嵌入式系統(tǒng)硬件抗干擾技術(shù)的研究

1、    嵌入式系統(tǒng)硬件抗干擾技術(shù)的研究    潘興民+姜凱文摘 要：在一些特殊的工作環(huán)境之中嵌入系統(tǒng)要面對更加復(fù)雜的外部電磁環(huán)境，會造成嵌入式系統(tǒng)出現(xiàn)內(nèi)外干擾問題，進(jìn)而影響該設(shè)備發(fā)揮出其最大的效能。而嵌入式系統(tǒng)的抗干擾能力又主要分布于系統(tǒng)硬件部分，為此就必須要對嵌入式系統(tǒng)硬件的抗干擾技術(shù)加以深入研究與探討，以期為進(jìn)一步提高嵌入式系統(tǒng)的可靠性做有益的鋪墊。關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng) 硬件 抗干擾 可靠性：tp316 ：a ：1674-098x（2017）11（c）-0135-02近些年來隨著網(wǎng)絡(luò)信息技術(shù)的不斷發(fā)展與進(jìn)步，嵌入式技術(shù)也在不斷的更新?lián)Q代之中得到了有效的

2、提高。可以說嵌入式系統(tǒng)由于其具有較強(qiáng)的專用性，且軟硬件能夠被量體裁衣，所以被廣泛應(yīng)用到各個領(lǐng)域之中。也正因如此，常常被應(yīng)用到一些特殊工作環(huán)境之下的嵌入式系統(tǒng)，更需要有效提高其自身的可靠性，由此也就需要對嵌入式系統(tǒng)的硬件抗干擾技術(shù)加以深入的研究與探討。以下筆者即結(jié)合個人在嵌入式系統(tǒng)上的研究經(jīng)驗(yàn)與相關(guān)參考文獻(xiàn)，就嵌入式系統(tǒng)硬件抗干擾技術(shù)展開粗淺的分析與探討，以供大家參考借鑒。1 嵌入式系統(tǒng)的干擾因素如若我們對嵌入式系統(tǒng)的干擾進(jìn)行剖析則可以將其干擾分為以下兩種類型，即內(nèi)部干擾與外部干擾。所謂的內(nèi)部干擾主要是指因?yàn)榍度胧较到y(tǒng)自身問題而造成的干擾，如印制電路板在設(shè)計上的問題、元器件熱噪聲問題；外部干擾則

3、是指因?yàn)橥饨绛h(huán)境而給嵌入式系統(tǒng)帶來的干擾，如電池干擾、電磁波干擾、電網(wǎng)干擾等。通常情況下高電壓、大電流、電火花等電磁信號場都是干擾嵌入式系統(tǒng)的主要外部干擾渠道。特別是嵌入式系統(tǒng)的中央處理器如若受到較為嚴(yán)重的電磁干擾，甚至?xí)斐汕度胧较到y(tǒng)發(fā)生崩潰問題。2 嵌入式系統(tǒng)硬件抗干擾技術(shù)嵌入式系統(tǒng)的抗干擾能力，主要依靠的就是硬件所發(fā)揮出來的抗干擾能力，因此，在對嵌入式系統(tǒng)實(shí)施抗干擾設(shè)計的過程中，其重點(diǎn)必須要放在硬件之上，也只有如此，才能夠抑制住絕大多數(shù)的干擾，使其系統(tǒng)更加可靠、穩(wěn)定。2.1 對印制電路板實(shí)施的抗干擾設(shè)計工作嵌入式系統(tǒng)的印刷電路板是全套電子系統(tǒng)的重要載體，在系統(tǒng)之中發(fā)揮著所有芯片的電氣連接

4、效用。因此，做好印刷電路板的抗干擾設(shè)計尤為重要。要想制作出一塊性能卓越且具有較高穩(wěn)定性的印刷電路板，首先就必須要能夠熟練地掌握電路線路、信號完整性以及電磁的兼容性等相關(guān)理論知識，同時還必須要能夠?qū)⑦@部分理論知識應(yīng)用到實(shí)踐工作之中，能夠熟練地掌握eda這種工具技能，進(jìn)而為嵌入式系統(tǒng)印刷電路板的設(shè)計打下堅實(shí)的基礎(chǔ)。具體來講，在印刷電路板抗干擾設(shè)計過程中，整個元件的布局以及走線必須要遵循相應(yīng)的原則。第一，在原件布局上應(yīng)遵循的原則。應(yīng)該在印制電路板的兩端分別布置有輸入部分與輸出部分，盡可能地讓相關(guān)的關(guān)聯(lián)器件能夠靠得更近一些，從而最大限度地縮短器件間的連接導(dǎo)線距離。而對于那些擁有著相似工作頻率且相互之間

5、極易產(chǎn)生干擾電平原件，應(yīng)該確保其相互之間的相對距離。對于一些容易發(fā)熱的器件，為了幫助其散熱，可以采取將其布置于印刷電路板邊緣的處理方法。在布置高壓大功率器件時必須要確保其與低壓小功率器件保留出一定的間距，可使用分開布線這種布局。此外，為了造成感應(yīng)、溫漂等問題，禁止在大功率、大電流元器件的周圍布設(shè)一些熱敏器件、運(yùn)算放大器。第二，在走線上應(yīng)遵循的原則。在布局主要信號線時因?yàn)槠渲饕性诎逯醒肷?，所以地線包圍是最常使用的措施之一，且為了能夠讓信號線與信號回路線的實(shí)際環(huán)路面積始終保持在最小狀態(tài)下，則應(yīng)該避免出現(xiàn)長距離的平行布線現(xiàn)狀，要盡可能將電氣互連點(diǎn)之間的布線長度予以縮短。為了能夠降低相鄰布線面的導(dǎo)

6、線走線的寄生偶合問題，應(yīng)該采取相互垂直、彎曲、斜交等形式。同時，為了能夠進(jìn)一步提高輸入端的阻抗，必須要采取科學(xué)合理的信號線布局方案，從而縮短輸入引線。如若在實(shí)際運(yùn)行過程中模擬與數(shù)字信號產(chǎn)生相互干擾問題，那么必須要對二者的地線實(shí)施隔離，從而達(dá)到提高抗干擾能力的根本目的。2.2 做好光電隔離措施光電隔離是目前嵌入式系統(tǒng)硬件抗干擾技術(shù)之中最為常見的一種抗干擾技術(shù)，其能夠?qū)夥迕}沖和各種噪聲干擾都起到抑制作用，進(jìn)而有效地提高嵌入式系統(tǒng)的實(shí)際抗干擾能力。光電隔離措施在嵌入式系統(tǒng)中的具體應(yīng)用環(huán)節(jié)有以下幾點(diǎn)：第一，當(dāng)接收的外界信號之中混有干擾時，可以用光耦接口對嵌入式系統(tǒng)的輸入、輸出端進(jìn)行連接，從而起到隔離

7、信號、隔離噪聲的根本效用；第二，當(dāng)嵌入式系統(tǒng)cpu之中接入功率驅(qū)動電路時，cpu極易遭受到驅(qū)動電路干擾，為此必須要對cpu以及功率驅(qū)動電路實(shí)時光耦隔離，提高抗干擾能力；第三，嵌入式系統(tǒng)在長線傳輸過程中十分容易遭受到外界的干擾，尤其是遠(yuǎn)距離設(shè)備利用電纜進(jìn)行連接時，設(shè)備與設(shè)備之間的地線電位差所形成的環(huán)路電流會產(chǎn)生差模干擾電壓，為此就必須要實(shí)施光耦隔離，從而保證長線傳輸?shù)姆€(wěn)定性與可靠性。2.3 做好電源抗干擾措施為了進(jìn)一步降低電源干擾問題，就必須要選擇那些抗干擾能力較強(qiáng)的供電系統(tǒng)。首先，在電力系統(tǒng)的選擇上應(yīng)該使用那些交流穩(wěn)壓電源，使電壓更趨于穩(wěn)定，避免在實(shí)際運(yùn)行過程中出現(xiàn)過壓問題與欠壓問題；其次，在

8、電網(wǎng)中接入電源時，可使用隔離變壓器做好相應(yīng)的隔離，最大限度地降低分布電容所造成的影響，增強(qiáng)抗共模干擾能力；最后，可使用通濾波器來避免高次諧波被引入到系統(tǒng)之中，提高系統(tǒng)的抗干擾能力。2.4 去耦措施產(chǎn)生瞬間噪聲電壓的根本原因，是因?yàn)殡娏υ跔顟B(tài)轉(zhuǎn)換的過程中電源線上的尖峰電流會產(chǎn)生阻抗的有害耦合，為此要想解決這一問題就必須要配置去耦電容于印制電路板的關(guān)鍵部位之上，從而達(dá)到去耦的根本作用，在這個過程中需要始終遵循幾點(diǎn)原則，即：在電源輸入端跨接10100f的電解電容器；為了實(shí)現(xiàn)高頻去耦，可以充分利用具備優(yōu)質(zhì)的高頻特性的0.1f陶瓷電容在各個原件電源輸入端進(jìn)行對地跨接；如若rom與ram存儲器件的抗噪能力

9、較差，在關(guān)斷時電源會出現(xiàn)較大的變化，則可以在芯片電源線以及地線進(jìn)線端接入10100f的去耦電容；將電容引線的實(shí)際長度盡量地進(jìn)行縮短，并選擇表貼電容器在高頻旁路電容之中。3 結(jié)語在實(shí)際工作過程中，工作環(huán)境以及嵌入式系統(tǒng)自身的特點(diǎn)不可避免地會出現(xiàn)一定的干擾問題。因此，要想進(jìn)一步提高嵌入式系統(tǒng)的實(shí)際運(yùn)行安全，提高其可靠性，就必須要進(jìn)一步提高嵌入式系統(tǒng)的硬件抗干擾能力，這是因?yàn)榭垢蓴_能力主要體現(xiàn)于嵌入式系統(tǒng)的硬件部件之中。所以，本文筆者就如何提高嵌入式系統(tǒng)硬件的抗干擾能力提出了幾點(diǎn)個人建議，旨在為有效抑制干擾，進(jìn)一步推動嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展做出有益的鋪墊。參考文獻(xiàn)1 邵艷雪，何永樂.單片機(jī)測控系統(tǒng)中抗干擾技術(shù)分析j.技術(shù)與市場，2017（1）：68.2 譚慶龍.單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)的抗干擾技術(shù)研究j.中國新通信，2016（11）：38.3 趙理.單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù)的分析j.電子技術(shù)與軟件工程，2015（15）：258.4 袁曦.淺談單片機(jī)應(yīng)用中的抗干擾技術(shù)與方法j.科技與創(chuàng)新，201