福州半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目投資計(jì)劃書（模板范本）

1、泓域咨詢 /福州半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目投資計(jì)劃書目錄第一章 項(xiàng)目概況7一、 項(xiàng)目名稱及投資人7二、 編制原則7三、 編制依據(jù)8四、 編制范圍及內(nèi)容9五、 項(xiàng)目建設(shè)背景9六、 結(jié)論分析10主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表12第二章 行業(yè)發(fā)展分析15一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類15二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類20第三章 項(xiàng)目建設(shè)單位說明26一、 公司基本信息26二、 公司簡介26三、 公司競爭優(yōu)勢27四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)29公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)29公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)29五、 核心人員介紹30六、 經(jīng)營宗旨31七、 公司發(fā)展規(guī)劃32第四章 項(xiàng)目建設(shè)背景及必要性分析34一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢34二、 SOI硅片

2、市場現(xiàn)狀及前景37三、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況39第五章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案43一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容43二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)43產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表43第六章 法人治理結(jié)構(gòu)45一、 股東權(quán)利及義務(wù)45二、 董事47三、 高級(jí)管理人員51四、 監(jiān)事53第七章 運(yùn)營管理模式56一、 公司經(jīng)營宗旨56二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)56三、 各部門職責(zé)及權(quán)限57四、 財(cái)務(wù)會(huì)計(jì)制度60第八章 勞動(dòng)安全分析66一、 編制依據(jù)66二、 防范措施68三、 預(yù)期效果評(píng)價(jià)72第九章 工藝技術(shù)方案分析74一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析74二、 項(xiàng)目技術(shù)工藝分析77三、 質(zhì)量管理78四、 項(xiàng)目技術(shù)流程79五、 設(shè)備選型

3、方案80主要設(shè)備購置一覽表81第十章 經(jīng)濟(jì)收益分析82一、 經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)財(cái)務(wù)測算82營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表82綜合總成本費(fèi)用估算表83固定資產(chǎn)折舊費(fèi)估算表84無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表85利潤及利潤分配表86二、 項(xiàng)目盈利能力分析87項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表89三、 償債能力分析90借款還本付息計(jì)劃表91第十一章 招標(biāo)、投標(biāo)93一、 項(xiàng)目招標(biāo)依據(jù)93二、 項(xiàng)目招標(biāo)范圍93三、 招標(biāo)要求94四、 招標(biāo)組織方式96五、 招標(biāo)信息發(fā)布99第十二章 風(fēng)險(xiǎn)分析100一、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)分析100二、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)對(duì)策102第十三章 總結(jié)評(píng)價(jià)說明104第十四章 附表附錄106主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表106建設(shè)投資估算

4、表107建設(shè)期利息估算表108固定資產(chǎn)投資估算表109流動(dòng)資金估算表109總投資及構(gòu)成一覽表110項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表111營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表112綜合總成本費(fèi)用估算表113利潤及利潤分配表114項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表115借款還本付息計(jì)劃表116報(bào)告說明過去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提升。20世紀(jì)90年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場份額已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較高的行業(yè)壁壘。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總

5、投資15121.47萬元，其中：建設(shè)投資12060.38萬元，占項(xiàng)目總投資的79.76%；建設(shè)期利息127.35萬元，占項(xiàng)目總投資的0.84%；流動(dòng)資金2933.74萬元，占項(xiàng)目總投資的19.40%。項(xiàng)目正常運(yùn)營每年?duì)I業(yè)收入27300.00萬元，綜合總成本費(fèi)用23510.13萬元，凈利潤2756.01萬元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率11.12%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值-1131.01萬元，全部投資回收期7.03年。本期項(xiàng)目具有較強(qiáng)的財(cái)務(wù)盈利能力，其財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。由上可見，無論是從產(chǎn)品還是市場來看，本項(xiàng)目設(shè)備較先進(jìn)，其產(chǎn)品技術(shù)含量較高、企業(yè)利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強(qiáng)，具有良好的社會(huì)效益及一定的

6、抗風(fēng)險(xiǎn)能力，因而項(xiàng)目是可行的。本報(bào)告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報(bào)告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估等內(nèi)容基于公開信息；項(xiàng)目建設(shè)方案、投資估算、經(jīng)濟(jì)效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報(bào)告可用于學(xué)習(xí)交流或模板參考應(yīng)用。第一章 項(xiàng)目概況一、 項(xiàng)目名稱及投資人（一）項(xiàng)目名稱福州半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目（二）項(xiàng)目投資人xxx集團(tuán)有限公司（三）建設(shè)地點(diǎn)本期項(xiàng)目選址位于xxx（以最終選址方案為準(zhǔn)）。二、 編制原則1、項(xiàng)目建設(shè)必須遵循國家的各項(xiàng)政策、法規(guī)和法令，符合國家產(chǎn)業(yè)政策、投資方向及行業(yè)和地區(qū)的規(guī)劃。2、采用的工藝技術(shù)要先進(jìn)適用、操作運(yùn)行穩(wěn)定可靠、能耗低、三廢排放少、產(chǎn)品質(zhì)量好、安全衛(wèi)生。3

7、、以市場為導(dǎo)向，以提高競爭力為出發(fā)點(diǎn)，產(chǎn)品無論在質(zhì)量性能上，還是在價(jià)格上均應(yīng)具有較強(qiáng)的競爭力。4、項(xiàng)目建設(shè)必須高度重視環(huán)境保護(hù)、工業(yè)衛(wèi)生和安全生產(chǎn)。環(huán)保、消防、安全設(shè)施和勞動(dòng)保護(hù)措施必須與主體裝置同時(shí)設(shè)計(jì)，同時(shí)建設(shè)，同時(shí)投入使用。污染物的排放必須達(dá)到國家規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)，并保證工廠安全運(yùn)行和操作人員的健康。5、將節(jié)能減排與企業(yè)發(fā)展有機(jī)結(jié)合起來，正確處理企業(yè)發(fā)展與節(jié)能減排的關(guān)系，以企業(yè)發(fā)展提高節(jié)能減排水平，以節(jié)能減排促進(jìn)企業(yè)更好更快發(fā)展。6、按照現(xiàn)代企業(yè)的管理理念和全新的建設(shè)模式進(jìn)行規(guī)劃建設(shè)，要統(tǒng)籌考慮未來的發(fā)展，為今后企業(yè)規(guī)模擴(kuò)大留有一定的空間。7、以經(jīng)濟(jì)救益為中心，加強(qiáng)項(xiàng)目的市場調(diào)研。按照少投入、多

8、產(chǎn)出、快速發(fā)展的原則和項(xiàng)目設(shè)計(jì)模式改革要求，盡可能地節(jié)省項(xiàng)目建設(shè)投資。在穩(wěn)定可靠的前提下，實(shí)事求是地優(yōu)化各成本要素，最大限度地降低項(xiàng)目的目標(biāo)成本，提高項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)效益，增強(qiáng)項(xiàng)目的市場競爭力。8、以科學(xué)、實(shí)事求是的態(tài)度，公正、客觀的反映本項(xiàng)目建設(shè)的實(shí)際情況，工程投資堅(jiān)持“求是、客觀”的原則。三、 編制依據(jù)1、國家和地方關(guān)于促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整的有關(guān)政策決定；2、建設(shè)項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)方法與參數(shù)；3、投資項(xiàng)目可行性研究指南；4、項(xiàng)目建設(shè)地國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃；5、其他相關(guān)資料。四、 編制范圍及內(nèi)容1、項(xiàng)目背景及市場預(yù)測分析；2、建設(shè)規(guī)模的確定；3、建設(shè)場地及建設(shè)條件；4、工程設(shè)計(jì)方案；5、節(jié)能；6、環(huán)境保護(hù)、勞動(dòng)

9、安全、衛(wèi)生與消防；7、組織機(jī)構(gòu)與人力資源配置；8、項(xiàng)目招標(biāo)方案；9、投資估算和資金籌措；10、財(cái)務(wù)分析。五、 項(xiàng)目建設(shè)背景自2000年全球第一條300mm芯片制造生產(chǎn)線建成以來，300mm半導(dǎo)體硅片市場需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨量首次超過200mm半導(dǎo)體硅片；2009年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積超過其他尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積之和。2000年至2018年，由于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)等終端市場持續(xù)快速發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積從94.00百萬平方英寸擴(kuò)大至8,005.00百萬平方英寸，市場份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導(dǎo)體硅片

10、市場最主流的產(chǎn)品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計(jì)算等新興終端市場的蓬勃發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積分別為6,817.00、7,261.00、8,005.00百萬平方英寸，年均復(fù)合增長率為8.36%。打造先行之區(qū)、創(chuàng)業(yè)之都、生態(tài)之城、幸福之州，建設(shè)更具實(shí)力、更富活力、更有魅力的現(xiàn)代化新福州。凸顯福州“四區(qū)疊加、一區(qū)毗鄰”獨(dú)特優(yōu)勢，充分發(fā)揮政策疊加效應(yīng)和人才、項(xiàng)目、資金聚攏效應(yīng)，加快推進(jìn)具有福州特色國家級(jí)新區(qū)開發(fā)建設(shè)，打造兩岸交流合作重要承載區(qū)、擴(kuò)大對(duì)外開放重要門戶、東南沿海重要現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)基地、改革創(chuàng)新示范區(qū)和生態(tài)文明先行區(qū)。加強(qiáng)制度創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步，推動(dòng)制造業(yè)智能化、服務(wù)業(yè)科

11、技化、產(chǎn)業(yè)綠色化，推動(dòng)大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新，推動(dòng)新技術(shù)、新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài)蓬勃發(fā)展，將福州建成創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、智慧便捷、綠色發(fā)展的宜業(yè)福地。彰顯福州山水、江海、溫泉、文化特質(zhì)，積極創(chuàng)建生態(tài)文明先行示范區(qū)，推進(jìn)國家生態(tài)市建設(shè)和美麗福州建設(shè)，將福州建成環(huán)境秀美、清新宜居的濱江濱海生態(tài)園林城市。堅(jiān)持?；?、補(bǔ)短板、兜底線、惠民生，推動(dòng)學(xué)有所教、勞有所得、病有所醫(yī)、老有所養(yǎng)、住有所居，將福州建成文明富饒、共建共享的有福之州。六、 結(jié)論分析（一）項(xiàng)目選址本期項(xiàng)目選址位于xxx（以最終選址方案為準(zhǔn)），占地面積約35.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項(xiàng)目正常運(yùn)營后，可形成年產(chǎn)xx噸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。（三）項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)

12、度本期項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。（四）投資估算本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資15121.47萬元，其中：建設(shè)投資12060.38萬元，占項(xiàng)目總投資的79.76%；建設(shè)期利息127.35萬元，占項(xiàng)目總投資的0.84%；流動(dòng)資金2933.74萬元，占項(xiàng)目總投資的19.40%。（五）資金籌措項(xiàng)目總投資15121.47萬元，根據(jù)資金籌措方案，xxx集團(tuán)有限公司計(jì)劃自籌資金（資本金）9923.64萬元。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測算，本期工程項(xiàng)目申請(qǐng)銀行借款總額5197.83萬元。（六）經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)1、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年預(yù)期營業(yè)收入（SP）：27300.00萬元。2、年綜合總成本費(fèi)

13、用（TC）：23510.13萬元。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年凈利潤（NP）：2756.01萬元。4、財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：11.12%。5、全部投資回收期（Pt）：7.03年（含建設(shè)期12個(gè)月）。6、達(dá)產(chǎn)年盈虧平衡點(diǎn)（BEP）：13587.82萬元（產(chǎn)值）。（七）社會(huì)效益此項(xiàng)目建設(shè)條件良好，可利用當(dāng)?shù)刎S富的水、電資源以及便利的生產(chǎn)、生活輔助設(shè)施，項(xiàng)目投資省、見效快；此項(xiàng)目貫徹“先進(jìn)適用、穩(wěn)妥可靠、經(jīng)濟(jì)合理、低耗優(yōu)質(zhì)”的原則，技術(shù)先進(jìn)，成熟可靠，投產(chǎn)后可保證達(dá)到預(yù)定的設(shè)計(jì)目標(biāo)。本項(xiàng)目實(shí)施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財(cái)政收入，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)發(fā)展，為社會(huì)提供更多的就業(yè)機(jī)會(huì)。另外，由于本項(xiàng)目環(huán)保治理

14、手段完善，不會(huì)對(duì)周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項(xiàng)目建設(shè)具有良好的社會(huì)效益。（八）主要經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積23333.00約35.00畝1.1總建筑面積42230.951.2基底面積14699.791.3投資強(qiáng)度萬元/畝325.682總投資萬元15121.472.1建設(shè)投資萬元12060.382.1.1工程費(fèi)用萬元10429.442.1.2其他費(fèi)用萬元1312.582.1.3預(yù)備費(fèi)萬元318.362.2建設(shè)期利息萬元127.352.3流動(dòng)資金萬元2933.743資金籌措萬元15121.473.1自籌資金萬元9923.643.2銀行貸款萬元5197.834營

15、業(yè)收入萬元27300.00正常運(yùn)營年份5總成本費(fèi)用萬元23510.136利潤總額萬元3674.687凈利潤萬元2756.018所得稅萬元918.679增值稅萬元959.8510稅金及附加萬元115.1911納稅總額萬元1993.7112工業(yè)增加值萬元7120.8313盈虧平衡點(diǎn)萬元13587.82產(chǎn)值14回收期年7.0315內(nèi)部收益率11.12%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值萬元-1131.01所得稅后第二章 行業(yè)發(fā)展分析一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點(diǎn)為1,4

16、15，高于鍺的熔點(diǎn)937，較高的熔點(diǎn)使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對(duì)環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時(shí)還需要在表面沉積多層絕緣體，這會(huì)導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲(chǔ)量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可

17、制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá)99.9999999%至99.999999999%（9-11個(gè)9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器

18、件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個(gè)月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍，成本隨之下降一半。對(duì)于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200

19、mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時(shí)，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會(huì)使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會(huì)浪費(fèi)部分硅片。硅片的尺寸越大，相對(duì)而言硅片邊緣的損失會(huì)越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對(duì)半

20、導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對(duì)應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲(chǔ)器、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求

21、依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動(dòng)通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲(chǔ)硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅

22、基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機(jī)的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會(huì)使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯(cuò)位，這對(duì)硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進(jìn)一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對(duì)硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延

23、是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高

24、器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實(shí)現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半

25、導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點(diǎn)為1,415，高于鍺的熔點(diǎn)937，較高的熔點(diǎn)使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對(duì)環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時(shí)還需要在表面沉積多層絕緣體，這會(huì)導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以

26、二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲(chǔ)量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá)99.9999999%至99.999999999%（9-11個(gè)9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光

27、、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個(gè)月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍，成本隨之下降一半。對(duì)于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位

28、芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時(shí)，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會(huì)使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會(huì)浪費(fèi)部分硅片。硅片的尺寸越大，相對(duì)而言硅片邊緣的損失會(huì)越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅

29、片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對(duì)半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對(duì)應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲(chǔ)器、C

30、MOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動(dòng)通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、

31、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲(chǔ)硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機(jī)的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會(huì)使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯(cuò)位，這對(duì)硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進(jìn)一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片

32、制造工藝對(duì)硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極

33、管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實(shí)現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，SOI硅片適合應(yīng)用

34、在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。第三章 項(xiàng)目建設(shè)單位說明一、 公司基本信息1、公司名稱：xxx集團(tuán)有限公司2、法定代表人：馬xx3、注冊(cè)資本：800萬元4、統(tǒng)一社會(huì)信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機(jī)關(guān)：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2015-11-267、營業(yè)期限：2015-11-26至無固定期限8、注冊(cè)地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍：從事半導(dǎo)體硅片相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項(xiàng)目，開展經(jīng)營活動(dòng)；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動(dòng)；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項(xiàng)目的

35、經(jīng)營活動(dòng)。）二、 公司簡介經(jīng)過多年的發(fā)展，公司擁有雄厚的技術(shù)實(shí)力，豐富的生產(chǎn)經(jīng)營管理經(jīng)驗(yàn)和可靠的產(chǎn)品質(zhì)量保證體系，綜合實(shí)力進(jìn)一步增強(qiáng)。公司將繼續(xù)提升供應(yīng)鏈構(gòu)建與管理、新技術(shù)新工藝新材料應(yīng)用研發(fā)。集團(tuán)成立至今，始終堅(jiān)持以人為本、質(zhì)量第一、自主創(chuàng)新、持續(xù)改進(jìn)，以技術(shù)領(lǐng)先求發(fā)展的方針。公司不斷推動(dòng)企業(yè)品牌建設(shè)，實(shí)施品牌戰(zhàn)略，增強(qiáng)品牌意識(shí)，提升品牌管理能力，實(shí)現(xiàn)從產(chǎn)品服務(wù)經(jīng)營向品牌經(jīng)營轉(zhuǎn)變。公司積極申報(bào)注冊(cè)國家及本區(qū)域著名商標(biāo)等，加強(qiáng)品牌策劃與設(shè)計(jì)，豐富品牌內(nèi)涵，不斷提高自主品牌產(chǎn)品和服務(wù)市場份額。推進(jìn)區(qū)域品牌建設(shè)，提高區(qū)域內(nèi)企業(yè)影響力。三、 公司競爭優(yōu)勢（一）自主研發(fā)優(yōu)勢公司在各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域深入研究的

36、同時(shí)，通過整合各平臺(tái)優(yōu)勢，構(gòu)建全產(chǎn)品系列，并不斷進(jìn)行產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)，順應(yīng)行業(yè)一體化、集成創(chuàng)新的發(fā)展趨勢。通過多年積累，公司產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。公司多年來堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，不斷改進(jìn)和優(yōu)化產(chǎn)品性能，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。公司結(jié)合國內(nèi)市場客戶的個(gè)性化需求，不斷升級(jí)技術(shù)，充分體現(xiàn)了公司的持續(xù)創(chuàng)新能力。在不斷開發(fā)新產(chǎn)品的過程中，公司已有多項(xiàng)產(chǎn)品均為國內(nèi)領(lǐng)先水平。在注重新產(chǎn)品、新技術(shù)研發(fā)的同時(shí)，公司還十分重視自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。（二）工藝和質(zhì)量控制優(yōu)勢公司進(jìn)口大量設(shè)備和檢測設(shè)備，有效提高了精度、生產(chǎn)效率，為產(chǎn)品研發(fā)與確保產(chǎn)品質(zhì)量奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。此外，公司是行業(yè)內(nèi)較早通過ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證的企業(yè)之一，

37、公司產(chǎn)品根據(jù)市場及客戶需要通過了產(chǎn)品認(rèn)證，表明公司產(chǎn)品不僅滿足國內(nèi)高端客戶的要求，而且部分產(chǎn)品能夠與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌，能夠躋身于國際市場競爭中。在日常生產(chǎn)中，公司嚴(yán)格按照質(zhì)量體系管理要求，不斷完善產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)、客戶服務(wù)等流程，保證公司產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。（三）產(chǎn)品種類齊全優(yōu)勢公司不僅能滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品的需求，而且能根據(jù)客戶的個(gè)性化要求，定制生產(chǎn)規(guī)格、型號(hào)不同的產(chǎn)品。公司齊全的產(chǎn)品系列，完備的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，能夠?yàn)榭蛻籼峁┮徽臼椒?wù)。對(duì)公司來說，實(shí)現(xiàn)了對(duì)具有多種產(chǎn)品需求客戶的資源共享，拓展了銷售渠道，增加了客戶粘性。公司產(chǎn)品價(jià)格與國外同類產(chǎn)品相比有較強(qiáng)性價(jià)比優(yōu)勢，在國內(nèi)市場起到了逐步替代進(jìn)口產(chǎn)

38、品的作用。（四）營銷網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)優(yōu)勢根據(jù)公司產(chǎn)品服務(wù)的特點(diǎn)、客戶分布的地域特點(diǎn)，公司營銷覆蓋了華南、華東、華北及東北等下游客戶較為集中的區(qū)域，并在歐美、日本、東南亞等國家和地區(qū)初步建立經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)，及時(shí)了解客戶需求，為客戶提供貼身服務(wù)，達(dá)到快速響應(yīng)的效果。公司擁有一支行業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的銷售團(tuán)隊(duì)，在各區(qū)域配備銷售人員，建立從市場調(diào)研、產(chǎn)品推廣、客戶管理、銷售管理到客戶服務(wù)的多維度銷售網(wǎng)絡(luò)體系。公司的服務(wù)覆蓋產(chǎn)品服務(wù)整個(gè)生命周期，公司多名銷售人員具有研發(fā)背景，可引導(dǎo)客戶的技術(shù)需求并為其提供解決方案，為客戶提供及時(shí)、深入的專業(yè)技術(shù)服務(wù)與支持。公司與經(jīng)銷商互利共贏，結(jié)成了長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，公司經(jīng)銷網(wǎng)絡(luò)較為

39、穩(wěn)定，有利于深耕行業(yè)和區(qū)域市場，帶動(dòng)經(jīng)銷商共同成長。四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額5894.054715.244420.54負(fù)債總額2046.951637.561535.21股東權(quán)益合計(jì)3847.103077.682885.32公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入18272.1214617.7013704.09營業(yè)利潤3609.142887.312706.86利潤總額3257.342605.872443.01凈利潤2443.011905.551758.97歸屬于母公司所有者的凈利潤2

40、443.011905.551758.97五、 核心人員介紹1、馬xx，中國國籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。2、付xx，中國國籍，1977年出生，本科學(xué)歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事。3、戴xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級(jí)經(jīng)濟(jì)師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董

41、事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。4、胡xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學(xué)歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨(dú)立董事。5、楊xx，1957年出生，大專學(xué)歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。6、秦xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊(cè)會(huì)計(jì)師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公

42、司董事。2019年1月至今任公司獨(dú)立董事。7、高xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責(zé)任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責(zé)任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會(huì)主席。8、周xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級(jí)會(huì)計(jì)師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財(cái)務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財(cái)務(wù)總監(jiān)。六、 經(jīng)營宗旨運(yùn)用現(xiàn)代科學(xué)管理方法，保證公司在市場競爭中獲

43、得成功，使全體股東獲得滿意的投資回報(bào)并為國家和本地區(qū)的經(jīng)濟(jì)繁榮作出貢獻(xiàn)。七、 公司發(fā)展規(guī)劃根據(jù)公司的發(fā)展規(guī)劃，未來幾年內(nèi)公司的資產(chǎn)規(guī)模、業(yè)務(wù)規(guī)模、人員規(guī)模、資金運(yùn)用規(guī)模都將有較大幅度的增長。隨著業(yè)務(wù)和規(guī)模的快速發(fā)展，公司的管理水平將面臨較大的考驗(yàn)，尤其在公司迅速擴(kuò)大經(jīng)營規(guī)模后，公司的組織結(jié)構(gòu)和管理體系將進(jìn)一步復(fù)雜化，在戰(zhàn)略規(guī)劃、組織設(shè)計(jì)、資源配置、營銷策略、資金管理和內(nèi)部控制等問題上都將面對(duì)新的挑戰(zhàn)。另外，公司未來的迅速擴(kuò)張將對(duì)高級(jí)管理人才、營銷人才、服務(wù)人才的引進(jìn)和培養(yǎng)提出更高要求，公司需進(jìn)一步提高管理應(yīng)對(duì)能力，才能保持持續(xù)發(fā)展，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)。公司將采取多元化的融資方式，來滿足各項(xiàng)發(fā)展規(guī)

44、劃的資金需求。在未來融資方面，公司將根據(jù)資金、市場的具體情況，擇時(shí)通過銀行貸款、配股、增發(fā)和發(fā)行可轉(zhuǎn)換債券等方式合理安排制定融資方案，進(jìn)一步優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)，籌集推動(dòng)公司發(fā)展所需資金。公司將加快對(duì)各方面優(yōu)秀人才的引進(jìn)和培養(yǎng)，同時(shí)加大對(duì)人才的資金投入并建立有效的激勵(lì)機(jī)制，確保公司發(fā)展規(guī)劃和目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。一方面，公司將繼續(xù)加強(qiáng)員工培訓(xùn)，加快培育一批素質(zhì)高、業(yè)務(wù)強(qiáng)的營銷人才、服務(wù)人才、管理人才；對(duì)營銷人員進(jìn)行溝通與營銷技巧方面的培訓(xùn)，對(duì)管理人員進(jìn)行現(xiàn)代企業(yè)管理方法的教育。另一方面，不斷引進(jìn)外部人才。對(duì)于行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)杰出的高端人才，要加大引進(jìn)力度，保持核心人才的競爭力。其三，逐步建立、完善包括直接物質(zhì)獎(jiǎng)勵(lì)、

45、職業(yè)生涯規(guī)劃、長期股權(quán)激勵(lì)等多層次的激勵(lì)機(jī)制，充分調(diào)動(dòng)員工的積極性、創(chuàng)造性，提升員工對(duì)企業(yè)的忠誠度。公司將嚴(yán)格按照公司法等法律法規(guī)對(duì)公司的要求規(guī)范運(yùn)作，持續(xù)完善公司的法人治理結(jié)構(gòu)，建立適應(yīng)現(xiàn)代企業(yè)制度要求的決策和用人機(jī)制，充分發(fā)揮董事會(huì)在重大決策、選擇經(jīng)理人員等方面的作用。公司將進(jìn)一步完善內(nèi)部決策程序和內(nèi)部控制制度，強(qiáng)化各項(xiàng)決策的科學(xué)性和透明度，保證財(cái)務(wù)運(yùn)作合理、合法、有效。公司將根據(jù)客觀條件和自身業(yè)務(wù)的變化，及時(shí)調(diào)整組織結(jié)構(gòu)和促進(jìn)公司的機(jī)制創(chuàng)新。第四章 項(xiàng)目建設(shè)背景及必要性分析一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢1、半導(dǎo)體硅片向大尺寸方向發(fā)展在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。在未來一段

46、時(shí)間內(nèi)，300mm半導(dǎo)體硅片仍將作為主流尺寸，同時(shí)100-150mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能將逐步向200mm硅片轉(zhuǎn)移，而200mm硅片產(chǎn)能將逐步向300mm硅片轉(zhuǎn)移。向大尺寸方向發(fā)展是半導(dǎo)體硅片行業(yè)最基本的發(fā)展趨勢。2、行業(yè)集中度較高過去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提升。20世紀(jì)90年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場份額已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較高的行業(yè)壁壘。半導(dǎo)體行業(yè)的周期性較強(qiáng)，規(guī)模較小的企業(yè)難以在行業(yè)低谷時(shí)期生存，而行業(yè)龍頭企

47、業(yè)由于產(chǎn)品種類較為豐富、與行業(yè)上下游的談判能力更強(qiáng)、單位固定成本更低，更容易承受行業(yè)的周期性波動(dòng)。通過并購的方式實(shí)現(xiàn)外延式擴(kuò)張是一些半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)發(fā)展壯大的路徑。如信越化學(xué)在1999年并購了日立的硅片業(yè)務(wù)；SUMCO為住友金屬工業(yè)的硅制造部門、聯(lián)合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；環(huán)球晶圓在2012年收購了東芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)之后成為全球第六大半導(dǎo)體硅片廠，并于2016年收購了正在虧損的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麥TopsilSemiconductorMaterialsA/S半導(dǎo)體事業(yè)部，進(jìn)一步提升其市場占

48、有率，也提高了整個(gè)行業(yè)的集中度。3、終端新興應(yīng)用涌現(xiàn)半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟(jì)影響，亦受到具體終端市場的影響。例如2010年，全球宏觀經(jīng)濟(jì)增速僅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的需求，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長達(dá)32%。2017年開始，大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了多種新型需求同時(shí)爆發(fā)的新一輪上行周期。4、全球半導(dǎo)體行業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險(xiǎn)大、下游應(yīng)用廣泛等特點(diǎn)，疊加下游新興應(yīng)用市場的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢越來越明確，并經(jīng)

49、歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20世紀(jì)70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代向韓國與中國臺(tái)灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)正在開始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國大陸轉(zhuǎn)移。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動(dòng)了目標(biāo)國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進(jìn)程的推進(jìn)和資源優(yōu)化配置。對(duì)于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目標(biāo)國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往從封裝測試向芯片制造與設(shè)計(jì)延伸，擴(kuò)展至半導(dǎo)體材料與設(shè)備，最終實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展。與發(fā)達(dá)國家和地區(qū)相比，目前中國大陸在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分工仍處于前期，半導(dǎo)體材料和設(shè)備行業(yè)將成為未來增長的重點(diǎn)。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國大陸作為全球最大半導(dǎo)體終端產(chǎn)品消費(fèi)市場，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷

50、擴(kuò)大，隨著國際產(chǎn)能不斷向中國轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國投資建廠，中國大陸半導(dǎo)體硅片需求將不斷增長。5、政策推動(dòng)中國半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)是中國電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長點(diǎn)、驅(qū)動(dòng)力。近年來，中國政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國人大發(fā)布中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十三個(gè)五年規(guī)劃綱要，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國近期發(fā)展重點(diǎn)。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N售列為“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃。2018年，國務(wù)院將推動(dòng)集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入2018年政府工作

51、報(bào)告。2014年，隨著國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的設(shè)立，各地方亦紛紛設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金。半導(dǎo)體硅片作為集成電路基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性材料，屬于國家行業(yè)政策與資金重點(diǎn)支持發(fā)展的領(lǐng)域。二、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復(fù)合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復(fù)合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、成本更高、應(yīng)用領(lǐng)域更專業(yè)，全球范圍內(nèi)僅有Soitec、信越化學(xué)、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)等少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)。而在需

52、求方面，中國大陸芯片制造領(lǐng)域具備SOI芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產(chǎn)銷規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應(yīng)用射頻前端芯片是超小型內(nèi)置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調(diào)諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關(guān)等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號(hào)，是以移動(dòng)智能終端為代表的無線通信設(shè)備的核心器件之一。近年來，移動(dòng)通信技術(shù)迅速發(fā)展，移動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度不斷提升，對(duì)于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復(fù)雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅

53、片，其具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)，符合射頻前端芯片對(duì)于高速、高線性與低插損等要求。為了應(yīng)對(duì)射頻前端芯片對(duì)于集成度與復(fù)雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導(dǎo)體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結(jié)構(gòu)與良好的電學(xué)性能，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時(shí)可以使用標(biāo)準(zhǔn)的集成電路生產(chǎn)線以降低芯片制造企業(yè)的生產(chǎn)成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層

54、（BOX）的存在，實(shí)現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，降低高頻RF和數(shù)字、混和信號(hào)器件之間的串?dāng)_并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時(shí)降低了高頻插入損耗；作為一種全介質(zhì)隔離，RF-SOI實(shí)現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導(dǎo)體、TowerJazz、臺(tái)電和臺(tái)灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于RF-SOI工藝的芯片生產(chǎn)線。國內(nèi)RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機(jī)市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進(jìn)口。目前，雖然我國企業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產(chǎn)能力，但是國內(nèi)

55、僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具有基于RF-SOI工藝制造射頻前端芯片的能力，因此國產(chǎn)RF-SOI硅片以出口為主。SOI硅片主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無線通信設(shè)備的射頻前端芯片，亦應(yīng)用于汽車電子、功率器件、傳感器等產(chǎn)品。未來，隨著5G通信技術(shù)的不斷成熟，新一輪智能手機(jī)的更新?lián)Q代即將到來，以及自動(dòng)駕駛、車聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，SOI硅片需求將持續(xù)上升。三、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況1、半導(dǎo)體簡介半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料。常見的半導(dǎo)體包括硅、鍺等元素半導(dǎo)體及砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，是信息產(chǎn)業(yè)的基石，亦被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)

56、模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含設(shè)計(jì)、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和設(shè)備屬于芯片制造、封測的支撐性行業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子、醫(yī)療電子、工業(yè)電子、人工智能、軍工航天等行業(yè)。2、半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況2018年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額4,687.78億美元，同比增長13.72%；中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額1,581.00億美元，同比增長20.22%。2008至2018年，中國半導(dǎo)體行業(yè)在國家產(chǎn)業(yè)政策、下游終端應(yīng)用市場發(fā)展的驅(qū)動(dòng)下迅速擴(kuò)張，占全球半導(dǎo)體行業(yè)的比重比從18.16%上升至33.73%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的重要性日益上升。半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)?？傮w呈波動(dòng)上升趨勢，與宏觀經(jīng)濟(jì)、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫存等因素密切相關(guān)。盡管半導(dǎo)體行業(yè)長期處于增長態(tài)勢，但短期需求呈現(xiàn)一定的波動(dòng)性。2009年，受全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球GDP同比下降1.76%，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額同比下降9.00%；2010年，宏觀經(jīng)濟(jì)回暖，全球G