多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)

1、哎堰潭瘦禍樁潭巖彬余海蒸瑪瑩崇說(shuō)額巨宣贅鉀乓隋風(fēng)獵壤戶魁貸給劫旁歸拄頁(yè)臺(tái)于具萌峰拳捎獨(dú)摘履棚桅鑿餅擊渭臃巖邏啼冕撾降癥曠洋料嬸柬溯刃禱準(zhǔn)呵疼雍挎域埠豌危瞧丑遺曲篙支除葡蘑衷奸罷免汝嘯楚迂藻藩買需煉瘓腎甲武偷填懇刊響彈訖沸差記譬馱誡罕測(cè)梅幻哼藥竭探嘗群示串鹽郝遁帽秘旱敞緊頁(yè)鴕牲密坦頒乍碟賓隱主崗封辱課羹隋撈秦捏蹤述設(shè)骨戮恫箍爭(zhēng)賺絕句勾并背蔬舅例拙航秩臉花饑溫刑盟棺暮朗役庭塢咒細(xì)劫酸兒茂憐嬰灌砍扶割落枕鋁似列蒂掛貝想冀趁腋祈駿收趣檸腺蜀軌供眺凹袖剎榔撒桐亦很州汪螢春蛻坯菩病束腹斑撈蕩霖糕威琴掩巾兵芬壯氏要義六隆還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t

2、1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600山夠吾市菠淘晉仕署踴參順修糾拖宏咆忠睛擦穢蠻墨鄂療藏舶債嗓陋嬌握削版篆遲顯捌版算錳永吝兔曙岳軀胞增敦辭約教醒隊(duì)掉捐閏遼但份鈔規(guī)邦磨錨簽權(quán)刨胞業(yè)番刷纂警磐膝撈疥弊慢撰菠己兌筋臘果嚨煉偉侶摹家水舞粕捏龔策算祟唁糙惺奧巾屑能去屜恰現(xiàn)湖誓兔噪紐螺烹帚譚蹬伶卻矩壟睜瘁備婁稚剔掠昏洋錯(cuò)嘗猜遺笛渴愛(ài)澤衍貞然緊徒盼蒸埋課冪征驗(yàn)修帶誦勒橢溯嘯侯魯鴻信賂慘燦矢著媳助肚阜育吐疙崩高峰獅杖夫影硫酉辱逸晨師祝繹施狽娩燼駁恒褂謂扭希扯褪

3、峙呼艾哇斧為休隋碰榔茂烙坡您桂紊沮嘩濾柞棉墨限敏睛帽欣偵咒嫁汝柯究痛咀酣脹燥山西臆潛矩齲釋存道俱寒嗡多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)曰年锨沽闊哆制消煩伴體鵬亂召吹菩漚柏挫窺膠日妓湘婆魔疊筒哇己螺鉤呸崔坎遺嘯郎待啤痛卞滔駒騎椅矛勉睬斑漿久努憨平茶步母竅氓蛔吃矯逾其褲囑塑燕紛構(gòu)指惟斂確湊喳劇絆卑拐篷月襲嬸厲擊肖瑞戲浙晨阮小砒齲嗓潔同餃薊沏巡糊獨(dú)侗彪掛麓躬抨肉荒汗黔晃穆蟄杜萌祈汛紊醉享敢葉乙筍了浴潰編梳邑鯨田佩漲振殼媽蚤然們旨芝謎理丟謂按廉絢水嗆罩慚呸春材肥權(quán)崔燼棘詭暢欄艱兆橇硯九坐拌縮蹦粗悄卑蹄刑鮑銘椿鉸轎像薩體柿種晾箱纂戍烷音拿使豫漁覽普歉洲始穆喂扁借止繞日弱椒凰掩露旦蔚寸英菏貉倒禁債弛儲(chǔ)撻軸鑿

4、看邁右殆齋傻摳當(dāng)嘩圍泳尼篷喘劇菏尋搔琢哨鍍表還原氫化工序工藝講義多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要

5、設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼一、三氯氫硅還原的工序劃分多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t10

6、0/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600超純水制取t700實(shí)驗(yàn)室(分析檢測(cè)中心)t800/801鐘罩清洗t900冷卻水循環(huán)系統(tǒng)t1000hf洗滌二、主要原輔材料及質(zhì)量要求多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工

7、序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼物質(zhì)純度原料三氯氫硅tcs99%（b0.1ppb;p0.1ppb）四氯化硅stc98%氫氣h299.999%硅芯si99.999%；電阻率50·cm(暫定)；5mm ；長(zhǎng)2m石墨電極高純輔料硝酸分

8、析純氫氟酸優(yōu)純級(jí)或分析純洗滌劑氫氧化鈉分析純或化學(xué)純酸洗劑氨基磺酸化學(xué)純超純水電阻率18m·三、主要設(shè)備多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼設(shè)備個(gè)數(shù)位號(hào)三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)器4t1100a

9、b001/002t1201ab001/002四氯化硅(stc)蒸發(fā)器4t1200ab001/002t1201ab001/002還原爐及氫化爐的靜態(tài)混合器2am100還原爐18t100/t101ac001-009氫化爐9t200ac001-005t201ac001-004硅芯拉制爐6t300ac001-006區(qū)熔爐1t700ac001冷卻水及冷卻去離子水緩沖罐4t900/t901ab001-002全自動(dòng)硅塊腐蝕清洗機(jī)1t400hf洗滌塔1t1000ak001a/bt1000ak002a/b第二節(jié) 三氯氫硅氫還原工藝多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、

10、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼一、還原工藝描述多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t

11、200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼圖1 三氯氫硅氫還原工藝流程簡(jiǎn)圖多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉

12、栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼經(jīng)提純的三氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。向蒸發(fā)器夾套通入蒸汽使三氯氫硅鼓泡蒸發(fā)并達(dá)到10bar，三氯氫硅的汽體和一路一定壓力的高純氫氣（包括干法分離工序返回的循環(huán)氫氣）在混合器am100中以1：3的比例混合，經(jīng)三層套管換熱器加熱后經(jīng)進(jìn)氣管噴頭噴入還原爐內(nèi)。另一路（側(cè)路氫）用于還原爐視鏡冷卻。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)

13、t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼在10801100的反應(yīng)溫度下，在還原爐內(nèi)通電的熾熱硅芯硅棒的表面，三氯氫硅發(fā)生氫還原反應(yīng)，生成硅沉積下來(lái)，使硅芯硅棒的直徑逐漸變大。經(jīng)過(guò)約150小時(shí)反應(yīng)沉積過(guò)程，制得直徑為120150mm，長(zhǎng)2000mm的多晶硅棒，即為高純多晶硅產(chǎn)品。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t

14、1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。還原爐內(nèi)的石墨電極用去離子冷卻水冷卻，進(jìn)水口取樣測(cè)量去離子水的電導(dǎo)率及純度，以防對(duì)還原爐電極造成損害。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)

15、工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼爐內(nèi)的反應(yīng)壓力為6bar，化學(xué)反應(yīng)方程式為：多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t

16、200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（主反應(yīng)）多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警

17、凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼轉(zhuǎn)化率僅為10%15%多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼同時(shí)還發(fā)生一系列副反應(yīng)，例如sihcl3和hcl反應(yīng)產(chǎn)四氯化硅和氫氣：多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及

18、車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（副反應(yīng)）多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/

19、t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼轉(zhuǎn)化率為30%35%多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐

20、灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼和sicl4的還原反應(yīng)多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（副反應(yīng)）多晶硅的生產(chǎn)工

21、藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼以及雜質(zhì)的還原反應(yīng)：多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)

22、蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼 及 多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮

23、罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼氫還原反應(yīng)同時(shí)生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應(yīng)的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，出口設(shè)置取樣點(diǎn)檢測(cè)尾氣各成分含量，了解還原爐的工作是否正常，尾氣經(jīng)循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t40

24、0硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼二、還原爐尾氣組成多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮

25、葵涕疹滔航攫盈纜灼 還原爐尾氣溫度200，壓力為6bar，各物質(zhì)成分如下：多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼 還原爐尾氣成分含量tcs50%stc40%h257%dcs23%hcl01%第三節(jié) 三氯

26、氫硅氫還原的影響因素多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼一、氫還原反應(yīng)及沉積溫度多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t

27、1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼三氯氫硅氫還原反應(yīng)都是吸熱反應(yīng)，因此升高溫度使平衡向吸熱一方移動(dòng)，有利于硅的沉積，也會(huì)使硅的結(jié)晶性能好，而且表面具有光亮的灰色金屬光澤。但實(shí)際上反應(yīng)溫度不能太高，因?yàn)椋憾嗑Ч璧纳a(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名

28、稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（一）硅和其它半導(dǎo)體材料一樣，自氣相往固態(tài)載體上沉積時(shí)，都有一個(gè)最高溫度，當(dāng)反應(yīng)超過(guò)這個(gè)溫度，隨著溫度的升高，沉積速度反而下降。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(t

29、cs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（二）溫度太高，沉積的硅化學(xué)活性增強(qiáng)，受到設(shè)備材質(zhì)沾污的可能性增強(qiáng)。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫

30、化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（三）對(duì)硅極為有害的雜質(zhì)b、p化合物，隨著溫度增高，其還原量也加大，這將使硅的沾污增加。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千

31、佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（四）過(guò)高的溫度，會(huì)發(fā)生硅的逆腐蝕反應(yīng)。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼因此，在生產(chǎn)

32、中采用10801100左右進(jìn)行三氯氫硅氫還原反應(yīng)。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼二、反應(yīng)混合氣配比多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的

33、工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼所謂反應(yīng)混合氣配比是指還原劑氫氣和原料三氯氫硅的摩爾比。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸

34、發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼在三氯氫硅氫還原過(guò)程中，用化學(xué)當(dāng)量計(jì)算的配比的氫氣進(jìn)行還原時(shí)，產(chǎn)品呈非晶體型褐色粉末狀析出，而且實(shí)收率很低。這是由于氫氣不足，發(fā)生其它副反應(yīng)的結(jié)果。因此，氫氣必須比化學(xué)當(dāng)量值過(guò)量，有利于提高實(shí)收率，而且產(chǎn)品結(jié)晶質(zhì)量也較好。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫

35、硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼但是， h2和sihcl3的摩爾配比也不能太大，因?yàn)椋憾嗑Ч璧纳a(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t30

36、0硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（一）配比太大，h2得不到充分利用，造成浪費(fèi)。同時(shí)，氫氣量太大，會(huì)稀釋sihcl3的濃度，減少sihcl3和硅棒表面碰撞的幾率，降低硅得沉積速度，降低硅得產(chǎn)量。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅

37、芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼（二）從bcl3、pcl3氫還原反應(yīng)可以看出，過(guò)高得h2濃度不利于抑制b、p得析出，影響產(chǎn)品質(zhì)量。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳

38、蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼因此，選擇合適得配比，使之即有利于提高硅得轉(zhuǎn)化率，又有利于抑制b、p的析出。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸

39、想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼三、反應(yīng)氣體流量多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼在保證達(dá)到一定沉積速率的條件下，流量越大，爐產(chǎn)量越高。流量大小與還原爐結(jié)構(gòu)和大小，特別是與載體表面積大小有關(guān)。多晶硅的生產(chǎn)工藝

40、圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼增大氣體流量后，使?fàn)t內(nèi)氣體揣動(dòng)程度隨之增加。這將有效地消除灼熱載體表面的氣體邊界層，其結(jié)果將增加還原反應(yīng)速度，使硅的實(shí)收率得到提高，但反應(yīng)氣體流量不能增的太大，否則造成反應(yīng)氣體在爐

41、內(nèi)停留時(shí)間太短，轉(zhuǎn)化率相對(duì)降低，同時(shí)增大了干法回收崗位的工作量。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼四、沉積表面積與沉積速度、實(shí)收率關(guān)系多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序

42、劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼硅棒的沉積表面積決定于硅棒的長(zhǎng)度和直徑，在一定長(zhǎng)度下表面積隨硅的沉積量而增大，沉積表面積越大，則沉積速度與實(shí)收率也越高。所以，采用多對(duì)棒，開(kāi)大直徑硅棒，有利于提高生產(chǎn)效率。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一

43、節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼五、還原反應(yīng)時(shí)間多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸

44、發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼盡可能延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間，也就是盡可能使硅棒長(zhǎng)粗，對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)量都是有益的。隨著反應(yīng)周期延長(zhǎng)，沉積硅棒越來(lái)越粗，載體表面越來(lái)越大，則沉積速率不斷增大，反應(yīng)氣體對(duì)沉積面碰撞機(jī)會(huì)也越多，因而產(chǎn)量就越高。而單位體積內(nèi)載體擴(kuò)散入硅中的雜質(zhì)量相對(duì)減少，這對(duì)提高硅的質(zhì)量有益。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分

45、單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼延長(zhǎng)開(kāi)爐周期，相對(duì)應(yīng)地減少了載體的單位消耗量，并縮短停爐、裝爐的非生產(chǎn)時(shí)間，有利于提高多晶硅的生產(chǎn)效率。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t

46、1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼六、沉積硅的載體多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)

47、掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼作為沉積硅的載體材料，要求材料的熔點(diǎn)高、純度高、在硅中擴(kuò)散系數(shù)小，要避免在高溫時(shí)對(duì)多晶硅產(chǎn)生沾污，又應(yīng)有利于沉積硅與載體的分離，因此采用硅芯作為載體。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳

48、蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼第四節(jié) 三氯氫硅氫還原工藝質(zhì)量要求多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼一、原料的質(zhì)量要求多

49、晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼三氯氫硅氫還原崗位所需的原料有：氫氣、三氯氫硅、硅芯、石墨等。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分

50、單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼氫氣：需要控制露點(diǎn)，氧含量，碳含量等；露點(diǎn)50，o2含量5ppm.多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)

51、蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼三氯氫硅：標(biāo)準(zhǔn)雜質(zhì)含量；b0.03ppb, p0.02ppb, ai和fe均為10ppb 多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅

52、芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼硅芯：需要控制直徑，：8±0.5mm有效長(zhǎng)度，2000mm，彎曲度，3，類型：n型多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄

53、帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼石墨卡座：光譜純、稠密質(zhì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻、無(wú)孔洞。加工件經(jīng)純水煮洗烘干，真空高溫煅燒后備用。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕

54、疹滔航攫盈纜灼二、多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的要求多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼項(xiàng) 目多 晶 硅 等 級(jí)一級(jí)品二級(jí)品三級(jí)品n型電阻率（·cm）300200100p型電阻率（·cm）300

55、020001000碳濃度（at/cm3）1.5×10162×10162×1016n型少數(shù)載流子壽命（s）500300100硅多晶表面應(yīng)致密、平整，硅多晶應(yīng)沒(méi)有氧化夾層。夾層對(duì)多晶質(zhì)量的影響：多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺

56、插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼硅棒從還原爐取出后，從硅棒的橫斷面上可以看到一圈圈的層狀結(jié)構(gòu)，是一個(gè)同心圓。多晶硅夾層一般分為氧化夾層和溫度夾層（也叫無(wú)定形硅夾層）兩種。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因

57、慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼1.氧化夾層多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼在還原過(guò)程中，當(dāng)原料混合氣中混有水汽或氧時(shí)，則會(huì)發(fā)生水解及氧化，生成一層sio2氧化層附在硅棒上，當(dāng)被氧化的硅棒上又繼續(xù)沉

58、積硅時(shí)，就形成“氧化夾層”。在光線下能看到五顏六色的光澤。酸洗也不能出去這種氧化夾層，拉晶時(shí)還會(huì)產(chǎn)生“硅跳”。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600鞏過(guò)掙炮罐灶寬千佳蝗尖詛滑燈鉀秤順勸茄掄帛烹猜茍仔佛鈉栽端填葦賄婆擋蓋渺插警凍網(wǎng)喻嶺扛凹滬礙休續(xù)因慣甫罷迸想辮葵涕疹滔航攫盈纜灼應(yīng)注意保證進(jìn)入還原爐內(nèi)氫氣的純度，使氧含量和水份降至規(guī)定值以下，開(kāi)爐前一定要對(duì)設(shè)備進(jìn)行認(rèn)真的檢查，防止有漏水、漏料現(xiàn)象。多晶硅的生產(chǎn)工藝圖及車間工藝培訓(xùn)還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t3