薄膜表面的吸附與擴(kuò)散PPT課件

1、反應(yīng)性氣體的吸附過程：物理吸附物理吸附（亞穩(wěn)態(tài)）（亞穩(wěn)態(tài)）化學(xué)吸附化學(xué)吸附（氣體分子可能分裂）（氣體分子可能分裂）脫附脫附能量可轉(zhuǎn)移給別的吸附原子能量可轉(zhuǎn)移給別的吸附原子吸附過程與分子吸附過程與分子-表面距離的關(guān)系表面距離的關(guān)系第1頁/共66頁吸附過程與分子吸附過程與分子-表面距離的關(guān)系表面距離的關(guān)系第2頁/共66頁Z第3頁/共66頁另一方式推導(dǎo)：另一方式推導(dǎo)：第4頁/共66頁Langmuir isotherms for T60 Kva和和vd是吸附基團(tuán)的是吸附基團(tuán)的縱向和橫向振蕩頻率縱向和橫向振蕩頻率第5頁/共66頁二維氣體模型導(dǎo)出二維氣體模型導(dǎo)出的覆蓋度和壓強(qiáng)的的覆蓋度和壓強(qiáng)的關(guān)系關(guān)系第6

2、頁/共66頁表面粗糙化的統(tǒng)計(jì)理論：表面粗糙化的統(tǒng)計(jì)理論：增原子從氣相到表面增原子從氣相到表面引起的自由能變化：引起的自由能變化：/(1) ln(1)ln(1)sBGUTSG nmwk Tns為表面的吸附位置數(shù), mw(1-)為每個(gè)增原子的能量, m是面內(nèi)近鄰原子的數(shù)目.(/)/0(1 2 )ln()01sBG nmwk T第7頁/共66頁0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.00.000.050.100.150.200.250.300.350.400.450.50kBT/mw增原子相圖增原子相圖第8頁/共66頁高斯誤差函數(shù)曲高斯誤差函數(shù)曲線線 式中

3、式中K K 為比例系數(shù)，這個(gè)關(guān)系式常成為拋物線時(shí)間定則?？芍跒楸壤禂?shù)，這個(gè)關(guān)系式常成為拋物線時(shí)間定則?？芍谝恢付舛纫恢付舛菴時(shí)，增加一倍擴(kuò)散深度則需延長四倍的擴(kuò)散時(shí)間。時(shí)，增加一倍擴(kuò)散深度則需延長四倍的擴(kuò)散時(shí)間。這一關(guān)系被廣泛地應(yīng)用于如鋼鐵滲碳、晶體管或集成電路生產(chǎn)等這一關(guān)系被廣泛地應(yīng)用于如鋼鐵滲碳、晶體管或集成電路生產(chǎn)等工藝環(huán)節(jié)中控制擴(kuò)散質(zhì)濃度分布和擴(kuò)散時(shí)間以及溫度的關(guān)系。工藝環(huán)節(jié)中控制擴(kuò)散質(zhì)濃度分布和擴(kuò)散時(shí)間以及溫度的關(guān)系。 快速退火工藝？快速退火工藝？第9頁/共66頁對(duì)于擴(kuò)散長度與擴(kuò)散體系尺度相當(dāng)?shù)囊恍┣闆r，對(duì)于擴(kuò)散長度與擴(kuò)散體系尺度相當(dāng)?shù)囊恍┣闆r，擴(kuò)散第二方程的解往往借助于分

4、離變量法，即擴(kuò)散第二方程的解往往借助于分離變量法，即令令進(jìn)而得到用傅里葉級(jí)數(shù)形式表達(dá)的解：進(jìn)而得到用傅里葉級(jí)數(shù)形式表達(dá)的解：可以看出，此時(shí)擴(kuò)散體系的濃度分布由一系列可以看出，此時(shí)擴(kuò)散體系的濃度分布由一系列濃度波疊加而成，它們的振幅隨時(shí)間按指數(shù)關(guān)濃度波疊加而成，它們的振幅隨時(shí)間按指數(shù)關(guān)系衰減。系衰減。exp)sin(),(2DtxAtxcnnn),()(),(tBxAtxc第10頁/共66頁擴(kuò)散系數(shù)的影響因素：擴(kuò)散系數(shù)的影響因素：第11頁/共66頁擴(kuò)散系數(shù)的影響機(jī)制：擴(kuò)散系數(shù)的影響機(jī)制：慢擴(kuò)散元素慢擴(kuò)散元素(空位擴(kuò)散機(jī)制空位擴(kuò)散機(jī)制)快擴(kuò)散元素(間隙擴(kuò)散、分解擴(kuò)散)敞形結(jié)構(gòu)，敞形結(jié)構(gòu)，第12頁/

5、共66頁若干元素在硅中的指數(shù)前系數(shù)D0和擴(kuò)散激活能Ed擴(kuò) 散 元 素D0(cm2/s)Ed(eV)H, Li, Na, K, Cu, Fe10-310-20.51.0Ag, Au, Ni, Co10-310-21.12.0間隙O0.22.6替代C0.32.9III族,V族103.54.2Si自擴(kuò)散1034.75.1Ge自擴(kuò)散103.03.1第13頁/共66頁短路擴(kuò)散：沿晶粒間界短路擴(kuò)散：沿晶粒間界和位錯(cuò)芯的擴(kuò)散和位錯(cuò)芯的擴(kuò)散d d 0.5-1.0 nmAd (0.2-0.3 nm)2l 2 面積上的擴(kuò)散流：面積上的擴(kuò)散流：薄膜中的擴(kuò)散：薄膜中的擴(kuò)散：第14頁/共66頁一些金屬的晶粒邊界擴(kuò)散系數(shù)

6、擴(kuò)散元素基體dDg0(cm3/s)Eg(eV)CuAl4.510-81.001.810-100.87CuAl-0.2%Co2.010-70.56AlCu5.110-70.94AgCu1.510-130.75195AuAu9.010-101.00CrAu5.010-111.09AuNi-0.5%Co1.410-101.60PtCr5.010-101.69119SnSn5.010-80.42SnPb6.910-100.62第15頁/共66頁不同溫度不同溫度下的擴(kuò)散下的擴(kuò)散第16頁/共66頁高溫，中溫，低溫下的擴(kuò)散截面高溫，中溫，低溫下的擴(kuò)散截面應(yīng)用：鈍化退火控制應(yīng)用：鈍化退火控制自擴(kuò)散也同樣自擴(kuò)散

7、也同樣第17頁/共66頁第18頁/共66頁第19頁/共66頁上圖的利用：上圖的利用：第20頁/共66頁第21頁/共66頁短周期超晶格中的互擴(kuò)散短周期超晶格中的互擴(kuò)散不同時(shí)間退火對(duì)短周期Si/Ge超晶格喇曼散射譜的影響. 第22頁/共66頁Si8Ge8超晶格互擴(kuò)散過程的計(jì)算機(jī)模擬 第23頁/共66頁反應(yīng)擴(kuò)散：反應(yīng)擴(kuò)散：10(1)/aaJDCLag ag 界面附近：界面附近：agag界面：界面：20()aaJK CCggg g 相內(nèi)：相內(nèi)：3()/JD CCXggaggg相厚度增大的控制過程第24頁/共66頁反應(yīng)控制過程：擴(kuò)散控制過程：2/dXjNXtdtggg23/()/dXjND CCN XX

8、tdtgggagggg第25頁/共66頁SiO2層厚度與時(shí)間的關(guān)系層厚度與時(shí)間的關(guān)系第26頁/共66頁電遷移電遷移過程是導(dǎo)線中高電流密度引起的原子的定向擴(kuò)散過程電遷移過程是導(dǎo)線中高電流密度引起的原子的定向擴(kuò)散過程. 電遷移是集成電路中引起器件失效的一個(gè)重要原因電遷移是集成電路中引起器件失效的一個(gè)重要原因. (a)電遷移機(jī)制，(b)由晶粒和溫度的不均勻性分別引起的空洞和小丘 電遷移引起的導(dǎo)線上的小丘 第27頁/共66頁作用在金屬離子上的力：作用在金屬離子上的力：Z*是帶正電的離是帶正電的離子的有效電荷子的有效電荷擴(kuò)散的物質(zhì)流：擴(kuò)散的物質(zhì)流：擴(kuò)散導(dǎo)致的濃度變化：擴(kuò)散導(dǎo)致的濃度變化：影響因素：電流密

9、度，電阻，溫度影響因素：電流密度，電阻，溫度薄膜電阻的平均失效時(shí)間：薄膜電阻的平均失效時(shí)間：對(duì)純對(duì)純Al ，n2，Ee平平均為均為0.50.8 eV，晶，晶格上的格上的Ee為為1.4 eV第28頁/共66頁第29頁/共66頁表面擴(kuò)散主要是表面擴(kuò)散主要是增原子的遷移增原子的遷移和表面空位遷移和表面空位遷移表面點(diǎn)缺陷的結(jié)合能作為位置的函數(shù)遷移有勢壘表面擴(kuò)散的原子理論第30頁/共66頁EH-EM=0.25 eV吸附原子的結(jié)合能隨位置的變化ED-EM=0.6 eVSi(001)-(2x1)EB-EM=1.0 eV擴(kuò)散過程的各向異性擴(kuò)散過程的各向異性MHDHM第31頁/共66頁表面點(diǎn)缺陷的形成能和遷移能

10、表面點(diǎn)缺陷的形成能和遷移能金屬表面點(diǎn)缺陷的形成能rtkArktvEEEEEEEE增原子：空位：表面遷移能：表面上點(diǎn)缺陷的勢能鞍點(diǎn)和勢能谷之差表面遷移能：表面上點(diǎn)缺陷的勢能鞍點(diǎn)和勢能谷之差表面空位表面空位增原子增原子表面表面(100)(111)(110)(100)(111)(110)Ef11.319.311.723.522.813.8Em3.915.17.05.70.61.4Ef+Em15.234.418.729.223.415.2銅的表面缺陷形成能和遷移能銅的表面缺陷形成能和遷移能第32頁/共66頁考慮表面擴(kuò)散時(shí)吸附基團(tuán)引起襯底熱振動(dòng)熵的改變不能忽略。表面遷移熵表面空位表面空位增原子增原子表面

11、表面(100)(111)(110)(100)(111)(110)Sf/k2.821.040.581.462.450.90Sm/k0.0950.0560.190.28-0.241.15D00.03380.01510.00250.009280.002490.00617銅的表面缺陷形成熵和遷移熵銅的表面缺陷形成熵和遷移熵第33頁/共66頁表面擴(kuò)散率：表面擴(kuò)散率：a為一次擴(kuò)散的距離，與具體的面有關(guān)，為一次擴(kuò)散的距離，與具體的面有關(guān)，v0為點(diǎn)缺陷振動(dòng)頻率。為點(diǎn)缺陷振動(dòng)頻率。/ )(exp0kTEEDDfm表面自擴(kuò)散系數(shù)：/)exp(020kSSvaDmffmEEQ表面自擴(kuò)散激活能：擴(kuò)散系數(shù)的差別主要在于

12、擴(kuò)散激活能第34頁/共66頁表面擴(kuò)散的替代機(jī)制表面擴(kuò)散的替代機(jī)制Ir(001)Ir(100)上增原子替換擴(kuò)散機(jī)制(a)、(110)-(11)面上的越溝替換和沿溝遷移擴(kuò)散機(jī)制(b)和(110)-(12)面上的沿溝擴(kuò)散機(jī)制(c) 第35頁/共66頁二聚體的擴(kuò)散機(jī)制(a)沿溝遷移沿溝遷移(b) 、(c) 越溝替換越溝替換密排面上密排面上非密排面或再構(gòu)表面上非密排面或再構(gòu)表面上第36頁/共66頁銥的不同表面不同擴(kuò)散機(jī)制的激活能和擴(kuò)散率銥的不同表面不同擴(kuò)散機(jī)制的激活能和擴(kuò)散率表面方向機(jī)制Ed/eVD0/(cm2/s)(111)-(1x1)沿單原子遷移0.228.8x10-3(001)-(1x1)沿單原子

13、替換0.846.6x10-2(110)-(1x1)沿單原子遷移0.804.0 x10-3(110)-(1x1)沿單原子替換0.716.0 x10-2(111)-(1x2)沿單原子遷移0.861.2x10-3(110)-(1x1)沿二聚體遷移1.053.7x10-5(110)-(1x1)沿二聚體替換1.182.6x10-4其余的方式擴(kuò)散激活能高其余的方式擴(kuò)散激活能高第37頁/共66頁近程遷移和遠(yuǎn)程遷移近程遷移和遠(yuǎn)程遷移: 高溫下遠(yuǎn)程遷移比較顯著高溫下遠(yuǎn)程遷移比較顯著可以用隨機(jī)行走?？梢杂秒S機(jī)行走模型來模擬擴(kuò)散過程型來模擬擴(kuò)散過程遷移：步長可為多種遷移：步長可為多種替換：最近鄰替換：最近鄰第38頁

14、/共66頁原子團(tuán)的分步遷移原子團(tuán)的分步遷移第39頁/共66頁臺(tái)階近旁增原子的遷移勢壘臺(tái)階近旁增原子的遷移勢壘反射效應(yīng)反射效應(yīng)空洞空洞第40頁/共66頁臺(tái)階近旁吸附原子的擴(kuò)散機(jī)制臺(tái)階近旁吸附原子的擴(kuò)散機(jī)制第41頁/共66頁表面擴(kuò)散的實(shí)驗(yàn)研究方法(1)超高真空掃描隧道顯微鏡(STM)直接觀測法(2)場離子顯微鏡直接觀測法在高真空中難熔金屬針尖表面上突出處的強(qiáng)電場使氦原子電離并加速后打到熒光屏上成象, 直接測量熒光屏上孤立的亮點(diǎn)(增原子的象)經(jīng)不同時(shí)間后的平均平方位移, 從平均平方位移-時(shí)間直線關(guān)系的斜率和可以得到擴(kuò)散系數(shù)D, 再從lnD和1/T的關(guān)系得到遷移能和指數(shù)前系數(shù). (3)濃度梯度法將示蹤

15、原子覆蓋表面的一半, 升溫?cái)U(kuò)散后測量示蹤原子的濃度-距離曲線, 可以得到不同溫度下的表面擴(kuò)散系數(shù), 經(jīng)處理后得到表面擴(kuò)散激活能和D0. 在汽相沉積示蹤原子的條件下, 由于存在大量過飽和增原子, 由上述方法測得表面擴(kuò)散系數(shù)后得到的激活能是增原子遷移能. 第42頁/共66頁(4)表面張力引起的表面擴(kuò)散表面張力引起的表面擴(kuò)散表面曲率不同會(huì)引起點(diǎn)缺陷化學(xué)勢的不同表面曲率不同會(huì)引起點(diǎn)缺陷化學(xué)勢的不同, 使點(diǎn)缺使點(diǎn)缺陷從化學(xué)勢高處流向化學(xué)勢低處陷從化學(xué)勢高處流向化學(xué)勢低處, 從而引起表面外形的從而引起表面外形的變化變化, 這種方法雖然是一種間接的方法這種方法雖然是一種間接的方法, 但是它不需要但是它不需要

16、上述特殊的設(shè)備與手段上述特殊的設(shè)備與手段, 并且和實(shí)際問題的聯(lián)系比較直并且和實(shí)際問題的聯(lián)系比較直接接. 曲率半徑不同引起的表面擴(kuò)散還可以用點(diǎn)缺陷濃曲率半徑不同引起的表面擴(kuò)散還可以用點(diǎn)缺陷濃度和曲率半徑有關(guān)來說明度和曲率半徑有關(guān)來說明, 表面點(diǎn)缺陷濃度和曲率半徑表面點(diǎn)缺陷濃度和曲率半徑的關(guān)系是的關(guān)系是: 和曲率半徑為無限大和曲率半徑為無限大(平面平面)時(shí)的濃度相比時(shí)的濃度相比, 表表面為凹面面為凹面, 表面空位濃度大于平的表面的空位濃度表面空位濃度大于平的表面的空位濃度, 而而凹面增原子濃度小于平面增原子濃度凹面增原子濃度小于平面增原子濃度. 表面為凸面時(shí)的表面為凸面時(shí)的情況相反情況相反. 如果

17、表面凸凹不平如果表面凸凹不平, 凹處表面空位流向凸處凹處表面空位流向凸處, 凸處增原子流向凹處凸處增原子流向凹處, 使表面變平使表面變平. 第43頁/共66頁No surface is flat surface! 表面擴(kuò)散的描述與研究手段（表面擴(kuò)散的描述與研究手段（STM）原子、分子的二維無規(guī)行走其平方平原子、分子的二維無規(guī)行走其平方平均位移正比與時(shí)間和一個(gè)常數(shù)，這個(gè)均位移正比與時(shí)間和一個(gè)常數(shù)，這個(gè)常數(shù)稱為常數(shù)稱為Tracer diffusion coefficienttDtvar*422有效TkEBaevv/0有效TkETkEBaBaeDevaD/*0/02*41（Arrhenius方程）方

18、程）由由FickFick定律定義的擴(kuò)散系數(shù)稱為定律定義的擴(kuò)散系數(shù)稱為Chemical diffusion coefficientChemical diffusion coefficient或者或者 Collective diffusion coefficientCollective diffusion coefficientrDJ2DDtrrtJdivFick 第一定律第一定律Fick 第二定律第二定律（連續(xù)性方程）（連續(xù)性方程）TBTBTkTkDDln)/(ln)/(*第44頁/共66頁: Frame by frameTIME:0 s12 s24 s36 s48 sTIME:60 s72 s

19、84 sAg 原子在原子在 Si(111)-7x7 F-HUC內(nèi)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng). 測量條件為測量條件為-2 V, 50 pA, and 122 K.掃描隧道顯微鏡研究掃描隧道顯微鏡研究Tracer diffusion 的方法的方法1999年之后，為了擴(kuò)展這種測量方法，Besenbacher、Renisch等特制了可以高速掃描的STM，號(hào)稱可以達(dá)到100幅/秒。 實(shí)際使用約20幅/秒測量。這樣也只能達(dá)到約最快10Hz的擴(kuò)散頻率測量第45頁/共66頁65 C 和和128 C下下Si原原子對(duì)沿子對(duì)沿Si(100)二聚二聚體鏈的位置體鏈的位置-時(shí)間關(guān)時(shí)間關(guān)系系(a)、128 C下暫留下暫留時(shí)間

20、時(shí)間( t)的概率分布的概率分布曲線曲線(b)和跳動(dòng)率和跳動(dòng)率-溫溫度的雙對(duì)數(shù)曲線度的雙對(duì)數(shù)曲線(c) 第46頁/共66頁STM 圖像圖像0.5V 0.05nAAg原子吸附在原子吸附在 Si(111)-7x7表面的模型表面的模型第47頁/共66頁STM原子跟蹤法原子跟蹤法硅原子在Si(111)7X7表面擴(kuò)散的 Atom-tracking 圖像（210 K）, Vol.18, 960, 2000Atom tracking 測量過程中的針尖運(yùn)動(dòng)軌跡. 59, 840, 1988最快可測量的頻率為最快可測量的頻率為10Hz第48頁/共66頁: Time dependent Tunnelling Sp

21、ectroscopy第49頁/共66頁硅表面原胞硅表面原胞層錯(cuò)層錯(cuò)半原胞半原胞F-HUC無層錯(cuò)無層錯(cuò)半原胞半原胞U-HUC選擇銅族貴金屬原子在選擇銅族貴金屬原子在Si(111)表面的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的測量來演示以上新方法。表面的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的測量來演示以上新方法。a-c: 室溫下金銀銅原子吸附在室溫下金銀銅原子吸附在Si(111)表面表面F-HUC的的STM圖像；圖像；d: 銅樣品降到液氮溫度下的圖像，單銅樣品降到液氮溫度下的圖像，單一的亮點(diǎn)表明只有一個(gè)銅原子吸附在一的亮點(diǎn)表明只有一個(gè)銅原子吸附在F-HUCCu族原子的擴(kuò)散測量第50頁/共66頁a，208K溫度下，分別在邊位置（Center）和角位置（Co

22、rner）采集的時(shí)間依賴隧道譜，其中高電流脈沖表明Cu原子運(yùn)動(dòng)到針尖下方。b，駐留事件數(shù)目隨時(shí)間衰減統(tǒng)計(jì)直方圖 3.80.9Hz8523Hz第51頁/共66頁Cu on Si(111)-7x7 F-HUCArrhenius 關(guān)系圖關(guān)系圖0exp(-Ea/kT) ln ln 0- Ea/kT 0=1010.7 0.3HzEa_cen=0.36 0.02eVEa_cor=0.40 0.02eV有效vaD2*41*第52頁/共66頁該方法的優(yōu)勢該方法的優(yōu)勢1，不需要對(duì)儀器進(jìn)行任何改動(dòng)就可以測量相對(duì)快速的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。2，可以區(qū)分不同的吸附位置分別測量3，測量高溫下的快速擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)可減少工作時(shí)間4，駐留時(shí)間

23、占空比包含更多信息理論理論 33.3%實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn) 34.7%3.2%31.5%第53頁/共66頁345678910 11 12 13 14 15 1610-210-110010110210310410-1710-1610-1510-1410-1310-1210-1110-10T (K) Hop Rate (Hz)1000/T (K-1) Au_F Au_U Cu_F Cu_U Ag_F Ag_UD (cm2s-1)300 200 150 100 75 Ag FAg UAu,Ag和和Cu在在F-HUC和和U-HUC最穩(wěn)吸附位置的擴(kuò)散最穩(wěn)吸附位置的擴(kuò)散頻率與溫度的頻率與溫度的Arrhenius關(guān)系圖

24、關(guān)系圖測量結(jié)果測量結(jié)果第54頁/共66頁由島密度的溫度關(guān)系的實(shí)驗(yàn)和理論比較得到擴(kuò)散激活能和橫向振動(dòng)頻率STM測量島測量島密度的變化密度的變化STM觀察成核密度法觀察成核密度法第55頁/共66頁薄膜生長薄膜生長p1421/220( , )/()exp(/4)n x tnDtxDt1/21/20(0, )/() ()ntnDtDt1/220ln ( , )ln/()/4n x tnDtxDt擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)方程的應(yīng)用舉例 第56頁/共66頁方法方法擴(kuò)散距離D D的范圍的范圍(cm(cm2 2s s-1-1) )備注截面演化方法截面演化方法10-4 cm1010-7-7-10-10-11-11測量D場離子

25、顯微鏡（場離子顯微鏡（FIMFIM）3-50 1010-17-17-10-10-15-15測量D*，只能測量金屬原子的擴(kuò)散。準(zhǔn)彈性氦原子散射準(zhǔn)彈性氦原子散射（QHASQHAS）3-10 1010-6-6測量D*，整體效應(yīng)，不能區(qū)分單個(gè)原子場發(fā)射顯微鏡（場發(fā)射顯微鏡（FEMFEM）陰影模式陰影模式100-1000 1010-12-12-10-10-10-10測量D場發(fā)射顯微鏡（場發(fā)射顯微鏡（FEMFEM）漲落自相關(guān)模式漲落自相關(guān)模式 100 1010-14-14-10-10-9-9測量D激光熱脫吸附（激光熱脫吸附（LITDLITD）10-2cm1010-6-6-10-10-8-8測量DLOD/S

26、HDLOD/SHD1m1010-15-15-10-10-7-7測量D掃描隧道顯微鏡掃描隧道顯微鏡 Frame Frame by Frameby Frame1-10 1010-14-14導(dǎo)體、半導(dǎo)體表面,測量D*掃描隧道顯微鏡掃描隧道顯微鏡 Atom Atom trackingtracking1-10 1010-14-14導(dǎo)體、半導(dǎo)體表面,測量D*多種測量方法對(duì)照多種測量方法對(duì)照第57頁/共66頁#4: Adsorption & Growth Adsorption Processes Physisorption: weaker Van der Waals bond Chemisorpti

27、on: stronger chemical bond Growth Behavior Island nucleation Modes: Island, Layer-plus-Island, Layer-by-Layer Contact angles f and surface energies Diffusion rate vs. Deposition rate (Peclet Number) Effect of growth time, substrate temperature, etc.第58頁/共66頁P(yáng)hysisorption vs. Chemisorption Physisorpt

28、ion Electronic structure of adsorbate is hardly perturbed. Analog in molecular physics is van der Waals bonding, i.e.attractive force due to mutually induced dipole moments (or correlated charge fluctuations). Energies 50-500 meV/atom. Chemisorption Electronic structure of adsorbate is strongly perturbed. Analog in molecular physics is formation of covalent or ionic bonds. Energies 1-10 eV/atom.第59頁/共66頁P(yáng)hysisorption PotentialTwo molecules van der Waals2211 11112211366where polarizability and = dipole fieldvan der Waals potenti l1aVpEEEEEppVVrrraaaaa 3(lowest order t