電子技術(shù)第14章

1、下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁主要參考：主要參考：電子技術(shù)電子技術(shù)陳正傳陳正傳 羅會昌主編，羅會昌主編，機(jī)械工業(yè)出版社機(jī)械工業(yè)出版社 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁答疑安排：每周一、四晚答疑安排：每周一、四晚7：309：30。地點：西苑校區(qū)地點：西苑校區(qū)10-408， 中部中部“電子科學(xué)與技術(shù)系電子科學(xué)與技術(shù)系”。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁模擬信號模擬信號是指在時間和數(shù)值上都是指在時間和數(shù)值上都連續(xù)連續(xù)的信號。的信號。數(shù)字信號數(shù)字信號是指在時間和數(shù)值上都是指在時間和數(shù)值上都不連續(xù)不連續(xù)的信的信號，即所謂離散

2、的。號，即所謂離散的。tt下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 技術(shù)術(shù)語多技術(shù)術(shù)語多 基本概念多基本概念多 電路種類多電路種類多注重基本概念注重基本概念采用工程觀點：采用工程觀點：有條件的忽略一些次要因素有條件的忽略一些次要因素重視實驗重視實驗利用計算機(jī)輔助軟件利用計算機(jī)輔助軟件下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁本書章節(jié)下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁信號信號提取提取信號的信號的預(yù)處理預(yù)處理信號的信號的加工加工信號的驅(qū)信號的驅(qū)動執(zhí)行動執(zhí)行電子系統(tǒng)的組成：電子系統(tǒng)的組成：a/d計算機(jī)或計算機(jī)或其他數(shù)字其他數(shù)字系統(tǒng)系統(tǒng)d/a模

3、擬模擬數(shù)字?jǐn)?shù)字信號隔離、信號隔離、濾波、放大濾波、放大信號運算、信號運算、轉(zhuǎn)換、取轉(zhuǎn)換、取樣保持樣保持功率放大功率放大下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 學(xué)習(xí)電子技術(shù)，就是要掌握常用半導(dǎo)體器件的原學(xué)習(xí)電子技術(shù)，就是要掌握常用半導(dǎo)體器件的原理、特性，以及由這些器件所組成的電子電路的分理、特性，以及由這些器件所組成的電子電路的分析方法。二極管與晶體管是最常用的半導(dǎo)體器件，析方法。二極管與晶體管是最常用的半導(dǎo)體器件，而而pn結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。14.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)

4、電特性 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。 例如：硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫例如：硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。化物都是半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同的條件下有很大的差別。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同的條件下有很大的差別。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁14.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁共價健共價健 si si si si價電子價電子下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 si si si si價電子價電子這

5、一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)?？昭昭ㄗ杂呻娮幼杂呻娮颖菊骷ぐl(fā)，本征激發(fā)， 產(chǎn)生產(chǎn)生下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 si si si sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€失去一個電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子動畫動畫下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 si si si sib硼原子硼原子空穴空穴動畫動畫下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一

6、頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 pn結(jié)是通過特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù)，在一塊半導(dǎo)結(jié)是通過特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù)，在一塊半導(dǎo)體基片上摻入不同的雜質(zhì)，使其一邊為體基片上摻入不同的雜質(zhì)，使其一邊為n型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體，另一邊為另一邊為p型半導(dǎo)體，其交界面便形成了型半導(dǎo)體，其交界面便形成了pn結(jié)結(jié)。+ pn 結(jié)也稱空間電荷區(qū)、或耗盡層、或內(nèi)電場、結(jié)也稱空間電荷區(qū)、或耗盡層、或內(nèi)電場、或阻擋層?；蜃钃鯇印?下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁多子的擴(kuò)散運動多子的擴(kuò)散運動內(nèi)電場內(nèi)電場少子的漂移運動少子的漂移運動濃度差濃度差 擴(kuò)散的結(jié)果使空擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。

7、間電荷區(qū)變寬。+動畫動畫形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁pn 結(jié)變窄結(jié)變窄 p接正、接正、n接負(fù)接負(fù) 外電場外電場if內(nèi)電場內(nèi)電場pn+動畫動畫+r下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁動畫動畫+r下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 內(nèi)電場被加內(nèi)電場被加強(qiáng)，少子的強(qiáng)，少子的漂漂移加強(qiáng)，擴(kuò)散移加強(qiáng)，擴(kuò)散運動停止。運動停止。由于少子數(shù)量由于少子數(shù)量很少，形成很很少，形成很小的反向電流。小的反向電流。ir動畫動畫+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄

8、章目錄返回返回上一頁上一頁 二極管是最基本的電子元件，其內(nèi)部主要是一二極管是最基本的電子元件，其內(nèi)部主要是一個個pn結(jié)，外加封裝和引線結(jié)，外加封裝和引線（引出的兩個電極）。（引出的兩個電極）。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁陰極引線陰極引線陽極引線陽極引線二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層p型硅型硅n型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽極引線陽極引線n型鍺片型鍺片陰極引線陰極引線外殼外殼( a ) 點接觸型點接觸型鋁合金小球鋁合金小球n型硅型硅陽極引線陽極引線pn結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線陰極

9、引線( b ) 面接觸型面接觸型陰極陰極陽極陽極( d ) 符號符號dpn下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁反向擊穿反向擊穿電壓電壓u(br)反向特性反向特性uipn+pn+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是理想的，若二極管是理想的，下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例1：d6v12v3k bauab+下一頁下一頁總目錄

10、總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例2:ma43122d ibd16v12v3k ad2uab+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁v sin18itu t 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，由于它與適當(dāng)阻值的電阻配合后能起穩(wěn)壓作由于它與適當(dāng)阻值的電阻配合后能起穩(wěn)壓作用，故稱用，故稱穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管。 穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿狀態(tài)，當(dāng)反向電穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿狀態(tài)，當(dāng)反向電壓撤去后，管子還是正常的，稱壓撤去后，管子還是正常的，稱可逆性擊穿可逆性擊穿。+下一

11、頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁uzizizm uz izuio下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁zz ziur下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 uouiizrdzuzir下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 rus-uz=20-850020-818us=20vruz=8v下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 晶體管晶體管又稱又稱半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管，是一種重要的半導(dǎo)，是一種重要的半導(dǎo)體器件。它的體器件。它的放大作用和開關(guān)作用放大作用和開關(guān)作用引起了電子技引起了電子技術(shù)的飛躍

12、發(fā)展。術(shù)的飛躍發(fā)展。 晶體管的結(jié)構(gòu)，目前常見的有平面型和合金晶體管的結(jié)構(gòu)，目前常見的有平面型和合金型兩類。硅管主要是平面型，鍺管都是合金型。型兩類。硅管主要是平面型，鍺管都是合金型。而從制造型號上，常分為而從制造型號上，常分為npn型和型和pnp型。型。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁nnpbecbecibieicbecibieic下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁eebrbrc下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁

13、上一頁becnnpebrbecieibeiceicbo下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁icibbecnnpebrbecieibeiceicbobccbobcbocbeceiiiiiiii ceobcbobc)(1 iiiii bc ceo iii ，有有忽忽略略下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的

14、特性曲線重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路icebma avuceuberbibecv+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁常常數(shù)數(shù) ce)(bebuufiib( a)ube(v)204060800.40.8uce 1vo下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ib=020 a40 a60 a80 a100 a常常數(shù)數(shù) b)(ceciufi36ic(ma )1234uce(v)912o放大區(qū)放大區(qū)下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄

15、返回返回上一頁上一頁o下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 bcii_ bcii 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁53704051bc.ii 400400605132bc .ii 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁icbo a+ec aiceoib=0+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁icmu(br)ceo安全工作區(qū)安全工作區(qū)icuceo下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁其總的效果將會使其總的效果將會使ic增大。增大

16、。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁sabc10k100k3v3v10v=503k解：解：1、s接接a點時，晶點時，晶體管發(fā)射結(jié)反向偏體管發(fā)射結(jié)反向偏置，晶體管截止，置，晶體管截止，所以晶體管處于截所以晶體管處于截止區(qū)。止區(qū)。2、s接接b點時：點時：30.60.024100bimak0.024 50 1.2cbiima10 3 1.2 6.41ceuvv 所以晶體管處所以晶體管處于放大區(qū)。于放大區(qū)。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁sabc10k100k3v3v10v=503k解：解：3、s接接c點時：點時：30.60.2410bimak0.24 50 12cbiima10 3 12261ceuvv 所以晶體管處所以晶體管處于飽和區(qū)。于飽和區(qū)。而：而：100.333cscimaik或：或：下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 提示提示：npn型，集電極電位最高，發(fā)射極電位最低。型，集電極電位最高，發(fā)射極電位最低。pnp型，發(fā)射極電位最高，集電極電位最低。型，發(fā)射極電位最高，集電極電位最低。硅材料，發(fā)射結(jié)硅材料，發(fā)射結(jié)0.6v，鍺材料，發(fā)射結(jié)，鍺材料，發(fā)射結(jié)0.3v。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁14.6光電器件光電器件