雙向可控硅結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用分享資料

1、雙向可控硅結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用分享時(shí)間：2010-01-19 09:58:05 來源： 作者:普通晶閘管(VS)實(shí)質(zhì)上屬于直流控制器件。要控制交流負(fù)載，必須將兩只晶閘管反極 性并聯(lián)，讓每只 SCR控制一個(gè)半波，為此需兩套獨(dú)立的觸發(fā)電路，使用不夠方便。雙向晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的晶 閘管，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。構(gòu)造原理盡管從形式上可將雙向晶閘管看成兩只普通晶閘管的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。 小功率雙向晶閘管一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板，外形如圖 I

2、 所示。典型產(chǎn)品有 BCMlAM(1A /600V)、BCM3AM(3A /600V)、2N6075(4A / 600V) , MAC218-10(8A /800V)等。大功率雙向晶閘管大多采用 RD91型封裝。雙向晶閘 管的主要參數(shù)見附表。雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號見圖2。它屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是 T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極 G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用 T1、T2。表示, 不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng) G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽 極，T1是陰極。反之，當(dāng) G極和T2極相對于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽極，T2為陰 極。雙向晶

3、閘管的伏安特性見圖 3，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一 個(gè)方向?qū)āz測方法下面介紹利用萬用表 RXl檔判定雙向晶閘管電極的方法，同時(shí)還檢查觸發(fā)能力。1判定T2極由圖2可見，G極與T1極靠近，距T2極較遠(yuǎn)。因此，GT1之間的正、反向電阻都 很小。在用RXI檔測任意兩腳之間的電阻時(shí)，只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他 兩腳都不通，就肯定是 T2極。，另外，采用TO 220封裝的雙向晶閘管，T2極通常與 小散熱板連通，據(jù)此亦可確定T2極。2 .區(qū)分G極和T1極找出T2極之后，首先假定剩下

4、兩腳中某一腳為TI極，另一腳為G極。(2)把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負(fù)觸發(fā)信號，電阻值應(yīng)為十歐左右(參見圖4(a)，證明管子已經(jīng)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門1 一 T2。再將紅表筆尖與 G極脫開(但仍接T2)，若電阻值保持不變，證明管子在 觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通狀態(tài)(見圖4(b)。(3)把紅表筆接T1極，黑表筆接T2極，然后使T2與G短路，給G極加上正觸發(fā)信號， 電阻值仍為十歐左右，與 G極脫開后若阻值不變，則說明管子經(jīng)觸發(fā)后，在T2 一 T1方向上也能維持導(dǎo)通狀態(tài)，因此具有雙向觸發(fā)性質(zhì)。由此證明上述假定正確。否則是假定與實(shí)際不符，需再作出假定，

5、重復(fù)以上測量。顯見，在識別G、T1,的過程中，也就檢查了雙向晶閘管的觸發(fā)能力。如果按哪種假定去測量， 都不能使雙向晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通，證明管于巳損壞。對于IA的管子，亦可用 RXI0檔檢測，對于3A及3A以上的管子，應(yīng)選 RXI檔，否則難以 維持導(dǎo)通狀態(tài)。典型應(yīng)用雙向晶閘管可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、 路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。 圖5是由雙向晶閘管構(gòu)成的接近開關(guān)電路。R為門極限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時(shí) JAG斷開，雙向晶閘管 TRIAC也關(guān)斷。僅當(dāng)小磁鐵移近時(shí)JA

6、G 吸合，使雙向晶閘管導(dǎo)通，將負(fù)載電源接通。由于通過干簧管的電流很小，時(shí)間僅幾微秒，所以開關(guān)的壽命很長圖6是過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器 (AC-SSR)的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦 合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路(包括雙向晶閘管)、保護(hù)電路(RC吸收網(wǎng)絡(luò))。當(dāng)加上輸入信號Vl( 般為高電平)、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí)，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載 電源接通。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動功率小、無觸點(diǎn)、噪音低、抗干擾能力強(qiáng)，吸合、釋放時(shí)間 短、壽命長，能與 TTL CMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。雙向可控硅原理與應(yīng)用普通晶閘管(VS)實(shí)質(zhì)上屬于直流控制器件。要控制交流負(fù)載，必須將兩只晶閘管

7、反極性并聯(lián)，讓每只 SCR控制一個(gè)半波，為此需兩套獨(dú)立的觸發(fā)電路，使用不夠方便。雙向晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的晶閘管，而且僅需 一個(gè)觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。p=30, 2, leftb構(gòu)造原理/b/p盡管從形式上可將雙向晶閘管看成兩只普通晶閘管的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向晶閘管一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板，外形如圖l所示。典型產(chǎn)品有 BCMlAM(1A /600V)、BCM3AM(3A / 600V)、2N6075(4A / 600V) ，MAC

8、218-10(8A /800V) 等。大功率雙向晶閘管大多采用 RD91型封裝。雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號見圖2。它屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極 G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極和T2極 相對于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽極，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性見圖3，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā=30,2,centerimgb檢測方法/b下面介紹利用萬用表RXl檔判定雙向晶閘管電極的

9、方法，同時(shí)還檢查觸發(fā)能力。1.判定T2極由圖2可見，G極與T1極靠近，距T2極較遠(yuǎn)。因此，G T1之間的正、反向電阻都很小。 在用RXl 檔測任意兩腳之間的電阻時(shí)，只有在 G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。，另外，采用TO 220封裝的雙向晶閘管，T2極通常與小散熱板連通，據(jù)此亦可確定T2極p=30,centerimg2 .區(qū)分G極和T1極（1）找出T2極之后，首先假定剩下兩腳中某一腳為TI極，另一腳為G極。（2）把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把

10、T2與G短路，給G極加上負(fù)觸發(fā)信號，電阻值應(yīng)為十歐左右 （參見圖4（a），證明管子已經(jīng)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)?T1 一 T2。再將紅表 筆尖與G極脫開（但仍接T2），若電阻值保持不變，證明管子在觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通狀態(tài)（見圖4（b）。p=30,2,centerimg3）把紅表筆接T1極，黑表筆接T2極，然后使T2與G短路，給G極加上正觸發(fā)信號，電阻值仍為 十歐左右，與 G極脫開后若阻值不變，則說明管子經(jīng)觸發(fā)后，在T2 一 T1方向上也能維持導(dǎo)通狀態(tài)，因此具有雙向觸發(fā)性質(zhì)。由此證明上述假定正確。否則是假定與實(shí)際不符，需再作岀假定，重復(fù)以上測量。 顯見，在識別G、T1，的過程中，也就檢查了雙向晶閘管的觸發(fā)

11、能力。如果按哪種假定去測量，都不能使 雙向晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通，證明管于巳損壞。對于lA的管子，亦可用 RXI0檔檢測，對于3A及3A以上的管子，應(yīng)選RXl檔，否則難以維持導(dǎo)通狀態(tài)。p=30, 2, leftb典型應(yīng)用/b/p雙向晶閘管可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器url=olor/url（SSR）和固態(tài)接觸器電路中。圖5是由雙向晶閘管構(gòu)成的接近開關(guān)電路。R為門極限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時(shí)JAG斷開，雙向晶閘管TRIAC也關(guān)斷。僅當(dāng)小磁鐵移近時(shí)JAG吸合，使雙向晶閘管導(dǎo)通

12、，將負(fù)載電源接通。由于通過干簧管的電流很小，時(shí)間僅幾微秒，所以開關(guān)的壽命很長圖6是過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器AC-SSR）的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路（包括雙向晶閘管）、保護(hù)電路（RC吸收網(wǎng)絡(luò)）。當(dāng)加上輸入信號 VI（ 般為高電平）、并 且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí)，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通。固態(tài)繼電器url=olor/url具有驅(qū)動功率小、無觸點(diǎn)、噪音低、抗干擾能力強(qiáng)，吸合、釋放時(shí)間短、壽命長，能與TTL CMOS 電 路 兼 容， 可 取 代 傳 統(tǒng) 的 電 磁 繼 電 器url= olor/url 。雙向可控硅所屬分類：半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件物理學(xué)生活

13、科學(xué)摘要:雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開提問編輯摘要雙向可控硅所屬分類：半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件物理學(xué)生活科學(xué)摘要: 雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路,是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開 關(guān)乙意。提問編輯摘要匡目錄隱藏產(chǎn)品命名 元件簡介 產(chǎn)品分類 封裝形式 構(gòu)造原理 產(chǎn)品特性 觸發(fā)電路 工作原理產(chǎn)品判別10測量方法11參數(shù)符號12伏安特性13檢測方法14黃金規(guī)則15典型應(yīng)用1

14、6產(chǎn)品區(qū)別17注意事項(xiàng)18產(chǎn)品展示雙向可控硅-產(chǎn)品命名I 川=|I匡）雙向可控硅雙向可控硅為什么稱為“ TRIAC ?三端：TRIode（取前三個(gè)字母）交流半導(dǎo)體 開關(guān)： ACsemic on ductorswitch（取前兩個(gè)字母）以上兩組名詞組合成“ TRIAC中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。由此可見“ TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。雙向：Bi-directional（取第一個(gè)字母）控 制: Controlled（ 取第一個(gè)字母）整流器：Rectified取第一個(gè)字母）再由這三組英文名詞的首個(gè)字母組合而成：“ BCR中文譯意：雙向可控硅。以“ BCR來命名雙向可控硅的典型廠家如 日本三菱

15、，如：BCR1AM-12 BCR8KM BCR08AM等等。雙向：Bi-directional（取第一個(gè)字母）三 端：Triode（取第一個(gè)字母）由以上兩組單詞組合成“ BT,也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips 公司，均以此來命名雙向可控硅。代表型號如：PHILIPS 的 BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips 公司的產(chǎn)品型號前綴為“ BTA字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司，則以“ BT”字母為

16、前綴來命名元件的型號并且在“BT后加“ A”或“ B來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA、“ BTB系列的雙向可控硅型號，如：四象限 / 絕緣型 / 雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B 等等；四象限 / 非絕緣 / 雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B 等等；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母（型號最后一個(gè)字母）帶“W的，均為“三象限雙向可控硅”。如 “ BV”、“ CW、“SW、“ TW ；代表型號如：BTB12-600BW BTA26-700CW BTA08-600SW、

17、至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA E=10mAC=15mA F=25mA G=50mA R=200uA或 5mA型號沒有后綴 字母之觸發(fā)電流，通常為 25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流代表字母沒有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法 ST 公司：TW=5mASW=10mA CW=35mABW=50mAC=25mA B=50mA H=15mA T=15mA注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。雙向可控硅-元件簡介一種以硅單晶為基本材料的 P1N1

18、P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真 空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅 T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控 整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR在性能上，可控硅不僅具有單向 導(dǎo)電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可 貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級 電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加， 允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低

19、等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的 過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。雙向可控硅-產(chǎn)品分類可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、 雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（ GTO、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控 硅等多種。（二）按引腳和極性分類： 可控硅按其 引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。（三）按圭寸裝形式分類：可控硅按其圭寸裝形式可分為金屬圭寸裝可控硅、塑圭寸可控硅和陶瓷圭寸裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可

20、控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。雙向可控硅-封裝形式常用可控硅的封裝形式有 TO-92、TO-126、TO-202AB TO-220、TO-220AB T0-3P、SOT-89TO-251、TO-252 等。雙向可控硅-構(gòu)造原理盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。 小功率雙向

21、可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有 BCMIAM(1A/600V)、BCM3AM(3/A 600V)、2N6075(4A/ 600V), MAC218-10(8A/800V) 等。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝。雙向可控硅屬于 NPNPf五層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對于T1,的電壓均為正時(shí)，T2是陽極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極 和T2極相對于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽極，T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特 性曲線具有對稱性，所

22、以它可在任何一個(gè)方向?qū)āｋp向可控硅-產(chǎn)品特性雙向可控硅第一陽極 A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約IV。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有 當(dāng)?shù)谝魂枠OA1、第二陽極 A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。雙向可控硅-觸發(fā)電路回雙向可控硅電路示意圖將兩只單向可控硅 SCR、SCR2反向并聯(lián)再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率 無級調(diào)速 電路

23、。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V8V脈動直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器 R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大 R2的阻值到一定程度，便可使兩個(gè) 主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用。 該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通， 一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1 SCR2會誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器 R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通 移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。SCR1 SCR2選用封裝好的可控硅模塊 (110A/ 1000V), SCR3選用

24、BTI36，即600V的雙向可 控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4, C3阻容吸收電路及壓敏電阻 RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。雙向可控硅-工作原理Kt16P單相可控硅調(diào)壓/調(diào)功觸發(fā)板1. 可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPNf所組成。當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流 ic2= 3 2ib2。因?yàn)锽G2 的集電極直接與 BG1的基極相連，所以ib仁ic。2。 此時(shí)，

25、電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic仁3 1ib1= 3 1 3 2ib2。這個(gè)電 流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果， 兩個(gè)管子 的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔茫砸坏┛煽毓鑼?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了， 可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)， 由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控 硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，條件如下：A、從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。B

26、維持導(dǎo)通1、陽極電位高于陰極電位，2、陽極電流大于維持電流，兩者缺一不可。C從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位，2、陽極電流小于維持電流，任一條件即可。觸發(fā)導(dǎo)通在控制極 G上加入正向電壓時(shí)因 J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入 N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入 P2區(qū), 形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致伏安特性 0A段左移，IGT越大，特性左移越快。雙向可控硅-產(chǎn)品判別匡電路示意圖雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊 連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控

27、制極（G）。1、 單、雙向可控硅的判別：先任測兩個(gè)極，若正、反測指針均不動（RX 1擋），可能是 AK或G A極（對單向可控硅）也可能是 T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一 次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至RX1或RX 10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大， 則稍大的一次紅筆接的為 G極，黑筆所接為T1 極，余下是T2極。2、 性能的差別：將旋鈕撥至 RX 1擋，對于16A單向可控硅，紅筆接 K極，黑筆同時(shí)接通 G A極，在保持黑筆不脫離 A極狀態(tài)下斷開 G極

28、，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控 硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回R位 置，則表明可控硅良好。對于16A雙向可控硅，紅筆接 T1極，黑筆同時(shí)接 G T2極，在保證黑筆不脫離 T2極的前 提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后 將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次， 指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極，指針立即退回位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。對于單向可控硅，閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可

29、控硅，閉合開關(guān) K,燈應(yīng)發(fā)亮，斷開 K,燈應(yīng)不息滅。然后將 電池反接，重復(fù)上 述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。雙向可控硅-測量方法金達(dá)電:國塑封可控硅在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，規(guī)定采用1+、I-、川-三種方式，且以1+和川-兩種方式用得最廣，下面采用這兩種方式進(jìn)行判別，并以最常見的小功率雙向可控硅為例。（1）判別電極首先確定 T2:兩支表棒隨意接觸管子的任意兩個(gè)電極，并輪流改換接法，直至 找到顯示值為0.11V（該電壓在此記為 T1與G之間的壓降Ugtl）時(shí)，空置的電極即為T2。 其次確定T1與G2用紅表棒接觸T2,黑表棒接觸其余兩極中的任一個(gè)（暫且假定為T1），萬用表應(yīng)顯示溢

30、出。接著將紅表棒滑向另一電極（暫且假定為G），使得紅表棒短接這兩個(gè)電極，如果顯示值比Ugtl略低，說明管子已被觸發(fā)導(dǎo)通（1+觸發(fā)方式），證明以上假定成立，即黑表棒接的即是T1。如果在紅表棒滑向另一極后顯示值為Ugtl，則只需將黑表棒改接至另一未知極重復(fù)上述步驟，定能得出正確結(jié)果。（2）觸發(fā)性能判別雙向晶閘管需要考察兩個(gè)方向的工作狀況，下面分別介紹。紅表棒接T2,黑表棒接T1，此時(shí)應(yīng)顯示溢出（關(guān)斷狀態(tài)）。把紅表棒滑向 G,并且使T2與G 這兩極接通，此時(shí)管子將進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，應(yīng)顯示比Ugtl略低的數(shù)值。接著，在紅表棒不斷開T2的前提下而脫離 G,對于觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子來說，此時(shí)管子仍然

31、維持 導(dǎo)通狀態(tài)，顯示值比觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)的略大，但低于 Ugtl。再用紅表棒接觸 T1、黑表棒接解T2,此時(shí)應(yīng)顯示溢出。在黑表棒短接T2、G兩極時(shí)，管子將導(dǎo)通，顯示值比 Ugtl略低。與上個(gè)方向相同，當(dāng)黑表棒脫離G后，那些觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子將仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)。實(shí)測一只TO-220封裝的雙向晶閘管BCR3AM（3餡600V），首先判別電極：紅、黑表棒在管子 任意兩電極間測量，當(dāng)測得為0. 578V即Ugtl時(shí)，便確定未與表棒相接的一極為T2。該管子本身帶有一塊小型散熱片，通常它與T2極相連，此特征也可作為判別 T2的依據(jù)。作為驗(yàn)證，測得T2與散熱片間為0V,故T2判別正確。又將紅表棒接 T

32、2,黑表棒任接其余兩極之一，此時(shí)顯示溢出。在紅表棒短接 T2和懸空的電極時(shí)顯示 0.546V,該電壓小于 Ugt1=0.578V, 故黑表棒所接為T1,另一極則為 G觸發(fā)性能判別：紅表棒接T2、黑表棒接T1,顯示溢出(管子關(guān)斷)。使紅表棒短接 T2與G,此時(shí)顯示0. 546V(管子導(dǎo)通)，當(dāng)紅表棒脫離 G極時(shí)顯示0. 558V,顯然，該值大于導(dǎo)通電 壓，而又小于Ugtl，管子處于維持導(dǎo)通狀態(tài)。在檢測相反方向的觸發(fā)性能時(shí)，所得結(jié)果與 上述極為接近，證明管子性能良好。雙向可控硅-參數(shù)符號IT(AV)-通態(tài)平均電流VDRM-通態(tài)重復(fù)峰值電壓VRRM-反向重復(fù)峰值電壓IRRM-反向重復(fù)峰值電流IDRM

33、-斷態(tài)重復(fù)峰值電流IF(AV)-正向平均電流VTM-通態(tài)峰值電壓Tjm-額定結(jié)溫VGT-門極觸發(fā)電壓VISO-模塊絕緣電壓IH-維持電流Rthjc-結(jié)殼熱阻IGT-門極觸發(fā)電流di/dt-通態(tài)電流臨界上升率ITSM-通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流dv/dt-斷態(tài)電壓臨界上升率雙向可控硅-伏安特性(1 )反向特性當(dāng)控制極開路，陽極加上反向電壓時(shí)，J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到 J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速 增加，特性開始彎曲，如特性O(shè)F段所示，彎曲處的電壓 URC叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會發(fā)生永久性反向。(2 )正向特

34、性當(dāng)控制極開路，陽極上加上正向電壓時(shí)，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通 PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電 壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時(shí)入N1區(qū)，空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進(jìn)入 P2區(qū)的空 穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入 P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在 P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)

35、的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降， 出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性。這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)-通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似雙向可控硅-檢測方法合器利用萬用表RXI檔判定雙向可控硅電極的方法，同時(shí)還檢查觸發(fā)能力。1.判定T2極G極與T1極靠近，距T2極較遠(yuǎn)。因此，G T1之間的正、反向電阻都很小。在肦 XI檔測任 意兩腳之間的電阻時(shí)， 只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻僅幾十歐， 而T2-G、T2-T1 之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。另外，采用 TO-

36、220封裝的雙向可控硅，T2極通常與小 散熱板連通，據(jù)此亦可確定 T2 極。2.區(qū)分G極和T1極（1）找出T2極之后，首先假定剩下兩腳中某一腳為TI極，另一腳為G極。（2）把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負(fù)觸發(fā) 信號，電阻值應(yīng)為十歐左右，證明管子已經(jīng)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門1 一 T2。再將紅表筆尖與 G極脫開（但仍接T2），若電阻值保持不變，證明管子在觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通 狀態(tài)。High雙向可控硅-黃金規(guī)則回隔離型三端雙向可控硅開關(guān)規(guī)則1.為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流仝IGT,直至負(fù)載電流達(dá)到仝IL。 這條件必須滿足，并按可能

37、遇到的最低溫度考慮。規(guī)則2.要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）。規(guī)則3.設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā) 電路時(shí)，只要有可能，就要避開3象限（WT2-, +）。規(guī)則4.為減少雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kQ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。規(guī)則5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。規(guī)則6.假如雙向可控硅的 VDRMf

38、c嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列 措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾卩H的不飽和電感，以限制dIT/dt ;用MOV夸接于電源，并在電源側(cè)增加 濾波電路。規(guī)則7.選用好的門極觸發(fā)電路，避開3象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。規(guī)則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾卩H的無鐵芯電感，或負(fù)溫度系數(shù)的 熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。規(guī)則9.器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。規(guī)則10.為了長期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于T

39、jmax,其值相應(yīng)于可能 的最高環(huán)境溫度。雙向可控硅-典型應(yīng)用*茲片殺Jtca雙向晶閘管可廣泛用于 工業(yè)、交通、家用電器 等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、 路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，它還被用于 固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。圖 5是由雙向晶閘管構(gòu)成的接近開關(guān)電路。R為門極限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時(shí)JAG斷開，雙向晶閘管TRIAC也關(guān)斷。僅當(dāng)小磁鐵移近時(shí) JAG吸合， 使雙向晶閘管導(dǎo)通， 將負(fù)載電源接通。由于通過干簧管的電流很小，時(shí)間僅幾微秒，所以開 關(guān)的壽命很長?，F(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場相當(dāng)廣闊，可控硅應(yīng)用在自動控制領(lǐng)域，機(jī)電領(lǐng)域，工業(yè)電

40、器及家電等方面都有可控硅的身影。 許先生告訴記者，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見可控硅在人們的生活中都有廣泛的應(yīng)用。更重要的是，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān)， 可以說是鮮少變化的。 無論其他的元件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對來說，等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場，減少了投資的風(fēng)險(xiǎn)。隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品的熱銷，更為可控硅提供了銷售空間。推出兩款可優(yōu)化消費(fèi)電子產(chǎn)品性能的新型標(biāo)準(zhǔn)三端雙向可控硅開關(guān)元件，這兩種三端雙向可控硅開關(guān)采用先進(jìn)的平面硅結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有很高的可靠性，加上在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗最多僅為1.5V，因而可達(dá)致高效率。這兩種產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括：洗衣機(jī)

41、、吸塵器、調(diào)光器、 遙控開關(guān)和交流電機(jī)控制設(shè)備。過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器 (AC-SSR)的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、 光電耦合器、過零觸 發(fā)電路、開關(guān)電路(包括雙向晶閘管)、保護(hù)電路(RC吸收網(wǎng)絡(luò))。當(dāng)加上輸入信號 VI( 一般為 高電平)、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí)，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通。固態(tài) 繼電器具有驅(qū)動功率小、無觸點(diǎn)、噪音低、抗干擾能力強(qiáng)，吸合、釋放時(shí)間短、壽命長，能 與TTL CMO電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。雙向可控硅可廣泛用于 工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、 路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、 舞臺調(diào)光等多種功能，它

42、還被用于 固態(tài)繼電器 (SSR)和固態(tài)接觸器電路中。雙向可控硅-產(chǎn)品區(qū)別雙向和單向可控硅的區(qū)別。普通晶閘管（又稱可控硅）是一種大 功率半導(dǎo)體器件，主要用于大功率的交直流變換、調(diào)壓等。單向可控硅通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性， 一只雙向可控硅的工作原理， 可等效兩只同型號的單向可控硅互相反向并聯(lián)，然后串聯(lián)在調(diào)壓電路中實(shí)現(xiàn)其可控硅交流調(diào)壓的。可控硅（SCR國際通用名稱為 Thyyistor ，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件 下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等特點(diǎn)，它是大功率形狀型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于 電力、電子線路中。一、可控硅的特性可控硅分單

43、向可控硅、雙向可控硅。有陽極A、陰極中、控制極G三個(gè)引腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極 A2（T2）、控制極 G三個(gè)引腳。單向，就是當(dāng)經(jīng)過可控硅 電流單向流動。所以當(dāng)電流反向時(shí)候，可控硅就不通，膚淺的說也 就講其兩邊的電路短開了，所以它的用途之一就是用來穩(wěn)流（你想，交變電電流不是方向要變嗎，就只有一個(gè)方向的可以過了 ）。雙向的嘛，就是怎么樣都通，可以空來穩(wěn)壓。當(dāng)然可控硅最主要的作用之一就是穩(wěn)壓穩(wěn)流。雙向可控硅-注意事項(xiàng)TY30(i可控硅功率單元北X紳圧時(shí). iHtii.-ybifc.x*k :Vd * ft r * i *J 1It rt 釘 fli 4 A III A i|i

44、L丄1二匡ITY300/TY301可控硅調(diào)壓單元交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點(diǎn)，對提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會干擾 電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。1：靈敏度雙向可控硅是一個(gè)三端 元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的最小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中（a）觸發(fā)靈敏度最高，（b

45、）觸發(fā)靈敏度最低，為了 保證觸發(fā)同時(shí)又要盡量限制門極電流，應(yīng)選擇（c）或（d）的觸發(fā)方式。2：可控硅過載的保護(hù) 可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為 保證元件正常工作，需有條件 （1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.52倍來??；（3）為保證控制極可靠觸發(fā)， 加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的 浪涌電壓 或交流側(cè) 作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路措施，一

46、般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速 的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)， 采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上， 的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，加以抑制。3:控制大電感負(fù)載時(shí)的干擾電網(wǎng)和自干擾的避免可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓， 這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生極大的 脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供

47、電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。3.1 :為防止或減小 噪聲，對于移相控制式交流調(diào)壓一般的處理方法有電感電容濾波電路， 阻容阻尼電路和雙向二極管阻尼電路及其它電路。3.2 :電感電容濾波電路，由電感電容構(gòu)成諧振回路，其低通截止頻率為f=1/2 n Ic，一般取數(shù)十千赫低頻率。3.3 :雙向二極管阻尼電路。由于二極管是反向串聯(lián)的，所以它對輸入信號極性不敏感。當(dāng)負(fù)載被電源激勵(lì)時(shí)，抑制電路對負(fù)載無影響。當(dāng)電感負(fù)載線圈中電流被切斷時(shí)，則在抑制電路中有瞬態(tài)電流流過，因此就避免了感應(yīng)電壓通過開關(guān)接點(diǎn)放電，也就減小了噪聲，但是要求

48、二極管的反向電壓應(yīng)比可能出現(xiàn)的任何瞬態(tài)電壓高。另一個(gè)是額定電流值要符合電路要求。3.4 :電阻電容 阻尼電路，利用電容電壓不能突變的特性吸收可控硅換向時(shí)產(chǎn)生的尖峰狀過電壓，把它限制在允許范圍內(nèi)。 串接電阻是在可控硅阻斷時(shí)防止電容和電感振蕩，起阻尼作用，另外阻容電路還具有加速可控硅導(dǎo)通的作用。3.5 :另外一種防止或減小噪聲的方法是利用通斷比控制交流調(diào)壓方式，其原理是采用過零觸發(fā)電路，在電源電壓過零時(shí)就控制雙向可控硅導(dǎo)通和截止，即控制角為零，這樣在負(fù)載上得到一個(gè)完整的正弦波，但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)比通斷周期大的系統(tǒng)，如恒溫器。山雙向可控硅-產(chǎn)品展示雙向可控硅-產(chǎn)品命名雙向可控硅為什么稱為“ T

49、RIAC ?三端：TRIode（取前三個(gè)字母）交流半導(dǎo)體 開關(guān)： ACsemic on ductorswitch（取前兩個(gè)字母）以上兩組名詞組合成“ TRIAC中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。由此可見“ TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。雙向：Bi-directional（取第一個(gè)字母）控 制: Controlled（ 取第一個(gè)字母） 整流器：Rectified取第一個(gè)字母）再由這三組英文名詞的首個(gè)字母組合而成：“ BCR中文譯意：雙向可控硅。以“ BCR來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如：BCR1AM-12 BCR8KM BCR08AM等等。雙 向： Bi-directional（ 取第

50、一個(gè)字母 ）三 端： Triode（ 取第一個(gè)字母 ）由以上兩組單詞組合成“ BT,也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips 公司，均以此來命名雙向可控硅。代表型號如： PHILIPS 的 BT131-600D、 BT134-600E、 BT136-600E、 BT138-600E、 BT139-600E、等等。這些都是四象限 /非絕緣型 / 雙向可控硅；Philips 公司的產(chǎn)品型號前綴為“ BTA字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司，則以“ BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT后加“ A”或“ B來表示絕緣與非絕緣組合成

51、：“BTA、“ BTB系列的雙向可控硅型號，如：四象限 / 絕緣型 / 雙向可控硅：BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B 等等； 四象限 / 非絕緣 / 雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B 等等；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母 （型號最后一個(gè)字母）帶“W的，均為“三象限雙向可控硅”。 如 “ BV”、“ CW、“SW、“ TW ；代表型號如：BTB12-600BW BTA26-700CW BTA08-600SW、至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的代表含義如下：PHILIPS 公

52、司： D=5mA， E=10mA，C=15mA F=25mA G=50mA R=200uA或 5mA型號沒有后綴 字母 之觸發(fā)電流，通常為 25-35mA；PHILIPS 公司的觸發(fā)電流代表字母沒有統(tǒng)一的 定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法 ST 公司：TW=5mASW=10mA CW=35mABW=50mAC=25mA B=50mA H=15mA T=15mA注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值 /典型值/最大值，而非“ =”一個(gè)參數(shù)值。雙向可控硅 - 元件簡介一種以硅單晶為基本材料的 P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特

53、性類似于真 空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅 T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控 整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR在性能上，可控硅不僅具有單向 導(dǎo)電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可 貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加， 允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的 過載能力較差；

54、容易受干擾而誤導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。雙向可控硅-產(chǎn)品分類可控硅有多種分類方法?？煽毓枘K的散熱器（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類： 可控硅按其 引腳和極性可分為二極可控硅、 三極可控硅和四極可 控硅。（三）按圭寸裝形式分類：可控硅按其圭寸裝形式可分為金屬圭寸裝可控硅、塑圭寸可控硅和陶瓷圭寸裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或