Stepper基礎(chǔ)教育訓(xùn)練ppt課件

1、Stepper 機(jī)臺(tái)根本原理 及操作簡(jiǎn)介FAB8A / PMA / PHOTO黃郁斌2/15/2000大綱大綱 1: PHOTO 流程2: 曝光原理 3: 機(jī)臺(tái)簡(jiǎn)介4: FAB 流程5: 機(jī)臺(tái)操作6: 晶片傳送和機(jī)臺(tái)異常 Reset 7: 機(jī)臺(tái) Alarm 處理8: 不易對(duì)準(zhǔn)處理9: 測(cè)機(jī)留意事項(xiàng)10: Semi-Auto 及操作異常相關(guān)處理程序11: 名詞解釋gggSSggg1.PHOTO 流程STEPPER顯影機(jī) 光阻機(jī)SEM CDAADP005CD量測(cè)AA量測(cè)曝光圖形ADI2.曝光原理 - PHOTO 照相合歡山連峰照對(duì)準(zhǔn)機(jī)曝光照相機(jī)成像PHOTO 黃光白光暗房 紅光光譜I-lineDU

2、V2.曝光原理 -為什麼是黃光3.機(jī)臺(tái)簡(jiǎn)介 DUV: 0.25um 以上可生產(chǎn)機(jī)臺(tái), 共 5 臺(tái) - EX14C: E11-2, E11-3, E11-4, E12-1 - EX12B: E8-7 I-line(5x) : 0.35um 以上可生產(chǎn)機(jī)臺(tái), 共 15 臺(tái) -I14: I11-1, I11-5, I7-7 -I12: F9-4, F9-5, F9-6對(duì)準(zhǔn)機(jī) -I11: I7-1 I7-6, I8-1 I8-6 I-line(2.5x) : 簡(jiǎn)單層機(jī)臺(tái), 共 5 臺(tái) -4425i: O9-1 O9-3, O-R1 O-R3 光源波長(zhǎng)I-line: 365 nm 的 Hg LampDU

3、V(KrF): 波長(zhǎng) 246nm 的 LaserR= K*波長(zhǎng)/NA 光阻機(jī) 顯影機(jī) SEM AA ADI THINFILMPHOTOETCHDIFFSIN, POLY, ILD, METAL POLYCONTMETALSIN, POLYCONT,METALP+,N+P-WELLP+P-WELLPLDDN+4.FAB 流程L7W01SINP-WELLP-FIELDPOLYPLDDP+N+CONTMETAL1MVIA1METAL2MVIA2METAL3PAD註 15.機(jī)臺(tái)操作1註 2暫停暫停停頓停頓(曝光完成才停曝光完成才停)恢復(fù)恢復(fù)註 3曝光順序曝光順序註 4操作權(quán)限操作權(quán)限曝光條件曝光條件連

4、線連線Semi-Auto 控制方式控制方式 生產(chǎn)生產(chǎn)設(shè)定設(shè)定資料資料測(cè)機(jī)測(cè)機(jī)生產(chǎn)生產(chǎn)系統(tǒng)系統(tǒng)5.機(jī)臺(tái)操作1 -註15.機(jī)臺(tái)操作1 -註2Correction (Correction (補(bǔ)值補(bǔ)值) )位移位移晶片晶片旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)晶片晶片擠進(jìn)擠進(jìn)擠出擠出晶片晶片 XY方向方向垂直性垂直性MAG放大放大倍率倍率RR光罩光罩旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)前層前層圖形圖形本層本層圖形圖形單位m 單位rad單位 ppm單位rad單位 ppm單位rad單位: m=1x10 m ppm=1x10 rad=1x10 rad 5.機(jī)臺(tái)操作1 -註3gggSSggg550580610640 670700730760790820850 Sea

5、rch = EGA = 曝光 5.機(jī)臺(tái)操作1 -註4 初始化初始化或或 Reset 光罩光罩 傳送傳送 (1) 光罩對(duì)準(zhǔn)光罩對(duì)準(zhǔn) (2) 或或 Baseline check (4) 晶片晶片 傳送傳送 (3) 晶片晶片 對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn) (5) 曝光或曝光或 量測(cè)量測(cè) (6) 晶片曝光程序123456對(duì)準(zhǔn)名詞解釋光罩對(duì)準(zhǔn):光罩定位與機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)Baseline check:光罩位置與Stage 上之 Align sensor 校正晶片對(duì)準(zhǔn):Stage 上之晶片和機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn) Search:粗略對(duì)準(zhǔn), 調(diào)整晶片位置後再做 EGA EGA: 精確對(duì)準(zhǔn), 依量測(cè)結(jié)果曝光時(shí)做調(diào)整對(duì)準(zhǔn)機(jī)狀況5.機(jī)臺(tái)操作2註 5機(jī)臺(tái)動(dòng)作

6、機(jī)臺(tái)動(dòng)作訊息框訊息框?qū)?zhǔn)運(yùn)用之對(duì)準(zhǔn)運(yùn)用之SensorSensor光罩對(duì)準(zhǔn)光罩對(duì)準(zhǔn)Sensor Sensor 校正校正Lens Lens 溫控溫控LSA: Laser Step LSA: Laser Step Alignment ( Alignment (光繞射光繞射) )FIA: Field ImageFIA: Field Image Alignment( Alignment(影像處理影像處理) )5.機(jī)臺(tái)操作2 -註5( 3, 5 ) : Y EGA Result = -0.046 ( 3, 5 ) : X EGA Result = -0.077EGA Result 為程式設(shè)定的對(duì)準(zhǔn) Mar

7、k 和實(shí)際偵測(cè)之位置差距, 目前設(shè)定為 2m, 假設(shè) EGA 讀取失敗 (Fail) 表示 2m, 請(qǐng)?jiān)購(gòu)男略囎?Search 對(duì)準(zhǔn)座標(biāo):白色部份為 (4,5) 由左向右為 X=4 由上向下為 Y=5 AA 補(bǔ)值觀念1.派工進(jìn)站(Stepper 至 PPMS AA 補(bǔ)值資料庫(kù)下載參數(shù), 如註2)2.機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn) Search (調(diào)整晶片位置以做更精確對(duì)準(zhǔn)) EGA (得到之結(jié)果 Result, 註5)3.曝光(AA補(bǔ)值=PPMS 補(bǔ)值+EGA AA 補(bǔ)值)4.KLA 量測(cè) AA (量測(cè)結(jié)果由 SYS 自動(dòng)修正AA補(bǔ)值在PPMS資料庫(kù))晶片曝光程序- 晶片對(duì)準(zhǔn)(search,EGA) - Focus

8、 偵測(cè) & 調(diào)整 - Leveling 偵測(cè) & 調(diào)整 - 曝光 (曝光時(shí)間*光源強(qiáng)度 Integrator) 單位:DUV (mj) I-line (msec)5.機(jī)臺(tái)操作3有有 NormalNormal和和 Test-2 Test-2 兩種兩種I-line I-line 機(jī)臺(tái)用機(jī)臺(tái)用 msecmsecDUV DUV 機(jī)臺(tái)用機(jī)臺(tái)用 mj mj.Change & Align reticle .Change & Align reticle 交換及光罩對(duì)準(zhǔn)交換及光罩對(duì)準(zhǔn).Alignment Only .Alignment Only 只光罩對(duì)準(zhǔn)只光罩對(duì)準(zhǔn).Change Only .Change On

9、ly 只交換光罩只交換光罩.No Operation .No Operation 不動(dòng)作不動(dòng)作已有晶片在已有晶片在Stage Stage 上則選上則選 OldOld見機(jī)臺(tái)操作見機(jī)臺(tái)操作4 45.機(jī)臺(tái)操作4.Pre-align Assist(Head).Pre-align Assist(Head) 第第1 1片手拉對(duì)準(zhǔn)並記憶片手拉對(duì)準(zhǔn)並記憶.Pre-align Assist(All).Pre-align Assist(All) 全部手拉對(duì)準(zhǔn)全部手拉對(duì)準(zhǔn).Auto Pre-align.Auto Pre-align 自動(dòng)自動(dòng) Search Search 對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn).Auto Search.Auto S

10、earch.Manual Search.Manual Search.Search Assist.Search Assist假設(shè)要將假設(shè)要將 Particle Particle 監(jiān)測(cè)關(guān)掉則選監(jiān)測(cè)關(guān)掉則選No Intershot Flatness CheckNo Intershot Flatness Check不讀不讀 光罩光罩 BarcodeBarcode.1st .1st 第第1 1層曝光不做層曝光不做 Search Search 和和 EGA EGA 對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn).EGA .EGA 第第2 2層以後對(duì)前層層以後對(duì)前層 之加強(qiáng)性對(duì)準(zhǔn)曝光之加強(qiáng)性對(duì)準(zhǔn)曝光AAAA補(bǔ)值補(bǔ)值.Offset.Offset.

11、Scaling.Scaling.Orth.Orth.Rotation.Rotation.Shot Scaling.Shot Scaling.Shot Rotation.Shot Rotation以上參考以上參考面板介紹面板介紹1- 1-註註2 2 之解釋之解釋6.晶片傳送和機(jī)臺(tái)異常RESETLC Reset 後再後再執(zhí)行執(zhí)行 LC Tracking7.機(jī)臺(tái)Alarm處理不易對(duì)準(zhǔn)Search: OF Retry, Preset, Reset System parameterEGA: 重做 Search, Mark 破損, 訊號(hào)不佳Intershot Flatness AlarmEGA resul

12、t over toleranceScaling: 5ppmOrth: 3uradWafer rotation: 20urad8.不易對(duì)準(zhǔn)-1gggSSgggSearch Mark AD3 (正常) F2S (正常) AC3 (異常)EGA Mark FIA (正常) FIA(異常)LSA(正常)1 2 3aWafer rotation 太大3b3c3d8.不易對(duì)準(zhǔn)-2棵輥琌 Y-SEARCH MARK_垂 琌 臂鑼OF RETRY_ ALIGN SEQUENCE( 魁1 )穘膘碝玡糷Y-c SEARCH MARKO穘膘簿 Y-SEARCH MARK EXECOK_OF RETRYRESET S

13、YSTEMPARAMETER祘, 竛癸非硄 珇猂 PE 癸非琩菌 戈琌 玡糷巨有前層無(wú)前層HOLDO棵輥 礚材 2 Y-cSEARCH MARK_琩琌 睼OHOLD穘膘簿 Y-SEARCH MARK EXEC MANUAL X SEARCH X MARK琌 棵輥O穘膘簿 XMARK PRESETSEARCH MARK錯(cuò)誤, 重找SEARCH MARK_硄 珇猂 PESEARCH 癸非9.測(cè)機(jī)留意事項(xiàng)FC2/SMPSpec:+/-0.1 Control limit:+/-0.07, 超過 Control limit 通知 EQ 處理 FC2 測(cè)機(jī)完後選擇 Cancel 不將結(jié)果補(bǔ)入機(jī)臺(tái),假設(shè)誤按

14、到 OK, 請(qǐng)至 Reset 中 Clear Focus Calibration Result 將補(bǔ)值去除平坦度測(cè)機(jī)時(shí)機(jī)連續(xù) 3片 Intershot Alarm ADI 檢查有連續(xù)性 Particle defocus日常測(cè)機(jī) 測(cè)機(jī)程式WFLAT_70.WFCP ( 間隔 7mm)WFLAT_LD.WFCP (晶片左下/間隔 5.5mm)WFLAT_LU.WFCP (晶片左上/間隔 5.5mm)WFLAT_RD.WFCP (晶片右下/間隔 5.5mm)WFLAT_RU.WFCP (晶片右上/間隔 5.5mm)SpecDUV:相鄰兩點(diǎn) 0.4um, Max-Min:2.0I-line:相鄰兩點(diǎn)

15、0.6um, Max-Min:2.04425i:相鄰兩點(diǎn) 1.2um, Max-Min:2.010.Semi-Auto 及操作異常相關(guān)處理程序無(wú)法派工無(wú)光阻程式/無(wú)對(duì)準(zhǔn)程式(光罩版本)/沒有光罩指定機(jī)臺(tái)/機(jī)臺(tái)限制無(wú)法進(jìn)站無(wú)曝光參數(shù)需重下程式(手動(dòng)補(bǔ)值)SMP 曝光(交換光罩)Semi-Auto 斷線(例:對(duì)準(zhǔn)前,自動(dòng)下參數(shù)失敗) 更改對(duì)準(zhǔn)程式不需重下程式(無(wú)光罩交換只執(zhí)行 Continue)FC2 測(cè)機(jī)/平坦度/量測(cè) SMP 晶片面板顯示可派工, 實(shí)際卻不行此類資料為因有機(jī)臺(tái)操作 Grouping 限制, 需再同一機(jī)臺(tái)操作 SiN = Wsi =Pvia 例: DRAM, 少部份 SRAM Extended 曝光此類程式已在程式內(nèi)設(shè)定好曝光參數(shù)11.名詞解釋1.AA: Align Accuracy, 對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)確度.2.ADI: After Develop Inspection, 顯影後目檢.3.CD: Critical Dimension, 重要的線寬.4.Coater: 光阻機(jī), 將光阻以旋轉(zhuǎn)的方式均勻的塗佈在晶片上.5.Defocus: 曝光時(shí)焦距異常, 將導(dǎo)致晶片上的光阻圖形變形.6.Developer: 顯影機(jī), 利用顯影液將曝光後的光阻去除.7.DUV: 波長(zhǎng) 246nm 的光源8.Exposure: 曝光, 使光阻感光的過程. 9.I-line: 波長(zhǎng) 36