手機(jī)研發(fā)硬件測(cè)試技術(shù)培訓(xùn)教材

1、手機(jī)手機(jī)硬件測(cè)試技術(shù)硬件測(cè)試技術(shù)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試技術(shù)目錄硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定1. 測(cè)試人員的培養(yǎng)硬件測(cè)試概述1 1、硬件測(cè)試的概念、硬件測(cè)試的概念 測(cè)試是為了發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤而執(zhí)行操作的過(guò)程 測(cè)試是為了證明設(shè)計(jì)有錯(cuò)，而不是證明設(shè)計(jì)無(wú)錯(cuò)誤 一個(gè)好的測(cè)試用例是在于它能發(fā)現(xiàn)至今未發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤一個(gè)成功的測(cè)試是發(fā)現(xiàn)了“至今未

2、發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤”的測(cè)試2 2、硬件測(cè)試的目的、硬件測(cè)試的目的測(cè)試的目的決定了如何去組織測(cè)試。如果測(cè)試的目的是為了盡可能多地找出錯(cuò)誤，那么測(cè)試就應(yīng)該直接針對(duì)設(shè)計(jì)比較復(fù)雜的部分或是以前出錯(cuò)比較多的位置。如果測(cè)試目的是為了給最終用戶提供具有一定可信度的質(zhì)量評(píng)價(jià)，那么測(cè)試就應(yīng)該直接針對(duì)在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)經(jīng)常用到的商業(yè)假設(shè)。綜合評(píng)估，決定產(chǎn)品的測(cè)試方向！Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試概述3、硬件測(cè)試的目標(biāo)、硬件測(cè)試的目標(biāo)產(chǎn)品的零缺陷產(chǎn)品的零缺陷關(guān)注點(diǎn)：產(chǎn)品規(guī)格功能的實(shí)現(xiàn)，性能指標(biāo)，可靠性，可測(cè)試性，易用性等。實(shí)現(xiàn)

3、的保障：產(chǎn)品的零缺陷構(gòu)筑于最底層的設(shè)計(jì)，源于每一個(gè)函數(shù)、每一行代碼、每一部分單元電路及每一個(gè)電信號(hào)。測(cè)試就是要排除每一處故障和每一處隱患，從而構(gòu)建一個(gè)零缺陷的產(chǎn)品。MTBF不是計(jì)算出來(lái)的，而是設(shè)計(jì)出來(lái)的。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.4 4、硬件測(cè)試的意義、硬件測(cè)試的意義測(cè)試并不僅僅是為了要找出錯(cuò)誤。通過(guò)分析錯(cuò)誤產(chǎn)生的原因和錯(cuò)誤的分布特征，可以幫助項(xiàng)目管理者發(fā)現(xiàn)當(dāng)前設(shè)計(jì)過(guò)程的缺陷，以便改進(jìn)。同時(shí)，這種分析也能幫助我們?cè)O(shè)計(jì)出有針對(duì)性地檢測(cè)方法，改善測(cè)試的有效性。沒有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤的測(cè)試也是有價(jià)值的，完整的測(cè)試是

4、評(píng)定測(cè)試質(zhì)量的一種方法。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試概述5 5、目前業(yè)界硬件測(cè)試的開展?fàn)顩r目前業(yè)界硬件測(cè)試的開展?fàn)顩r隨著質(zhì)量的進(jìn)一步要求，硬件測(cè)試工作在產(chǎn)品研發(fā)階段的投入比例已經(jīng)向測(cè)試傾斜，許多知名的國(guó)際企業(yè)，硬件測(cè)試人員的數(shù)量要遠(yuǎn)大于開發(fā)人員。而且對(duì)于硬件測(cè)試人員的技術(shù)水平要求也要大于開發(fā)人員。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.6、硬件測(cè)試在企業(yè)價(jià)值鏈中的地位硬件測(cè)試在企業(yè)價(jià)值鏈中的地位采購(gòu)研發(fā)測(cè)試生產(chǎn)銷

5、售測(cè)試是每項(xiàng)成功產(chǎn)品的必經(jīng)環(huán)節(jié)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試概述7、硬件測(cè)試對(duì)公司形象和公司發(fā)展的重要性硬件測(cè)試是評(píng)估產(chǎn)品質(zhì)量的重要方法產(chǎn)品質(zhì)量是公司的信譽(yù)和品牌象征公司的信譽(yù)和質(zhì)量決定了公司的發(fā)展前景Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試概述8 8、硬件測(cè)試的一般流程和各階段點(diǎn)的輸出文件、硬件測(cè)試的一般流程和各階段點(diǎn)的輸出文件Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc

6、. All rights reserved.課程大綱硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備硬件測(cè)試的種類與操作硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備1 1、設(shè)計(jì)檢查、設(shè)計(jì)檢查 硬件設(shè)計(jì)審查 原理圖審查 PCB審查 發(fā)現(xiàn)硬件設(shè)計(jì)原理缺陷 發(fā)現(xiàn)成本浪費(fèi)問(wèn)題 發(fā)現(xiàn)降額不規(guī)范設(shè)計(jì) 發(fā)現(xiàn)布局和布線的缺陷 發(fā)現(xiàn)EMC等專項(xiàng)設(shè)計(jì)缺陷Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備2 2、正規(guī)審查的

7、流程、正規(guī)審查的流程審查專家的確定 評(píng)審專家預(yù)審 審查問(wèn)題反饋整理 評(píng)審會(huì)議召開 審查問(wèn)題確認(rèn)，解決 評(píng)審問(wèn)題跟蹤C(jī)opyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備3 3、FMEAFMEA（故障模式影響分析）（故障模式影響分析）分析系統(tǒng)中每一產(chǎn)品所有可能產(chǎn)生的故障模式及其對(duì)系統(tǒng)造成的所有可能影響，并按每一個(gè)故障模式的嚴(yán)重程度、檢測(cè)難易程度以及發(fā)生頻度予以分類的一種歸納分析方法。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備4.F

8、MEA4.FMEA的意義的意義能幫助設(shè)計(jì)者和決策者從各種方案中選擇滿足可靠性要求的最佳方案；保證所有元器件的各種故障模式及影響都經(jīng)過(guò)周密考慮； 能找出對(duì)系統(tǒng)故障有重大影響的元器件和故障模式，并分析其影響程度；有助于在設(shè)計(jì)評(píng)審中對(duì)有關(guān)措施（如冗余措施）、檢測(cè)設(shè)備等作客觀的評(píng)價(jià)；Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備 FMEAFMEA的意義（續(xù)）的意義（續(xù)）能為進(jìn)一步定量分析提供基礎(chǔ)；能為進(jìn)一步更改產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供資料； 能為產(chǎn)品可測(cè)試方案提供基礎(chǔ)材料； 能為技術(shù)支援人員提供維修指南； 為基于故障模式的測(cè)試提

9、供依據(jù)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備嚴(yán)酷度嚴(yán)酷度 在某些系統(tǒng)中，最終影響的嚴(yán)重程度等級(jí)又稱為嚴(yán)酷度（有時(shí)也稱為嚴(yán)重度，系指故障模式所產(chǎn)生后果的嚴(yán)重程度）類別。 嚴(yán)重程度等級(jí)（嚴(yán)酷度類別）定義應(yīng)考慮到故障所造成的最壞的潛在后果來(lái)確定。嚴(yán)酷度的定義是FMEA的前提和基礎(chǔ)，有了共識(shí)的嚴(yán)酷度才可以保證FMEA的順利開展和問(wèn)題的落實(shí)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備5 5、制定測(cè)試計(jì)劃、制定測(cè)試計(jì)劃描述

10、該測(cè)試計(jì)劃所應(yīng)達(dá)到的目標(biāo)如下（可依據(jù)項(xiàng)目的實(shí)際要求做適當(dāng)調(diào)整）：所有測(cè)試需求都已被標(biāo)識(shí)出來(lái)；測(cè)試的工作量已被正確估計(jì)并合理地分配了人力、物力資源； 測(cè)試的進(jìn)度安排是基于工作量估計(jì)的、適用的； 測(cè)試啟動(dòng)、停止的準(zhǔn)則已被標(biāo)識(shí)； 測(cè)試輸出的工作產(chǎn)品是已標(biāo)識(shí)的、受控的和適用的。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備測(cè)試計(jì)劃的內(nèi)容測(cè)試計(jì)劃的內(nèi)容測(cè)試計(jì)劃一般應(yīng)該包含一下的內(nèi)容：測(cè)試對(duì)象，明確版本，范圍，任務(wù)劃分 角色和職責(zé) 測(cè)試和不被測(cè)試的特性原因 測(cè)試通過(guò)與否的標(biāo)準(zhǔn) 測(cè)試任務(wù)安排 測(cè)試結(jié)束的交付件 工作量評(píng)估C

11、opyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備7 7、確認(rèn)測(cè)試需求的來(lái)源、確認(rèn)測(cè)試需求的來(lái)源一切測(cè)試的需求都來(lái)自于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的規(guī)格，規(guī)格來(lái)自于用戶的需求。因此我們的測(cè)試是針對(duì)產(chǎn)品規(guī)格的測(cè)試。具體可以從以下幾方面進(jìn)行考慮： 產(chǎn)品設(shè)計(jì)功能根據(jù)功能的實(shí)現(xiàn)，分別對(duì)實(shí)現(xiàn)該功能的各個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行測(cè)試，從硬件、軟件、用戶界面，只有各個(gè)環(huán)節(jié)都暢通無(wú)阻，才能保證該功能的正常實(shí)現(xiàn)。 可靠性 指標(biāo)性能需求指標(biāo)包括基帶指標(biāo)、RF指標(biāo)、可靠性指標(biāo)和指標(biāo)容差。指標(biāo)一般都有相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)可查。性能測(cè)試的異常條件主要是指邊界條件、環(huán)境異常條件及故障相關(guān)

12、性。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試前準(zhǔn)備測(cè)試需求的來(lái)源（續(xù)） 應(yīng)用環(huán)境應(yīng)用環(huán)境一般可從以下幾個(gè)方面考慮：高溫、低溫、高低溫交變、鹽霧、濕熱、防塵、接地、電源、震動(dòng)、沖擊、存儲(chǔ)、運(yùn)輸電磁兼容性Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.1 1、測(cè)試設(shè)計(jì)、測(cè)試設(shè)計(jì) 測(cè)試并不是簡(jiǎn)單意義上的一些測(cè)試操作，在測(cè)試前需要有詳細(xì)的設(shè)計(jì)，周密的策劃，測(cè)試是一項(xiàng)高難度的工作。測(cè)試設(shè)計(jì)概念的范圍很廣，大致可以分為以下幾類：設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)，用此測(cè)

13、試平臺(tái)能進(jìn)行通用項(xiàng)目的測(cè)試，或是進(jìn)行能用此測(cè)試平臺(tái)作一類測(cè)試。設(shè)計(jì)測(cè)試工具，設(shè)計(jì)測(cè)試軟件。設(shè)計(jì)測(cè)試裝備。設(shè)計(jì)測(cè)試用例，測(cè)試方法。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試設(shè)計(jì)的好處測(cè)試設(shè)計(jì)的好處 良好的測(cè)試設(shè)計(jì)和有效測(cè)試工具可減少重復(fù)低效的勞動(dòng) 有效地開發(fā)利用測(cè)試工具可使測(cè)試更深入、更全面 有些復(fù)雜的測(cè)試只能依靠測(cè)試工具進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試 在測(cè)試中經(jīng)常進(jìn)行測(cè)試設(shè)計(jì)是提升技術(shù)水平的有效手段 我們?cè)谧鰷y(cè)試工作時(shí)，不能因循守舊，需要時(shí)刻考慮如何改進(jìn)我們的測(cè)試效果，提高我們的測(cè)試效率，在測(cè)試點(diǎn)上進(jìn)行深入研究，開發(fā)測(cè)試工具，最

14、終使我們的所有點(diǎn)的測(cè)試達(dá)到自動(dòng)化。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.培訓(xùn)大綱硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容與測(cè)試方法硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.手機(jī)硬件測(cè)試的種類與測(cè)試方法2 2、手機(jī)硬件測(cè)試項(xiàng)目：、手機(jī)硬件測(cè)試項(xiàng)目： 功能測(cè)試 電流測(cè)試 射頻測(cè)試 可靠性測(cè)試 音頻 ESD EMC OTA 安規(guī)測(cè)試Copyright 2008 MStar Semicon

15、ductor, Inc. All rights reserved.功能測(cè)試1. 功能測(cè)試產(chǎn)品設(shè)計(jì)定義中的功能效果的確認(rèn)。 Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.電流測(cè)試2.2.電流測(cè)試電流測(cè)試 測(cè)量被測(cè)手機(jī)在各種狀態(tài)下的功耗。電流測(cè)試項(xiàng)目：Talk ModeStandby ModeFeature FunctionalityCamera FunctionalityVideo FunctionalityAudio FunctionalityPower On/Off Functionality 電流測(cè)試表格Copyr

16、ight 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.電流測(cè)試1. 平均待機(jī)電流 Iaverage測(cè)試方法：a) 用假電池，用3.80V電壓源給被測(cè)移動(dòng)臺(tái)供電，在電源環(huán)路中，串聯(lián)一個(gè)小內(nèi)阻電流表；b) 電壓源的電壓設(shè)置為電池的標(biāo)稱電壓，同時(shí)通過(guò)電壓源的反饋端進(jìn)行電壓補(bǔ)償，以保證電壓源的輸出電壓保持電池的標(biāo)稱電壓；c) 被測(cè)移動(dòng)臺(tái)處于待機(jī)狀態(tài)，并保持30分鐘；d) 測(cè)量30分鐘內(nèi)的平均待機(jī)電流 Iaverage；注釋:建議在綜測(cè)儀和移動(dòng)臺(tái)之間建立良好的連接，并對(duì)移動(dòng)臺(tái)進(jìn)行充分屏蔽，避免干擾。Copyright 2008 MStar Sem

17、iconductor, Inc. All rights reserved.計(jì)算待機(jī)時(shí)間測(cè)量被測(cè)移動(dòng)臺(tái)電池的容量C：各種鋰電池性能應(yīng)按照GB/T 18287的要求進(jìn)行測(cè)試，其它類型的電池應(yīng)按照GB/T 18288或GB/T18289的要求進(jìn)行測(cè)試計(jì)算待機(jī)時(shí)間：TIdle=C/Iaverage?；灸M器和移動(dòng)臺(tái)的設(shè)置如下表所示：Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.基站模擬器設(shè)置Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.電流測(cè)試環(huán)境C

18、opyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試環(huán)境數(shù)字電池（Aglinet 66319D）測(cè)試PC+測(cè)試軟件 (Aglinet 141651B)綜合測(cè)試儀一臺(tái)(aglinet 8960 R&S CMU200)測(cè)試手機(jī)一臺(tái)手機(jī)雙GSMGSM待機(jī)待機(jī)時(shí)間測(cè)試連接框圖2.雙GSM待機(jī)時(shí)的待機(jī)時(shí)間測(cè)試Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.射頻指標(biāo)測(cè)試射頻測(cè)試測(cè)試儀測(cè)試儀器： CMU200/ Agilent 8960，PC，DC電源，萬(wàn)用表，測(cè)

19、試卡，Link Cable，數(shù)據(jù)線 注：測(cè)試方法可結(jié)合參考Agilent8960/CMU200操作手冊(cè)。 所需測(cè)試的信道及功率等級(jí)視具體情況而定。一般情況下RF Test需要在High、Low、Middle 信道上進(jìn)行RF Test.Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.射頻指標(biāo)測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)試項(xiàng)目GSM900 TRANSMITTER (13) Phase error / Frequency error (13.1) Output power and burst timing (13.3) Output powe

20、r Burst timing Output RF spectrum (13.4) Spectrum due to modulation out to less than 1800 kHz offset Spectrum due to switching transientsCopyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.射頻指標(biāo)測(cè)試項(xiàng)目GSM900 RECEIVER (14)Frame Erasure Ratio (FER)Residual Bit Error Ratio (RBER)Bit Error Ratio (B

21、ER)Reference sensitivity (14.2)Reference sensitivity - TCH/FS (14.2.1)Usable receiver input level range (14.3)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Phase error / Frequency errorPhase error / Frequency errorPhase error / Frequency error 定義：發(fā)射機(jī)的相位誤差和頻率誤差是指測(cè)得的實(shí)際頻率，相位與理論期望的頻率，相位之差

22、。標(biāo)準(zhǔn)要求：1.MS 載波頻率誤差應(yīng)小于1*102.每一個(gè)突發(fā)脈沖的RMS 相位誤差都不應(yīng)超過(guò)5o ,3. 每一個(gè)突發(fā)脈沖的有用部份的相位最大峰值誤差都不應(yīng)超過(guò)20o Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Phase error / Frequency errorPhase error / Frequency error測(cè)試方法測(cè)試方法：給手機(jī)裝上測(cè)試卡并接通電源，將手機(jī)的RF switch與基站模擬器用Cable相連，建立通話連接，分別在GSM、DCS和PCS頻段測(cè)試Frequency Error ，Phas

23、e Error(PEAK) ，Phase Error(RMS)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Output power and burst timingOutput power and burst timingOutput power and burst timing 發(fā)射機(jī)輸出功率與突發(fā)脈沖定時(shí)定義 發(fā)射機(jī)輸出功率是指在一個(gè)突發(fā)脈沖的有用信息比特 時(shí)間上，傳遞到外接天線或MS內(nèi)部天線幅射的功率平均值。 突發(fā)脈沖定時(shí)是指MS 接收和發(fā)送之間的時(shí)間間隙。該定時(shí)是 以訓(xùn)練序列的13比 特到14比特轉(zhuǎn)換點(diǎn)為基

24、準(zhǔn)。測(cè)試方法MS 通過(guò) RF 電纜與測(cè)試設(shè)備相連。MS與測(cè)試設(shè)備在ARFCN中間范圍的信道上建立一個(gè)電路交換模式呼叫，功率控制級(jí)設(shè)為最大。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Output power and burst timing Output power and burst timing 標(biāo)準(zhǔn)要求GSM DCS/PCS PCL N Power limit(dbm) Tolerance (dbm) PCL N Power limit (dbm) Tolerance (dbm) 533+/-2 030+/-2

25、 631+/-3 128+/-3 729+/-3 226+/-3 827+/-3 324+/-3 925+/-3 422+/-3 1023+/-3 520+/-3 1121+/-3 618+/-3 1219+/-3 716+/-3 1317+/-3 814+/-3 1415+/-3 912+/-4 1513+/-3 1010+/-4 1611+/-5 118+/-4 179+/-5 126+/-4 187+/-5 134+/-4 Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Burst timingBurst timi

26、ngCopyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Burst timing正常測(cè)試條件下各功率控制級(jí)下的正常突發(fā)脈沖的功率/時(shí)間包絡(luò)應(yīng)落在下圖所示的功率/時(shí)間包絡(luò)框架內(nèi)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Output RF spectrum Output RF spectrum 輸出RFRF頻譜Output RF spectrum 輸出RF頻譜定義 輸出RF頻譜是在一定的帶寬和周期內(nèi)測(cè)量的由MS的調(diào)制和功率噪聲產(chǎn)生的相對(duì)于中心頻率的

27、頻偏與功率之間的關(guān)系標(biāo)準(zhǔn)要求：Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Output RF spectrum Output RF spectrum 輸出RFRF頻譜標(biāo)準(zhǔn)要求Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.調(diào)制譜調(diào)制譜開關(guān)譜開關(guān)譜Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc.

28、 All rights reserved.Reference sensitivity Reference sensitivity 參考靈敏度Reference sensitivity 參考靈敏度定義 參考靈敏度是指達(dá)到規(guī)定的BER或FER 條件下MS接收機(jī)的輸入電平。標(biāo)準(zhǔn)要求：GSM900 的2級(jí)和3級(jí)MS -104dBm GSM900 的4級(jí)和5級(jí)MS -102dBm GSM1800 的 MS -102dBm Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Reference sensitivity Reference

29、 sensitivity 參考靈敏度標(biāo)準(zhǔn)要求Normal Conditions+ / +3.8VMinimum No. of samplesMeasurementTest limit(1 1.6)FER164 00000.122 (=1)C 975Class Ib (RBER)20 000 00000.256 (=1.6)Class II (RBER)8 200-108.52.44 %FER164 00000.122 (=1)C 55Class Ib (RBER)20 000 00000.256 (=1.6)Class II (RBER)8 200-108.52.44 %FER164 0000

30、0.122 (=1)C 124Class Ib (RBER)20 000 00000.256 (=1.6)Class II (RBER)8 200-1082.44 %Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Reference sensitivity Reference sensitivity 參考靈敏度 測(cè)試方法測(cè)試方法： 模擬基站調(diào)整有用信號(hào)電平，使MS的RF 接頭處輸入電平為參考靈敏度電平 ， 模擬基站將發(fā)給MS的信號(hào)數(shù)據(jù)與經(jīng)過(guò)MS接收機(jī)解調(diào)和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，檢查擦除指示； 模擬基站通過(guò)檢查II

31、類連續(xù)比特最小樣本數(shù)序列，判定II類比特殘余比特差錯(cuò)事件的數(shù)目，這些比特取自BFI 置0的幀。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.可靠性測(cè)試 低溫 可靠性測(cè)試可靠性測(cè)試環(huán)境試驗(yàn) 低溫 低溫存儲(chǔ)：移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(40 3)低溫存儲(chǔ)16 小時(shí)，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。低溫工作：移動(dòng)通信手持機(jī)在開機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(10 3)低溫試驗(yàn)2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All

32、 rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)高溫 高溫存儲(chǔ)移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(55 3)高溫存儲(chǔ)16小時(shí)后，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 高溫工作移動(dòng)通信手持機(jī)在開機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(55 3)高溫試驗(yàn)2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)溫度沖擊移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受(30 3)/(-25 3)的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。沖擊移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度300m/s 2 脈

33、沖持續(xù)時(shí)間18ms的半正弦脈沖沖擊18次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 碰撞移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度250m/s 2 脈沖持續(xù)時(shí)間6ms碰撞3000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)振動(dòng)移動(dòng)通信手持機(jī)經(jīng)受如下頻率/幅度的隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)后應(yīng)功能正常，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。頻率 隨機(jī)振動(dòng)ASD（加速度譜密度）520Hz 0.96m2 / s320500Hz 0.96m2 / s3（20Hz處），其他3dB/倍頻程Copyrig

34、ht 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)濕熱濕熱移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)過(guò)(40 2)，相對(duì)濕度93-3+2 %的環(huán)境試驗(yàn)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。鹽霧鹽霧移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受如下嚴(yán)酷等級(jí)的交變鹽霧試驗(yàn)后功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。嚴(yán)酷等級(jí)：三個(gè)噴霧周期，每個(gè)2h，每個(gè)噴霧周期后有一個(gè)為期22h的濕熱儲(chǔ)存周期。噴霧條件為溫度為(1535)，濃度為(5.0 1)的氯化鈉溶液；儲(chǔ)存條件為(40 2),相對(duì)濕度為9095。Copyright 2008 MStar Semiconductor,

35、Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)砂塵移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下在能通過(guò)篩孔為75m、金屬絲直徑為50m的方孔篩的干燥滑石粉、試驗(yàn)箱（室）內(nèi)（工作室和管通道）灰塵量為2kg/m3的粉塵中放置8小時(shí)后， 液晶屏表面不允許有粉塵，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn) 撞擊移動(dòng)通信手持機(jī)的顯示屏應(yīng)能夠經(jīng)受撞擊能量為(0.2 0.02)J 的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞，功

36、能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下暴露的顯示屏上選取撞擊部位。擠壓移動(dòng)通信手持機(jī)開機(jī)狀態(tài)下承受(250 10)N的力擠壓1000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)自由跌落移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下應(yīng)能夠從高度為(1.0 0.01)m處跌落在混凝土表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。顯示屏可見面積不小于機(jī)殼正面

37、表面積40或25cm 2 的移動(dòng)通信手持機(jī)應(yīng)能夠在從高度為(0.5 0.005)m處跌落在表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)移動(dòng)通信手持機(jī)與附件的接口的壽命移動(dòng)通信手持機(jī)與電池、充電器及耳機(jī)插槽各經(jīng)受1000次、手機(jī)卡進(jìn)行100次的插拔試驗(yàn)后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 按鍵壽命移動(dòng)通信手持機(jī)上獨(dú)立的開關(guān)機(jī)鍵及側(cè)鍵壽命應(yīng)達(dá)到5萬(wàn)次，其余按鍵的壽命都應(yīng)達(dá)到使用10萬(wàn)次，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Cop

38、yright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)方法環(huán)境試驗(yàn)方法移動(dòng)通信手持機(jī)的環(huán)境試驗(yàn)順序建議按下列順序進(jìn)行:a)低溫試驗(yàn)b)高溫試驗(yàn)c)溫度沖擊試驗(yàn)d)沖擊試驗(yàn)e)碰撞試驗(yàn)f)振動(dòng)試驗(yàn)g)恒定濕熱試驗(yàn)鹽霧試驗(yàn)與砂塵試驗(yàn)可單獨(dú)分別進(jìn)行。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMCEMC電磁兼容性1 1、EMCEMC電磁兼容性電磁兼容性YD/1032_EMI_2000YD/1032_EMI_2000電磁騷擾測(cè)試 輻射騷擾測(cè)試（RE） 輻

39、射雜散RSE 傳導(dǎo)騷擾測(cè)試（CE） 諧波電流騷擾測(cè)試（Harmonic） 電壓波動(dòng)與閃爍測(cè)試（Fluctuctions and flicker）Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMCEMC電磁兼容性 電磁敏感度測(cè)試電磁敏感度測(cè)試 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試（RS） 傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試（CS） 電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試（EFT/B） 靜電放電抗擾度測(cè)試（ESD） 電壓跌落、短時(shí)中斷抗擾度測(cè)試（DIP/interruption） 工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試（PMS） 浪涌抗擾度測(cè)試（SURGE）Copyright 2

40、008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMCEMC電磁兼容性EMCEMC電磁兼容性電磁兼容性 電力線感應(yīng)測(cè)試 電力線接觸測(cè)試Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.ESDESD整機(jī)整機(jī)ESDESD測(cè)試：測(cè)試：測(cè)試手機(jī)抗ESD的性能，驗(yàn)證被測(cè)機(jī)在室溫靜電環(huán)境的條件下應(yīng)正常工作。參考標(biāo)準(zhǔn)：參考標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/17626.2試驗(yàn)環(huán)試驗(yàn)環(huán)境：靜電發(fā)生器、待測(cè)手機(jī)開機(jī)、插入測(cè)試卡、充電中撥打電話 Copyright 2008 MStar Semiconduc

41、tor, Inc. All rights reserved.ESDESD試驗(yàn)方法：試驗(yàn)方法： 開機(jī)狀態(tài)，空氣放電將靜電發(fā)生裝置放于參考接地板中央，靜電槍接地線與參考接地板夾緊，將靜電類型開關(guān)調(diào)到AIR，分別調(diào)節(jié)電壓2KV ，4KV，8KV，10KV，沿被測(cè)機(jī)縫隙放電；每點(diǎn)放電10次，每次間隔1秒。 接觸放電換上接觸槍頭，將靜電類型開關(guān)調(diào)到CONTACT，分別調(diào)節(jié)電壓到2KV ，4KV，6KV，沿被測(cè)機(jī)縫隙（包括數(shù)據(jù)金屬口）放電；每點(diǎn)放電10次，每次間隔1秒。 測(cè)試過(guò)程中，被測(cè)機(jī)不能出現(xiàn)軟性錯(cuò)誤和硬性錯(cuò)誤，即通過(guò)重新開機(jī)操作可以糾正的錯(cuò)誤和重新開機(jī)操作不可糾正的錯(cuò)誤；測(cè)試后應(yīng)進(jìn)行功能和信號(hào)測(cè)試。

42、如果有一臺(tái)主被叫功能喪失或有一項(xiàng)主要射頻指標(biāo)不合格，即可判定測(cè)試不合格。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.音頻 測(cè)試音頻 測(cè)試1.發(fā)送響度評(píng)定值（SLR）2.接收響度評(píng)定值（RLR）3.空閑信道噪聲4.發(fā)送靈敏度/頻率特性5.接收靈敏度/頻率特性6.側(cè)音掩蔽評(píng)定值（STMR）7.收聽者側(cè)音評(píng)定值（LSTR）8.穩(wěn)定度損耗9.聲學(xué)回聲控制10.發(fā)送失真11.接收失真12.帶外信號(hào)13.環(huán)境噪聲抑制Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reser

43、ved.音頻 測(cè)試測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試項(xiàng)目單位單位標(biāo)準(zhǔn)值標(biāo)準(zhǔn)值備注備注發(fā)送響度評(píng)定值（SLR）dB8 3接收響度評(píng)定值（RLR）MindB18NormaldB2 3MaxdB-13空閑信道噪聲發(fā)送方向dBm0p-64接收方向Nomal音量dBm0p-57Max音量dBm0p-54發(fā)送靈敏度/頻率響應(yīng)在上下包絡(luò)線內(nèi)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.音頻 測(cè)試測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試項(xiàng)目單位單位標(biāo)準(zhǔn)值標(biāo)準(zhǔn)值備注備注接收靈敏度/頻率特性-在上下包絡(luò)線內(nèi)側(cè)音掩蔽評(píng)定值（STMR）185收聽者側(cè)音評(píng)定值（LSTR）穩(wěn)定度損耗dB6聲學(xué)回

44、聲控制dB46發(fā)送失真-在包絡(luò)線上接收失真-在包絡(luò)線上帶外信號(hào)環(huán)境噪聲抑制dB0Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.OTAOTAOTA 天線性能(OTA)測(cè)試簡(jiǎn)介 天線性能(OTA)測(cè)試對(duì)終端質(zhì)量評(píng)估的意義 天線性能(OTA)認(rèn)證及入網(wǎng)要求 天線性能(OTA)實(shí)例分析Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.OTAOTAOTA 測(cè)試介紹OTA需要進(jìn)行以下項(xiàng)目測(cè)試：從射頻輻射功率和接收機(jī)性能兩方面考慮：OTAOver The Air

45、（空中性能測(cè)試），與傳導(dǎo)測(cè)試向?qū)?yīng),空間三維測(cè)量.TRPTotal Radiated Power總輻射功率NHPRPNear Horizontal Part Radiated Power 接近水平面部分輻射功率TISTotal Isotropic Sensitivity 總?cè)蜢`敏度Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.OTAOTA目的：驗(yàn)證無(wú)線設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的連接能力以及終端使用者對(duì)輻射和接收性能的影響.指標(biāo)衡量了與基站之間的實(shí)際連接情況?；诳罩薪涌诘臏y(cè)試，模擬真實(shí)使用狀態(tài)。 采用三維測(cè)量，評(píng)估盲點(diǎn)和功率分布。

46、 考慮使用者對(duì)EUT的影響。分別在自由空間和人頭模型兩種狀態(tài)下測(cè)試。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.OTAOTAOTA測(cè)試終端質(zhì)量的意義 信號(hào)差和通話質(zhì)量均屬于天線性能范疇 經(jīng)常出現(xiàn)的問(wèn)題： 駐波比(VSWR)， 反射損耗，增益 阻抗匹配 頻帶寬度 效率 與SAR相協(xié)調(diào)，共同調(diào)整Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.OTAOTA天線性能(OTA)認(rèn)證及入網(wǎng)要求 YD/T 1484-2006； 在每個(gè)頻段的高，中，低三個(gè)信道

47、上進(jìn)行完整測(cè)試，其最小值需滿足標(biāo)準(zhǔn)要求. 目前沒有將天線性能(OTA)的總?cè)蜢`敏度測(cè)試納入入網(wǎng)測(cè)試范疇； 只進(jìn)行自由空間下的測(cè)試，對(duì)于模擬人頭，模擬人手情況下的測(cè)試還未要求；Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.OTAOTA頻段頻段TRPTRPTISTIS90026dBm-102dBm180025dBm-100dBmCDMA20dBm-98dBmCopyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.安規(guī)測(cè)試安規(guī)測(cè)試安全檢測(cè)的目的在于減少由于下

48、列各種危險(xiǎn)造成傷害或危害的可能性： 電擊； 與能量有關(guān)的危險(xiǎn); 著火; 與熱有關(guān)的危險(xiǎn); 機(jī)械危險(xiǎn);Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.安規(guī)測(cè)試為了設(shè)計(jì)出安全的設(shè)備，設(shè)計(jì)者必須了解安全要求的基本原則。設(shè)計(jì)者不僅要考慮設(shè)備的正常工作條件,還要考慮可能的故障條件以及隨之引起的故障,可預(yù)見的誤用以及諸如溫度、海拔、污染、濕度、電網(wǎng)電源的過(guò)電壓和通信線路的過(guò)電壓等外界的影響。在確定采用何種設(shè)計(jì)方案時(shí),應(yīng)遵守以下的優(yōu)先次序：如果可能的話,規(guī)定能消除、減小危險(xiǎn)或?qū)ξｋU(xiǎn)進(jìn)行防護(hù)的設(shè)計(jì)原則;如果實(shí)行以上原則將削弱設(shè)備的功能,

49、那么應(yīng)使用獨(dú)立于設(shè)備的保護(hù)措施,如人身保護(hù)設(shè)備；如果上述方案和其他的措施均不切實(shí)可行，那么應(yīng)對(duì)殘留的危險(xiǎn)采取標(biāo)識(shí)和說(shuō)明的措施。需要考慮兩類人員的安全,一類是使用人員(或操作人員)，另一類是維修人員。 Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.移動(dòng)電話的安全檢測(cè)序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)與要求屬性類別1元器件參見GB4943的1.5A2電源接口參見GB4943的1.6A3標(biāo)記和說(shuō)明參見GB4943的1.7A4電擊和能量危險(xiǎn)的防護(hù)（*）參見GB4943的2.1A5SELV電路參見GB4943的2.2A6限流電路（*）參見GB49

50、43的2.4A7電氣絕緣參見GB4943的2.9A8布線、連接和供電的一般要求參見GB4943的3.1 A9機(jī)械強(qiáng)度參見GB4943的4.2A10結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參見GB4943的4.3A11發(fā)熱要求參見GB4943的4.5A12防火參見GB4943的4.7A13抗電強(qiáng)度（*）參見GB4943的5.2A14異常工作和故障條件參見GB4943的5.3A15外殼材料可燃性試驗(yàn)參見GB4943的4.7,附錄AA16PCB板可燃性試驗(yàn)參見GB4943的4.7,附錄AA注：含*號(hào)的項(xiàng)目為非必測(cè)項(xiàng)目，詳見相關(guān)注解。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All right

51、s reserved.硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容與測(cè)試方法硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1 1、定義、定義為了保證通信網(wǎng)的完整、統(tǒng)一、有效、先進(jìn)和通信的順利進(jìn)行，對(duì)通信網(wǎng)、通信系統(tǒng)和通信設(shè)備在組網(wǎng)、進(jìn)網(wǎng)、互連、互通中需要共同遵守的技術(shù)要求所做的統(tǒng)一規(guī)定即為通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具有全程、全網(wǎng)通用的特點(diǎn)。在進(jìn)行通信科研、規(guī)劃、計(jì)劃、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、施工、運(yùn)行和維護(hù)時(shí)，均應(yīng)遵循有關(guān)通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，以確保通信暢通和順利進(jìn)

52、行。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)2 2、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分類、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分類按照統(tǒng)一和適用的范圍，通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（或建議）、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、地方標(biāo)準(zhǔn)、企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)體制和技術(shù)規(guī)范。（1）國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（或建議）由國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織制定。（2）對(duì)需要在全國(guó)范圍內(nèi)統(tǒng)一的技術(shù)要求，應(yīng)制定國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。（3）對(duì)無(wú)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)而需要在通信行業(yè)范圍內(nèi)統(tǒng)一的要求，應(yīng)制定通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reser

53、ved.硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)2 2、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分類（續(xù)）、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分類（續(xù)）（4）由于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)在某些方面規(guī)定的不可能非常具體，因此，我國(guó)有些大城市如：北京市、上海市、天津市等在符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的前提下，為了使通信行業(yè)中某些方面規(guī)定的更具體更適用于本地區(qū)，可制定地方標(biāo)準(zhǔn)。（5）通信企業(yè)生產(chǎn)的技術(shù)設(shè)備（產(chǎn)品），無(wú)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的，應(yīng)制定相應(yīng)的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，做為組織生產(chǎn)的依據(jù)。對(duì)已有國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的，鼓勵(lì)企業(yè)制定高（嚴(yán)）于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserve

54、d.3 3、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試的指導(dǎo)意義3 3、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試的指導(dǎo)意義、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試的指導(dǎo)意義測(cè)試是為了保證產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)的，是高質(zhì)量的。所以各類標(biāo)準(zhǔn)就是進(jìn)行測(cè)試的重要參考準(zhǔn)則。 切記標(biāo)準(zhǔn)是原則性的，所以對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量不能是人為評(píng)估，要用標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)話，用標(biāo)準(zhǔn)衡量。 通信標(biāo)準(zhǔn)指明了產(chǎn)品的質(zhì)量要求，也給出了發(fā)展方向，對(duì)測(cè)試水平的要求也越來(lái)越高。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.3 3、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試的指導(dǎo)意義目前隨著標(biāo)準(zhǔn)的越來(lái)越完善，以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日益加劇，以往做為測(cè)試重點(diǎn)的功能驗(yàn)證性測(cè)試已經(jīng)不再是最重

55、要的環(huán)節(jié)了。產(chǎn)品的可維護(hù)性、可維修性、EMC、安規(guī)、環(huán)境等可靠性的相關(guān)水平已經(jīng)是市場(chǎng)上產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。所以對(duì)于產(chǎn)品的測(cè)試工作，測(cè)試重點(diǎn)也要明確。功能測(cè)試依舊是產(chǎn)品質(zhì)量的前提，但是圍繞產(chǎn)品安全、維護(hù)、可靠性等方面是產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的體現(xiàn)，需要進(jìn)行重點(diǎn)的測(cè)試。Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.手機(jī)測(cè)試常用的標(biāo)準(zhǔn)GB17626.2電磁兼容&ESDYD 1032-2000 TDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信系統(tǒng)電磁兼容性限值和測(cè)量方法YD 1484-2006-I 移動(dòng)通信終端OTA測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)YD/T 1538-2006 數(shù)字移動(dòng)終端

56、音頻性能技術(shù)要求和測(cè)試方法YD /T 1214-2006 900 1800MHz TDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)通用分組無(wú)線業(yè)務(wù)（GPRS）設(shè)備技術(shù)要求：移動(dòng)臺(tái)YD /T 1215-2006 900 1800MHz TDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)通用分組無(wú)線業(yè)務(wù)（GPRS）設(shè)備測(cè)試方法：移動(dòng)臺(tái)YD/T 1539-2006 移動(dòng)通信手持機(jī)可靠性技術(shù)要求YD/T 1591-2006移動(dòng)通信手持機(jī)充電器及接口技術(shù)要求和測(cè)試方法YD /T1268.1-2003移動(dòng)通信手持機(jī)鋰電池的安全要求和試驗(yàn)方法YD/C 065-2007 9001800MHz TDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)移動(dòng)臺(tái)設(shè)備（雙卡槽）技術(shù)要求及測(cè)試方

57、法Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容與測(cè)試方法硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試規(guī)范制定1 1、人員的規(guī)范、人員的規(guī)范要有一個(gè)職業(yè)化的觀念，要有意識(shí)地把自己培養(yǎng)為職業(yè)工程師。 測(cè)試過(guò)程的記錄 測(cè)試經(jīng)驗(yàn)的總結(jié) 測(cè)試規(guī)范和測(cè)試案例的應(yīng)用 測(cè)試用例的應(yīng)用與設(shè)計(jì)Copyright 2008 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.測(cè)試規(guī)范制定人員的規(guī)范必要性人員的規(guī)范必要性我們?cè)诳偨Y(jié)中發(fā)現(xiàn)有較多的從市場(chǎng)上反饋