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1、C17610第八章第八章場效應電晶體場效應電晶體8-1 FET的簡介8-2 JFET的特性8-3 MOSFET的特性8-4 FET偏壓電路2表8-1BJT與FET的特性比較3表8-2場效電晶體的電路符號4圖8-1n通道場效應電晶體(JFET)5圖8-2JFET的偏壓電路圖8-3JFET的控制機構(gòu)6圖8-4歐姆區(qū)工作模式(a)通道特性(b)特性曲線(c)等效模型7圖8-5截止區(qū)工作模式(a)通道特性(b)特性曲線(c)等效模型8圖8-6飽和區(qū)工作模式(a)通道特性(b)特性曲線9圖8-7截止區(qū)工作模式(a)特性曲線組(b)轉(zhuǎn)移曲線(c)等效模型10圖8-9p 通道JFET(a)偏壓電路與基本機構(gòu)

2、(b)特性曲線(c)轉(zhuǎn)移曲線11圖8-10特性曲線比較(a)n 通道(b)p 通道12表8-3JFET在三工作區(qū)的比較13圖8-11絕緣層兩接面聚集正負電荷形成MOS電容並感應出導電通道14圖8-12n通道E-MOSFET(a)電路符號(b)材料結(jié)構(gòu)(c)特性曲線15圖8-13歐姆區(qū)工作模式(a)通道特性(b)特性曲線(c)等效模型16圖8-15飽和區(qū)工作模式(a)通道特性(b)輸出特性曲線(c)轉(zhuǎn)移曲線(d)等效電路17圖8-17n通道D-MOSFET(a)電路符號(b)材料結(jié)構(gòu)(c)特性曲線18圖8-18n通道D-MOSFET19圖8-19n通道D-MOSFET(a)特性曲線(b)轉(zhuǎn)移曲線

3、(c)等效模型20圖8-21增強型E-MOSFET與空乏型D-MOSFET的簡化符號與轉(zhuǎn)移曲線比較21表8-4MOSFET的比較(VDS(sat)=VGS- VT；VSD (sat)=VSG+VT=- (VGS- VT)22圖8-22判斷屬於何種工作區(qū)及計算工作點位置之流程圖23圖8-23固定偏壓電路(a)電路圖(b)直流等效電路(c)圖解法求工作點24圖8-24自偏壓電路(a)電路圖(b)直流等效電路(c)圖解法求工作點25圖8-26分壓偏壓電路(a)電路圖(b)直流等效電路(c)圖解法求工作點26圖8-30E-MOSFET回授偏壓電路(a)電路圖(b)直流等效電路(c)圖解法求工作點27圖8-31有E-MOSFET負載元件之放大電路(a)電路圖(b)直流等效電路28圖8-36建立模型(a) 輸出特性曲線(b) 各區(qū)

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