集成電路制造工藝之光刻與刻蝕工藝

1、集成電路制造工藝之光刻與刻蝕工藝集成電路制造工藝之光刻與刻蝕工藝 ssss涂膠工藝步驟：將光刻膠溶液噴灑到硅片外表上；加速旋轉(zhuǎn)托盤(硅片)，直至到達(dá)需要的旋轉(zhuǎn)速度；到達(dá)所需的旋轉(zhuǎn)速度后，保持一定時間的旋轉(zhuǎn)。涂膠 把硅片放在一個平整的金屬托盤上，有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤上，硅片與托盤一起旋轉(zhuǎn)。 光刻膠的膜厚與光刻膠本身的黏性有關(guān) 對于同樣的光刻膠，光刻膠的膜厚由旋轉(zhuǎn)速度決定，轉(zhuǎn)動速度越快，光刻膠層的厚度越薄，光刻膠的均勻性也越好。 涂膠的過程應(yīng)始終在超凈環(huán)境中進(jìn)行。同時噴灑的光刻膠溶液中不能含有空氣，因為氣泡的作用與微粒相似，都會在光刻工藝中引起缺陷。光刻膠的膜厚、前烘、前烘 在液態(tài)

2、的光刻膠中，溶劑溶劑的成份占65-85，經(jīng)過甩膠之后，雖然液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍含有10-30的溶劑，涂膠以后的硅片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，使溶劑從光刻膠內(nèi)揮發(fā)出來，這一步驟稱為前烘。 (前烘后光刻膠中溶劑含量降至到5左右) 在前烘過程中，由于溶劑的揮發(fā)，光刻膠的厚度也會減薄，一般減小的幅度為10-20左右。 降低灰塵的玷污； 減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應(yīng)力，從而提高光刻膠的附著性。 如果光刻膠沒有經(jīng)過前烘處理，對于正膠來說，非曝光區(qū)的光刻膠由于溶劑的含量比較高，在顯影液中也會溶解變簿，從而使光刻膠的保護(hù)能力下降。前烘的作用前烘的溫度和時間需要嚴(yán)格地控制。前烘的溫度太低或時間

3、太短 光刻膠層與硅片外表的黏附性差； 由于光刻膠中溶劑的含量過高，曝光的精確度也會變差； 太高的溶劑濃度使顯影液對曝光區(qū)和非曝光區(qū)光刻膠的選擇性下降，導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移效果不好。前烘溫度太高 光刻膠層的黏附性也會因為光刻膠變脆而降低； 過高的烘焙溫度會使光刻膠中的感光劑發(fā)生反響，使光刻膠在曝光時的敏感度變差。前烘的溫度和時間 前烘通常采用枯燥循環(huán)熱風(fēng)、紅外線輻射以及熱平板傳導(dǎo)等熱處理方式。 在ULSI工藝中，常用的前烘方法是真空熱平板烘烤。真空熱平板烘烤可以方便地控制溫度，同時還可以保證均勻加熱。 前烘的加熱方式、顯影、顯影 顯影后所留下的光刻膠圖形將在后續(xù)的刻蝕和離子注入工藝中做為掩膜，因此顯影也

4、是一步重要工藝。嚴(yán)格地說，在顯影時曝光區(qū)與非曝光區(qū)的光刻膠都有不同程度的溶解。曝光區(qū)與非曝光區(qū)的光刻膠的溶解速度反差越大，顯影后得到的圖形比照度越高。影響顯影效果的主要因素包括：光刻膠的膜厚；前烘的溫度和時間；曝光時間；顯影液的濃度；顯影液的溫度；顯影液的攪動情況等。 以正膠為例，在顯影過程中，曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，非曝光區(qū)的光刻膠那么不會溶解。曝光后在光刻膠層中形成的潛在圖形，顯影后便顯現(xiàn)出來。 目前廣泛使用的顯影的方式是噴灑方法?？煞譃槿齻€階段：硅片被置于旋轉(zhuǎn)臺上，并且在硅片外表上噴灑顯影液；然后硅片將在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行顯影；顯影完成之后，需要經(jīng)過漂洗，之后再旋干。 噴灑方法的優(yōu)點

5、在于它可以滿足工藝流水線的要求。 顯影之后，一般要通過光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡(SEM)或者激光系統(tǒng)來檢查圖形的尺寸是否滿足要求。 如果不能滿足要求，可以返工。因為經(jīng)過顯影之后只是在光刻膠上形成了圖形，只需去掉光刻膠就可以重新進(jìn)行上述各步工藝。顯影方式與檢測、堅膜、堅膜 硅片在經(jīng)過顯影之后，需要經(jīng)歷一個高溫處理過程，簡稱堅膜。 堅膜的主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對硅片外表的附著力，同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護(hù)能力。 通常堅膜的溫度要高于前烘溫度。 光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定是通過紫外光輻照和加熱來完成的。經(jīng)過UV輻照和適度的熱處理(110)之后，在光刻膠的外表圖形上可以

6、形成交叉鏈接的硬殼，可以使光刻膠圖形在高溫過程中不會變形。 光學(xué)穩(wěn)定可以使光刻膠產(chǎn)生均勻的交叉鏈接，提高光刻膠的抗刻蝕能力，進(jìn)而提高刻蝕工藝的選擇性。 經(jīng)過UV處理的光刻膠，要先經(jīng)過氧等離子的活化，然后通過濕法除去。光學(xué)穩(wěn)定 刻蝕刻蝕 去膠去膠 在集成電路工藝中，去膠的方法包括濕法去膠和干法去膠，在濕法去膠中又分為有機(jī)溶液去膠和無機(jī)溶液去膠。 有機(jī)溶液去膠主要是使光刻膠溶于有機(jī)溶液中丙酮和芳香族的有機(jī)溶劑，從而到達(dá)去膠的目的。無機(jī)溶液去膠的原理是使用一些無機(jī)溶液(如H2SO4和H2O2等)，將光刻膠中的碳元素氧化成為二氧化碳，把光刻膠從硅片的外表上除去。由于無機(jī)溶液會腐蝕A1，因此去除A1上的

7、光刻膠必須使用有機(jī)溶液。干法去膠那么是用等離子體將光刻膠剝除。光刻膠通過在氧等離子體中發(fā)生化學(xué)反響，生成氣態(tài)的CO，CO2和H2O由真空系統(tǒng)抽走。相對于濕法去膠，干法去膠的效果更好，但是干法去膠存在反響殘留物的玷污問題，因此干法去膠與濕法去膠經(jīng)常搭配進(jìn)行。、分辨率、分辨率 分辨率R描述了光刻工藝中可能到達(dá)的最小光刻圖形尺寸，表示每mm內(nèi)最多能刻蝕出多少可分辨的線條數(shù)。 線寬與線條間距相等的情況下，R定義為 線條越細(xì)，分辨率越高。 光刻的分辨率受到光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。這里我們只從物理角度對分辨率進(jìn)行探討。 光刻中所用的曝光光源是光、電子、離子和X射線等各種粒子束。從量子物理的角

8、度看，限制分辨率的因素是衍射。 )(211mmLR 設(shè)有一物理線度L，為了測量和定義它，必不可少的誤差為L，根據(jù)量子理論的不確定性關(guān)系，那么有其中h是普朗克常數(shù)，p是粒子動量的不確定值。對于曝光所用的粒子束，假設(shè)其動量的最大變化是從-p到+p，即p=2p，代入上式，那么有 L在這里表示分清線寬L必然存在的誤差。假設(shè)L就是線寬，那么它就是物理上可以得到的最細(xì)線寬，因而最高的分辨率 hpLphL2hpLR21max最高的分辨率不同的粒子束，因其能量、動量不同，那么L亦不同。對于光子 通常把上式看作是光學(xué)光刻方法中可得到的最細(xì)線條，即不可能得到一個比/2還要細(xì)的線條。 其物理圖像是，光的波動性所顯現(xiàn)

9、的衍射效應(yīng)限制了線寬 /2 。因此最高分辨率為： 這是僅考慮光的衍射效應(yīng)而得到的結(jié)果，沒有涉及光學(xué)系統(tǒng)的誤差以及光刻膠和工藝的誤差等，因此這是純理論的分辨率。 1max1mmR2L光子曝光的最高的分辨率 關(guān)于光束的線寬限制，對其他的粒子束同樣適用。任何粒子束都具有波動性，即德布羅意物質(zhì)波，其波長與質(zhì)量m、動能E的關(guān)系描述如下。粒子束的動能E為其動量p粒子束的波長由此，用粒子束可得到的最細(xì)線條為 mEmVhp2mEhL22mEh2221mVE 任意粒子曝光的最高的分辨率結(jié)論：假設(shè)粒子束的能量E給定后，那么粒子的質(zhì)量m愈大，L愈小，因而分辨率愈高。以電子和離子作比較，離子的質(zhì)量大于電子，所以它的L

10、小，即分辨率高。但這個說法有一定的限制，因為離子本身的線度一般大于1，所以用它加工的尺寸不可能做到小于它本身的線度。對于m一定，即給定一種粒子，例加電子，那么其動能愈高， L愈小，分辨率愈高。光學(xué)光刻膠通常包含有三種成份：聚合物材料(樹脂)：附著性和抗腐蝕性感光材料：感光劑溶劑：使光刻膠保持為液態(tài)、光刻膠的根本屬性、光刻膠的根本屬性 正膠的感光區(qū)在顯影時溶掉，沒有感光的區(qū)域在顯影時不溶解，因此形成的光刻膠圖形是掩模幅員形的正影像。 負(fù)膠的情況與正膠相反，經(jīng)過顯影后光刻膠層上形成的是掩模版的負(fù)性圖形。正膠的分辨率比負(fù)膠高。 光刻膠通?？煞譃檎z和負(fù)膠，經(jīng)過曝光和顯影之后所得到的圖形是完全相反的。

11、 光刻膠的比照度會直接影響到曝光后光刻膠膜的傾角和線寬。 、比照度、比照度 為了測量光刻膠的比照度，將一定厚度的光刻膠膜在不同的輻照劑量下曝光，然后測量顯影之后剩余光刻膠的膜厚，利用得到的光刻膠膜厚-曝光劑量響應(yīng)曲線進(jìn)行計算就可以得到比照度。光刻膠的比照度：不同的光刻膠膜厚-曝光劑量響應(yīng)曲線的外推斜率。1212XXYY 根據(jù)比照度定義，Y2，Y1=0，X2log10Dog，X1 log10Dig。 負(fù)膠的比照度負(fù)膠的比照度)/(log110igognDD 對于負(fù)膠，只有到達(dá)臨界曝光劑量后，才形成膠體的交叉鏈接，臨界曝光劑量以下的負(fù)膠中不會形成圖形，如下圖 。 到達(dá)臨界曝光劑量后，隨曝光劑量的增

12、加，負(fù)膠膜上形成的膠化圖像厚度逐漸加大，最終使膠化圖像的薄膜厚度等于初始時負(fù)膠的膜厚。其中，Dig為負(fù)膠的臨界曝光劑量，Dog為負(fù)膠的膠化薄膜厚度與曝光開始時負(fù)膠膜厚度相等時的曝光劑量。 測量正膠比照度的方法與負(fù)膠相同，正膠的膜厚隨著曝光劑量的增加而減小，直到在顯影的過程中被完全除去，曝光區(qū)域剩余的正膠膜厚與曝光劑量的關(guān)系如下圖。正膠的比照度 根據(jù)比照度定義， Y20，Y1，X2log10Dc，X1 log10Do。 正膠的比照度)(log110ocpDDDc為完全除去正膠膜所需要的最小曝光劑量，Do為對正膠不產(chǎn)生曝光效果所允許的最大曝光劑量。 在理想的曝光過程中，投到光刻膠上的輻照區(qū)域應(yīng)該等

13、于掩模版上的透光區(qū)域，在其他區(qū)域應(yīng)該沒有輻照能量。 在實際的曝光過程中，由于衍射和散射的影響，光刻膠所接受的輻照具有一定的分布。 以正膠為例，局部區(qū)域的光刻膠受到的曝光劑量小于Dc而大于Do，在顯影過程中只有局部溶解。因此經(jīng)過顯影之后留下的光刻膠的側(cè)面都會有一定的斜坡。 光刻膠的比照度越高，光刻膠層的側(cè)面越陡。光刻膠的側(cè)墻傾斜 由于線寬是通過測量光刻膠/襯底之上特定高度的線條間距得到的，光刻膠側(cè)面的陡度越好，線寬描述掩模尺寸的準(zhǔn)確度就越高。 最終的圖形轉(zhuǎn)移是經(jīng)過刻蝕完成的，而干法刻蝕在一定程度上對光刻膠也有侵蝕作用，所以陡峭的光刻膠可以減小刻蝕過程中的鉆蝕效應(yīng)，從而提高分辨率。 側(cè)墻傾斜對分辨

14、率的影響 采用調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)(MTF) 來描述曝光圖形的質(zhì)量，MTF的定義表達(dá)式為：Imax為曝光圖形上的最大輻照強(qiáng)度，Imin為最小輻照強(qiáng)度。定義光刻膠的臨界調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)為： 為了使曝光系統(tǒng)能夠得到要求的線條，對應(yīng)這些線條尺寸的調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)MTF就需要大于或等于所用的光刻膠的CMTF。 比照度與CMTF之間的關(guān)系為 如果曝光系統(tǒng)對各種線條的MTF，根據(jù)光刻膠比照度，可以計算這一系統(tǒng)可以形成的最小圖形尺寸。minmaxminmaxIIIIMTFococDDDDCMTF光刻膠11011011光刻膠ococDDDDCMTF調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)和臨界調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù) 在顯影過程中，如果顯影液滲透到光刻膠中，光刻膠

15、的體積就會膨脹，這將導(dǎo)致圖形尺寸發(fā)生變化，這種膨脹現(xiàn)象主要發(fā)生在負(fù)膠中。 由于負(fù)膠存在膨脹現(xiàn)象，對于光刻小于3m圖形的情況，根本使用正膠來代替負(fù)膠。正膠在顯影液中的溶解機(jī)制與負(fù)膠不同，不會發(fā)生膨脹，所以正膠的分辨率比負(fù)膠高。、光刻膠的膨脹、光刻膠的膨脹 光刻膠的光敏度是指完成所需圖形曝光的最小曝光劑量。 對于光化學(xué)反響，光敏度是由曝光效率參與光刻膠曝光的光子能量與進(jìn)入光刻膠中的光子能量的比值決定的。通常正膠比負(fù)膠有更高的曝光效率，因此正膠的光敏度也就比較大。提高光敏度可以減小曝光時間。 實際工藝中對光刻膠光敏度是有限制的。如果光刻膠的光敏度過高，室溫下就可能發(fā)生熱反響，這將使光刻膠的存儲時間減

16、少。此外，對光敏度高的正膠曝光時，每個像素點只需要得到少量的光子就可以完成曝光。而每個像素點上接收到的光子數(shù)受統(tǒng)計漲落影響，這就將對均勻曝光產(chǎn)生影響。、光敏度、光敏度 光刻膠的抗刻蝕能力是指在圖形轉(zhuǎn)移的過程中，光刻膠抵抗刻蝕的能力。 通常光刻膠對濕法刻蝕有比較好的抗刻蝕能力。 對于大局部的干法刻蝕，光刻膠的抗刻蝕能力比較差。DQN正膠對干法刻蝕有比較好的抗刻蝕能力，但光敏度會降低。 可以針對刻蝕中使用的刻蝕劑來改進(jìn)光刻膠的抗刻蝕能力，對于氯化物的刻蝕劑可以在光刻膠中添加氟化物來加強(qiáng)抗蝕能力。 大局部X射線和電子束光刻膠抗干法刻蝕的能力比光學(xué)光刻膠還差。 通常干法刻蝕的工作溫度比濕法腐蝕要高，這

17、就要求光刻膠能夠保證在工作溫度下的熱穩(wěn)定。一般光刻膠需要能夠經(jīng)受200以上的工作溫度。、抗刻蝕能力和熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和熱穩(wěn)定性 在刻蝕的過程中，如果光刻膠黏附不牢就會發(fā)生鉆蝕和浮膠，直接影響光刻的質(zhì)量，甚至使整個圖形喪失。 光刻膠附著問題在多晶硅、金屬層和高摻雜的SiO2層上最為明顯。影響光刻膠黏附性的因素有很多，襯底材料的性質(zhì)和外表圖形的情況以及工藝條件都會對光刻膠黏附性造成影響。 增強(qiáng)光刻膠與襯底外表之間的黏附方法有：在涂膠之前對硅片進(jìn)行脫水處理；使用HMDS或TMSDEA增黏劑；提高堅膜的循環(huán)溫度。另外，使用干法刻蝕可以降低對光刻膠黏著力的要求。、黏著力、黏著力 光刻膠是由溶劑溶解了

18、固態(tài)物質(zhì)(如樹脂)所形成的液體，其中溶解的固態(tài)物質(zhì)所占的比重稱為溶解度。 光刻膠的溶解度將決定甩膠后所形成的光刻膠膜的厚度以及光刻膠的流動性。 光刻膠的黏滯度與溶解度和環(huán)境溫度都有關(guān)系，并且黏滯度是影響甩膠后光刻膠膜厚的兩個因素之一(另一個為甩膠速度)。 只有嚴(yán)格控制涂膠和甩膠時的溶解度以及工作溫度，才能得到可重復(fù)的膠膜厚度。、溶解度和黏滯力、溶解度和黏滯力 光刻膠的純潔度與光刻膠中的微粒數(shù)量和金屬含量有關(guān)。通過嚴(yán)格的過濾和超凈包裝，可以得到高純度的光刻膠。 即使是高純度的光刻膠，使用前仍需要進(jìn)行過濾。因為隨著存儲時間的增加，光刻膠中的微粒數(shù)量還會繼續(xù)增加。 光刻膠的過濾通常是在枯燥的惰性氣體

19、(如氮氣)中進(jìn)行的，根據(jù)需要選擇過濾的級別，一般直徑在以上的微粒都需要除去。 光刻膠的金屬含量主要是指鈉和鉀在光刻膠中的含量。因為光刻膠中的鈉和鉀會帶來污染，降低器件的性能。通常要求光刻膠的金屬含量越低越好，特別是鈉需要到達(dá)50萬原子分之一。這種低濃度的鈉和鉀可以通過原子吸收光譜分光光度計來測量。、微粒數(shù)量和金屬含量、微粒數(shù)量和金屬含量 光刻膠中的成份會隨時間和溫度而發(fā)生變化。 如果保存在高溫的條件下，光刻膠會發(fā)生交叉鏈接。由于交叉鏈接的作用，DQN正膠中的高分子成份會增加，這時DQN感光劑不再可溶，而是結(jié)晶成沉淀物。 通常負(fù)膠的儲存壽命比正膠短(負(fù)膠易于自動聚合成膠化團(tuán))。 從熱敏性和老化情

20、況來看，DQN正膠在封閉條件下儲存是比較穩(wěn)定的。如果儲存得當(dāng)，DQN正膠可以保存六個月至一年。 采用適當(dāng)?shù)倪\輸和存儲手段，在特定的條件下保存以及使用前對光刻膠進(jìn)行過濾，這都有利于解決光刻膠的老化問題。、存儲壽命、存儲壽命、多層光刻膠工藝、多層光刻膠工藝 為了得到既薄可以提高分辨率而又致密保護(hù)下面的圖形的光刻膠層，采用多層光刻膠(MLR)技術(shù)。多層光刻膠(MLR)技術(shù)：采用性質(zhì)不同的多層光刻膠，分別利用其抗蝕性、平面平坦化等不同特性完成圖形的轉(zhuǎn)移。 在雙層光刻膠工藝中，頂層光刻膠經(jīng)過曝光和顯影后形成曝光圖形，在后續(xù)的刻蝕工藝中作為刻蝕掩蔽層；底層光刻膠用來在襯底上形成平坦化的平面，需要通過干法刻

21、蝕(氧等離子刻蝕)去掉。 MLR工藝雖然有很多優(yōu)點，但是增加了工藝的復(fù)雜性，不但降低了產(chǎn)量，而且可能增加缺陷和本錢。 如右圖所示，首先在硅片上甩上底層膠，保護(hù)襯底上的圖形，在起伏的襯底上形成平坦化的光刻膠平面。 經(jīng)過前烘之后，在底層膠上面再甩一層很薄的正膠，用來作為成像層。經(jīng)過曝光和顯影之后，在頂層膠中形成所需要的圖形。頂層膠中含有酐，經(jīng)過曝光后轉(zhuǎn)化為羧酸，而非曝光區(qū)中的酐被保存下來。 然后將硅片浸入到帶有氨基的硅氧烷溶液中，硅氧烷溶液中的氨基與未曝光的頂層膠中的酐反響，使硅氧烷中的硅原子保存在頂層膠中，頂層膠中約含有20-30的硅。、光刻膠圖形的硅化學(xué)增強(qiáng)、光刻膠圖形的硅化學(xué)增強(qiáng)(Si-CA

22、RL)工藝工藝 然后在氧氣氛中進(jìn)行干法刻蝕，頂層膠中的硅與氧反響，從面在頂層膠外表形成SiO2薄層。因此在刻蝕過程中，氧等離子只刻蝕沒有被頂層保護(hù)的底層光刻膠。經(jīng)過刻蝕之后，由頂層光刻膠保護(hù)的圖形被保存下來，轉(zhuǎn)移到底層光刻膠上去。 利用Si化學(xué)增強(qiáng)方法可以形成高寬比很大的圖形，還可以形成分辨率小于的圖形。 經(jīng)過甩膠和前烘之后，在光刻膠上甩上一層CEL薄膜，CEL薄膜通常是不透明的，在投影曝光系統(tǒng)中，通過掩膜板，透光區(qū)的CEL在強(qiáng)光作用下變?yōu)橥该?，光線通過透明區(qū)的CEL并對下面的光刻膠曝光。在對光刻膠曝光的過程中，不透光的CEL可以吸收衍射的光線。 由于CEL是直接與光刻膠接觸的，它的作用類似接

23、觸式曝光中的掩模版。因此，使用CEL就可以充分發(fā)揮投影曝光的優(yōu)點，同時又到達(dá)接觸式曝光的效果。 曝光之后，先通過濕法顯影除去CEL，再對光刻膠進(jìn)行顯影。、比照增強(qiáng)層、比照增強(qiáng)層CEL采用比照增強(qiáng)層可以增加分辨率 為了減少MLR所增加的工藝復(fù)雜性，選擇性地將硅擴(kuò)散到成像層中，稱為擴(kuò)散增強(qiáng)硅烷基化光刻膠工藝(DESIRE)。、硅烷基化光刻膠外表成像工藝、硅烷基化光刻膠外表成像工藝1、擴(kuò)散增強(qiáng)硅烷基化光刻膠工藝、擴(kuò)散增強(qiáng)硅烷基化光刻膠工藝光刻膠DNQ曝光，DNQ分解，形成隱性圖形。前烘，未曝光的DNQ形成交叉鏈接，不容易吸收硅。硅烷基化，高溫下將基片放在含硅的HMDS或TMDS中烘烤，硅擴(kuò)散進(jìn)入到曝

24、光區(qū)的光刻膠中。O2等離子體刻蝕，曝光區(qū)中的硅氧化形成抗刻蝕的二氧化硅，而未曝光的光刻膠被刻蝕。 由于是各向異性的刻蝕，光刻膠圖形的垂直效果很好。 通過DESIRE工藝形成的是負(fù)性的圖形曝光區(qū)留下。2、干法刻蝕正膠成像、干法刻蝕正膠成像(PRIME)工藝工藝 PRIME工藝能夠選擇性地形成正性的圖形。 在曝光的過程中，曝光區(qū)的感光劑發(fā)生分解的同時形成交叉鏈接，交叉鏈接的深度可以到達(dá)30nm。 然后由UV輻照代替前烘。UV輻照可以使未曝光區(qū)的感光劑分解，從而可使硅擴(kuò)散到這些未曝光的區(qū)域中，因此硅烷基化是在未曝光區(qū)進(jìn)行的。 經(jīng)過干法刻蝕光刻膠之后，就在光刻膠上形成了正性的掩膜圖形。、抗反射涂層工藝

25、、抗反射涂層工藝 曝光光波進(jìn)入到光刻膠層之后，如果沒有被完全吸收，就會有一局部光穿過光刻膠膜到達(dá)襯底外表，被襯底外表反射，又回到光刻膠中。 反射光與光刻膠中的入射光發(fā)生干預(yù)，形成駐波，駐波效應(yīng)在光刻膠中形成以/2n為間隔、強(qiáng)弱相間的曝光區(qū)域，如下圖。為曝光波長，n為光刻膠的折射率。、駐波效應(yīng)、駐波效應(yīng) 由于駐波的影響，光刻膠中光強(qiáng)的周期性變化，引起光刻膠中光吸收的不均勻，導(dǎo)致線寬發(fā)生變化，最終降低分辨率。襯底的強(qiáng)反射也會加重駐波效應(yīng)的影響。 為了改善駐波效應(yīng)，在光刻膠層外表或底部使用抗反射涂層(ARC)，同時在曝光后進(jìn)行烘焙(PEB)。曝光后烘焙：是在顯影之前進(jìn)行的，經(jīng)過曝光和曝光后烘焙，非曝

26、光區(qū)的感光劑會向曝光區(qū)擴(kuò)散，從而在曝光區(qū)與非曝光區(qū)的邊界形成了平均的曝光效果。 對于曝光以下的線條都需要使用上述技術(shù)，否那么以下的i線曝光是不可能實現(xiàn)的。駐波效應(yīng)使分辨率降低、底層抗反射涂層、底層抗反射涂層(BARC) BARC位于襯底和光刻膠之間，由高消光率的材料組成，可以吸收穿過光刻膠層的光線。光線入射到BARC與光刻膠的界面時，少局部被反射回光刻膠中，大局部進(jìn)入到BARC里。通過調(diào)整BARC的厚度，使透射光穿過BARC的過程中，形成/4的光程。進(jìn)入到BARC中的光，經(jīng)襯底外表反射后兩次通過BARC層，產(chǎn)生/2的光程，即產(chǎn)生180的相移。相移波與在BARC/光刻膠界面反射的光波發(fā)生干預(yù)，使

27、強(qiáng)度減弱甚至抵消。 如果BARC與入射光匹配良好，只有少量的光可以由光刻膠/BARC界面反射回光刻膠。同時，反射光的振幅減小，也會降低駐波效應(yīng)的影響。 使用BARC的代價是增加了工藝復(fù)雜性，且需要獨立的工序去除BARC。、紫外光曝光、紫外光曝光 紫外(UV)光源和深紫外(DUV)光源是目前工業(yè)上普遍應(yīng)用的曝光光源。、水銀弧光燈光源、水銀弧光燈光源 在248nm的KrF準(zhǔn)分子激光器被應(yīng)用到DUV光刻之前，光刻系統(tǒng)是使用高壓水銀燈作為光源。 汞燈內(nèi)部充有水銀氣體，在兩個電極之間施加高壓脈沖，脈沖將會使電極間的氣體電離，形成高壓水銀氣的弧光發(fā)射，發(fā)射一個特征光譜。如果在汞燈內(nèi)參加一定的氙氣，可以提高

28、波長為200300nm范圍的輸出能量。 右圖顯示了汞氣的發(fā)射光譜。在350450nm的UV光譜范圍內(nèi)，有三條強(qiáng)而銳利的發(fā)射線：i線(365nm)、h線(405nm)和g線(436nm)。 通過折射透鏡進(jìn)行別離，就可以得到單一波長的光線。、投影式照明系統(tǒng)、投影式照明系統(tǒng) 投影式照明系統(tǒng)的作用是收集從弧光燈中射出的光，并使收集的光通過掩模版投射到透鏡組的入射光孔中。光學(xué)收集系統(tǒng)：通常為拋物面或橢圓面的鏡子，盡可能多地將發(fā)射的光波引到需要曝光的硅片外表。過濾器：將其他波長光過濾，通過投影透鏡的就是曝光波長的光線。光線空間均勻：弧形燈發(fā)射光線的空間一致性不夠好，照明掩膜要求光強(qiáng)波動小于1。使用蜂窩狀透

29、鏡，產(chǎn)生小弧形燈的多重圖像，從多重圖像射出的光集合在一起，產(chǎn)生一個平均強(qiáng)度，這個平均強(qiáng)度要均勻很多。、準(zhǔn)分子激光、準(zhǔn)分子激光DUV光源光源DUV光刻系統(tǒng)中的光源是準(zhǔn)分子激光器：KrF準(zhǔn)分子激光器：可以產(chǎn)生波長為248nm的DUV光線，目前已經(jīng)成為光刻工藝中的主要光源，應(yīng)用于、和0.18m CMOS技術(shù)。ArF準(zhǔn)分子激光器：可以產(chǎn)生波長為193nm的DUV光線，應(yīng)用于 以下的CMOS工藝。 準(zhǔn)分子：是由一個惰性氣體原子和一個鹵素原子組成的特殊分子，這種分子只是在激發(fā)狀態(tài)下被約束在一起。如果其中一個或兩個原子處在激發(fā)態(tài)，就可以發(fā)生化學(xué)反響形成二聚物。準(zhǔn)分子發(fā)射DUV光：當(dāng)準(zhǔn)分子中的原子的狀態(tài)由激發(fā)

30、態(tài)衰變到基態(tài)時，二聚物就別離成兩個原子，在衰變的過程中，有DUV能量放射。準(zhǔn)分子激光原理準(zhǔn)分子激光原理KrF準(zhǔn)分子激光器：首先是等離子體中產(chǎn)生Kr+和F-離子，然后對Kr+和F-離子氣體施加高電壓的脈沖，使這些離子結(jié)合在一起形成KrF準(zhǔn)分子。在一些準(zhǔn)分子開始自發(fā)衰變之后，它們發(fā)射的光穿過含有準(zhǔn)分子的氣體時，就會鼓勵這些準(zhǔn)分子發(fā)生衰變。因此，準(zhǔn)分子激光以短脈沖形式發(fā)射，而不是連續(xù)地發(fā)射激光。只要充以足夠高的電壓，那么激發(fā)、脈沖和激光發(fā)射就會重復(fù)產(chǎn)生。、接近式曝光、接近式曝光接近式曝光裝置主要由四局部組成： 光源和透鏡系統(tǒng) 掩模版 硅片(樣品) 對準(zhǔn)臺 汞燈發(fā)射的紫外光由透鏡變成平行光，平行光通過

31、掩模版后在光刻膠膜上形成圖形的像。 掩模版與硅片之間有一小的間隙s，一般為5m，故稱為接近式曝光。 在節(jié)中我們知道，光學(xué)曝光的最高分辨率為1/。但在接近式曝光系統(tǒng)中，由于掩模版和硅片間有一小間隙s，必須考慮這種情況下衍射對分辨率的限制。 經(jīng)過分析，如果像與掩膜版尺寸相同，沒有畸變，那么接近式曝光系統(tǒng)的最小線寬為 因此分辨率為 假設(shè)s=5m，=400nm，那么a=2 m，R=250線對。 實際s5m，因此接近式曝光只能用于3 m以上的工藝。sa4 . 1sR8 . 21接近式曝光的分辨率接近式曝光的分辨率、接觸式曝光、接觸式曝光 接觸式曝光系統(tǒng)與接近式相同，唯一的區(qū)別是掩模版與硅片是緊密接觸，因

32、此接觸式曝光的分辨率優(yōu)于接近式曝光。 接觸式是集成電路研究與生產(chǎn)中最早采用的曝光方法，但目前已處于被淘汰淘汰的地位，主要原因是掩模版和硅片緊密接觸容易引入大量的工藝缺陷，成品率太低。、投影光刻、投影光刻投影光刻系統(tǒng)如下圖： 光源光線經(jīng)透鏡后變成平行光 通過掩模版 由第二個透鏡系統(tǒng)聚焦投影并在硅片上成像 硅片支架和掩模版間有一對準(zhǔn)系統(tǒng)投影曝光系統(tǒng)的分辨率：主要是受衍射限制。透鏡系統(tǒng)能夠分辨的最小間隔y為： NA為透鏡系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，一般為。假設(shè)， = 400 nm，那么y = 0.61 m。投影光刻可以到達(dá)亞微米水平。投影光刻已成為3m以下的主要光刻方法。NAy61. 0投影曝光系統(tǒng)的分辨率及優(yōu)

33、點、離軸照明、離軸照明 離軸照明技術(shù)在不改變工作波長、投影物鏡的數(shù)值孔徑與光刻膠工藝的條件下，就能提高光刻分辨率，優(yōu)化焦深，因而得到了廣泛應(yīng)用。 對于數(shù)值孔徑一定的投影物鏡，當(dāng)光柵周期太小時，在同軸照明情況下，1級及更高階衍射光都被物鏡的光闌遮擋，只有0級衍射光進(jìn)入物鏡，0級衍射光不包含任何空間信息，硅片上不能形成掩模的圖像。如果采用離軸照明的光線，如圖(b)所示，0級和-1級衍射光都可能進(jìn)入成像系統(tǒng)的光瞳，-1級衍射光包含了掩模圖形的空間信息，能在硅片上得到掩模圖像。因此離軸照明分辨率更高。離軸照明提高光刻分辨率離軸照明提高光刻分辨率焦深：焦點深度，當(dāng)焦點對準(zhǔn)某一物體時，不僅位于該點平面上的

34、各點都可以看清楚，而且在此平面的上下一定厚度內(nèi)，也能看得清楚，這個清楚局部的厚度就是焦深。 焦深大, 可以看到物體的全層，焦深小，那么只能看到物體的一薄層，焦深與其它技術(shù)參數(shù)有以下關(guān)系：1焦深與物鏡的數(shù)值孔鏡成反比，2焦深大，分辨率降低。 離軸照明條件下，參與成像的0級與-1級衍射光的夾角小于傳統(tǒng)照明條件下成像的 1級衍射光之間的夾角。因此要實現(xiàn)相同的光刻分辨率，離軸照明需要較小的NA。由上式可知，與傳統(tǒng)照明相比，離軸照明提高了焦深。22)(NAkDOF離軸照明增大焦深離軸照明增大焦深、擴(kuò)大調(diào)焦范圍曝光、擴(kuò)大調(diào)焦范圍曝光 擴(kuò)大調(diào)焦范圍曝光(FLEX, Focus Latitude Enhanc

35、ement Exposure )，主要適用于曝光接觸孔或通孔時擴(kuò)展焦深，同時也可以用于曝光硅片外表不平坦引起外表隨機(jī)變化的區(qū)域。FLEX也稱為焦點鉆孔技術(shù)。 曝光視場中存在兩個焦點，一個位于光刻膠膜中點，一個接近光刻膠膜的頂部外表，每個接觸孔形成兩個重置的像，一個在焦點上，一個在焦點外，焦點外的像可以在一個寬敞的區(qū)域上伸展，其只對焦點上的像產(chǎn)生模糊的背景效果。通過選擇曝光焦點可以提高接觸孔的聚集深度3至4倍。、化學(xué)增強(qiáng)的深紫外光刻膠、化學(xué)增強(qiáng)的深紫外光刻膠 對于以下的工藝，需要采用深紫外光源，由于樹脂和DQN對紫外光的250nm波長都存在強(qiáng)吸收，在DUV區(qū)不能很好地使用，這就需要使用化學(xué)增強(qiáng)(

36、CA)的光刻膠材料。 CA光刻膠的優(yōu)點： 相對較高的光敏度； 相比于DQN/樹脂光刻膠，CA膠的比照度也較高。 對于的工藝，通常會使用混合的光學(xué)曝光技術(shù)，包括使用i線和248nm的DUV曝光(使用單層的CA光刻膠)。 當(dāng)器件尺寸到達(dá)時，就需要完成由i線到248nm深紫外光源的過渡。通過采用相轉(zhuǎn)移技術(shù)和多層光刻膠技術(shù)，248nm的光刻將會廣泛應(yīng)用到小尺寸器件的制備中去。 下一代193nm的光刻所需要的光刻膠，依然依賴于CA膠。 制作一個完整的ULSI芯片需要20-25塊不同圖形的掩膜版。 傳統(tǒng)光刻掩膜版是在石英板上淀積一層鉻，用電子束或激光束將圖形直接刻在鉻層上，形成1X或4X、5X的掩膜版。、

37、掩模板的制造、掩模板的制造石英玻璃的熱擴(kuò)散系數(shù)小，使石英玻璃板在掩模版刻寫過程中受溫度變化的影響較小。石英玻璃對248nm和193nm波長的通透效果是最好的。、石英玻璃板、石英玻璃板、鉻層、鉻層 在石英玻璃片上淀積一層鉻(Cr)，掩膜圖形最終就是在鉻膜上形成的。選擇鉻膜是因為鉻膜的淀積和刻蝕都比較容易，而且對光線完全不透明。 在鉻膜的下方還要有一層由鉻的氮化物或氧化物形成的薄膜，增加鉻膜與石英玻璃之間黏附力。 在鉻膜的上方需要有一層的20nm厚的Cr2O3抗反射層。 這些薄膜都是通過濺射法制備的。、掩模板的保護(hù)層、掩模板的保護(hù)層 為了防止在掩模版上形成缺陷，需要用保護(hù)膜將掩模版的外表密封起來，

38、這樣就可以防止掩模版遭到空氣中微粒以及其他形式的污染。 保護(hù)膜的厚度需要足夠薄，以保證透光性，同時又要耐清洗，還要求保護(hù)膜長時間暴露在UV射線的輻照下，仍然能保持它的形狀。 目前所使用的材料包括硝化纖維素醋酸鹽和碳氟化合物形成的保護(hù)薄膜厚度為l2m。 有保護(hù)膜的掩模版可以用去離子水清洗，這樣可以去掉保護(hù)膜上大多數(shù)的微粒，然后再通過弱外表活性劑和手工擦洗，就可以完成對掩模版的清潔。、移相掩模、移相掩模PSM 當(dāng)圖形尺寸縮小到深亞微米，通常需要使用移相掩膜(Phase-Shift Mask)技術(shù)。移相掩膜與準(zhǔn)分子激光源相結(jié)合，可以使光學(xué)曝光技術(shù)的分辨能力大為提高。 移相掩膜的根本原理是在光掩模版的

39、某些圖形上增加或減少一個透明的介質(zhì)層，稱移相器，使光波通過這個介質(zhì)層后產(chǎn)生180的相位差，與鄰近透明區(qū)域透過的光波產(chǎn)生干預(yù)，從而抵消圖形邊緣的光衍射效應(yīng)，提高曝光的分辨率。圖，移相層材料有兩類：有機(jī)膜，以光刻膠為主，如聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA膠)；無機(jī)膜，如二氧化硅。、X射線曝光射線曝光X射線源：射線源：用高能電子束轟擊金屬靶，當(dāng)高能電子撞擊靶時將損失能量，激發(fā)原子核內(nèi)層電子的躍遷，當(dāng)這些激發(fā)電子落回到基態(tài)時，將發(fā)射X射線。這些X射線形成分立的線譜，其能量取決于靶材料。 X射線源必須在真空下工作，因此X射線必須透過窗口進(jìn)入到常壓氣氛中進(jìn)行曝光。窗口材料對X射線吸收要盡量少，鈹鈹是常用的窗口材

40、料。 X射線的波長一般選在2-40，即軟X射線區(qū)。、X射線曝光系統(tǒng)射線曝光系統(tǒng) 目前集成電路中的光刻技術(shù)已經(jīng)到達(dá)m，已接近光學(xué)光刻的極限。替代光學(xué)光刻的主要有X射線光刻和電子束光刻。、圖形的畸變、圖形的畸變 在X射線曝光系統(tǒng)中，X射線的波長小于40，故衍射對分辨率的影響只有當(dāng)線寬小于20時才明顯。因此當(dāng)圖形尺寸大于20，而小于1m 時，引起圖形畸變和影響分辨率的主要原因不是衍射，而是半陰影和幾何畸變。圖形畸變的原因：圖形畸變的原因：電子束轟擊金屬靶所產(chǎn)生的X射線，沒有簡單的反射鏡和透射鏡能夠使它變成平行光，實際是發(fā)散型的點光源。從圖中可以看出半陰影為 DdS其中S是掩模版與樣品的距離，d是靶斑

41、尺寸，D是光源到掩模版的距離。D大那么單位面積上接收到的X射線劑量變小，曝光時間加長；d小對有利，但靶斑尺寸減小是非常困難的。在實際應(yīng)用中通常是采用折衷的方法，以得到最正確的。 半陰影半陰影 當(dāng)樣品上曝光位置偏離X射線束的軸心時，入射X射線與硅片外表法線有一傾角，不同位置傾角不同，因此產(chǎn)生了幾何偏差x：其中W是硅片曝光位置偏離X射線束軸心的距離，假設(shè)在硅片的邊上，即W等于硅片的半徑Wr，相應(yīng)的偏差是最大幾何偏差xm：樣品與掩模版的間隙S也會引入幾何偏差，樣品外表不是絕對平面，存在加工偏差引起的隨機(jī)起伏和屢次光刻引起的有規(guī)那么的圖形起伏，這些因素引起的幾何偏差dx為其中dS為硅片起伏不平引起的S

42、的變化量。如果要求dx最大變化量dxm，那么可以允許的dS的相應(yīng)變化dSm1.05m 。在4英寸的硅片平面上起伏變化量1m是非常高的技術(shù)要求。DWSxDWSxrmDWdSdx幾何畸變幾何畸變、X射線光源射線光源在X射線曝光中，對X射線源的要求主要有：輻射功率高，使X射線曝光時間小于60秒；X射線源的尺寸d直接影響半陰影和幾何畸變，為了滿足高分辨率的需要，要求X射線源的尺寸小于1mm：X射線的能量要求在1-10keV，使X射線對掩模版中的透光區(qū)有較好的透過率，從而滿足掩模反差大的要求；使用平行光源，X射線難以聚集，光源發(fā)射X射線的形式?jīng)Q定了X射線到達(dá)硅片的形式。X射線光源：電子轟擊固體靶形成的X

43、射線光源和等離子體源，根本是點光源。同步輻射X射線光源近乎平行發(fā)射，因此目前被廣泛關(guān)注。、X射線曝光的掩模版射線曝光的掩模版 波長在2-40之間時，低原子序數(shù)的輕元素材料(如氮化硅、氮化硼、鈹?shù)?對X射線吸收較弱，而高原子序數(shù)的重元素材料(如金)對X射線的吸收很強(qiáng)，所以可通過適當(dāng)?shù)倪x擇制成掩模版。這是X射線曝光時，波段選擇在2-40的一個重要原因。 X射線光刻要在掩模版上形成可透X射線區(qū)和不透X射線區(qū)，從而形成曝光圖形。 通常采用LPCVD方法沉積低原子序數(shù)的輕元素材料膜(如氮化硅)來形成透光的薄膜襯底。吸收體層那么采用常規(guī)的蒸發(fā)、射頻濺射或電鍍等方法形成。 X射線吸收體圖形的加工，一般由電子

44、束掃描光刻和干法刻蝕、精細(xì)電鍍等圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)來實現(xiàn)。 在X射線掩模版的根本結(jié)構(gòu)中，用于薄膜襯底的材料主要有硅、氮化硅、碳化硅、金剛石等，而吸收體材料除廣泛使用的金之外，還有鎢、鉭、鎢-鈦等。、X射線光刻膠射線光刻膠 由于X射線具有很強(qiáng)的穿透能力，深紫外曝光用的光刻膠對X射線光子的吸收率很低，只有少數(shù)入射的X射線能對光化學(xué)反響做奉獻(xiàn)，因此深紫外光刻膠在X射線波段的靈敏度非常低。 提高X射線光刻膠靈敏度的主要方法是，在光刻膠合成時添加在特定波長范圍內(nèi)具有高吸收峰的元素，從而增強(qiáng)光化學(xué)反響，提高光刻膠的靈敏度。、電子束直寫式曝光、電子束直寫式曝光 電子束直寫式曝光技術(shù)可以完成0.10.25m的超微細(xì)

45、加工，甚至可以實現(xiàn)數(shù)十納米線條的曝光。目前，電子束曝光技術(shù)已廣泛地應(yīng)用于制造高精度掩模版、移相掩膜和X射線掩模版的過程中。 電子束曝光的原理是利用具有一定能量的電子與光刻膠的碰撞作用，發(fā)生化學(xué)反響完成曝光。 具有一定能量的電子束進(jìn)入光刻膠，與光刻膠發(fā)生碰撞時，主要有三種情況：電子束穿過光刻膠層，既不發(fā)生方向的變化也沒有能量的損失； 電子束與光刻膠分子發(fā)生彈性散射，方向發(fā)生改變，但不損失能量； 電子束與光刻膠分子發(fā)生非彈性散射，方向改變，且有能量損失。 電子進(jìn)入光刻膠之后發(fā)生的彈性散射，是由于電子受到核屏蔽電場作用而引起的方向偏轉(zhuǎn)，絕大多數(shù)情況下偏轉(zhuǎn)角小于90。在非彈性散射的情況下，散射角與入射

46、電子的能量損失有關(guān)。一般來說經(jīng)過散射之后，電子束散開的距離約為入射深度的一半。、鄰近效應(yīng)、鄰近效應(yīng) 電子在光刻膠中發(fā)生散射，可以將散射分為前向散射和背散射，前向散射的散射方向與電子束入射方向的夾角很小，只導(dǎo)致曝光圖形的輕微展寬。 背散射將使大面積的光刻膠層發(fā)生程度不同的曝光，最終使大面積的圖形模糊，因此造成電子束曝光所形成的圖形出現(xiàn)畸變，這種效應(yīng)稱為鄰近效應(yīng)。鄰近效應(yīng)可分為兩種情況： 因增強(qiáng)曝光引起圖形的凸起； 因減弱曝光引起圖形的缺損。 從圖中的A點入射的電子不僅對A點本身起曝光作用，而且散射電子還會對A點周圍區(qū)域的曝光也做出奉獻(xiàn)。同樣，入射到A點周圍區(qū)域的電子，因散射也會提供能量給A點，促

47、進(jìn)A點的曝光。 如果各點以同樣電子束照射，A點剛好到達(dá)閾值能量完成化學(xué)反響，對于處在邊緣的B點來說，散射電子對B點所奉獻(xiàn)的能量相當(dāng)于A點的1/2，B點就會顯得曝光不充分，從而出現(xiàn)邊界內(nèi)移。對于C點，它只接受相當(dāng)于A點1/4的散射電子，因而曝光的情況比B點還差。 由于電子散射的影響，造成圖形畸變，兩個相鄰圖形之間會凸出。 為了克服電子散射引起的圖形畸變，在電子束曝光中，通過選擇電子束的能量、光刻膠的膜厚和曝光劑量，可以在一定程度上克服電子散射引起的圖形畸變問題。、電子束曝光系統(tǒng)、電子束曝光系統(tǒng) 目前電子束曝光系統(tǒng)主要有以下幾類： 1. 改進(jìn)的掃描電鏡(SEM)：是從電子顯微鏡演變過來的，通過對電

48、子束進(jìn)行聚焦，從而在光刻膠上形成圖形。其分辨率取決于所選用的SEM，由于其工作臺的移動較小，一般只適用于研究工作。 2. 高斯掃描系統(tǒng)：通常有兩種掃描方式：光柵掃描系統(tǒng)，采用高速掃描方式對整個圖形場進(jìn)行掃描，利用快速束閘，實現(xiàn)選擇性曝光；矢量掃描方式，只對需曝光的圖形進(jìn)行掃描，沒有圖形局部快速移動。分辨率可以到達(dá)幾納米。 3. 成型束系統(tǒng)：在成型束系統(tǒng)中，需要在曝光前將圖形分割成矩形和三角形，通過上下兩直角光闌的約束形成矩形束。成型束的最小分辨率一般大于100nm，但曝光效率高。、有限散射角投影式電子束曝光、有限散射角投影式電子束曝光(SCALPEL) 有限散射角投影式電子束曝光技術(shù)采用散射式

49、掩膜技術(shù)。 掩模版由原子序數(shù)低的SiNx薄膜和原子序數(shù)高的Cr/W組成，電子在SiNx薄膜發(fā)生小角度散射，而在Cr/W中電子會大角度散射。 處于投影系統(tǒng)的背焦平面上的光闌可以將大角度散射的電子過濾掉，從而在光刻膠上形成高比照度的圖形。、ULSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求對圖形轉(zhuǎn)移的要求 在光刻工藝中，經(jīng)過曝光和顯影之后，在光刻膠層中形成圖形結(jié)構(gòu)，通過刻蝕可以在光刻膠下方的材料上重現(xiàn)出與光刻膠上相同的圖形，實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移。 隨著超大規(guī)模集成技術(shù)的開展，圖形加工的線條寬度越來越細(xì)，對轉(zhuǎn)移圖形的重現(xiàn)精度和尺寸的要求也越來越高。 目前在集成電路工藝中應(yīng)用的刻蝕技術(shù)主要包括：液態(tài)的濕法腐蝕和氣態(tài)的干法刻蝕。、圖形

50、的保真度、圖形的保真度 經(jīng)過腐蝕之后圖形，通常呈現(xiàn)為三種情況，設(shè)縱向腐蝕速率為Vv、側(cè)向腐蝕速率為Vl。 圖(a)，Vl =0，腐蝕只沿縱向進(jìn)行，為各向異性腐蝕。 圖(b)和(c)，在縱向腐蝕的同時，側(cè)向也進(jìn)行了腐蝕。假設(shè)Vv = Vl ，為各向同性腐蝕。 在一般的腐蝕過程中， VvVl0，實際腐蝕是不同程度的各向異性，用A表示腐蝕的各向異性的程度： 如果用被腐蝕層的厚度h和圖形側(cè)向展寬量df-dm來代替縱向和橫向的腐蝕速率，那么上式可改寫為假設(shè)df-dm=0時，A1，表示圖形轉(zhuǎn)移過程產(chǎn)沒有失真；假設(shè)df-dm2h， A0，表示圖形失真情況嚴(yán)重，即各向同性腐蝕；通常 0 A 1。vlVVA1h

51、dmdfA21、選擇比、選擇比 在實際的腐蝕過程中，掩模和襯底也會被腐蝕，為了嚴(yán)格控制每一層腐蝕圖形的轉(zhuǎn)移精度，同時防止對其他各層材料的腐蝕，需要控制不同材料的腐蝕速率。 選擇比是指兩種不同材料在腐蝕的過程中被腐蝕的速率比。通?？梢杂眠x擇比來描述圖形轉(zhuǎn)移中各層材料的相互影響。、均勻性、均勻性 在ULSI中要腐蝕的硅片尺寸通常大于150mm，而被腐蝕的圖形尺寸一般小于微米量級。硅片上薄膜的厚度存在起伏，且同一硅片不同部位的腐蝕速率也不同，這些因素都會造成腐蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。 假設(shè)要腐蝕的薄膜平均厚度為h，各處厚度的變化因子為0 1；腐蝕的平均速度為V，各處腐蝕速率的變化因子為10?？紤]極限情況

52、：最厚處用最小腐蝕速率腐蝕，時間為tmax，最薄處用最大腐蝕速率腐蝕，時間為tmin，那么有 如果以tmin為腐蝕時間，那么厚膜部位未腐蝕盡；假設(shè)延長腐蝕時間，這將造成較薄部位的過刻蝕，影響圖形轉(zhuǎn)移精度。 為了獲得理想的腐蝕，控制腐蝕的均勻性，同時減少過刻非常重要。)1 ()1 (,)1 ()1 (minmaxVhtVht、刻蝕的清潔、刻蝕的清潔 ULSI的圖形非常精細(xì)，在腐蝕過程中如果引入玷污，既影響圖形轉(zhuǎn)移的精度，又增加了腐蝕后清洗的復(fù)雜性和難度。 防止玷污是腐蝕的一個重要要求。、濕法腐蝕、濕法腐蝕濕法腐蝕：通過腐蝕溶液與被腐蝕薄膜進(jìn)行化學(xué)反響，除去沒有被光刻膠保護(hù)的薄膜。 優(yōu)點：工藝簡單

53、；腐蝕的選擇性較高。 缺點：各向同性的腐蝕，存在側(cè)向腐蝕。控制濕法腐蝕的主要參數(shù)包括：腐蝕溶液的濃度腐蝕的時間反響溫度溶液的攪拌方式等。、Si的濕法腐蝕的濕法腐蝕 濕法腐蝕硅時，一般采用強(qiáng)氧化劑對硅進(jìn)行氧化，然后利用HF酸與SiO2反響去掉SiO2 ，從而到達(dá)對硅的腐蝕目的。 最常用的腐蝕溶液是硝酸與氫氟酸和水(或醋酸)的混合液。 化學(xué)反響方程式為： 在腐蝕液中，水是做為稀釋劑，但最好用醋酸，醋酸可以抑制硝酸分解，使硝酸的濃度維持在較高的水平2226236HOHHNOSiFHHFHNOSi 對于金剛石或閃鋅礦結(jié)構(gòu)，(111)面的原子比(100)面排得更密，因而(111)面的腐蝕速度比(100)

54、面的腐蝕速度小。經(jīng)過腐蝕的Si膜結(jié)構(gòu)如圖：(a)采用SiO2層做為掩模對(100)晶向的硅進(jìn)行腐蝕，可以得到V形的溝槽結(jié)構(gòu)。如果SiO2上的圖形窗口足夠大，或者腐蝕的時間比較短，可以形成U形的溝槽。(b)如果被腐蝕的是(110)晶向的硅片，那么會形成根本為直壁的溝槽，溝槽的側(cè)壁為(111)面。晶向?qū)Ωg速率的影響、SiO2的濕法腐蝕的濕法腐蝕 SiO2的濕法腐蝕可以使用氫氟酸(HF)做為腐蝕劑，其反響方程式為 在反響過程中，HF不斷消耗，因此反響速率隨時間的增加而降低。通常在腐蝕液中參加氟化氨作為緩沖劑，氟化氨分解產(chǎn)生HF，維持HF的恒定濃度。 在集成電路工藝中，除了需要對熱氧化和CVD等方式

55、得到的SiO2進(jìn)行腐蝕外，還需要對磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)等進(jìn)行腐蝕。因為組成成份不同，氫氟酸對這些SiO2的腐蝕速率也不一樣，以熱氧化方式生成的二氧化硅的腐蝕速率最慢。 Si3N4可以使用加熱的磷酸(130150)來進(jìn)行腐蝕。226226HOHSiFHFSiO、Si3N4的濕法腐蝕的濕法腐蝕、干法刻蝕技術(shù)、干法刻蝕技術(shù)干法刻蝕：利用等離子體激活的化學(xué)反響或者是利用高能離子束轟擊去除物質(zhì)的方法。、干法刻蝕的原理、干法刻蝕的原理干法刻蝕特點： 各向異性，縱向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于橫向的刻蝕速率； 離子對光刻膠和無保護(hù)的薄膜同時進(jìn)行刻蝕，選擇性比濕法腐蝕差。等離子體刻蝕：利用輝光放電產(chǎn)

56、生的活性粒子與需要刻蝕的材料發(fā)生化學(xué)反響形成揮發(fā)性產(chǎn)物完成刻蝕。具有比較好的選擇性，各向異性相對較差。濺射刻蝕：高能離子轟擊需要刻蝕的材料外表，通過濺射的物理過程完成刻蝕。具有比較好的各向異性，但選擇性相對較差。反響離子刻蝕(RIE) ：介于濺射刻蝕與等離子刻蝕之間的刻蝕技術(shù)，同時利用了物理濺射和化學(xué)反響的刻蝕機(jī)制?？梢造`活地選取工作條件以求獲得最正確的刻蝕效果，同時具有較好的選擇性和各向異性。目前，在集成電路工藝中廣泛使用的是反響離子刻蝕技術(shù)。 干法刻蝕的分類、二氧化硅和硅的干法刻蝕、二氧化硅和硅的干法刻蝕 在ULSI工藝中對二氧化硅的刻蝕通常是在含有氟化碳的等離子體中進(jìn)行。早期刻蝕使用的氣

57、體為四氟化碳(CF4)，現(xiàn)在使用比較廣泛的反響氣體有CHF3，C2F6，SF6和C2F8，其目的都是用來提供碳原子及氟原子與SiO2進(jìn)行反響。 CF4的反響為：)(4)(4)(424234氣氣游離基SiFFSiOSiFFSiOeFCFeCF使用CF4對SiO2進(jìn)行刻蝕時，刻蝕完SiO2之后，會繼續(xù)對硅進(jìn)行刻蝕。 為了解決這一問題，在CF4等離子體中通常參加一些附加的氣體成份，這些附加的氣體成份可以影響刻蝕速度、刻蝕的選擇性、均勻性和刻蝕后圖形邊緣的剖面效果。 在使用CF4對硅和SiO2進(jìn)行等離子刻蝕時，氟與SiO2反響的同時，還與CFx原子團(tuán)(x3)結(jié)合而消耗掉，造成氟原子的穩(wěn)態(tài)濃度比較低，刻

58、蝕速率較慢。 如果參加適量的氧氣，氧氣也同樣被電離，氧可與CFx原子團(tuán)反響，造成CFx原子團(tuán)耗盡，減少了氟原子的消耗，使F/C原子比增加，加快SiO2刻蝕速度。 在氧組分到達(dá)臨界值之后，繼續(xù)增加氧的組分，由于氟原子濃度被氧沖淡，刻蝕速度下降。 刻蝕硅時，臨界氧組分只有12%，氧組分繼續(xù)增加，刻蝕速率下降比SiO2更快。這是由于氧原子傾向于吸附在Si的外表上，阻擋了氟原子參加反響。隨著更多氧的吸附，對Si的刻蝕影響加劇。 參加適量的氧氣 在CF4等離子體中參加氫氣，隨氫組分增加：參加適量的氫氣 SiO2的刻蝕速度緩慢減小，持續(xù)到氫的組分到達(dá)40%； Si的刻蝕速度迅速減小，當(dāng)氫的組分大于40%時

59、，對Si的刻蝕停止。在CF4等離子體中參加適量的氫氣，可以增強(qiáng)SiO2/Si刻蝕的選擇性。 如果F/C比較高(添加氧氣)，其影響傾向于加快刻蝕。 如果F/C比較低(添加氫氣)，刻蝕過程傾向于形成高分子聚合物薄膜。在CF4等離子體中添加氣體成份，影響等離子體內(nèi)F/C原子比。目前集成電路的干法刻蝕工藝中，通常目前集成電路的干法刻蝕工藝中，通常CHF3等離子體進(jìn)行等離子體進(jìn)行SiO2的刻蝕，的刻蝕，參加少量氧來提高刻蝕速度。參加少量氧來提高刻蝕速度。、Si3N4的干法刻蝕的干法刻蝕在ULSI工藝中，Si3N4的用途主要有兩種：一是在SiO2層上面，通過LPCVD淀積Si3N4，做為氧化或擴(kuò)散的掩蔽層

60、，不成為器件的組成局部?？梢圆捎肅F4等離子刻蝕。另一種是通過PECVD淀積Si3N4做為器件保護(hù)層。這層Si3N4在經(jīng)過光刻和干法刻蝕之后， Si3N4下面的金屬化層露出來，形成器件的壓焊點，然后進(jìn)行測試和封裝?？梢圆捎肅F4-O2等離子體進(jìn)行刻蝕。 實際上用于刻蝕SiO2的方法，都可以用來刻蝕Si3N4 。由于Si-N鍵的結(jié)合能介于Si-O鍵與Si-Si鍵之間，所以Si3N4的刻蝕速度在刻蝕SiO2和刻蝕Si之間。因此，Si3N4/ SiO2 的刻蝕選擇性比較差。、多晶硅與金屬硅化物的干法刻蝕、多晶硅與金屬硅化物的干法刻蝕 集成電路中一般采用polycide多晶硅/難熔金屬硅化物多層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)