到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件

1、到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件重要性：微波集成振蕩器是各類微波系統(tǒng)的關(guān)鍵部件之一，它的性能優(yōu)劣直接影響到微波系統(tǒng)的性能指標。要求越來越高：輸出功率大、相位噪聲低、頻率穩(wěn)定度高、尺寸小、溫度穩(wěn)定性高、可靠性高及成本低。類型：二極管振蕩器：在輸出功率及效率兩方面，體效應二極管振蕩器都不如雪崩二極管振蕩器，但在相位噪聲方面體效應二極管振蕩器比雪崩二極管振蕩器好。晶體三極管振蕩器：比二極管振蕩器有下述優(yōu)點：工作頻帶寬，效率高，諧振頻率完全取決于外部諧振電路，相位噪聲優(yōu)于二極管振蕩器；功耗小，工作溫度較低，可靠性較高；它的唯一缺點是最高振蕩頻率低于二極管振蕩器。石英晶體振蕩器：是一種

2、振蕩頻率較低的高穩(wěn)定的頻率源，在微波波段常采用倍頻鏈式晶體振蕩器、鎖相式晶體振蕩器及介質(zhì)諧振器晶體管振蕩器作為高穩(wěn)定性的頻率源。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件主要有頻率準確度，頻率穩(wěn)定度，長期穩(wěn)定度，短期穩(wěn)定度和初始漂移。1頻率準確度2頻率穩(wěn)定度 （1）長期頻率穩(wěn)定度 （2）短期頻率穩(wěn)定度 （3）瞬時頻率穩(wěn)定度到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件頻率準確度是指振蕩器實際工作頻率與標稱頻率之間的偏差。有絕對頻率準確度和相對頻率準確度兩種表示方法。絕對頻率準確度是實際工作頻率與標稱頻率的差值。用下式表示Hz0fff式中 f實際工作頻率； f0標稱頻率。相對頻率準確

3、度是絕對頻率準確度與標稱頻率的比值。用下式表示000fffff到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件頻率穩(wěn)定度是指在規(guī)定的時間間隔內(nèi)，頻率準確度變化的最大值。它也有兩種表示方法：即絕對頻率穩(wěn)定度和相對頻率穩(wěn)定度。通常用相對頻率穩(wěn)定度來表示，又簡稱為頻率穩(wěn)定度。用下式表示時間間隔0max0fff 式中，max0ff 是在規(guī)定時間內(nèi)的絕對頻率準確度的最大值。根據(jù)所規(guī)定的時間間隔的長短不同，頻率穩(wěn)定度又可分為長期頻率穩(wěn)定度、短期頻率穩(wěn)定度和瞬時頻率穩(wěn)定度三種。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（1）長期頻率穩(wěn)定度如果所規(guī)定的時間間隔在 1 天以上，在這段時間間隔內(nèi)的相對頻

4、率準確度稱為長期頻率穩(wěn)定度。它主要取決于有源器件和電路元件等老化特性。式（8-3）的含義是在規(guī)定時間內(nèi)用實際頻率偏離標稱頻率的最大值作為頻率穩(wěn)定度。在度量長期頻率穩(wěn)定度時是不很合理。例如，振蕩器在一個月內(nèi)所觀測到的穩(wěn)定度經(jīng)常會出現(xiàn)瞬間不穩(wěn)，即偶然在幾秒鐘內(nèi)是 104，而大部分時間是 105。如果按式（8-3）的定義，則該振蕩器的長期穩(wěn)定度是 104，這個結(jié)果顯然是不合理的。為了合理表征長期頻率穩(wěn)定度，通常采用統(tǒng)計的方法，即用均方根值表示長期頻率穩(wěn)定度。用下式表示 niinffffn12001式中 n測量次數(shù)；iff0第 i 次所測的相對頻率穩(wěn)定度； 0ffn 個測量數(shù)據(jù)的平均值。到微波系統(tǒng)的性

5、能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）短期頻率穩(wěn)定度如果所規(guī)定的時間間隔在一天以內(nèi)，在這段時間間隔內(nèi)的相對頻率準確度稱為短期頻率穩(wěn)定度，通常稱為頻率漂移。它主要取決于溫度變化、電壓變化和電路參數(shù)不穩(wěn)定等因素。（3）瞬時頻率穩(wěn)定度如果所規(guī)定的時間間隔在秒以內(nèi)，在這段時間間隔內(nèi)的相對頻率準確度稱為瞬時頻率穩(wěn)定度，它是由振蕩器的內(nèi)部噪聲引起的頻率起伏。由于頻率的瞬時值是無法測量的，其所測得的頻率僅僅是在某一段時間內(nèi)的平均值，因此瞬間頻率穩(wěn)定度是不能用式（8-3）度量的。通常，采用阿侖方差來度量瞬間頻率穩(wěn)定度，有時也稱秒級頻率穩(wěn)定度。用下式表示 njjjnyfffn12122202211lim（8

6、-5）式中 每次測量的取樣時間； f0標稱頻率； n測量組數(shù)； f2j, f2j1第 2j 次和第 2j1 次所測得的頻率值，j = 1, 2, , n。式（8-5）中，要求無間歇地測出每對數(shù)據(jù)，而對與對之間的間隔時間可任取。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件頻率f0，在f0附近還包含許多旁頻，連續(xù)分布在f0兩邊。如圖8-1所示，縱坐標是功率，f0處是載波功率（振蕩器輸出功率），f0兩邊的是噪聲功率，它同時包含調(diào)頻噪聲功率和調(diào)幅噪聲功率。圖8-1 振蕩器輸出的頻譜在振蕩器電路中，由于存在各種不確定因素的影響，使振蕩頻率和振蕩幅度隨機起伏。振蕩頻率的隨機起伏稱為瞬時頻率穩(wěn)定度，頻

7、率的瞬變將產(chǎn)生調(diào)頻噪聲、相位噪聲和相位抖動。振蕩幅度的隨機起伏將引起調(diào)幅噪聲。因此，振蕩器在沒有外加調(diào)制時，輸出的頻率不僅含振蕩到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件1調(diào)頻噪聲 （1）功率表示 （2）均方根頻偏2相位噪聲 （1）相位噪聲的定義 （2）相位噪聲的表示法 相位脈動譜密度 頻率脈動譜密度 單邊帶相位噪聲譜密度3頻譜純度到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（1）功率表示調(diào)頻噪聲可以用離載頻 f0為 fm處的單位頻帶調(diào)頻噪聲功率 Pn與載波功率Po之比表示。它與調(diào)制頻率及頻偏的關(guān)系如下22 mpFMSSBonffPP式中 fp頻偏峰值； fm調(diào)制頻率； Pn偏離

8、載頻 f0為 fm處的單位帶寬單邊帶噪聲功率。如果 Pn取雙邊帶功率值，則上式改為 2 2 mpDSBFMonffPP用 dB 數(shù)表示上兩式，即 HzdBcffPPmpSSBFMon/2lg20 HzdBcffPPmpDSBFMon/2lg20 可以看出，調(diào)頻噪聲是頻偏和調(diào)制頻率的函數(shù)，頻偏越大，調(diào)頻噪聲越大；調(diào)制頻率越低，調(diào)頻噪聲越大。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）均方根頻偏調(diào)頻噪聲也可以用頻偏直接表示，即采用均方根頻偏frms表示調(diào)頻噪聲，它是單位帶寬噪聲邊帶對應的頻偏均方值。frms的數(shù)值由下式表示2prmsff （Hz）（8-10）從式（8-8） 、 （8-9

9、）和式（8-10）看出，用功率表示調(diào)頻噪聲時，應注明是單邊帶調(diào)頻噪聲功率還是雙邊帶調(diào)頻噪聲功率，兩者之間差 3dB；而用均方根頻偏表示調(diào)頻噪聲時，就不必注明是單邊帶調(diào)頻噪聲功率還是雙邊帶調(diào)頻噪聲功率。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（1）相位噪聲的定義圖8-2中的振蕩器頻譜邊帶與寄生調(diào)幅和寄生調(diào)相有關(guān)。由調(diào)制理論分析知道，靠近振蕩頻率處的噪聲邊帶功率主要是寄生調(diào)相引起的，而寄生調(diào)幅分量很小，可以不考慮。圖8-2中含有兩類調(diào)相信號。第一類：確定的調(diào)相信號。主要是一些離散信號，它是由電源頻率、振動頻率和交變電磁場產(chǎn)生的干擾，這些干擾信號在調(diào)相噪聲譜密度圖上是一些可以分開的離散分量

10、。第二類：隨機的調(diào)相信號，稱為相位噪聲。相位噪聲譜在很寬的頻率范圍內(nèi)是個連續(xù)譜。由于測得的噪聲電平是檢波器帶寬的函數(shù)，為了使測量結(jié)果與檢波器帶寬無關(guān)，相位噪聲電平是在1Hz帶寬內(nèi)測量。圖8-2 振蕩器的調(diào)相噪聲譜密度到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）相位噪聲的表示法通常用相位噪聲譜密度來表示相位噪聲的大小，根據(jù)不同用途，相位噪聲譜密度的表示方法也不同。相位脈動譜密度相位脈動譜密度可以寫為 2KfSfSrmsV （rad2/Hz）式中 fSrmsV相位檢波器電壓脈動輸出的功率譜密度；K相位檢波器常數(shù)，單位是 V/rad。這個參量適用于具有相位敏感電路的系統(tǒng)，用它分析相位噪聲

11、對系統(tǒng)（如數(shù)字調(diào)頻通信系統(tǒng)）的影響。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件頻率脈動譜密度頻率脈動譜密度可以由相位脈動譜密度確定，得 fSffS2 （radHz）由上式看出，頻率脈動譜密度是與頻率有關(guān)的。單邊帶相位噪聲譜密度在大多數(shù)場合下，并不采用上述二種表示方法，而是采用相對載波電平的相位脈動的實際單邊帶功率，表示為L cnPfPf （dBc/Hz）式中 L(f)單邊帶相位噪聲譜密度，單位取 dBc/Hz； Pn(f)在偏離載頻為 f 處的帶寬為 1Hz 的單邊帶功率，以 dBm 為單位； Pc載波功率，以 dBm 為單位。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件振蕩器的

12、頻譜純度是指振蕩頻率的不穩(wěn)所造成的頻譜不純。振蕩器的雜散信號越多，相位噪聲越大，則頻譜純度越差。振蕩器的頻譜純度可以用振蕩器輸出功率與各寄生頻率總電平之比的分貝數(shù)表示。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件介質(zhì)穩(wěn)頻FET振蕩器是利用微波介質(zhì)諧振器做為高Q腔對FET振蕩器進行穩(wěn)頻的諧振器，通常簡稱為介質(zhì)振蕩器。它在1GHz到幾十GHz頻率范圍內(nèi)，可以直接產(chǎn)生所需的振蕩頻率，而不需倍頻，具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單的特點。低損耗介質(zhì)諧振器材料已有很大進展，介質(zhì)諧振器Q值已接近金屬空腔諧振器，因此，振蕩器的相位噪聲較低。介質(zhì)諧振器的溫度系數(shù)很容易控制，可以與FET電路互相補償，使介質(zhì)振蕩器具有很

13、高的頻率穩(wěn)定度。因此，介質(zhì)振蕩器已被廣泛用于各類微波系統(tǒng)中。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（1）微波介質(zhì)諧振器材料的物理特性微波介質(zhì)諧振器是一種介電常數(shù)高、損耗低的陶瓷材料，它是含鋅、鉻的鈦酸鹽和鋯酸鹽的混合陶瓷。工作在不同頻率范圍的介質(zhì)諧振器應采用不同材料實現(xiàn)，它大體分成三類，分別用于L、S波段；C波段和X、K波段。介質(zhì)諧振器的主要參數(shù)是相對介電常數(shù)r、無載品質(zhì)因數(shù)Q0和諧振頻率溫度系數(shù)f。諧振頻率介質(zhì)諧振器的諧振頻率與介質(zhì)的 成反比，在微波頻率低端要求r值比較大，以減小電路尺寸。目前，r在2590范圍，如Trans-Tech公司生產(chǎn)的8000系列介質(zhì)諧振器，r從28到8

14、0，頻率從UHF波段一直到Ka波段。圖8-3 圓柱形金屬空腔情況r到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件介質(zhì)諧振器的諧振頻率與它周圍環(huán)境有關(guān)。如果介質(zhì)諧振器放在圓柱形金屬空腔內(nèi)，空腔的高度約為諧振器高度的 3 倍，直徑約為介質(zhì)諧振器直徑的 2 倍，如圖 8-3 所示。這種情況的圓柱形介質(zhì)諧振器諧振頻率（工作在 TE01模式）可按下式計算4 . 02 . 10DLDcfr當孤立的圓柱形介質(zhì)諧振器的諧振頻率可以用下式計算9 . 6340LDDfr式中 c光速，C = 31011mm/s； D圓柱形介質(zhì)諧振器直徑（mm） ； f0圓柱形介質(zhì)諧振器頻率（GHz） ； L圓柱形介質(zhì)諧振器高度

15、（mm） 。在 1.0D/L4，30r50 情況下，式（8-15）的精度在 2%左右。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件諧振頻率溫度系數(shù)改變介質(zhì)諧振器的材料成分配比，可以把介質(zhì)諧振器的諧振頻率溫度系數(shù)rf控制在+20ppm/ 20ppm/范圍內(nèi)任意選定，誤差約為0.5ppm/。介質(zhì)諧振器的諧振頻率溫度系數(shù)可以按下式計算 （ppm/）（8-16）式中 f2對應于溫度為T2時的諧振頻率； f1對應于溫度為T1時的諧振頻率。通常，介質(zhì)諧振器參數(shù)表上給出的諧振頻率溫度系數(shù)rf是指常溫（T=20）條件下的rf值，而實際電路往往要求在某一溫度范圍內(nèi)rf接近0ppm/，rf變化不應太大，用這

16、種介質(zhì)諧振器實現(xiàn)的介質(zhì)振蕩器的頻率穩(wěn)定性能就比較好。目前，在2560溫度變化范圍內(nèi)，大多數(shù)介質(zhì)諧振器的rf變化只有幾個ppm/；當超出上述溫度范圍時，rf的溫度特性變得很壞，rf的變化量可能大到幾百ppm/。21121rffffTT到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件諧振頻率溫度系數(shù)圖8-4是Trans-Tech公司的8000系列rf對溫度的變化關(guān)系；圖8-5是日本村田制作所產(chǎn)品的rf對溫度的變化關(guān)系。由圖8-4看出，不同型號產(chǎn)品的rf的溫度特性是不一樣的，其中8515型號rf的溫度特性最好。圖8-4 rf的溫度特性圖8-5 rf的溫度特性（Trans-Tech Inc8000系

17、列）（日本村田制作所）到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件無載品質(zhì)因數(shù)Q介質(zhì)諧振器的無載品質(zhì)因數(shù)Q0與介質(zhì)損耗及環(huán)境損耗有關(guān)。Q0值是儲能與周期耗散能之比值，具體計算可以用下式表示（8-17）式中含義如圖8-6所示。0021fQff圖8-6 介質(zhì)諧振器品質(zhì)因數(shù)的確定到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件圖8-7是Q0的溫度特性，Q0值隨溫度升高而下降。圖8-8是Q0的頻率特性，Q0值隨頻率升高而下降，且Q0與f之積為一常數(shù)，其值隨不同材料而不同。在電路設(shè)計時，希望品質(zhì)因數(shù)Q0盡可能大，用于穩(wěn)定振蕩器頻率的Q0值應大于3000。圖8-7 Q0的溫度特性圖8-8 Q0的頻

18、率特性由于低損耗材料的改進，介質(zhì)諧振器的無載Q0值不斷提高，通常10GHz的無載Q0值約為10000，近年報導可達20000，該值已接近拋光金屬空腔。原理上，由于介質(zhì)諧振器沒有金屬損耗，其無載Q0值還有可能提高。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）圓柱形介質(zhì)諧振器的工作模式介質(zhì)諧振器材料的相對介電常數(shù)很高，因而電磁場集中于介質(zhì)材料之中。在介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器中，圓柱形介質(zhì)諧振器用得比較多。圓柱形介質(zhì)諧振器可以看成兩端開路的介質(zhì)波導，它有無限多振蕩模式；與金屬諧振腔不同，介質(zhì)諧振器沿軸向的長度 L 不是半波長的整數(shù)倍，因為介質(zhì)與空氣分界面上的場不是零，而是按指數(shù)規(guī)律在空氣中衰減，所

19、以, 2 , 1 , 0, 12ppLg圓柱形介質(zhì)諧振器的工作模式有pmnpmnpmnpmnEHHETMTE,相應模式的介質(zhì)諧振器長度為2/12/ggpLp圓柱形介質(zhì)諧振器的最低次?？赡苁荰E01模， 也可能是TM01模。 為了保證TE01是主模，圓柱形介質(zhì)諧振器的長度與直徑的比值 L/D 應在 0.30.5 之間，如果高度 L 過小，將引起 Q 值下降。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）圓柱形介質(zhì)諧振器的工作模式圖8-9是圓柱形介質(zhì)諧振器主模TE01場分布，圖中實線為電力線，虛線為磁力線。圖8-9 圓柱形介質(zhì)諧振器主模TE01場分布到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功

20、率大相位課件圓柱形介質(zhì)諧振器工作在TE01主模時，它與微帶線之間的耦合是通過磁場實現(xiàn)的，如圖8-10所示。微帶線與介質(zhì)諧振器之間的距離越小，耦合就越緊，介質(zhì)諧振器的有載品質(zhì)因數(shù)降低越多，可能低于1000。圖8-10 介質(zhì)諧振器（TE01模）與微帶線耦合結(jié)構(gòu)（3）介質(zhì)諧振器與微帶線的耦合到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的有源器件可以用FET，也可以是BJT，但從電路結(jié)構(gòu)和設(shè)計方法這兩方面看，介質(zhì)穩(wěn)頻FET振蕩器與介質(zhì)穩(wěn)頻BJT振蕩器沒有什么區(qū)別，故這里僅討論介質(zhì)穩(wěn)頻FET振蕩器。介質(zhì)穩(wěn)頻FET振蕩器電路有共柵極、共漏極及共源極三種振蕩電路形式。高Q介質(zhì)腔可以作為振

21、蕩電路中的一個元件，也可以作為反饋電路元件和振蕩電路負載的一部分，使振蕩器在050溫度范圍內(nèi)，頻率穩(wěn)定度達到105量級。它比倍頻鎖相式振蕩器或分頻鎖相式振蕩器的頻率穩(wěn)定度略低，但可以滿足大多數(shù)微波系統(tǒng)的要求。它具有體積小、電路不復雜、功耗低、可靠性高和沒有低于主振頻率的分諧波干擾等優(yōu)點。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器電路形式有以下三種形式。（1）輸出反射式圖8-14 輸出反射式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器（a）振蕩器電路；（b）等效電路。圖8-14是輸出反射式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器電路示意圖。其中，F(xiàn)ET的柵極接一段小于g/4開路微帶線，等效在柵極接一個電容Cg，漏柵極之間接正反饋

22、電容Cgd，使FET電路構(gòu)成自激振蕩器；而在輸出微帶線附近耦合一個高Q介質(zhì)諧振器，它作負載的一部分，一方面提高了振蕩器電路Q值，另一方面由于它是一個耦合電路，因而存在頻率牽引及頻率調(diào)諧的回滯現(xiàn)象。有關(guān)回滯現(xiàn)象將在下節(jié)詳述。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）環(huán)路反饋式圖8-15（a）是環(huán)路反饋式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器電路示意圖。不加介質(zhì)諧振器時，F(xiàn)ET電路是微波放大器的工作狀態(tài)，不產(chǎn)生振蕩；當把高Q介質(zhì)諧振器放置在輸出微帶線與輸入微帶線之間，通過磁耦合把輸出功率的一部分反饋到柵極，當反饋相位和反饋功率合適時將產(chǎn)生振蕩，介質(zhì)諧振器相當于窄帶帶通濾波器，在介質(zhì)諧振器的中心頻率處，反饋最

23、強，相位合適。圖8-15（b）是反饋式介質(zhì)振蕩器的等效電路圖。反饋式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的穩(wěn)頻效果與介質(zhì)振蕩器有載品質(zhì)因素QL成正比，因此希望QL越大越好。在設(shè)計FET放大器電路時，應確保振蕩頻率處的增益最高，而在其他頻率處盡可能沒有增益，更不應存在寄生振蕩。圖8-15 環(huán)路反饋式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器（a）振蕩器電路；（b）等效電路。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（3）柵極耦合式圖8-16（a）是柵極耦合式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器電路。FET接成共漏極電路。漏極接微帶低通濾波器，使漏極對微波接地，并構(gòu)成漏壓直流通路。介質(zhì)諧振器耦合到柵極微帶線上，耦合面到柵極的距離l約為g/4，它在柵極等效于接一

24、個高Q圖8-16 柵極耦合式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器（a）振蕩器電路；（b）等效電路。的串聯(lián)諧振電路，與FET的漏源電容Cds和柵源電容Cgs構(gòu)成電容式三點振蕩電路，如圖8-16（b）所示。源極經(jīng)匹配電路后輸出振蕩功率。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件為了設(shè)計一個穩(wěn)定的、性能良好的介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器，應該考慮頻率溫度系數(shù)、頻率初始漂移、推頻系數(shù)、頻率牽引、穩(wěn)頻系數(shù)及回滯現(xiàn)象等。（1）頻率溫度系數(shù)當溫度變化時，介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的振蕩頻率將發(fā)生變化，頻率變化越小，則振蕩器的溫度穩(wěn)定性能越好。介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的溫度穩(wěn)定性能好壞可以用頻率溫度系數(shù)描述。介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的頻率溫度系數(shù) （ppm/） （8-

25、25）式中 f2對應于溫度為T2時的振蕩頻率； f1對應于溫度為T1時的振蕩頻率。0f中包括兩部分，一部分是介質(zhì)諧振器的諧振頻率溫度系數(shù)rf；另一部分是沒有介質(zhì)諧振器時的振蕩器頻率隨溫度的相對變化。適當選擇rf，使它與第二部分的變化大小相等而變化方向相反，介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的頻率溫度系數(shù)將減到最小。210211ffffTT到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）頻率初始漂移在常溫下，介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器開機頻率隨著電路溫度的上升將產(chǎn)生變化，直到電路達到熱平衡，振蕩頻率也達到某一穩(wěn)定值。介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器從加電到熱平衡，其頻率發(fā)生的漂移稱為頻率初始漂移。（3）推頻系數(shù)介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的振蕩頻率會

26、隨著FET的柵偏壓、漏壓的變化而變化，振蕩頻率變化越小，則振蕩器性能越穩(wěn)定。在設(shè)計振蕩器時用推頻系數(shù)描述這項性能，并有柵壓推頻系數(shù)和漏壓推頻系數(shù)兩種。柵壓推頻系數(shù)是漏壓固定不變而柵壓變化時，振蕩頻率變化量與柵壓變化量的比值同樣，漏壓推頻系數(shù)是柵壓固定不變而漏壓變化時，振蕩頻率變化量與漏壓變化量的比值由分析知道，推頻系數(shù)與介質(zhì)諧振器的品質(zhì)因數(shù)成反比。0dsgsVfFv柵推常數(shù)0dsdsVfFv漏推常數(shù)到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（4）回滯現(xiàn)象輸出反射式介質(zhì)穩(wěn)頻FET振蕩器的振蕩頻率與輸出功率在頻率調(diào)諧過程中存在雙值性，如圖8-17所示。圖中橫軸h表示頻率調(diào)節(jié)金屬盤至介質(zhì)的距

27、離，虛線表示的曲線是頻率變化規(guī)律，實線是振蕩器輸出功率的變化規(guī)律。當h由ha增加到hb時，振蕩頻率沿曲線變化，輸出功率沿123456變化；而當金屬盤距離由hb減小到ha時，振蕩頻率沿變化，輸出功率沿6543871變化，這種現(xiàn)象稱為振蕩器的調(diào)諧回滯圖8-17 機械調(diào)諧使振蕩頻率與輸出功率出現(xiàn)的回滯現(xiàn)象（a）振蕩器機械調(diào)諧機構(gòu)；（b）回滯曲線?，F(xiàn)象，它使振蕩頻率和輸出功率出現(xiàn)雙值性。這種現(xiàn)象縮小了振蕩器的調(diào)諧范圍，從曲線可以看出，只有在h1h2一小段范圍內(nèi)是單值穩(wěn)定區(qū)，而在穩(wěn)定區(qū)兩旁出現(xiàn)了回滯現(xiàn)象。同樣，柵源電壓和漏壓的變化也會使振蕩頻率與輸出功率出現(xiàn)回滯現(xiàn)象。圖8-18（a）是柵壓變化使振蕩頻率

28、與輸出功率出現(xiàn)的回滯現(xiàn)象，圖8-18（b）是漏壓變化使振蕩頻率與輸出功率出現(xiàn)的回滯現(xiàn)象。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件圖8-18 電壓變化時振蕩頻率與輸出功率的回滯現(xiàn)象（a）柵壓變化的回滯曲線；（b）漏壓變化的回滯曲線。（4）回滯現(xiàn)象到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（5）頻率牽引當振蕩器負載變化時，介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的振蕩頻率將發(fā)生變化，把這種現(xiàn)象稱為振蕩器的頻率牽引。負載的變化相當于振蕩器輸出端口駐波比發(fā)生變化。在設(shè)計振蕩器時，要求駐波比在某范圍內(nèi)頻率牽引系數(shù)不大于規(guī)定值。頻率牽引系數(shù)可按下式計算（8-28）式中 QL介質(zhì)諧振器的有載品質(zhì)因數(shù)； Po振蕩器的

29、輸出功率； Pr振蕩器的輸出端口的反射功率。上式表明，頻率牽引系數(shù)F牽引與QL成反比，與Pr成正比。1rLoPFQP牽引到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（6）穩(wěn)頻系數(shù)介質(zhì)穩(wěn)頻 FET 振蕩器的穩(wěn)頻系數(shù)是指當環(huán)境條件變化時，加穩(wěn)頻措施后比無穩(wěn)頻措施時頻漂的改善倍數(shù)。穩(wěn)頻系數(shù)可按下式計算100FfS式中 0振蕩頻率標稱值； F無穩(wěn)頻措施時，環(huán)境條件變化后的振蕩頻率； 1有穩(wěn)頻措施時，環(huán)境條件變化后的振蕩頻率；反饋式介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的穩(wěn)頻系數(shù)FLfQQS1式中 QL介質(zhì)諧振器的有載 Q 值； QF無介質(zhì)諧振器時放大電路的等效 Q。上式表明，穩(wěn)頻系數(shù) Sf與 QL成正比。到微波系統(tǒng)的性

30、能指標要求越來越高輸出功率大相位課件介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的設(shè)計包括輸出匹配電路、輸入匹配電路、介質(zhì)諧振器安裝、耦合及調(diào)諧機構(gòu)、電路溫度補償機構(gòu)等。（1）共漏極 FET 的 S 參數(shù)計算通常，F(xiàn)ET 參數(shù)手冊給出的 S 參數(shù)都是共源極 S 參數(shù)。而有些振蕩器電路是共漏極電路，需要將共源極 S 參數(shù)轉(zhuǎn)換為共漏極 S 參數(shù)。轉(zhuǎn)換的具體步驟如下。確定共源極 Y 參數(shù)sssssssssssyyyyYs221121122211221122211211122111其中21122211sssss確定 FET 的不定導納矩陣FET 的不定導納矩陣可以用共源極 Y 參數(shù)表示 2221121122122111222122

31、21121112110yyyyyyyyyyyyyyyyY到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件確定共漏極 Y 參數(shù)在圖 8-19 中，漏極接地就是第 2 口接地，只要把 FET 不定導納矩陣Y0的第二行和第二列都刪除，就可以得到 FET 共漏極 Y 參數(shù)DDDDDyyyyyyyyyyyyyY22211211222112112111121111確定共漏極 S 參數(shù)根據(jù)y參數(shù)與s參數(shù)的關(guān)系，由上式可以得到 FET 共漏極 S 參數(shù)DDDDDDDDDDDDDDDDyyyyyyyyyyyssssS222221122211121122211211122111其中DDDDDyyyyy21122

32、211圖8-19 FET的三個端口編號到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（2）介質(zhì)諧振器耦合電路參數(shù)的擬合圖8-16中的介質(zhì)諧振器與微帶線在A面向電阻R0方向看的等效電路如圖8-20所示。介質(zhì)諧振器相當于并聯(lián)諧振電路串聯(lián)在主線中，R0是50匹配負載電阻。圖中的L、C、R值取決于介質(zhì)諧振器的無載Q值，也取圖8-20 介質(zhì)諧振器與微帶線耦合的等效電路決于微帶線損耗，以及介質(zhì)諧振器與微帶線的耦合強弱。耦合電路參數(shù)的擬合過程如下：首先測出介質(zhì)諧振器在各個頻率下不同m（m是介質(zhì)諧振器中心到微帶線中心線的耦合距離）時的若干組s11的模和相角，然后用計算機擬合出不同m時的L、C、R值。到微波

33、系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（3）介質(zhì)諧振器頻率調(diào)諧機構(gòu)在實際的介質(zhì)振蕩器中，經(jīng)常需要調(diào)諧介質(zhì)諧振器的諧振頻率，從而實現(xiàn)振蕩頻率的調(diào)諧，調(diào)諧方式可以是機械調(diào)諧，也可以是電調(diào)諧。機械調(diào)諧介質(zhì)諧振器頻率的調(diào)諧機構(gòu)如圖8-17（a）和圖8-21所示。圖8-2l 諧振頻率調(diào)諧機構(gòu)(a)介質(zhì)桿；(b)金屬桿；(c)介質(zhì)塊。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件（3）介質(zhì)諧振器頻率調(diào)諧機構(gòu)機械調(diào)諧圖8-22給出了介質(zhì)諧振器采用機械調(diào)諧機構(gòu)時的諧振頻率和無載品質(zhì)因數(shù)Q0對調(diào)諧距離的變化特性。調(diào)諧距離h越小，諧振頻率增高越多，但同時使無載品質(zhì)因數(shù)Q0下降越多，當h超過某一值時，諧振

34、頻率和無載品質(zhì)因數(shù)將不隨h的增加而變化。在調(diào)諧頻率時為了使無載品質(zhì)因數(shù)下降不太多，機械調(diào)諧機構(gòu)的頻率調(diào)諧范圍不應超出5%。圖8-22 諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)對調(diào)諧距離的變化特性到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件電調(diào)諧在微波集成電路技術(shù)中，主要采用變?nèi)莨茈娬{(diào)諧。它是把變?nèi)莨芡ㄟ^微帶線與介質(zhì)諧振器耦合形成電調(diào)諧電路，如圖8-23所示。調(diào)諧電壓加在變?nèi)莨軆啥?，改變變?nèi)莨芙Y(jié)電容，就可以實現(xiàn)諧振頻率的調(diào)整。圖8-23 變?nèi)莨茈娬{(diào)諧振蕩器電路（3）介質(zhì)諧振器頻率調(diào)諧機構(gòu)到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件電調(diào)諧電路頻率的相對頻偏可以按下式計算002QBZcc式中 c耦合系數(shù)；B一

35、變?nèi)莨苷{(diào)諧范圍內(nèi)的電納變化量； Zc微帶線特性阻抗；Q設(shè)有調(diào)諧時的介質(zhì)諧振器無載 Q； 電調(diào)諧電調(diào)的頻偏；0諧振頻率。而電調(diào)諧的介質(zhì)諧振器無載 Q 是002vQQ式中，Qv是變?nèi)莨艿臒o載 Q0從上兩式可以看出，變?nèi)莨茈娐放c介質(zhì)諧振器耦合越緊，變?nèi)莨苷{(diào)諧范圍內(nèi)的電納變化量越大，則電調(diào)諧電路的頻偏越大；而頻偏越大，變?nèi)莨艿臒o載 Q 越低，則電調(diào)諧時的介質(zhì)諧振器無載 Q 越低，即振蕩器的頻率穩(wěn)定度越低，所以頻偏與穩(wěn)定度是互相矛盾的，設(shè)計時應折衷考慮。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件(4)基片厚度對無載品質(zhì)因數(shù)的影響在介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器電路中，電路基片的損耗對介質(zhì)諧振器的無載品質(zhì)因數(shù)Q0

36、影響很大。圖8-24給出了三種不同基片厚度的介質(zhì)諧圖8-24 基片厚度對無載品質(zhì)因數(shù)的影響振器Q0，當基片厚度減小時，Q0也被相應減小。為了減弱這種影響，希望采用厚的基片，但厚的基片又將增大電路的色散效應。為此，在電路設(shè)計時，都采用厚度較薄的基片，以便減小色散效應，同時采用低損耗和低介電常數(shù)的圓柱環(huán)，把介質(zhì)諧振器適當墊高，使介質(zhì)諧振器的Q0減小不多。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件恒溫技術(shù)在提高介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器溫度穩(wěn)定度的技術(shù)中，恒溫技術(shù)也是一種常用的方法。它是將振蕩器整個盒體封裝在恒溫槽內(nèi)，恒溫裝置是由加熱元件、熱敏元件、有關(guān)的控制電路和恒溫槽組成。槽內(nèi)溫度通常比環(huán)境最高溫度

37、還要高510，在30 +50范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度可以優(yōu)于1ppm，具有較高的溫度穩(wěn)定度；與數(shù)字技術(shù)相比，有較好的相位噪聲，但尺寸及功耗較大。圖8-25 數(shù)字控制穩(wěn)頻技術(shù)框圖(5)高溫度穩(wěn)定度實現(xiàn)方法提高介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的溫度穩(wěn)定度的方法有以下三種：正溫度系數(shù)補償法，數(shù)字技術(shù)和恒溫技術(shù)。正溫度系數(shù)介質(zhì)諧振器補償法由分析知道，F(xiàn)ET振蕩器電路溫度系數(shù)是負的，通常采用一個具有正溫度系數(shù)的介質(zhì)諧振器來補償頻率隨溫度的漂移。數(shù)字技術(shù)見圖8-25。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件(6)柵極耦合式振蕩器設(shè)計由分析知道，柵極耦合式振蕩電路中的介質(zhì)諧振器可以等效為串接在主線中的并聯(lián)諧振回路，整個電1

38、11110ss圖8-26 柵極耦合式振蕩器電路設(shè)計式中 |s11|從P端往左視入的反射系數(shù)s11的模；s11相角。采用CAD技術(shù)即可選出最佳耦合位置、傳輸線長度及輸出匹配電路參數(shù)。路由匹配電阻R0、并聯(lián)諧振回路、傳輸線、共漏極FET和輸出匹配電路等五部分組成，如圖8-26所示。圖中P端是功率輸出端口，RL是外負載電阻。電路應滿足的振蕩穩(wěn)定條件是到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件(7)環(huán)路反饋式振蕩器設(shè)計環(huán)路反饋式振蕩器的設(shè)計可按以下步驟進行。FET放大電路設(shè)計由于環(huán)路反饋式振蕩器在沒有介質(zhì)諧振器反饋元件時，F(xiàn)ET電路本身是一個放大電路，因此，可以按放大器來設(shè)計，盡可能在振蕩頻率

39、處的放大量最大，頻帶越窄越好，它有利于FET的充分利用。為了改善相位噪聲性能，通常采用松耦合結(jié)構(gòu)，但耦合弱會使電路不易起振，解決辦法可以采用多級FET放大電路。在要求雜波較嚴時，如雜波應小于50dBc時，在設(shè)計FET放大電路時不應存在微弱的寄生振蕩。反饋電路設(shè)計反饋電路設(shè)計主要是確定介質(zhì)諧振器與輸入、輸出傳輸線之間的耦合距離。通常測出介質(zhì)諧振器與柵極傳輸線、輸出傳輸線之間的不同鍋合距離時的二口網(wǎng)絡S參數(shù)，它與柵極傳輸線和輸出傳輸線之間的夾角、介質(zhì)諧振器與柵極傳輸線、輸出傳輸線之間的距離h1和h2有關(guān)，符號、h1和h2的具體含義可參見圖8-15。有了一組不同的、h1和h2的二口網(wǎng)絡S參數(shù)，就可以

40、用CAD技術(shù)選出滿足振蕩穩(wěn)定條件(見公式(8-37)的最佳耦合夾角和最佳耦合距離h1和h2。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件微波三極管振蕩器盡管在微波很多領(lǐng)域被廣泛采用，但迄今為止它們的使用頻率不是很高。在20GHz以上，主要采用二極管負阻振蕩器。例如，雪崩二極管振蕩器和體效應二極管振蕩器。目前雪崩管振蕩器和體效應管振蕩器的振蕩頻率已高達幾百干兆赫，雪崩管在94GHz的單管脈沖功率已大于10W，采用合成技術(shù)后，60GHz連續(xù)波輸出功率已大于瓦級。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件由前面分析知道，雪崩二極管和體效應管是負阻器件，它們的等效電路應包含一個負電阻。圖

41、8-27(a)是雪崩二極管等效電路，其中虛線框內(nèi)表示的是管芯等效電路，GD是負電導，它與二極管上的直流電壓和交流電壓幅度呈非線性關(guān)系，CD是等效電容，近似為一常量，Rs是非線性電阻，Ls是引線電感，Cp是管殼電容，它們都是封裝引入的封裝參數(shù)。圖8-27(b)是體效應管等效電路，管芯等效成負電阻RD和電容CD的并聯(lián)，封裝參數(shù)用引線電感Ls和管殼電容Cp等效。圖8-27 二極管負阻等效電路(a)雪崩二極管；(b)體效應二極管。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件圖8-28 微波二極管振蕩器示意圖 圖8-29 負阻振蕩器的一般等效電路圖8-28是負阻二極管構(gòu)成的微波振蕩器示意圖。振蕩器

42、是由一個波導諧振腔構(gòu)成，負阻器件放置在腔內(nèi)，腔的終端安裝一個可調(diào)的短路活塞，輸出端口有一個調(diào)配器，接至負載。可以用圖8-29表示它們的等效電路。圖中用一個二口網(wǎng)絡表示諧振電路，它位于負載Z()與負阻器件ZD(I)之間；外電路在負阻器件端口的等效阻抗是Z()，它的實部包括電路損耗及負載電阻兩部分。而負阻器件的阻抗對頻率的變化相對外電路來講是很緩慢的，因此，等效電路中的負阻器件阻抗僅僅是振蕩幅度的函數(shù)，表示為式中I是振蕩電流的振幅。 DDDZIRIjXI 到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件圖8-28 微波二極管振蕩器示意圖 圖8-29 負阻振蕩器的一般等效電路(1)起振條件振蕩器在

43、起振時可以看成小信號工作狀態(tài)，負阻器件阻抗可以用線性阻抗ZD(0)表示， 其中RD(0)是負阻器件的小信號電阻， jXD(0)是容抗，因此要求負載阻抗 Z()中的電抗 jX()為感抗，與 jXD(0)構(gòu)成串聯(lián)諧振回路；為了使電路起振，要求負阻器件的小信號電阻RD(0)的絕對值大于負載阻抗中的電阻 R()。則起振條件為 0DRR如果外電路在負阻器件端口的等效導納表示為 Y()G() +jB()，而負阻器件的導納表示為YD(V) = GD(V) + jBD(V)，式中V 是基波振蕩幅度，則起振條件為 00 DGG到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件(2)平衡條件振蕩器一旦起振，則起振

44、后的負阻器件阻抗已不能用線性阻抗ZD(0)表示，它是振蕩幅度的函數(shù)；器件負阻RD(I)的絕對值隨振蕩幅度的增大而減小，直到某一幅度值 I0，振蕩達到穩(wěn)定，并有以下關(guān)系 IRRD（8-40） IXXD（8-41） IZZD（8-42）式(8-40)和式(8-41)分別是振蕩平衡的幅度條件和相位條件，式(8-42)是振蕩平衡的復數(shù)表示。同樣，振蕩的平衡條件可以用負阻器件的導納和外電路在負阻器件端口的等效導納 VGGD（8-43） VBBD（8-44） VYYD（8-45）式(8-43)和式(8-44)分別是振蕩平衡的幅度條件和相位條件，式(8-45)是振蕩平衍的復數(shù)表示。圖8-29 負阻振蕩器的一

45、般等效電路圖8-28 微波二極管振蕩器示意圖到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件中標志的數(shù)字表示相應的振蕩功率，直流偏置電壓為10V、電流為1.1A。在設(shè)計振蕩器前，應測出不同偏置條件及不同工作頻率下的一組ZD(I)，作為設(shè)計的依據(jù)。圖8-30 體效應管的大信號等效阻抗負阻振蕩器的設(shè)計包括負載匹配電路設(shè)計、直流偏置電路和頻率調(diào)諧電路。(1)二極管負阻器件的大信號等效阻抗由前面分析知道，一旦知道二極管負載器件的等效阻抗ZD(I)(或等效導納YD(V)，就可以設(shè)計振蕩器。ZD(I)可以通過器件物理模型來確定，但計算比較復雜，通常采用測試方法獲得器件的ZD(I)值。圖8-30是體效應管

46、在7GHz時的大信號等效阻抗ZD(I)，圖到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件圖8-31是穩(wěn)定工作點的圖示判別法。圖中橫坐標是阻抗的實部R，縱坐標是阻抗的虛部jX。圖中畫出負阻器件ZD(I)和外電路在負阻器件處的等效阻抗Z()的阻抗軌跡，交點(I0，0)處兩條軌跡的夾角為，是ZD(I)阻抗線箭頭方向順時針轉(zhuǎn)到Z()負載線箭頭方向的夾角。由分析知道，工作點穩(wěn)定的條件是180（8-46）可以看出，用圖示判別工作點的穩(wěn)定性是一種較簡便的方法。(2)匹配電路設(shè)計設(shè)計的匹配電路應使振蕩器滿足起振條件、平衡條件及最大輸出功率要求，即匹配電路應該提供必要的電抗，與負阻器件電抗形成諧振回路；同時

47、將負載阻抗變換到合適的數(shù)值，使振蕩器滿足振蕩的起振條件、平衡條件及最大輸出功率。在設(shè)計匹配電路時，除上述考慮外，還應考慮振蕩器的穩(wěn)定性。圖8-31 穩(wěn)定工作點的圖示判別法到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件(3)直流偏置電路直流偏置電路應盡量減小對振蕩器的影響。通常在振蕩器的偏置端串接一個低通濾波電路來實現(xiàn)上述要求。(4)頻率調(diào)諧負阻振蕩器除固定振蕩頻率運用外，還經(jīng)常需要頻率調(diào)諧，以便改變振蕩頻率。頻率調(diào)諧可以是機械調(diào)諧、變?nèi)莨苷{(diào)諧、偏壓調(diào)諧及YIG調(diào)諧。偏置調(diào)諧是直接改變負阻器件的偏壓和偏流，使振蕩頻率改變。這種調(diào)諧方法比較簡便，但調(diào)諧范圍窄，調(diào)諧線性差，輸出功率變化較大；YI

48、G調(diào)諧范圍寬，調(diào)諧線性好，但調(diào)諧結(jié)構(gòu)復雜，調(diào)諧速度慢。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件諧元件變?nèi)莨芷幂斎攵耍?是隔直電容，7是偏置線，8是接地塊，9是旁路電容，10是變?nèi)莨芘c體效應管的連線。圖8-32(b)是該振蕩器的等效電路。微帶型體效應管振蕩器結(jié)構(gòu)簡單，便于設(shè)計，制作方便，但損耗大，頻率穩(wěn)定度差，且不便于機械調(diào)諧，只適用于微波頻率較低的小功率振蕩器。圖8-32 微帶型體效應管振蕩器（a）微帶電路結(jié)構(gòu)；（b）等效電路。負阻振蕩器有微帶、同軸及波導等幾種結(jié)構(gòu)形式。下面將分別介紹。(1)微帶型負阻振蕩器圖8-32(a)是微帶型體效應管振蕩器。變?nèi)莨?串接在體效應管3和諧振線5

49、之間，作串聯(lián)調(diào)諧，1端是體效應管偏置輸入端，2端是電調(diào)到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件(2)同軸腔負阻振蕩器圖8-33(a)是同軸腔體效應管振蕩器電路結(jié)構(gòu)示意圖。體效應管3安裝在同軸腔底部管座2上，管座底部裝有散熱塊1，體效應管負端接同軸腔外導體4，正偏置6接入同軸腔內(nèi)導體8，同軸腔內(nèi)外導體之間用聚四氟乙烯圖8-33 同軸腔體效應管振蕩器(a)電路結(jié)構(gòu)；(b)等效電路。介質(zhì)套筒7隔開，機械調(diào)諧采用扼流式不接觸型活塞5，射頻功率通過期合環(huán)9輸出。圖8-33(b)是該振蕩器的等效電路。同軸腔體效應管振蕩器容易實現(xiàn)機械調(diào)諧，調(diào)諧范圍較寬，損耗比微帶型要低，所以頻率穩(wěn)定度高于微帶型振

50、蕩器，在C波段以下常采用同軸腔結(jié)構(gòu)。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件(3)波導腔負阻振蕩器圖8-34是波導腔負阻振蕩器結(jié)構(gòu)示意圖。諧振腔由半波長矩形波導段1構(gòu)成，H101工作模式。負阻器件6安裝在腔體的一個底面上，位于電場最強處，直流偏置通過穿心電容7引入，圓柱形調(diào)諧棒2裝在腔體的另一個底面上，四分之一波長徑向短路線4和四分之一波長同軸線3組成的扼流結(jié)構(gòu)用來防止射頻泄漏，射頻功率通過耦合窗8輸出，5是上蓋板，9是下蓋板，10是波導腔主體。波導腔損耗小，使波導腔振蕩器有較高的頻率穩(wěn)定度和較好的噪聲姓圖8-34 波導腔負阻振蕩器結(jié)構(gòu)示意圖能，在18GHz以上得到廣泛應用。調(diào)諧范圍

51、一般在5%一20%，比同軸腔負阻振蕩器要窄。到微波系統(tǒng)的性能指標要求越來越高輸出功率大相位課件雪崩管振蕩器在振蕩時很容易存在低頻寄生振蕩。圖8-35是雪崩管振蕩器存在低頻寄生振蕩時的頻譜，f0是射頻振蕩頻率，f1是低頻寄生振蕩頻率。這種寄生的低頻振蕩會加大雪崩管的噪聲，減小微波輸出功率和調(diào)諧時使雪崩管燒壞。這種低頻寄生振蕩主要是由于電壓和電流的不穩(wěn)定引起的，為了消除低頻寄生振蕩，可采用合適的恒流源偏置電路。圖8-36是恒流源偏置電路，I0是穩(wěn)流源，C0是寄生分路電容，R0是分路電阻，Rs是串接電阻。Rs足夠大時，可抑止較低的寄生振蕩頻率，但需要消耗一些功率。在Rs與雪崩管之間并聯(lián)一個分路電容C1和串接一個C、L并聯(lián)支路，以使振蕩