軟件工程畢業(yè)設(shè)計(jì)

1、 題目：四方火花塞診斷與配置芯片測(cè)試軟件的設(shè)計(jì) subject: qsdd chip test design of software 摘 要本文針對(duì)delphi delco電子系統(tǒng)中的qsdd產(chǎn)品的測(cè)試特性應(yīng)用進(jìn)行研究，并對(duì)其生產(chǎn)過(guò)程中的最終測(cè)試程序進(jìn)行設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品是在dts（dedicated test systems）半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)下進(jìn)行測(cè)試的。該設(shè)計(jì)對(duì)提高其測(cè)試性能，縮短測(cè)試時(shí)間，提高企業(yè)利潤(rùn)等都有著十分重要的意義。關(guān)鍵詞：qsdd；dts測(cè)試系統(tǒng)；idqq測(cè)試技術(shù)；半導(dǎo)體測(cè)試abstractthis paper is mainly about researching the appli

2、cations of testing characteristics of delphi delco in the electronic system qsdd. the final testing code during the product procedure is designed. this product is tested in the dts(dedicated test systems). this design will enhance the testing performance, reduce the testing time, and enhance the ent

3、erprise profit.key words：qsdd; dts system; idqq testing system;semi-conductor testing 目 錄一 緒論1二 qsdd產(chǎn)品的測(cè)試特性32.1 delphi與delphi delco 電子系統(tǒng)32.2 qsdd的含義32.3 qsdd產(chǎn)品測(cè)試特性32.3.1 運(yùn)行條件32.3.2 電性要求及模塊描述42.3.3 qsdd芯片功能模塊描述62.3.4 直流dc特性92.3.5 交流ac特性112.4 測(cè)試的電性操作要求12三 dts芯片測(cè)試系統(tǒng)133.1 芯片測(cè)試時(shí)刻及測(cè)試對(duì)象133.2 芯片測(cè)試使用的儀器143.2

4、.1 測(cè)試系統(tǒng)153.2.2 測(cè)試板153.2.3 測(cè)試機(jī)163.3 dts測(cè)試系統(tǒng)硬件組成163.3.1 dts測(cè)試系統(tǒng)外部資源163.3.2 dts測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)部資源173.4 測(cè)試系統(tǒng)軟件組成213.4.1 dts操作界面213.4.2 測(cè)試程序構(gòu)成21四 qsdd測(cè)試軟件設(shè)計(jì)244.1 qsdd芯片測(cè)試模試選擇的編寫(xiě)254.2 對(duì)繼電器驅(qū)動(dòng)(relay drivers)部分的編寫(xiě)264.3 qsdd芯片引腳短路/斷路測(cè)試274.3.1 短路/斷路測(cè)試原理274.3.2 qsdd opens/shorts測(cè)試284.4 對(duì)qsdd交直流參數(shù)的測(cè)試304.4.1 qsdd中使用的iddq技術(shù)

5、304.4.2 iddq測(cè)試的效果分析324.4.3 qsdd交直流測(cè)試32結(jié) 束 語(yǔ)34參考文獻(xiàn)35附 錄36ii 一 緒論社會(huì)信息化和互聯(lián)網(wǎng)正在對(duì)人類經(jīng)濟(jì)和社會(huì)生活產(chǎn)生革命性影響，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則是互聯(lián)網(wǎng)和信息化的基礎(chǔ)與核心。從經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的角度來(lái)講，半導(dǎo)體工業(yè)是制造業(yè)中領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)，是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整的決定性因素，也是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)和糧食。另外，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)已形成一定基礎(chǔ)，半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體測(cè)試軟件設(shè)計(jì)人才潛力巨大，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要條件。隨著電子科技的發(fā)展，半導(dǎo)體在現(xiàn)代社會(huì)中越來(lái)越占據(jù)著不可替代的作用，而半導(dǎo)體測(cè)試是半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中不可或缺的步驟，測(cè)試過(guò)程的優(yōu)化對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)

6、降低成本，提高企業(yè)利潤(rùn)起到很重要的作用。與此同時(shí)，納米電子學(xué)、光電子學(xué)等領(lǐng)域的相關(guān)研究正在蓬勃開(kāi)展，相關(guān)新材料、新器件的探索不斷取得成果對(duì)半導(dǎo)體科學(xué)的研究提出了更高的要求，這些研究的不斷深入、彼此之間的交叉融合以及與微電子學(xué)的交叉融合，將會(huì)不斷推動(dòng)半導(dǎo)體科學(xué)的發(fā)展。同時(shí)也給現(xiàn)有的測(cè)試技術(shù)和測(cè)試儀帶來(lái)了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。在90年代，亞微米技術(shù)（sub micron）對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。由于產(chǎn)品的外觀越來(lái)越小，芯片上引線觸點(diǎn)間距越來(lái)越小，制造工藝也發(fā)生著變化，隨之產(chǎn)生了很多新的技術(shù)難題，其中包括：1對(duì)影響工藝過(guò)程的所有參數(shù)進(jìn)行判斷歸納；2對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化等。參數(shù)的不準(zhǔn)確對(duì)測(cè)試程序的編寫(xiě)

7、提出了更高的要求?？蛻魧?duì)產(chǎn)品缺陷也越發(fā)敏感，客戶期望得到好的產(chǎn)品，所以每個(gè)產(chǎn)品都必須檢測(cè)。目前在電子組裝測(cè)試領(lǐng)域中使用的測(cè)試技術(shù)種類繁多，常用的有手工視覺(jué)檢查(manual visual inspection ，簡(jiǎn)稱mvi)、在線測(cè)試（in-circuit tester，簡(jiǎn)稱ict）、自動(dòng)光學(xué)測(cè)試（automatic optical inspection，簡(jiǎn)稱aoi）、自動(dòng)x射線測(cè)試（automatic x-ray inspection，簡(jiǎn)稱axi）、功能測(cè)試（functional tester，簡(jiǎn)稱ft）等。由于電子組裝行業(yè)的復(fù)雜性，很難界定哪些手段是組裝業(yè)所必須的，而哪些是不需要的，每種測(cè)

8、試技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域和測(cè)試手段都不盡相同。目測(cè)可看到較大的焊錫接點(diǎn)不良，然而錫量不足及非常小的短路則只有依賴電性測(cè)試來(lái)檢查。本論文主要是針對(duì)qsdd電性測(cè)試程序的設(shè)計(jì)。另外，在測(cè)試當(dāng)中，我們不僅限于測(cè)試產(chǎn)品的好壞，我們還需要對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行改進(jìn)，例如調(diào)整電壓，記錄一系列數(shù)據(jù)、上傳一些軟件編碼、并在產(chǎn)品上施加應(yīng)力對(duì)產(chǎn)品可靠性進(jìn)行預(yù)期檢測(cè)等保證產(chǎn)品的質(zhì)量。測(cè)試?yán)碚摗⒓夹g(shù)的研究和發(fā)展，對(duì)于提高半導(dǎo)體生產(chǎn)的質(zhì)量，降低半導(dǎo)體產(chǎn)品的成本具有十分重要的實(shí)際意義文章所討論的qsdd芯片是應(yīng)用于delphi delco電子系統(tǒng)中，主要是應(yīng)用于汽車的安全氣囊系統(tǒng)中。qsdd芯片是在dts測(cè)試系統(tǒng)下測(cè)試的，測(cè)試中結(jié)合了多種故

9、障模型，包括瞬變模型、路徑延時(shí)模型和iddq模型等，檢查器件的工作是否正常。文章主要介紹測(cè)試的基本內(nèi)容，測(cè)試技術(shù)基本原理，并從qsdd芯片的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu),操作環(huán)境要求,機(jī)械要求,電測(cè)要求等出發(fā)，對(duì)其在生產(chǎn)制造過(guò)程中最終測(cè)試部分的測(cè)試軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)。57 天津理工學(xué)院 一qsdd產(chǎn)品的測(cè)試特性 一 qsdd產(chǎn)品的測(cè)試特性3.1 delphi與delphi delco 電子系統(tǒng)delphi corp. 即德?tīng)柛９?，是世界上知名的汽車零部件生產(chǎn)廠商，在同行業(yè)中居于首位。它主要生產(chǎn)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、底盤、電子元件及電氣系統(tǒng)、發(fā)動(dòng)機(jī)及熱能管理系統(tǒng)、內(nèi)飾及各種電子元件，是非思卡爾半導(dǎo)體的重要客戶。 delphi

10、delco電子系統(tǒng)是delphi公司的輔助系統(tǒng)。delphi delco電子系統(tǒng)涉及了汽車的整個(gè)車身，底盤和安全裝置，動(dòng)力齒輪和無(wú)線移動(dòng)多媒體電子系統(tǒng)。qsdd芯片主要是用于汽車的安全氣囊系統(tǒng)。delphi是第一個(gè)在市場(chǎng)上推出這種技術(shù)，它在一些車輛性能和模式上起重要作用。此系統(tǒng)在乘客座墊下安裝了一個(gè)硅材質(zhì)的重力傳感器，包括一個(gè)安全帶牽力傳感器，用于給安全氣囊提供信息，利用成熟的占用分級(jí)型安全氣囊和大量的信號(hào)處理，以通知車輛的安全氣囊控制器展開(kāi)或止住。3.2 qsdd的含義qsdd即quad squib diagnotic and deployment四方火花塞診斷與配置。所謂的diagnoti

11、c是通過(guò)在一個(gè)元件上設(shè)置測(cè)試條件并尋找錯(cuò)誤結(jié)果;deployment是測(cè)試中對(duì)數(shù)據(jù)的操作。qsdd的電路是單片硅集成電路,此種集成電路集成并控制高端和低端deployment的場(chǎng)效應(yīng)管和sdm的診斷功能（sdm: sensing and deployment module傳感與配置模塊），qsdd產(chǎn)品主要有28腳封裝和32腳封裝兩種。3.3 qsdd產(chǎn)品測(cè)試特性3.3.1 運(yùn)行條件1. 最大值：如果超出最大值的規(guī)定將不能運(yùn)行，只要運(yùn)行條件返回到規(guī)定的最大值以內(nèi)，且加以電源，便能無(wú)損壞地恢復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)。qsdd芯片運(yùn)行最大值如表2-1所示。表2-1 qsdd最大值參數(shù)表supply 電壓(resx)7

12、.75至26v交流電壓supply電壓(vdd)4.9至5.1v交流電壓輸入電壓(邏輯輸入)-0.3v至vdd+0.3v外圍運(yùn)行溫度-40至952. 絕對(duì)最大值：如果超過(guò)絕對(duì)最大值，器件可能會(huì)發(fā)生不可修復(fù)的損壞，在絕對(duì)最大值上運(yùn)行會(huì)使器件的可靠性降低。qsdd芯片運(yùn)行絕對(duì)最大值如表2-2所示。表2-2 qsdd絕對(duì)最大值表supply 電壓(res)-0.3至40v交流電壓supply電壓(vdd)-0.3至5.5v交流電壓輸入電壓(邏輯輸入)-0.3至5.5v交流電壓sqhix,sqlox*-0.5至40v交流電壓存儲(chǔ)溫度-65至+150接口溫度(穩(wěn)定狀態(tài))150其中sqhix為x號(hào)火花塞高

13、端診斷點(diǎn)；sqlox為x號(hào)火花塞低端診斷點(diǎn)。3 運(yùn)行溫度的范圍：集成電路可以在以下標(biāo)定的外圍溫度內(nèi)運(yùn)行。最低外圍溫度：-40度；最高外圍溫度：95度。4 貯存溫度：集成電路可以在以下標(biāo)定的外圍溫度內(nèi)存儲(chǔ)。最低貯存溫度：-65度；最高貯存溫度：125度。3.3.2 電性要求及模塊描述1 電路終端接口如表2-3所示。表2-3 qsdd引腳表針?lè)?hào)描述1cgd電荷pump存儲(chǔ)電容2vresdeployment預(yù)留電壓3rstb重新設(shè)定監(jiān)控輸出4arm4deployment源輸出#45sqhi4火花塞#4高端診斷點(diǎn)6sqlo4火花塞#4低端診斷點(diǎn)7gnd34火花塞#3和#4的接地端8sqlo3火花塞#

14、3低端診斷點(diǎn)9sqhi3火花塞#3高端診斷點(diǎn)10arm3deployment源輸入#311rlm測(cè)量參考電阻的電阻器12do數(shù)據(jù)輸出13sclk系列通信時(shí)鐘14cschip選擇15vdd5v電壓輸入端16dispi數(shù)據(jù)輸入針17cfil再測(cè)量相關(guān)anti-bci電容18arm2deployment源輸入#219sqhi2火花塞#2高端診斷點(diǎn)20sqlo2火花塞#2低端診斷點(diǎn)21gnd12火花塞#1和#2接地端22sqlo1火花塞#1低端診斷點(diǎn)23sqhi1火花塞#1高端診斷點(diǎn)24arm1deployment源輸入#125asoutarming傳感器輸出口26depen驅(qū)動(dòng)端27aslinb34

15、arming傳感器邏輯輸入，封閉電路3和428aslinb12arming傳感器邏輯輸入，封閉電路1和23.3.3 qsdd芯片功能模塊描述1. 功能描述qsdd是微控制器及煙火施放器件的接口，qsdd完成各種診斷程序，以確保煙火施放器件的完整。qsdd對(duì)四個(gè)火花塞提供配置電流，微控制器控制診斷模式或配置次序。qsdd通過(guò)spi數(shù)據(jù)輸出針輸出與其指令相適應(yīng)的數(shù)據(jù)。（備注：所有電容規(guī)定有35%的公差。）2squib deploymentsdm的微處理器控制qsdd對(duì)squib施加連續(xù)或同步的1.3a的電流(持續(xù)2.0ms)。依大小排列的場(chǎng)效應(yīng)管fet對(duì)4.5的負(fù)載傳輸最小的配置電流1.2a?；芈?/p>

16、可配備有能量保存的裝置或是沒(méi)有能量保存的裝置。漏電感系數(shù)可通過(guò)qsdd上的預(yù)留線觀察，大約是100nh，沒(méi)有預(yù)留系統(tǒng)的點(diǎn)火裝置線上的漏電感系數(shù)大約是10nh。deployment電流被限制為1.8a。在預(yù)留電壓范圍是7.75到34v時(shí)，qsdd提供的這個(gè)1.8a的deployment電流最多持續(xù)2.0ms。當(dāng)sdm的微處理器經(jīng)8比特的spi控制qsdd配置時(shí)，deployment被激活。qsdd同時(shí)也監(jiān)控depen及aslinb針的狀態(tài)。在這些針上的相適應(yīng)的邏輯標(biāo)準(zhǔn)符合起始器deployment。連接cgd針的電容器對(duì)qsdd的fet的高端施加驅(qū)動(dòng)電壓，此電容經(jīng)過(guò)一個(gè)內(nèi)部二極管連接vres針。

17、cgd電容器的電容為0.2mf,它控制vres針的電壓。當(dāng)通過(guò)封閉回路的調(diào)整電流到1.2a時(shí)，fet的高端處于飽和模式。如果此處的電流限制高于高端器件的電流限制時(shí)，fet的低端處于線性模式。3中斷狀態(tài)/潛通道因素 診斷中和種種失效模式下，qsdd阻止?jié)撏ǖ离娏鳎礉撔须娏骰蚣纳娏鳎┻M(jìn)入火花塞。當(dāng)失效條件存在時(shí)，低于最大值為30ma的電流可流入器件。例如，當(dāng)resx的上限降至0v時(shí)電源短路。當(dāng)加電源或斷電時(shí)，sqhix或sqlox針上的底盤（底架無(wú)線電或電子儀器的組成部分都安裝于其上的框架）短路，等等。4回路間的短路qsdd在deployment回路之間有診斷功能以檢測(cè)各種短路。此功能由外加電

18、容和一些邏輯電路完成。在deployment回路中，qsdd的回路偏置電壓是多路傳輸?shù)?。?dāng)回路復(fù)位時(shí)，其中一個(gè)電壓偏置到2.5vdc。其相鄰回路通過(guò)一個(gè)200ua的電流衰減被拉至接地。如果其中一個(gè)回路與另一個(gè)偏壓到2.5vdc的回路短接，之后就能檢測(cè)到被短接的deployment回路的故障。在這種情況下，spi通過(guò)do的bits5,4&3返回及時(shí)信息。（注釋：只有在不做火花塞電阻測(cè)量時(shí)才可以進(jìn)行上述步驟。）為了記錄在獨(dú)立的qsdd上的兩個(gè)回路的故障，必須在附加的qsdd上安置spi。例如，假設(shè)qsdd-a的回路2與qsdd-b的回路4短接，只有在以下兩種情況下，可以檢測(cè)故障：1） 用戶

19、的qsdd-a的回路邊2偏置，但qsdd-b的回路4未偏置；2） 用戶的qsdd-b的回路邊4偏置，但qsdd-a的回路2未偏置；備注：當(dāng)未選擇電阻測(cè)量時(shí)，do的bits 5,4&3與sdd無(wú)關(guān)。sdd不用于要求探測(cè)回路間短路的系統(tǒng)中。5電阻測(cè)量當(dāng)微控制器選擇一個(gè)火花塞進(jìn)行阻值測(cè)量時(shí)，流入火花塞的電流是40ma。qsdd內(nèi)部有帶有門限值的比較器。（這個(gè)門限由20ua的電流流經(jīng)7個(gè)內(nèi)部電阻產(chǎn)生7個(gè)延時(shí)電壓而形成的。）比較器會(huì)檢驗(yàn)所有的連續(xù)電壓直到檢測(cè)到符合要求的正確電壓。當(dāng)火花塞的電壓低于參考值時(shí)跳閘，只有正確的電壓能通過(guò)spi被解碼和報(bào)文。qsdd定義了8個(gè)電阻的范圍，其spi格式如表

20、2-4所示。表2-4 電阻測(cè)量的spi格式表spi電阻測(cè)量5bit4bit3bit最低跳變電阻電阻跳變范圍00001.17000111.1701.43001021.5931.94801132.0402.76010042.6353.41010153.2304.18011064.3205.28011175.4006.600表2-4中定義的是qsdd記錄由spi數(shù)據(jù)do bit3-5傳輸?shù)膕quib到微控制器的電阻。6reserve電壓，arm3和cgd的狀態(tài)度量qsdd有通過(guò)spi測(cè)量vres,arm3或cgd的功能,spi的di字節(jié)控制電壓的測(cè)量。當(dāng)在診斷模式中會(huì)選擇vres測(cè)量（診斷模式下di

21、 bit0=0;di bit4=0）。測(cè)量狀態(tài)是do字節(jié)的bit2。當(dāng)vres上的電壓小于19v，do bit2=1時(shí)，qsdd處于故障狀態(tài)。診斷模式下，arm3的狀態(tài)可以通過(guò)選擇線路3或4（do bit7=0）和vres的di bit4=0監(jiān)控起來(lái)。測(cè)量狀態(tài)由do字節(jié)的bit2表示：當(dāng)arm3上的電壓小于19v，do bit2=1；電壓大于19v，do bit2=0。在診斷模式中（di bit0=0;di bit4=1）會(huì)選擇cgd測(cè)量。測(cè)量狀態(tài)仍然用do字節(jié)的bit2表示。當(dāng)cgd上電壓小于18v，do bit2=1時(shí)，對(duì)于qsdd也是一種故障狀態(tài)。8arming 傳感器： qsdd有監(jiān)控

22、連接aslinb12針或許aslinb34針的兩個(gè)arming傳感器。qsdd也可監(jiān)控連接vres和arm1針的arming傳感器。qsdd利用aslinbxx針上的狀態(tài)調(diào)整較高和較低的fet的控制柵。另外，qsdd包括一個(gè)內(nèi)部記時(shí)器，它將a/s通道的上升沿延時(shí)41ms，它就是一個(gè)脈沖延伸器。這樣能使qsdd識(shí)別arming傳感器的短路持續(xù)時(shí)間的截止時(shí)刻。（短路持續(xù)時(shí)間少于2ms），此時(shí)fet處于開(kāi)啟狀態(tài)（持續(xù)最小時(shí)間2ms）。qsdd監(jiān)控aslinbxx脈沖延伸器或arm1。當(dāng)監(jiān)控aslinbxx或監(jiān)控arm1時(shí)，asout針?lè)答乤slinbxx或arm1的狀態(tài)（細(xì)節(jié)見(jiàn)qsdd的系列數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)

23、）。當(dāng)監(jiān)控aslinbxx時(shí)，如果aslinbxx信號(hào)是高電平，asout就是低電平；當(dāng)監(jiān)控arm1時(shí)，如果arm1針上的電壓低于5.25vdc，則asout是低電平。9負(fù)載dump功能性：在負(fù)載dump電壓應(yīng)用至resx線中，qsdd設(shè)計(jì)有提供功能性的診斷信息。這個(gè)條件適用于resx線上最小值40v（時(shí)間只有250ms），但是因?yàn)閞eserve線有保護(hù)電容，所以resx線上可得到更高的電壓，持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于250ms。如果resx線上的電壓在正常運(yùn)行范圍之上，將不能保證qsdd與參數(shù)值匹配。（這些參數(shù)值列在下面的dc和ac功能表中）qsdd仍會(huì)運(yùn)行診斷測(cè)試，并提供有效的結(jié)果（在下面的功能表中略述

24、）為確保更合適的診斷模式，通過(guò)火花塞的電流限制在55ma以下。負(fù)載dump功能如表2-5所示。在以下描述的測(cè)試中，除非有另外說(shuō)明都遵循表中所列的條件。ta=25， resx=40v，vdd=5.0v。表2-5 負(fù)載dump功能性表特點(diǎn)符號(hào)條件spi控制字結(jié)果spi默認(rèn)值-無(wú)編譯控制字0000000000000000spi=xxxxxxx1對(duì)地短路-sqlo1=1v,squib1=20000000011111111spi=1xxxxxxx接電源-sqlo1=8v,squib1=20000000011111111spi=x1xxxxxxvres狀態(tài)vresvres=40v0000000011111

25、111spi=xxxxx0xxcgd狀態(tài)vcgdvcgd=16v0001000011101111spi=xxxxx1xxcgd狀態(tài)vcgdvcgd=19v0001000011101111spi=xxxxx0xxarm關(guān)閉狀態(tài)varmvarm1=8v0010000011011111spi=xxxxxx1xarm打開(kāi)狀態(tài)varmvarm1=4v0010000011011111spi=xxxxxx0xfet上升沿測(cè)試-arm1=arm2=open0010010011011011spi=x1xxxxxxfet下降沿測(cè)試-arm1=arm2=open0010010011011011spi=1xxxxxx

26、 xvdd功能vddvdd=4.8v,重復(fù)上升沿0010010011011011spi=x1xxxxxxvdd功能vddvdd=3.6v,重復(fù)上升沿0010010011011011spi=x0xxxxxx表2-5為通過(guò)控制spi向芯片送控制字然后再通過(guò)spi的到測(cè)試的結(jié)果，從而能實(shí)現(xiàn)個(gè)功能測(cè)試。3.3.4 直流dc特性 qsdd直流特性如表2-6所示。（ta=-40 to ta=95,vdd=4.9v to 5.1vdc,resx=7.75vdc to 26 vdc）表2-6 qsdd直流特性表參數(shù)符號(hào)條件限制條件單位最小值最大值vdd門限電壓低電壓禁止插入vddqsdd關(guān)閉電壓,vdd=2v

27、3.64.6vvdd門限電壓低電壓可以插入vddqsdd工作電壓3.94.8vvcc電流ivddrmeas=0rmeas=1-66mamavres電流ivresrmeas=1-45masqlox漏點(diǎn)流i(sqhix)1. res=0-26,vdd=0v2. res=0-40v,vdd=0v3. res=40v-50-302001.5uamamaaslinbx下拉電流iasl-4070uacgd漏電流icgdvcgd=7-25v,res=0v-1010uaaslinb比較器門限-1.752.5va/s電流armxa/s關(guān)閉-50200uasqlox下拉電路iv=1.5-40v40300ua1 表

28、2-6為直流dc測(cè)試。芯片引腳的電壓或電流測(cè)試是在dc測(cè)試中完成的，它們測(cè)試通過(guò)與否依靠測(cè)量的值和上圖所給定的參數(shù)值。dc參數(shù)測(cè)試包括歐姆測(cè)試（和直流測(cè)量相關(guān)），和各種其它類型的直流測(cè)試。dc參數(shù)由給芯片引腳加一個(gè)電流和設(shè)置一個(gè)電壓限值或加一個(gè)電壓和設(shè)置一個(gè)電流限值所判定。其中的歐姆定律（r=u/i）通常用作為每一個(gè)dc參數(shù)計(jì)算阻抗值，在直流測(cè)試?yán)锩嫱ǔＯ冗M(jìn)行芯片引腳的短/斷路測(cè)試。2 參數(shù)測(cè)試的方法有序測(cè)試：這種測(cè)試由在一個(gè)時(shí)刻一個(gè)pmu連接一個(gè)引腳所執(zhí)行，以此類推。每一個(gè)引腳返回一個(gè)值，其測(cè)試原理如圖2-1所示。圖2-1 有序測(cè)試圖 平行測(cè)試：這種測(cè)試由在一時(shí)間將所有pmu引腳接在所有芯片

29、引腳所完成，平行測(cè)試，每一個(gè)引腳返回一個(gè)值，其測(cè)試原理如圖2-2所示。pmu1pmu2pmu3pmu5pmu4pmu6pmu7圖2-2 平行測(cè)試圖組測(cè)試：這種測(cè)試在一時(shí)刻將一個(gè)pmu加在所有的芯片引腳上所完成。其測(cè)試原理如圖2-3所示。pmu1圖2-3 組測(cè)試圖3.3.5 交流ac特性 qsdd芯片的交流特性如表2-7所示。（ta=-40 to ta=95,vdd=4.9v to 5.1vdc,resx=7.75vdc to 26 vdc）表2-7 qsdd交流特性表參數(shù)符號(hào)條件限值單位最小值最大值fet開(kāi)啟時(shí)間從下降沿到id=1.1a-100usfet關(guān)閉時(shí)間-400us數(shù)字輸出時(shí)間從下降沿

30、到輸出寄存器-500uscgd充電時(shí)間充電時(shí)間，電容由8v到20v-500usfet失效計(jì)時(shí)器從aslinb下降沿到asout上升沿3346msfet計(jì)時(shí)器從aslinb下降沿到asout上升沿525us擴(kuò)展擴(kuò)展條件tdeployvresx=34v,ip>1.2vsohix-sqlox=22-ms最小電流脈沖-vresx=7.9v, tdeploy=2 mssohix-sqlox=3.551.2a電阻測(cè)量時(shí)間rmtime由cs下降沿到resmeas低端-350us電阻測(cè)量失效時(shí)間rdtdireeas>18ma-40us測(cè)試程序就是在這些涉及特性的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)編寫(xiě)的，本測(cè)試程序是從cs

31、的下降沿測(cè)量，保護(hù)在26ns內(nèi)發(fā)生的有效數(shù)據(jù)的接收；熱量的升高基于設(shè)計(jì)分析和零件的特性；deployment由上面的限制控制。deployment準(zhǔn)時(shí)是2.0ms。 ac參數(shù)測(cè)試是為了保證器件符合它的時(shí)序規(guī)格，測(cè)試由設(shè)定依照被定義進(jìn)行適當(dāng)?shù)臅r(shí)間值(邊緣安置) 并且信號(hào)格式在設(shè)備ac 規(guī)格所完成。一般的ac參數(shù)測(cè)試包括：setup time，hold time，延時(shí)，輸出使能延遲等 半導(dǎo)體的測(cè)試程序的編寫(xiě)，是以上面的電學(xué)參數(shù)為基礎(chǔ)的，如果不按照它們來(lái)編寫(xiě)，將會(huì)失去芯片的運(yùn)行的好靠性，測(cè)試時(shí)將區(qū)分不出來(lái)好壞品，所以閱讀每一種芯片的說(shuō)明手冊(cè)對(duì)程序的編寫(xiě)者來(lái)說(shuō)十分重要。3.4 測(cè)試的電性操作要求 測(cè)試

32、確保每個(gè)部分滿足所有的電性測(cè)試條件和限制。這里定義的統(tǒng)計(jì)取樣用于時(shí)限這些測(cè)試要求，而不是100%的鑒別測(cè)試。 測(cè)試溫度有室溫25，低溫-40和高溫125，都是為確保所有的測(cè)試要求。當(dāng)使用高速的自動(dòng)測(cè)試儀器時(shí)，要保持穩(wěn)定的狀態(tài)溫度。第三章 dts芯片測(cè)試系統(tǒng) 四 dts芯片測(cè)試系統(tǒng) dts專用測(cè)試系統(tǒng)是摩托羅拉公司自行研制的測(cè)試系統(tǒng)，它是一種低成本，高性能的計(jì)算機(jī)控制的測(cè)試系統(tǒng)。既能測(cè)試寬范圍的線性集成電路，也能測(cè)試一些數(shù)字集成電路，因此可以滿足qsdd各項(xiàng)工能的測(cè)試。3.1 芯片測(cè)試時(shí)刻及測(cè)試對(duì)象1測(cè)試時(shí)刻如圖3-1總結(jié)了在制造過(guò)程中需要測(cè)試的地方。圖3-1 芯片制造過(guò)程圖1） 種類探測(cè)即所謂

33、的過(guò)程控制(class probe)這一步需要對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試。一些過(guò)程特殊的器件(例如晶體管，電阻和各種不同類型的電容)被印制在晶圓上來(lái)控制主要的過(guò)程參數(shù)。測(cè)量這些器件是為了保留晶元的過(guò)程參數(shù)，并最終決定是否讓這批晶圓繼續(xù)生產(chǎn)或者扔掉。2） 單位探測(cè)(unit probe)被印制好的晶圓最終成為產(chǎn)品后都要經(jīng)過(guò)測(cè)試。由于封裝成本占最終成本的30%到50%，所以在最終測(cè)試中再測(cè)試那些有缺陷的產(chǎn)品是沒(méi)有意義的。在許多情況下，unit probe測(cè)試在室溫下進(jìn)行,除非一些特例,特別是在汽車芯片方面(這里die指未封裝的芯片即已從晶圓分離出來(lái)的芯片)。3） 最終測(cè)試最終測(cè)試在產(chǎn)品被包裝之前，即運(yùn)送給客戶

34、前進(jìn)行測(cè)試。它是一個(gè)關(guān)鍵的最終確認(rèn)過(guò)程，能檢測(cè)出封裝過(guò)程中被損壞的產(chǎn)品。另外，很大一部分產(chǎn)品都是有新技術(shù)制成的，而不是成熟的技術(shù)。因此有時(shí)我們?cè)谧罱K測(cè)試階段對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)以保證產(chǎn)品的可靠性。例如，把產(chǎn)品放到高溫、高壓濕氣、加速老化的爐子中幾個(gè)小時(shí)來(lái)測(cè)試產(chǎn)品的可靠性，也就是我們通常所說(shuō)得burn-in。對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行burn-in是非常貴的，因?yàn)闄C(jī)器很貴，也非常耗費(fèi)時(shí)間。有時(shí)又會(huì)受到條件的限制，所以部分產(chǎn)品進(jìn)行burn-in，然后根據(jù)產(chǎn)品的要求，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行高、低、室溫的測(cè)試。2.測(cè)試對(duì)象1) 功能測(cè)試在所提及的測(cè)試中功能測(cè)試放在第一位，應(yīng)用于一些模擬電子產(chǎn)品，以及部分?jǐn)?shù)字產(chǎn)品。測(cè)試的應(yīng)用環(huán)境不能

35、夠被完全重現(xiàn)，在功能測(cè)試訓(xùn)練中已對(duì)一些環(huán)境進(jìn)行模擬。有些人會(huì)認(rèn)為對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行電性測(cè)試是為了檢驗(yàn)在其運(yùn)行時(shí)是否符合要求。這樣理解一部分是對(duì)的，但是不適用于所有的功能測(cè)試。2) 缺陷測(cè)試缺陷測(cè)試在于加電信號(hào)來(lái)校驗(yàn)產(chǎn)品的所有基本模塊是否按設(shè)計(jì)要求進(jìn)行連接的。成熟的技術(shù)可獲得極快的測(cè)試時(shí)間，缺陷測(cè)試被廣泛于數(shù)字產(chǎn)品。這兩種技術(shù)都不是最完美的，功能測(cè)試能夠使客戶更放心它所使用的產(chǎn)品，但是需要花費(fèi)很長(zhǎng)時(shí)間；而缺陷測(cè)試很快，但是不能檢查出設(shè)計(jì)方面的問(wèn)題。3.2 芯片測(cè)試使用的儀器要想完成測(cè)試我們必須要有測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試機(jī)和測(cè)試板。測(cè)試的過(guò)程主要是由測(cè)試系統(tǒng)控制測(cè)試板搭建不同的測(cè)試電路，再通測(cè)試板為被測(cè)的芯片提供

36、測(cè)試電信號(hào)等，等待測(cè)試完成后處理測(cè)試結(jié)果，再控制測(cè)試機(jī)換下一個(gè)芯片進(jìn)行測(cè)試，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片測(cè)試的自動(dòng)化。芯片測(cè)試過(guò)程如圖3-2所示。測(cè)試板loadboard測(cè)試系統(tǒng)序列發(fā)生器電性設(shè)備測(cè)試下的產(chǎn)品圖3-2 芯片測(cè)試過(guò)程圖3.2.6 測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)（tester）是機(jī)電一體化硬件，被用于dut所應(yīng)在的操作環(huán)境（這里dut指 device under testing 測(cè)試下的器件），它主要是用來(lái)給被側(cè)芯片提供電信號(hào)，然后得到反饋結(jié)果并進(jìn)行分析處理的工具，以及控制測(cè)試機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片測(cè)試的自動(dòng)化。常見(jiàn)的測(cè)試系統(tǒng)有l(wèi)tx，flex，a5，dts等，大多數(shù)這種設(shè)備都在測(cè)試頭里，主要的設(shè)備有：1)波形發(fā)生器：它

37、能夠提供簡(jiǎn)單的波形，例如：正弦波形或者其它復(fù)雜的波形，可以使用標(biāo)準(zhǔn)的，也可以由程序來(lái)定義。2)數(shù)字轉(zhuǎn)換器：它可以從產(chǎn)品中獲得模擬信號(hào)，它可以看作是波形發(fā)生器的計(jì)算部分，因?yàn)樗梢詫⒉ㄐ螖?shù)字化，用于以后的分析。它也能獲得一個(gè)值或平均值用于直流測(cè)試。3)提供電壓和電流：同時(shí)也有一些也具有提供高壓(大于50v),高電流(大于1a)的能力的資源板。4)數(shù)字通道：數(shù)字通道能夠產(chǎn)生復(fù)雜的數(shù)字矢量，也可以從產(chǎn)品中得到回應(yīng)的數(shù)字信號(hào):它們通常具有比較實(shí)際信號(hào)和期望信號(hào)的能力。5)測(cè)量參數(shù)部分（pmu）：它們通常用于數(shù)字輸出來(lái)測(cè)試輸出低電壓-輸出高電壓（voh-vol）,它是通過(guò)根據(jù)輸出的狀態(tài)來(lái)提供電流，然后比

38、較實(shí)際的水平和期望的水平。6)定時(shí)器：定時(shí)器能夠測(cè)量上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間、頻率和計(jì)算其它的事件（例如時(shí)鐘脈沖）。7) 程序處理器：它是一個(gè)處理器，可以控制整個(gè)程序的執(zhí)行，也可以控制電性設(shè)備，將程序連接到程序處理器中。它能收集測(cè)試結(jié)果告訴測(cè)試機(jī)這個(gè)產(chǎn)品是好品還是次品，然后將測(cè)試結(jié)果連接到數(shù)據(jù)庫(kù)中。它需要一個(gè)多任務(wù)、多線程的操作系統(tǒng)，因?yàn)樗幚硗瑫r(shí)發(fā)生的事件。在老的測(cè)試頭中，程序處理器和測(cè)試頭的cpu需要是相同的處理器。一個(gè)測(cè)試頭也包括其他的特性，例如數(shù)組處理器和數(shù)字信號(hào)處理器。3.2.7 測(cè)試板測(cè)試板（loadboard）是用來(lái)連接電性設(shè)備和所需測(cè)試芯片的。它通常有很多的開(kāi)關(guān)，阻抗匹配

39、網(wǎng)絡(luò)，緩沖器，或者是其它的用于產(chǎn)品測(cè)試的電性測(cè)試器件，這些器件受測(cè)試系統(tǒng)控制，來(lái)搭建不同的電路實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的測(cè)量。測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)測(cè)試板為被測(cè)試的芯片提供測(cè)試信號(hào)等信息，再通過(guò)測(cè)試板獲得測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析處理。測(cè)試板安裝在測(cè)試頭和測(cè)試機(jī)之間，每種產(chǎn)品都有各自的測(cè)試板。各測(cè)試板中有id識(shí)別部分，用于各產(chǎn)品測(cè)試程序識(shí)別各自的測(cè)試板。3.2.8 測(cè)試機(jī)測(cè)試機(jī)（handler）將產(chǎn)品與測(cè)試板相聯(lián)接，來(lái)處理測(cè)試的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的自動(dòng)測(cè)試。prober用于測(cè)試晶圓(wafer)。1.proberprober是wafer的自動(dòng)處理器。在測(cè)試下的wafer由prober推進(jìn)，然后放到叫chuck的地方，這一部分完全

40、是真空的。我們也需要一些精確的校準(zhǔn)在垂直方向和水平方向，來(lái)確保指針印在產(chǎn)品上有良好的接觸。當(dāng)測(cè)試完成后，xy的信息會(huì)傳到數(shù)據(jù)庫(kù)中，這種信息叫做wafer mapping，它用于顯示主要的測(cè)試結(jié)果。2.測(cè)試機(jī)（handler）成品測(cè)試機(jī)有:1）單一測(cè)試機(jī)（singulated handler）：每一個(gè)產(chǎn)品都移動(dòng)到接觸點(diǎn)，測(cè)試機(jī)通知測(cè)試頭，測(cè)試頭告訴測(cè)試機(jī)產(chǎn)品的信息，然后測(cè)試機(jī)將其放到相應(yīng)的位置。許多這樣的測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行并行測(cè)試，但是最多限于八個(gè)產(chǎn)品（x8）。2）strip測(cè)試機(jī)：它用于大量的平行測(cè)試，能夠減少測(cè)試時(shí)間。 以上是半導(dǎo)體生產(chǎn)測(cè)試過(guò)程中需要的設(shè)備。3.3 dts測(cè)試系統(tǒng)硬件組成dts

41、封裝在單個(gè)櫥柜中，有以下的硬件組成：摩托羅拉 vme1147 計(jì)算機(jī)小型打點(diǎn)式打印機(jī)（現(xiàn)已改成惠普激光打印機(jī)）測(cè)試設(shè)備卡箱電源供應(yīng)發(fā)射箱hewlett packard 3458a 數(shù)字萬(wàn)用表輸出纜測(cè)試板3.3.1 dts測(cè)試系統(tǒng)外部資源(1) 摩托羅拉vme1147計(jì)算機(jī)摩托羅拉vme1147計(jì)算機(jī)是運(yùn)行測(cè)試程序的硬件。為測(cè)試系統(tǒng)傳輸數(shù)據(jù)和測(cè)試程序。傳輸小型文件時(shí)可使用軟盤驅(qū)動(dòng)，大型的文件可由流動(dòng)代傳送。vme1147擁有384k bytes的主存儲(chǔ)器，一個(gè)存儲(chǔ)器管理單元，一個(gè)實(shí)時(shí)時(shí)鐘，和5個(gè)插槽的vmebus卡箱。同時(shí)還包括一個(gè)雙面，雙密度軟盤驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)40mb的硬盤。 (2) hv bo

42、p 控制板選項(xiàng)高壓測(cè)試性能可通過(guò)使用一個(gè)kepco模式的1000m的雙向電力供應(yīng)bop和hv bop控制板添加到dts測(cè)試系統(tǒng)中。（bop bi-directional power supply）這個(gè)選項(xiàng)主要被設(shè)計(jì)成在集成電路上測(cè)量絕緣電阻，漏電流和制動(dòng)電壓的。（break voltage制動(dòng)電壓：擊穿絕緣體或絕緣介質(zhì)突然無(wú)法制止電流通過(guò)）。kepco 1000m電力供應(yīng)在40ma的有小電流下，所提供的電壓范圍從-1000vdc到+1000vdc。kepco power supply的輸出電壓和電流限制的設(shè)定由hv bop控制板所提供的可編程的電壓控制。hv bop 控制板將ibus中的電壓，

43、電流和測(cè)量指令轉(zhuǎn)化為kepco power supply所要求的電壓。從而得到相適應(yīng)的電壓及電流測(cè)量功能，高壓控制，安全聯(lián)鎖裝置safety interlock和校準(zhǔn)電路。hv bop有一個(gè)1000vdc的電壓強(qiáng)制等級(jí)，一個(gè)40ma的電流限制等級(jí)，和七個(gè)電流測(cè)量等級(jí)：10ua，40ua，160ua，640ua，3.0ma，10ma和40ma。(3) 外部dmm纜 (cable 40) 在dts中，cable 40允許hp3458a數(shù)字萬(wàn)用表被用來(lái)作為一種測(cè)試模塊。（module 模塊：微型組件組裝在一起的電子元件或電路，作為一個(gè)單元被安裝，如計(jì)算機(jī)中的一個(gè)裝配步驟）hp3458a測(cè)量線路通過(guò)校

44、準(zhǔn)板上的“dmm”插孔進(jìn)入。cable 40可連接至load board，hp3458a可用于完成交精確的測(cè)量。(4) power supply trays 系統(tǒng)電源供應(yīng)安裝于dts系統(tǒng)測(cè)試柜的底部，在兩個(gè)可擴(kuò)展的盤上。這些電力供應(yīng)在測(cè)試中，為儀器卡和load board提供能源。(5) hewlett packard 3456a 或3458a數(shù)字萬(wàn)用表數(shù)字萬(wàn)用表主要是用在作為dts系統(tǒng)的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)，放置于測(cè)試柜的頂部。當(dāng)可選的cable 40安裝于系統(tǒng)中時(shí)，數(shù)字萬(wàn)用表也可被用來(lái)進(jìn)行測(cè)試。hp3458a受gpib指令的控制。在測(cè)試芯片時(shí)，該數(shù)字萬(wàn)用表并不工作。(6) 輸出纜輸出纜被連至輸出面板上

45、，輸出面板在測(cè)試柜的側(cè)面。輸出面板的頂端部分被稱為集線器，被用于連接dts系統(tǒng)到執(zhí)行板的測(cè)試。輸出面板的底端部分被稱為校準(zhǔn)器，用于校準(zhǔn)系統(tǒng)。在校準(zhǔn)中，輸出纜連接集線器輸出端和校準(zhǔn)器的輸入端。dts輸出纜圖見(jiàn)附錄所示。3.3.2 dts測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)部資源大部分的測(cè)試設(shè)備安裝在這個(gè)卡箱內(nèi)，卡箱位于dts系統(tǒng)測(cè)試柜的上部。有以下幾個(gè)部分組成：1） 直流測(cè)量系統(tǒng)板2） 交叉點(diǎn)矩陣電路板3） 電壓源和毫微安計(jì)電路板4） 聲頻電壓表電路板5） 數(shù)字控制電路板6） 時(shí)間測(cè)量電路板7） 處理機(jī)和探測(cè)器控制板8） 音頻源電路板9） 8個(gè)電壓和電流源板 測(cè)量板第一個(gè)卡槽中插入了一個(gè)測(cè)量板。dts測(cè)量板是一個(gè)最大輸入

46、電壓范圍為-65v到+65v，有三個(gè)測(cè)量等級(jí)：65v，20v和2v的電壓表。在測(cè)量等級(jí)65v和20v時(shí)精確度是全范圍的0.05%，在測(cè)量等級(jí)2v時(shí)精確度為此范圍值得0.1%。dts控制此板的語(yǔ)句如下： measure vmx input a range b average c delay d into flt_var null vmx input a range b,b average c delay d into flt_var measure vmx diff average a delay b into flt_var 矩陣控制板矩陣板提供測(cè)量系統(tǒng)到作用域16個(gè)矩陣路徑之間的轉(zhuǎn)換。它也提

47、供了一個(gè)精確的時(shí)間間隔從10us到650ms。在大多數(shù)系統(tǒng)中原始矩陣已經(jīng)被交叉矩陣板所代替。dts對(duì)此板的控制語(yǔ)句為：set matrixx input a a交叉矩陣控制：set xp matrix x line a b to valueclose xp matrixx line a b valueopen xp matrixx line a b value 電壓源/毫微安計(jì)（vs/na）電路板在電流上升至10ma時(shí)，提供八個(gè)相互獨(dú)立的可編程的電壓使得電壓值從-65vdc到+65vdc（可編程即可利用程序建立或改變電壓）,電壓源1到4也是電流測(cè)量性能的固定部分。電壓源/毫微安計(jì)電路板安裝在設(shè)

48、備卡架的第三個(gè)卡槽中,它有兩個(gè)電壓強(qiáng)制范圍65vdc和10vdc，并有兩個(gè)電流測(cè)量范圍20ua范圍和2ua范圍。dts的控制語(yǔ)句為：set vsx n to voltage a vrange b irange c output d aloarm emeasure vsx n current into flt_var音頻電壓表（avm）電路板 第四個(gè)卡槽安裝的是音頻電壓表（avm）電路板，此電路板在音頻范圍內(nèi)測(cè)量ac直流信號(hào)。avm電路板抑制交流并濾除輸入信號(hào)，輸入頻率范圍在50hz和100khz。avm有六個(gè)電壓表范圍，分別是：16，4，1.6，0.4，0.1和0.025rms，如下為用戶可選

49、擇的濾除器：high pass （高通）：50hz，300hz，和3khzband pass（帶通）：沒(méi)有，1khz ,10khz ,19khz,38khz和扭曲（失真）low pass （低通）：15khz，200khz和使用者安裝了（用戶安裝）dts的控制語(yǔ)句為：set avmx to inmax a filter b，c，d postmax e reponse f，g alarm hmeasure avmx into flt_var 數(shù)字控制電路板數(shù)字控制板（cbits/mbits）安裝在第五個(gè)卡槽中，它提供32個(gè)控制行到作用域，16個(gè)反饋行（讀取備份）位（mbits）。cbits是可編

50、程的控制行，這些控制行用于激活繼電器，邏輯電路，或其他器件；這些都可以在16位的存儲(chǔ)單元內(nèi)單獨(dú)地被設(shè)定或重新設(shè)置。cbits 擁有一個(gè)有效的低端輸出。mbits 是在性能板上測(cè)定邏輯電平的輸入，高電平讀1，低電平讀0。dts的控制語(yǔ)句為：set cbitsax to valueclear cbitsaxclose cbitsax valueopen cbitsax valueresd cbitsaax into int_var 大型計(jì)時(shí)器電路板計(jì)時(shí)器控制時(shí)間間隔并且只是間隔結(jié)束。第六個(gè)卡槽中安置的是大型計(jì)時(shí)器電路板，用于測(cè)算兩個(gè)故障之間的共用時(shí)間，或者計(jì)算在已知的時(shí)間間隔中所發(fā)生的故障數(shù)量。當(dāng)

51、輸入與電壓門限值接合時(shí)故障可被檢測(cè)（門限值有或正或負(fù)的可選擇的頻率）。當(dāng)選定 50 歐姆的輸入終端時(shí)，門限值在-5v到+5v之間；當(dāng)選擇1兆歐姆的輸入終端時(shí)，門限值在-30v到+30v之間。大型計(jì)時(shí)器可測(cè)算10億分之十（10*10-9s）秒與85秒之間的時(shí)間。計(jì)時(shí)器也有兩個(gè)輸入通道，每個(gè)通道都可作為起始或終止通道進(jìn)行編程。dts的控制語(yǔ)句為：測(cè)量時(shí)間間隔：set timerx start to cable a slope b voltage c range d hysteresis eset timerx stop to cable a slope b voltage c range d hy

52、steresis eenable timerx timeout a negative time b alarm cread timerx into flt_varstart timerxstop timerx作為計(jì)數(shù)器：enable timerx counter gate a timeout bread timerx counter into fvar 測(cè)試機(jī)控制電路板測(cè)試機(jī)控制電路板是dts和器件測(cè)試機(jī)或檢測(cè)機(jī)的接口。當(dāng)器件放置在測(cè)試機(jī)的接觸器上準(zhǔn)備測(cè)試時(shí)，此電路板從測(cè)試機(jī)接收到開(kāi)始測(cè)試信號(hào)（開(kāi)始測(cè)試信號(hào)）。測(cè)試的在測(cè)試完畢后，測(cè)試機(jī)控制板產(chǎn)生一個(gè)存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)結(jié)果，并向測(cè)試機(jī)發(fā)出結(jié)束向（終止

53、測(cè)試信號(hào)）作信號(hào)。測(cè)試機(jī)控制板安裝在第七個(gè)卡槽中。 音頻源電路板 第八個(gè)卡槽插入的是音頻源電路板，它是一個(gè)可編程的波形發(fā)生器，可產(chǎn)生峰值從-30v到+30v的任意波形。ac直流波形可與-60v到+60v的直流交流成分混合，但混合電壓不能超過(guò)60v。音頻源電路板的輸出頻率的范圍是10kz-200khz。音頻源電路板也提供交替的頻率發(fā)生器，此頻率發(fā)生器提供ttl標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)。（ttl即電晶體電晶體邏輯晶體管晶體管邏輯電路）此信號(hào)在7hz和12mhz之間可編程。 電壓/電流源（vi）電路板vi電路板插在第九個(gè)卡槽中，在電流限制在-200ma到+200ma下，提供-65v到+65 vdc的電壓。vi板

54、有兩個(gè)電壓強(qiáng)制范圍：16v和65v。vi同樣有四個(gè)電流限制和測(cè)量范圍：4ma，16ma，64ma，200ma。vi板包含一個(gè)一對(duì)四的輸出通道開(kāi)關(guān)，可有助于減少性能板繼電器的需求。dts的控制語(yǔ)句為：set pvix to output a varnge b voltage c irange d pcurrent e ncurrent f ripple hmeasure pvix voltage into flt_varmeasure pvix current into flt_var 驅(qū)動(dòng)電壓/電流源（pvi）電路板pvi板在電流限制在-20a和+20a之間時(shí)，所提供的電壓范圍從-65v到+65v。電壓等級(jí)為16v和65v，pvi的電流限制和測(cè)量等級(jí)為32ma，125ma，500ma，2a，10a和20a，精確度為滿額尺度的3%。dts的控制