第五章光電成像

1、第五章第五章 光電成像與成像系統(tǒng)光電成像與成像系統(tǒng) 楊曉占楊曉占 光電信息學(xué)院光電信息學(xué)院 v1. 光電成像系統(tǒng)概述光電成像系統(tǒng)概述; v2. 圖像探測(cè)器簡(jiǎn)介圖像探測(cè)器簡(jiǎn)介; v3. 點(diǎn)擴(kuò)展函數(shù)及基于點(diǎn)擴(kuò)展函數(shù)的性能指標(biāo)；點(diǎn)擴(kuò)展函數(shù)及基于點(diǎn)擴(kuò)展函數(shù)的性能指標(biāo)； v 4. 光學(xué)傳遞函數(shù)；光學(xué)傳遞函數(shù)； v 5. 調(diào)制與調(diào)制傳遞函數(shù)；調(diào)制與調(diào)制傳遞函數(shù)； v6. 光學(xué)系統(tǒng)的調(diào)制傳遞函數(shù)；光學(xué)系統(tǒng)的調(diào)制傳遞函數(shù)； v7.光電成像系統(tǒng)簡(jiǎn)介；光電成像系統(tǒng)簡(jiǎn)介； v8. 非掃描光電成像系統(tǒng)性能的進(jìn)一步描述；非掃描光電成像系統(tǒng)性能的進(jìn)一步描述； v9. 掃描光電成像系統(tǒng)性能的進(jìn)一步描述掃描光電成像系統(tǒng)性能的

2、進(jìn)一步描述 5.1 光電成像系統(tǒng)概述光電成像系統(tǒng)概述 一、光電成像器件的發(fā)展一、光電成像器件的發(fā)展 1934年，光電像管（年，光電像管（Iconoscope），應(yīng)用于室內(nèi)外的廣播），應(yīng)用于室內(nèi)外的廣播 電視攝像。靈敏度非常低，需要電視攝像。靈敏度非常低，需要10000lx的照度，達(dá)到圖的照度，達(dá)到圖 像信噪比的要求；像信噪比的要求； 1947年，超正析像管（年，超正析像管（Image Orthicon），照度降低到），照度降低到 2000lx； 1954年，視像管，靈敏度分辨率高，成本低，體積小，年，視像管，靈敏度分辨率高，成本低，體積小， 慣性大，不適用于高速運(yùn)動(dòng)圖像測(cè)量，不能取代超正析像慣

3、性大，不適用于高速運(yùn)動(dòng)圖像測(cè)量，不能取代超正析像 管用于彩色廣播電視攝像機(jī)；管用于彩色廣播電視攝像機(jī)； v 1965年，氧化鉛管（年，氧化鉛管（Plumbicon），成功取代超正析像管，），成功取代超正析像管， 慣性小，廣泛應(yīng)用于彩色電視攝像機(jī)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，慣性小，廣泛應(yīng)用于彩色電視攝像機(jī)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小， 靈敏度分辨率都很高。靈敏度分辨率都很高。 v 1976年，硒靶管硅靶管，靈敏度進(jìn)一步提高且成本更低；年，硒靶管硅靶管，靈敏度進(jìn)一步提高且成本更低； v 1970年后，年后，CCD的出現(xiàn)使光電成像器件進(jìn)入新的階段。體的出現(xiàn)使光電成像器件進(jìn)入新的階段。體 積更小，靈敏度更高，應(yīng)用更靈活

4、、更方便。積更小，靈敏度更高，應(yīng)用更靈活、更方便。 二、光電成像器件的類(lèi)型二、光電成像器件的類(lèi)型 光電成像器件（成像原理）光電成像器件（成像原理） 掃描型掃描型 非掃描型非掃描型 真空電子束真空電子束 掃描掃描 固體自掃描：固體自掃描： CCD 光電型光電型 熱電型：熱釋電攝像管熱電型：熱釋電攝像管 光電發(fā)射光電發(fā)射 式攝像管式攝像管 變像管（完變像管（完 成圖像光譜成圖像光譜 變換）變換） 紅外變像管紅外變像管 紫外變像管紫外變像管 X射線變像管射線變像管 像增強(qiáng)管（圖像增強(qiáng)管（圖 像強(qiáng)度的變換）像強(qiáng)度的變換） 串聯(lián)式串聯(lián)式 級(jí)聯(lián)式級(jí)聯(lián)式 微通道板式微通道板式 負(fù)電子親和勢(shì)陰極負(fù)電子親和勢(shì)陰

5、極 常由像敏常由像敏 面，電子面，電子 透鏡顯透鏡顯 像面構(gòu)成像面構(gòu)成 光電導(dǎo)式光電導(dǎo)式 攝像管攝像管 三、光電成像系統(tǒng)要研究的問(wèn)題三、光電成像系統(tǒng)要研究的問(wèn)題 v光電成像涉及到一系列復(fù)雜信號(hào)的傳遞過(guò)程，有光電成像涉及到一系列復(fù)雜信號(hào)的傳遞過(guò)程，有 四個(gè)方面問(wèn)題需要研究四個(gè)方面問(wèn)題需要研究 能量方面能量方面物體、光學(xué)系統(tǒng)和接收器的光度學(xué)和輻物體、光學(xué)系統(tǒng)和接收器的光度學(xué)和輻 射度學(xué)性質(zhì)，解決能否探測(cè)到目標(biāo)的問(wèn)題。射度學(xué)性質(zhì)，解決能否探測(cè)到目標(biāo)的問(wèn)題。 成像方面成像方面能分辨的光信號(hào)在空間和時(shí)間方面的細(xì)能分辨的光信號(hào)在空間和時(shí)間方面的細(xì) 致程度，對(duì)多光譜成像還包括它的光譜分辨率。致程度，對(duì)多光譜

6、成像還包括它的光譜分辨率。 噪聲方面噪聲方面決定接收到的信號(hào)不穩(wěn)定的程度或可靠決定接收到的信號(hào)不穩(wěn)定的程度或可靠 性。性。 信息傳遞速率方面信息傳遞速率方面成像特性、噪聲信息傳遞問(wèn)題成像特性、噪聲信息傳遞問(wèn)題 ，決定能被傳遞的信息量大小。，決定能被傳遞的信息量大小。 光電成像系統(tǒng)基本組成光電成像系統(tǒng)基本組成 景物景物同步掃描同步掃描視頻信號(hào)視頻信號(hào)光學(xué)成像光學(xué)成像光電變換光電變換圖像分割圖像分割 傳送傳送同步掃描同步掃描視頻解調(diào)視頻解調(diào)圖像再現(xiàn)圖像再現(xiàn) 攝像部分?jǐn)z像部分 顯像部分顯像部分 光電成像系統(tǒng)原理方框圖光電成像系統(tǒng)原理方框圖 5.2 圖像探測(cè)器簡(jiǎn)介圖像探測(cè)器簡(jiǎn)介 v特點(diǎn)：能夠輸出可視圖

7、像信息特點(diǎn)：能夠輸出可視圖像信息 真真 空空 成成 像像 器器 件件 固體成像器件固體成像器件 光電成像器件光電成像器件 像增強(qiáng)管像增強(qiáng)管 光電導(dǎo)型攝像管光電導(dǎo)型攝像管 光電發(fā)射型攝像管光電發(fā)射型攝像管 變像管變像管 像管像管 直視直視 型光型光 電成電成 像器像器 件件 攝像攝像 型光型光 電成電成 像器像器 件件 熱釋電型攝像管熱釋電型攝像管 CMOS圖像傳感器圖像傳感器 電耦合器件（電耦合器件（CCD） 紅外焦面陣列器件紅外焦面陣列器件 （IRFPA） 攝像管攝像管 1. 真空成像器件真空成像器件 像管結(jié)構(gòu)原理示意圖像管結(jié)構(gòu)原理示意圖 常見(jiàn)像管常見(jiàn)像管-變像管變像管 v紅外變像管紅外變像

8、管 紅外變像管的應(yīng)用紅外變像管的應(yīng)用 v紫外變像管紫外變像管 v選通式變像管選通式變像管 常見(jiàn)像增強(qiáng)管常見(jiàn)像增強(qiáng)管 v級(jí)聯(lián)式像增強(qiáng)管級(jí)聯(lián)式像增強(qiáng)管 v微通道板像增強(qiáng)管微通道板像增強(qiáng)管 v第三代像增強(qiáng)器第三代像增強(qiáng)器 第二代微通道結(jié)構(gòu)配以負(fù)電子親和勢(shì)光第二代微通道結(jié)構(gòu)配以負(fù)電子親和勢(shì)光 電陰極，就構(gòu)成了第三代像增強(qiáng)器。電陰極，就構(gòu)成了第三代像增強(qiáng)器。 vX射線像增強(qiáng)器射線像增強(qiáng)器 實(shí)質(zhì)：變像管實(shí)質(zhì)：變像管 作用：將不可見(jiàn)的作用：將不可見(jiàn)的X射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光 圖像，并使圖像亮度增強(qiáng)圖像，并使圖像亮度增強(qiáng) 攝攝 像像 管管 v作用：把按空間光強(qiáng)分布的光學(xué)圖像記錄并轉(zhuǎn)換作用：把按空間光

9、強(qiáng)分布的光學(xué)圖像記錄并轉(zhuǎn)換 成視頻信號(hào)的成像裝置。成視頻信號(hào)的成像裝置。 v分類(lèi)（按光電轉(zhuǎn)換形式）分類(lèi)（按光電轉(zhuǎn)換形式） 光電發(fā)射型攝像管：利用外光電效應(yīng)進(jìn)行光電光電發(fā)射型攝像管：利用外光電效應(yīng)進(jìn)行光電 轉(zhuǎn)換的攝像管，又稱(chēng)轉(zhuǎn)換的攝像管，又稱(chēng)攝像管攝像管。 光電導(dǎo)型攝像管：利用內(nèi)光電效應(yīng)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)光電導(dǎo)型攝像管：利用內(nèi)光電效應(yīng)進(jìn)行光電轉(zhuǎn) 換的攝像管，又稱(chēng)換的攝像管，又稱(chēng)視像管視像管。 攝像管結(jié)構(gòu)原理圖攝像管結(jié)構(gòu)原理圖視像管結(jié)構(gòu)原理圖視像管結(jié)構(gòu)原理圖 攝像管的結(jié)構(gòu)和工作原理攝像管的結(jié)構(gòu)和工作原理 v 基本功能：光電轉(zhuǎn)換，光電信息的積累、儲(chǔ)存和掃描輸出。基本功能：光電轉(zhuǎn)換，光電信息的積累、儲(chǔ)存和掃描

10、輸出。 2. 固固 體體 成成 像像 器器 件件 v電荷耦合器件電荷耦合器件 (CCD，charge coupled device)、互、互 補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器CMOS、電荷注入、電荷注入 器件（器件（CID，charge injection device）和）和IRFPA v都利用了自掃描技術(shù)，能完成光學(xué)圖像的轉(zhuǎn)換、信都利用了自掃描技術(shù)，能完成光學(xué)圖像的轉(zhuǎn)換、信 息的存儲(chǔ)和掃描輸出。息的存儲(chǔ)和掃描輸出。 vCCD圖像傳感器被廣泛應(yīng)用于生活、天文、醫(yī)療圖像傳感器被廣泛應(yīng)用于生活、天文、醫(yī)療 、電視、傳真、通信以及工業(yè)檢測(cè)和自動(dòng)控制系統(tǒng)、電視、傳真、通信以及

11、工業(yè)檢測(cè)和自動(dòng)控制系統(tǒng) 。 v電荷耦合器件（電荷耦合器件（CCD）特點(diǎn)）特點(diǎn)）以電荷作為信以電荷作為信 號(hào)號(hào) vCCD的基本功能的基本功能電荷存儲(chǔ)和電荷轉(zhuǎn)移電荷存儲(chǔ)和電荷轉(zhuǎn)移 v優(yōu)點(diǎn)：集成度高、功耗小、分辨力高、動(dòng)態(tài)范圍優(yōu)點(diǎn)：集成度高、功耗小、分辨力高、動(dòng)態(tài)范圍 大等。大等。 vCCD工作過(guò)程工作過(guò)程信號(hào)電荷的產(chǎn)生、存儲(chǔ)、傳輸信號(hào)電荷的產(chǎn)生、存儲(chǔ)、傳輸 和檢測(cè)的過(guò)程。和檢測(cè)的過(guò)程。 v基本結(jié)構(gòu)：轉(zhuǎn)移電極結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)移溝槽結(jié)構(gòu)、信號(hào)基本結(jié)構(gòu)：轉(zhuǎn)移電極結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)移溝槽結(jié)構(gòu)、信號(hào) 輸入結(jié)構(gòu)、信號(hào)輸出結(jié)構(gòu)、信號(hào)檢測(cè)結(jié)構(gòu)。輸入結(jié)構(gòu)、信號(hào)輸出結(jié)構(gòu)、信號(hào)檢測(cè)結(jié)構(gòu)。 v構(gòu)成構(gòu)成CCD的基本單元：的基本單元：CMOS

12、電容電容 vCCD類(lèi)型：類(lèi)型： 表面溝道表面溝道CCD（SCCD）：電荷包存儲(chǔ)在半導(dǎo)）：電荷包存儲(chǔ)在半導(dǎo) 體與絕緣體之間的界面，并沿界面?zhèn)鬏?；體與絕緣體之間的界面，并沿界面?zhèn)鬏敚?體溝道體溝道CCD（BCCD）：電荷包存儲(chǔ)在離半導(dǎo)）：電荷包存儲(chǔ)在離半導(dǎo) 體表面一定深度的體內(nèi)，并在半導(dǎo)體體內(nèi)沿一體表面一定深度的體內(nèi)，并在半導(dǎo)體體內(nèi)沿一 定方向傳輸。定方向傳輸。 MOS電容器組成的光敏元及數(shù)據(jù)面的顯微照片電容器組成的光敏元及數(shù)據(jù)面的顯微照片 CCD光敏元顯微照片光敏元顯微照片 CCD讀出移位寄存器的數(shù)據(jù)讀出移位寄存器的數(shù)據(jù) 面顯微照片面顯微照片 彩色彩色CCD顯微照片（放大顯微照片（放大7000倍

13、）倍） v 組成：光敏元、轉(zhuǎn)移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸組成：光敏元、轉(zhuǎn)移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸 出電路。出電路。 v CCD工作時(shí)，在設(shè)定的積分時(shí)間內(nèi)，光敏元對(duì)光信號(hào)進(jìn)行工作時(shí)，在設(shè)定的積分時(shí)間內(nèi)，光敏元對(duì)光信號(hào)進(jìn)行 取樣，將光的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為各光敏元的電荷量。取樣結(jié)束后取樣，將光的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為各光敏元的電荷量。取樣結(jié)束后 ，各光敏元的電荷在轉(zhuǎn)移柵信號(hào)驅(qū)動(dòng)下，轉(zhuǎn)移到，各光敏元的電荷在轉(zhuǎn)移柵信號(hào)驅(qū)動(dòng)下，轉(zhuǎn)移到CCD內(nèi)部?jī)?nèi)部 的移位寄存器相應(yīng)單元中。移位寄存器在驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的作用的移位寄存器相應(yīng)單元中。移位寄存器在驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的作用 下，將信號(hào)電荷順次轉(zhuǎn)移到輸出端。輸出信號(hào)可接到示波下，將信號(hào)

14、電荷順次轉(zhuǎn)移到輸出端。輸出信號(hào)可接到示波 器、圖象顯示器或其他信號(hào)存儲(chǔ)、處理設(shè)備中，可對(duì)信號(hào)器、圖象顯示器或其他信號(hào)存儲(chǔ)、處理設(shè)備中，可對(duì)信號(hào) 再現(xiàn)或進(jìn)行存儲(chǔ)處理。再現(xiàn)或進(jìn)行存儲(chǔ)處理。 v 構(gòu)成構(gòu)成CCD的基本單元是的基本單元是MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）（金屬氧化物半導(dǎo)體） 結(jié)構(gòu)。當(dāng)柵極結(jié)構(gòu)。當(dāng)柵極G施加正偏壓施加正偏壓UG之前（之前（UG=0），），P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 中的空穴（多數(shù)載流子）的分布是均勻的；中的空穴（多數(shù)載流子）的分布是均勻的； v 當(dāng)柵極電壓加正向偏壓（當(dāng)柵極電壓加正向偏壓（UGUth時(shí) 時(shí)，半導(dǎo)體與絕緣體界面上的電勢(shì)（表面勢(shì) ，半導(dǎo)體與絕緣體界面上的電勢(shì)（表面勢(shì)S） 變得

15、如此之高，以至于將半導(dǎo)體體內(nèi)的電子（少數(shù)載流子變得如此之高，以至于將半導(dǎo)體體內(nèi)的電子（少數(shù)載流子 ）吸引到表面，形成電荷濃度極高的極薄反型層，反型層）吸引到表面，形成電荷濃度極高的極薄反型層，反型層 電荷的存在說(shuō)明了電荷的存在說(shuō)明了MOS結(jié)構(gòu)具有存儲(chǔ)電荷的功能。結(jié)構(gòu)具有存儲(chǔ)電荷的功能。 一、電荷存儲(chǔ)一、電荷存儲(chǔ) 柵電極柵電極G 氧化層氧化層 P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 耗盡區(qū)耗盡區(qū) 反型層反型層 uGuthuG1/3。 （2）上限：當(dāng)工作頻率升高時(shí)，若電荷本身從一個(gè)電極轉(zhuǎn)）上限：當(dāng)工作頻率升高時(shí)，若電荷本身從一個(gè)電極轉(zhuǎn) 移到另一個(gè)電極所需的時(shí)間大于驅(qū)動(dòng)脈沖使其轉(zhuǎn)移地時(shí)間移到另一個(gè)電極所需的時(shí)間大于驅(qū)動(dòng)

16、脈沖使其轉(zhuǎn)移地時(shí)間 T/3,那么信號(hào)電荷跟不上驅(qū)動(dòng)脈沖的變化，使轉(zhuǎn)移效率大那么信號(hào)電荷跟不上驅(qū)動(dòng)脈沖的變化，使轉(zhuǎn)移效率大 大降低。故大降低。故tT/3，即，即f 1/3t。 (t) Q(0)/C=2V 5V 10V 實(shí)測(cè)三相多晶硅實(shí)測(cè)三相多晶硅N溝道溝道 SCCD的關(guān)系曲線的關(guān)系曲線 10MHz 五、電荷耦合攝像器件（五、電荷耦合攝像器件（ICCD） 1、工作原理、工作原理 利用光學(xué)成像系統(tǒng)將景物圖像成在利用光學(xué)成像系統(tǒng)將景物圖像成在CCD地像敏面上地像敏面上 。像敏面將照在每一像敏面的圖像照度信號(hào)轉(zhuǎn)變。像敏面將照在每一像敏面的圖像照度信號(hào)轉(zhuǎn)變 為少數(shù)載流子數(shù)密度信號(hào)存儲(chǔ)于像敏單元（為少數(shù)載流

17、子數(shù)密度信號(hào)存儲(chǔ)于像敏單元（MOS 電容）中，然后，再轉(zhuǎn)移到電容）中，然后，再轉(zhuǎn)移到CCD的移位寄存器（的移位寄存器（ 轉(zhuǎn)移電極下的勢(shì)阱）中，在驅(qū)動(dòng)脈沖的作用下順轉(zhuǎn)移電極下的勢(shì)阱）中，在驅(qū)動(dòng)脈沖的作用下順 序地移出器件，成為視頻信號(hào)。序地移出器件，成為視頻信號(hào)。 v2、類(lèi)型、類(lèi)型 v （1）線型）線型CCD攝像器件攝像器件 單溝道線型單溝道線型ICCD 雙溝道線型雙溝道線型ICCD v （2）面陣）面陣ICCD 幀轉(zhuǎn)移面陣幀轉(zhuǎn)移面陣ICCD 隔列轉(zhuǎn)移型面陣隔列轉(zhuǎn)移型面陣ICCD 線轉(zhuǎn)移型面陣線轉(zhuǎn)移型面陣ICCD 線陣線陣CCD外形外形 面陣面陣CCD 面陣面陣CCD能在能在x、y兩兩個(gè)方向都能

18、實(shí)現(xiàn)電子自掃描，可以獲得二維個(gè)方向都能實(shí)現(xiàn)電子自掃描，可以獲得二維 圖像。圖像。 面陣面陣CCD外形（續(xù)）外形（續(xù)） 200萬(wàn)和萬(wàn)和1600萬(wàn)像素的面陣萬(wàn)像素的面陣CCD 面陣面陣CCD外形（續(xù)）外形（續(xù)） 面陣面陣CCD外形（續(xù)）外形（續(xù)） 3、ICCD的基本特性參數(shù)的基本特性參數(shù) （1）光電轉(zhuǎn)換特性）光電轉(zhuǎn)換特性 良好，光電轉(zhuǎn)換因子可達(dá)到良好，光電轉(zhuǎn)換因子可達(dá)到99.7%。 （2）光譜響應(yīng)）光譜響應(yīng) ICCD常采用背面照射的受光方式，采用硅襯底的常采用背面照射的受光方式，采用硅襯底的 ICCD，其光譜響應(yīng)范圍為，其光譜響應(yīng)范圍為0.41.1um，平均量子，平均量子 效率為效率為25，絕對(duì)響

19、應(yīng)為，絕對(duì)響應(yīng)為0.10.2A*W-1。 (3)動(dòng)態(tài)范圍：由勢(shì)阱的最大電荷存儲(chǔ)量與噪聲電荷動(dòng)態(tài)范圍：由勢(shì)阱的最大電荷存儲(chǔ)量與噪聲電荷 量之比決定。量之比決定。 （4）噪聲：電荷注入噪聲；電荷量變化引起的噪聲（轉(zhuǎn)移）噪聲：電荷注入噪聲；電荷量變化引起的噪聲（轉(zhuǎn)移 噪聲）檢測(cè)時(shí)產(chǎn)生的噪聲（輸出噪聲）。噪聲）檢測(cè)時(shí)產(chǎn)生的噪聲（輸出噪聲）。 （5）暗電流）暗電流 產(chǎn)生的主要原因：產(chǎn)生的主要原因： u耗盡的硅襯底中電子自?xún)r(jià)帶至導(dǎo)帶的本征躍遷；耗盡的硅襯底中電子自?xún)r(jià)帶至導(dǎo)帶的本征躍遷； u少數(shù)載流子在中性體內(nèi)的擴(kuò)散；少數(shù)載流子在中性體內(nèi)的擴(kuò)散； u來(lái)自來(lái)自SiO2表面（硅中缺陷雜質(zhì)數(shù)目）引起的暗電流；表面

20、（硅中缺陷雜質(zhì)數(shù)目）引起的暗電流； uSi-SiO2界面表面的晶體缺陷玷污等；界面表面的晶體缺陷玷污等； u溫度，溫度越高，暗電流越大。溫度，溫度越高，暗電流越大。 （6）分辨力）分辨力 2856K白熾光源白熾光源 單色光源單色光源 MTF 頻率頻率 MTF 頻率頻率 600nm 700nm 800nm 1000nm 線陣線陣CCD在掃描儀中的應(yīng)用在掃描儀中的應(yīng)用 線陣線陣CCD在圖像掃描中的應(yīng)用在圖像掃描中的應(yīng)用 線陣線陣CCD攝像機(jī)可攝像機(jī)可 用于彩色印刷中的用于彩色印刷中的 套色工藝監(jiān)控套色工藝監(jiān)控 風(fēng)云一號(hào)衛(wèi)星可以對(duì)風(fēng)云一號(hào)衛(wèi)星可以對(duì) 地球上空的云層分布地球上空的云層分布 進(jìn)行逐行掃描進(jìn)行逐行掃描 線陣線陣CCD用于字符識(shí)別用于字符識(shí)別 CCD數(shù)碼照相機(jī)數(shù)碼照相機(jī) v數(shù)碼相機(jī)簡(jiǎn)稱(chēng)數(shù)碼相機(jī)簡(jiǎn)稱(chēng)DC，它采用，它采用CCD作為光電轉(zhuǎn)換器作為光電轉(zhuǎn)換器 件，將被攝物體的圖像以數(shù)字形式記錄在存儲(chǔ)器件，將被攝物體的圖像以數(shù)字形式記錄在存儲(chǔ)器 中。中。 v數(shù)碼相機(jī)從外觀看，也有光學(xué)鏡頭、取