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文檔簡介

1、光刻膠涂布與曝光1正光阻正光阻負光阻負光阻分辨率高分辨率低黏結能力差黏結能力好與mask暗場圖形一致與mask亮場圖形一致成本高成本低光刻膠分類E&H GF2結構采用正性干膜光刻膠萊寶 GG結構采用正性濕膜光刻膠2曝光機理UV光光罩光阻顯影后負光阻(BM、R、G、B、 PS layer)(見光留)正光阻(MVA、TFT layer)(見光死)Cr膜玻璃基板石英3 GF2結構使用干膜光刻膠，采用雙面熱壓roller形式上膠。 膜厚在線不可調控，膜厚由DFR決定，E&H 1st DFR 厚度15um，2nd DFR 厚度 30um，不易產生針孔，分辨率低，工藝制程簡單。 GG使用濕

2、膜光刻膠，采用單面壓輥或刮刀涂布方式上膠。 膜厚在線可通過走速/抽泵強度調控，厚度1.4um2.3um,易產生針孔，分辨率高，工藝制程復雜，涂布后需軟烘烤后才能曝光。涂布方式4 GF2結構 主要控制參數：壓輥溫度，壓輥壓力 主要品質問題：氣泡，異物，附著不良 GG結構 主要控制參數：涂布速度，抽泵頻率，壓輥壓力 主要品質問題：膜厚不均，針孔，異物主要控制參數及品質5 GF2結構1st exposure:雙面接近式曝光，分辨率低，不易造成產品缺陷及mask劃傷，6個對位鏡頭，雙面同時對位2nd exposure:雙面接觸式曝光，分辨率低，易造成產品缺陷及mask劃傷，4個對位鏡頭，雙面同時對位

3、GG結構單面接近式曝光，分辨率低，不易造成產品缺陷及mask劃傷， 2個對位鏡頭，單面對位曝光方式6GG對位方式 （Glass stage 校準）maskglass7 鉻版mask（石英基板） 對320-450nm波長有很好的透過率，變形尺寸小，精度高5um,成本高 干版mask （鈉鈣玻璃基板） 對320-450nm波長有較好的透過率，變形尺寸小，精度較高20um 菲林 對320-450nm波長有的透過率低，變形尺寸大，精度較高30umMask 分類E&H GF2結構：1st exposure支持玻璃mask及菲林，2nd exposure 只支持菲林萊寶 GG結構：使用鉻版mask8主要控制參數及品質 主要控制參數：曝光強度，曝光gap, 曝光時間 主要品質問題：曝光不均，異物，過曝光，曝光不足9 Mas

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