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1、晶圓生產(chǎn)工藝與流程介紹的 生 產(chǎn) 工 藝 流 程 介 紹從大的方面來講，晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟，它又可細 分為以下幾道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的 全部屬晶片制造，所以有時又統(tǒng)稱它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば?：晶棒成長?->?晶棒裁切與檢測？->?外徑研磨?->?切片？圓邊?表層研磨?>?蝕刻？ 一>?去疵?>?拋光? 一>?清洗? 一>?檢驗?>?包裝1晶棒成長工序:它又可細分為:1) 融化(Melt?Down)將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英圮鍋內(nèi)，加熱到其熔點1420°C以上，使 其完全融化。

2、2) 頸部成長(Neck?Growth)待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將1.0.0方向的晶種慢慢插入其中.接著將 晶種慢慢往上提升，使其直徑縮小到一定尺寸(一般約6mm左右)，維持 此直徑并拉長100-200mm,以消除晶種內(nèi)的晶粒排列取向差異。3) 晶冠成長(Crown?Growth)頸部成長完成后，慢慢降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸(如5、6、8、12寸等)。4) 晶體成長(Body?Growth)不斷調(diào)整提升速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，只到晶棒長度達到 預(yù)定值。5) 尾部成長(Tail?Growth)以化學蝕刻的方法，去掉經(jīng)上幾道工序加工后在晶片表面因加工應(yīng)力而產(chǎn) 生的一層損傷層。8去疵(Gettering)用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利于后序加工。9拋光(Polishing)對晶片的邊緣和表面進行拋光處理，一來進一步去掉附著在晶片上的微 粒，二來獲得極佳的表面平整度，以利于后面所要講到的晶圓處理工序加 To10清洗(Cleaning)將加工完成的晶片進行最后的徹底清洗、風干。11.檢驗(Inspection)進行最終全面的檢驗以保證產(chǎn)品最終達到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔 度、平整度等技術(shù)指標。12包裝(Packin

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