硅擴散技術的擴散技術的發(fā)展發(fā)展制成了制成了硅硅杯杯。這種形式的硅杯傳。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的成本低、便于集成化的優(yōu)點優(yōu)點（3）商業(yè)化商業(yè)化集成加工階段集成加工階段（1970-1

5、980年）年）：在硅杯擴散理論的基礎上應用了在硅杯擴散理論的基礎上應用了硅的各向異性的硅的各向異性的腐蝕腐蝕技術技術。加工工藝。加工工藝主要主要有有V形槽法、濃硼自動形槽法、濃硼自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機控制自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機控制自動中止法中止法擴散硅壓力傳感擴散硅壓力傳感器器MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展（4）微機械加工階段微機械加工階段（1980年年-）：通過：通過微機械微機械加工工藝可以由計算機控制加工出加工工藝可以由計算機控制加工出結構型結構型的壓力傳的壓力傳感器，其感器，其線度線度可以控制在可以控制在微米級微米級范圍內(nèi)。利用這一范圍內(nèi)。利用這

6、一技術可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得壓技術可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得壓力傳感器進入了微米階段。力傳感器進入了微米階段。MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展國內(nèi)外國內(nèi)外MEMS壓力傳感器研究現(xiàn)狀壓力傳感器研究現(xiàn)狀光纖壓力傳感器光纖壓力傳感器電容式真空電容式真空壓力傳感器壓力傳感器 耐高溫耐高溫壓力傳感器壓力傳感器硅微機械加工傳感器硅微機械加工傳感器具有自測試功能的具有自測試功能的壓力傳感器壓力傳感器多維力傳感器多維力傳感器MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展光纖壓力傳感器光纖壓力傳感器利用利用了了敏感元件敏感元件受壓力作用時的形變與反射光強度相關的受壓力作用時的形變與

7、反射光強度相關的特性特性應用應用于于臨床醫(yī)學臨床醫(yī)學,用來測擴張冠狀動脈導管氣球內(nèi)的用來測擴張冠狀動脈導管氣球內(nèi)的壓力壓力石油測井石油測井專用光纖專用光纖傳感器傳感器MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展電容式真空電容式真空壓力傳感器壓力傳感器由一塊基片和厚度為由一塊基片和厚度為0. 82. 8mm的氧化鋁的氧化鋁(Al2O3)構成構成,其間其間用一個自熔焊接圓環(huán)釬焊在一起用一個自熔焊接圓環(huán)釬焊在一起該環(huán)具有隔離作用該環(huán)具有隔離作用,不需要溫度補償不需要溫度補償,可以保持長期測量的可靠可以保持長期測量的可靠性和持久的精度性和持久的精度MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展 耐高溫耐高溫壓力

8、傳感器壓力傳感器SiC 壓力傳感器壓力傳感器PN結泄漏電流很小結泄漏電流很小,沒有熱匹配問題以及升溫不產(chǎn)生塑性變型沒有熱匹配問題以及升溫不產(chǎn)生塑性變型,可以批可以批量量加工加工硅微機械加工硅微機械加工傳感器傳感器線度可以達到線度可以達到12mm,可以放置在人體的重要器官中進行數(shù)據(jù)的可以放置在人體的重要器官中進行數(shù)據(jù)的采采集集具有自測試功能的具有自測試功能的壓力傳感器壓力傳感器根據(jù)熱驅動原理進行的，該傳感器尺寸為根據(jù)熱驅動原理進行的，該傳感器尺寸為1. 2mm 3mm0. 5mm ，適用于生物醫(yī)學，適用于生物醫(yī)學領域領域多維多維力傳感器力傳感器六維力傳感器的研究和應用是多維力傳感器研究的熱點六維

9、力傳感器的研究和應用是多維力傳感器研究的熱點,現(xiàn)在國際上現(xiàn)在國際上只有美、日等少數(shù)國家可以生產(chǎn)。只有美、日等少數(shù)國家可以生產(chǎn)。MEMS壓力傳感器壓力傳感器的發(fā)展趨勢的發(fā)展趨勢小型化集成化智能化廣泛化標準化MEMS壓力傳感器的發(fā)展壓力傳感器的發(fā)展到到2015年，年，MEMS壓力傳感壓力傳感器銷售額將達到器銷售額將達到19.7億億美元美元, 復合年度增長率為10%。MEMS壓力傳感器的壓力傳感器的應用應用汽車電子汽車電子：如如TPMS發(fā)動機發(fā)動機機油壓力傳感器、汽車機油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)剎車系統(tǒng)空氣空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動機進氣歧管壓力傳感器壓力傳感器、汽車發(fā)動機進氣歧管壓力傳感器（TMAP

10、）、）、柴油柴油機共軌機共軌壓力傳感器壓力傳感器消費消費電子電子：如如胎壓計胎壓計、血壓計、健康、血壓計、健康秤秤，洗衣機、微波爐、烤箱、，洗衣機、微波爐、烤箱、吸塵器吸塵器用壓力傳感器，空調壓力傳感器，洗衣機用壓力傳感器，空調壓力傳感器，洗衣機、太陽能、太陽能熱水器熱水器用液位用液位控制壓力傳感器控制壓力傳感器工業(yè)工業(yè)電子電子：如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等等醫(yī)療領域醫(yī)療領域：壓力傳感器主要充當外科手術使用的一次性低成本壓力傳感器主要充當外科手術使用的一次性低成本導管導管MEMS壓力傳感器的應用壓力傳感器的應用一一輛高端的汽車一般都會有上百個傳

11、感器，包括輛高端的汽車一般都會有上百個傳感器，包括3050個個MEMS傳感器，其中傳感器，其中就有十個左右的壓力傳感器就有十個左右的壓力傳感器。在。在輪胎壓力監(jiān)測輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)（系統(tǒng)（TPMS）中應用的壓力傳）中應用的壓力傳感器，則是未來市場中最看好的感器，則是未來市場中最看好的部分部分。目前。目前99%的的TPMS中采用的壓力傳感器中采用的壓力傳感器都是基于都是基于MEMS技術技術的。的。MEMS壓力傳感器的應用壓力傳感器的應用用于汽車的MEMS傳感器2010年的銷售額達到了$ 662.3M，比2009年的$ 501.2M增長了32.1%MEMS壓力傳感器的應用壓力傳感器的應用MEMS壓力

12、傳感器原理壓力傳感器原理與封裝MEMS壓力傳感器按原理分，有電容型、壓壓力傳感器按原理分，有電容型、壓阻型，壓電式，金屬應變式，光纖式等阻型，壓電式，金屬應變式，光纖式等。主。主要有要有硅硅壓阻式壓力傳感器壓阻式壓力傳感器和和硅電容式壓力傳硅電容式壓力傳感器感器，兩者都是在硅片上生成的微機電傳感，兩者都是在硅片上生成的微機電傳感器器。硅壓阻式壓力傳感器硅壓阻式壓力傳感器半導體受力時，電阻率發(fā)生變化，電阻率隨應力變化的半導體受力時，電阻率發(fā)生變化，電阻率隨應力變化的關系稱為關系稱為半導體壓阻效應半導體壓阻效應。半導體應變片電阻的。半導體應變片電阻的變化主變化主要要是電阻率變化引起的，表示是電阻率

13、變化引起的，表示為為由于彈性系數(shù)由于彈性系數(shù)E=/E=/， 上式又可寫為上式又可寫為 為提高靈敏度半導體應變片還有制成柵形的為提高靈敏度半導體應變片還有制成柵形的硅壓阻式壓力傳感器采用采用高精密半導體電阻應變片組成高精密半導體電阻應變片組成惠斯頓惠斯頓電橋電橋測量電路測量電路具有具有較高的測量精度、較低的功耗，極低的較高的測量精度、較低的功耗，極低的成本成本如如無壓力變化，其輸出為零，幾乎不耗電無壓力變化，其輸出為零，幾乎不耗電硅壓阻式壓力傳感器采用采用周邊固定的圓形的應力杯硅薄膜周邊固定的圓形的應力杯硅薄膜內(nèi)壁內(nèi)壁將將四個高精密半導體應變片刻制在其表面應力最大四個高精密半導體應變片刻制在其表

14、面應力最大處處其其測量精度能達測量精度能達0.01%0.03%FS硅壓阻式壓力傳感器其其結構是上下結構是上下二層是玻璃體，中間是硅片，硅片中部做成一應力二層是玻璃體，中間是硅片，硅片中部做成一應力杯，其應力硅薄膜上部有一真空杯，其應力硅薄膜上部有一真空腔。腔。應力硅薄膜與真空腔接觸這應力硅薄膜與真空腔接觸這一面經(jīng)光刻一面經(jīng)光刻生成電阻生成電阻應變片電橋電路。當外面的壓力經(jīng)引壓腔進應變片電橋電路。當外面的壓力經(jīng)引壓腔進入傳感器應力杯中，應力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起，入傳感器應力杯中，應力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起，發(fā)生彈性變形，四個電阻應變片因此而發(fā)生電阻變化，破壞原先發(fā)生彈性

15、變形，四個電阻應變片因此而發(fā)生電阻變化，破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡，電橋輸出與壓力的惠斯頓電橋電路平衡，電橋輸出與壓力成正比的電壓信號。成正比的電壓信號。硅硅壓阻式壓力傳感器結構壓阻式壓力傳感器結構 硅壓阻式壓力傳感器實物硅壓阻式壓力傳感器實物硅壓阻式壓力傳感器制造工藝主要流程制造工藝主要流程硅壓阻式壓力傳感器1生成生成N型型外延外延層層：在雙面拋光的在雙面拋光的P型型Si（100）晶面上）晶面上，用，用CVD外延外延反應器和氣體源生成一層反應器和氣體源生成一層N型外延層型外延層硅壓阻式壓力傳感器2光刻光刻顯影顯影：采用采用照相復印照相復印的的方法。光刻方法。光刻工藝流程：光刻需要經(jīng)過涂工藝

16、流程：光刻需要經(jīng)過涂膠、曝光、顯影與烘片、刻蝕、剝膜等步驟膠、曝光、顯影與烘片、刻蝕、剝膜等步驟。該步驟中。該步驟中在在光刻顯影的最后并沒有剝離光刻顯影的最后并沒有剝離光刻膠。光刻膠。第一次光刻顯影第一次光刻顯影硅壓阻式壓力傳感器3離子注入離子注入形成電阻形成電阻：采用采用加速離子轟擊加速離子轟擊硅片硅片，加速離子停留，加速離子停留在硅片表面微米在硅片表面微米范圍之內(nèi)。離子注入后需用低溫進行范圍之內(nèi)。離子注入后需用低溫進行退火退火或或激光退火，激光退火，去除去除光刻膠光刻膠。優(yōu)點優(yōu)點是能精確控制雜質的總劑量、深度分是能精確控制雜質的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫布和面均勻性，而且是低溫

17、工藝，同時工藝，同時可實現(xiàn)自對準技可實現(xiàn)自對準技術術。硅壓阻式壓力傳感器4金屬化金屬化和鈍化和鈍化：在制有壓敏電阻的表面，淀積絕緣層，敷設導電金屬和在制有壓敏電阻的表面，淀積絕緣層，敷設導電金屬和鈍化層，以及刻蝕接觸孔鈍化層，以及刻蝕接觸孔硅壓阻式壓力傳感器5干干氧熱氧化氧熱氧化：將硅片放入高溫爐內(nèi)將硅片放入高溫爐內(nèi),在干燥的氧氣在干燥的氧氣中使氧分子與硅片中使氧分子與硅片表面的硅原子反應表面的硅原子反應,生成生成SiO2起始層起始層,然后氧分子以擴散然后氧分子以擴散方式通過方式通過SiO2層生成新的層生成新的SiO2層層,使使SiO2薄膜繼續(xù)增薄膜繼續(xù)增厚厚硅壓阻式壓力傳感器6光刻顯影光刻顯

18、影：在硅片背面的氧化層表面涂覆光刻膠，通過光刻將方形在硅片背面的氧化層表面涂覆光刻膠，通過光刻將方形槽圖案轉移到氧化層上槽圖案轉移到氧化層上第二次光刻顯影第二次光刻顯影硅壓阻式壓力傳感器7各向異性腐蝕各向異性腐蝕：各向異性腐蝕利用硅的不同晶向具有不同的腐蝕速率這各向異性腐蝕利用硅的不同晶向具有不同的腐蝕速率這一腐蝕特性對硅材料進行加工一腐蝕特性對硅材料進行加工,在硅襯底上加工出各種在硅襯底上加工出各種各樣的微結構各樣的微結構。本步驟保護。本步驟保護有壓敏電阻的正面，使用有壓敏電阻的正面，使用KOH溶液腐蝕溶液腐蝕窗口區(qū)域的硅窗口區(qū)域的硅硅壓阻式壓力傳感器8刻蝕去除氧化層刻蝕去除氧化層：保護硅片

19、的其它地方，使用氫氟酸（保護硅片的其它地方，使用氫氟酸（HF）刻蝕掉二氧化）刻蝕掉二氧化硅層硅層，形成，形成空腔空腔硅壓阻式壓力傳感器9硅硅-玻璃鍵合玻璃鍵合：兩鍵合面一起加熱兩鍵合面一起加熱,并在鍵合面間施加一定的電壓并在鍵合面間施加一定的電壓,在高在高溫、高電場下兩鍵合面形成熱密封溫、高電場下兩鍵合面形成熱密封硅電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器電容式傳感器的工作原理電容式傳感器的工作原理 、S、d分別是電極間的介電場數(shù)、有效面積和極板分別是電極間的介電場數(shù)、有效面積和極板間距間距電容式傳感器有三種基本類型：變極距型、變面積型、電容式傳感器有三種基本類型：變極距型、變面積型、變介電常數(shù)型。

20、變介電常數(shù)型。 (1)(1)、變極距型電容傳感器變極距型電容傳感器硅電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器(2)(2)、變面積型電容傳感器、變面積型電容傳感器 ( (3)3)、變介電常數(shù)型電容傳感器、變介電常數(shù)型電容傳感器 硅電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器壓力作用于彈性敏感膜，膜發(fā)生形變，使得兩個電極間距發(fā)生變化，產(chǎn)生相應的電容值變化，電容值隨著壓力變化單調變化，電容值與壓力值相互對應，形成壓力到電容的信號轉換。電容式壓力傳感器結構原理圖電容式壓力傳感器結構原理圖電容式壓力傳感器電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器膜片的工藝流程膜片的工藝流程形成導電層形成導電層EPW溶液進行濕

21、法腐蝕溶液進行濕法腐蝕濺射濺射Au濺射一層金濺射一層金屬屬Cr用以增用以增加粘附性加粘附性預劃片預劃片硅電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器基片基片的工藝流程的工藝流程采用干氧采用干氧-濕氧濕氧-干氧的干氧的方式方式PECVD 工藝工藝硅電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器回流焊回流焊傳感器傳感器的組裝的組裝MEMS壓力傳感器壓力傳感器的封裝的封裝應應依據(jù)傳感器測量原理、芯片的結構、以及被依據(jù)傳感器測量原理、芯片的結構、以及被測量對象測量對象和應用環(huán)境的不同，確定其封裝的和應用環(huán)境的不同，確定其封裝的要求要求。概括起來：概括起來：1）機械上是堅固的，抗振動，抗沖擊）機械上是堅固的，抗振動，抗沖擊；

22、2）避免熱應力）避免熱應力對芯片對芯片的影響的影響；3）電氣上要求芯片與環(huán)境或大地是絕緣的）電氣上要求芯片與環(huán)境或大地是絕緣的；4）電磁上要求是屏敝的；）電磁上要求是屏敝的；5）用氣密的方式隔離腐蝕氣體或流體，或通過非氣密）用氣密的方式隔離腐蝕氣體或流體，或通過非氣密隔離方式隔離水氣隔離方式隔離水氣。6）低的價格，封裝形式與標準制造工藝兼容）低的價格，封裝形式與標準制造工藝兼容MEMS壓力傳感器的封裝（a）是）是 TO 封裝外封裝外型型（b）是氣密充油的不銹鋼）是氣密充油的不銹鋼封裝封裝（c）是小外形塑料）是小外形塑料封裝（封裝（SOP）（d）是不銹鋼封裝的壓力傳感器）是不銹鋼封裝的壓力傳感器

23、產(chǎn)品產(chǎn)品a、b、c封裝封裝形式為壓力敏感頭形式為壓力敏感頭MEMS壓力傳感器的封裝壓力傳感器的封裝TO 封裝封裝:屬屬非氣密非氣密封裝，一次封裝，封裝，一次封裝，主要用于主要用于監(jiān)測監(jiān)測非腐蝕氣體和與干燥空非腐蝕氣體和與干燥空氣介質兼容的氣介質兼容的氣體氣體。應用應用領域包括汽車儀表、醫(yī)藥衛(wèi)生領域包括汽車儀表、醫(yī)藥衛(wèi)生、氣體、氣體控控制系統(tǒng)、空調、制冷設備、環(huán)境監(jiān)測和儀器儀表制系統(tǒng)、空調、制冷設備、環(huán)境監(jiān)測和儀器儀表等。等。TO封裝壓力傳感器結構封裝壓力傳感器結構TO封裝工藝中氣密性的要求封裝工藝中氣密性的要求絕壓芯片絕壓芯片MEMS壓力傳感器的封裝壓力傳感器的封裝TO 封裝的封裝的工藝工藝：

24、芯片芯片與玻璃的靜電鍵合、貼片、引線鍵與玻璃的靜電鍵合、貼片、引線鍵合、封帽及涂膠合、封帽及涂膠保護保護1.芯片芯片和玻璃載體之間和玻璃載體之間的連接采用是的連接采用是靜電封接工藝靜電封接工藝，時常產(chǎn)生，時常產(chǎn)生開裂開裂問題，表現(xiàn)為（問題，表現(xiàn)為（a）硅片與玻璃片封接后脫落；（）硅片與玻璃片封接后脫落；（b）玻璃片炸裂）玻璃片炸裂。2.封帽工藝采用封帽工藝采用儲能焊接工藝儲能焊接工藝，焊接電流過大，焊接電流過大，會使會使焊接處發(fā)生燒焊接處發(fā)生燒黑現(xiàn)象，焊接壓力過大將使焊接工件黑現(xiàn)象，焊接壓力過大將使焊接工件變形。變形。3.涂膠是為了涂膠是為了保護芯片及保護芯片及Au絲鍵合線在測壓過程中不受損環(huán)

25、絲鍵合線在測壓過程中不受損環(huán)，常，常用用的膠為的膠為硅膠硅膠。硅膠為一種低粘度的透明液體，由一類或。硅膠為一種低粘度的透明液體，由一類或兩類兩類硅氧硅氧烷組成。烷組成。MEMS壓力傳感器的封裝壓力傳感器的封裝這種封裝形式主要用于測這種封裝形式主要用于測量氣體的壓力量氣體的壓力MEMS壓力傳感器的封裝壓力傳感器的封裝不銹鋼隔離膜片封裝不銹鋼隔離膜片封裝不銹鋼隔膜片封裝的硅壓阻壓力傳感器結構圖不銹鋼隔膜片封裝的硅壓阻壓力傳感器結構圖屬于屬于氣密氣密封裝封裝。廣泛。廣泛地應用于地應用于航天、航空、航天、航空、工業(yè)自動化控制、汽車工業(yè)自動化控制、汽車等領域。它的固態(tài)應等領域。它的固態(tài)應變膜片特性、不銹

26、鋼隔膜結構和極好的動態(tài)變膜片特性、不銹鋼隔膜結構和極好的動態(tài)性能可滿足信號對性能可滿足信號對壓力傳感器壓力傳感器的的高穩(wěn)定、高高穩(wěn)定、高可靠、低功耗、動態(tài)測試可靠、低功耗、動態(tài)測試等的要求。它不但等的要求。它不但可以進行普通的氣體可以進行普通的氣體及液體及液體的壓力測量，而的壓力測量，而且可以用于且可以用于腐蝕性的氣體及液體如酸、堿及腐蝕性的氣體及液體如酸、堿及各種液體推進劑各種液體推進劑等等的壓力測量。的壓力測量。MEMS壓力傳感器的封裝壓力傳感器的封裝封裝樣品封裝樣品1. 由金屬基座、管殼、硅油、傳感器壓力芯由金屬基座、管殼、硅油、傳感器壓力芯片及片及不銹鋼不銹鋼膜片膜片組成組成2. 主要

27、主要的制造工藝為：硅芯片選用的制造工藝為：硅芯片選用靜電鍵合靜電鍵合工藝封接而成，封接好的工藝封接而成，封接好的芯片芯片用用膠接膠接工藝工藝貼在管殼基座上，芯片上的焊盤與管座上貼在管殼基座上，芯片上的焊盤與管座上的引腳是用的引腳是用Au絲絲引線連接引線連接起來的起來的3. 不銹鋼隔膜與殼體采用不銹鋼隔膜與殼體采用熔焊熔焊工藝進行焊接工藝進行焊接, 焊接工藝常用焊接工藝常用激光激光焊接、氬弧焊接焊接、氬弧焊接或電子或電子束束焊接等。硅油灌充工藝一般采用焊接等。硅油灌充工藝一般采用真空灌真空灌充充技術技術重要的重要的MEMS壓力傳感器壓力傳感器 1.耐耐高溫高溫壓力傳感器壓力傳感器應用應用：在在民用方面可用于測量鍋爐、管道、高溫反應民用方面可用于測量鍋爐、管道、高溫反應容器容器內(nèi)的壓力；內(nèi)的壓力；在軍事上可用于噴氣發(fā)動機、坦克發(fā)動機、艦船發(fā)動機的壓力測量在軍事上可用于噴氣發(fā)動機、坦克發(fā)動機、艦船發(fā)動機的壓力測量等。等。種類種類：SOS（Silicon on Sapphire）、）、SOI（