鎂合金微弧氧化配方的優(yōu)化及膜層耐蝕性能評(píng)價(jià)

1、鎂合金微弧氧化配方的優(yōu)化及膜層耐蝕性能評(píng)價(jià)第23卷第6期2004年l2月電鍍與涂飾Electroplating&FinishingVr)1.23No.6Dec.20o4【研究報(bào)告】鎂合金微弧氧化配方的優(yōu)化及膜層耐蝕性能評(píng)價(jià)郭洪飛,安茂忠,徐莘,霍慧彬(哈爾濱工業(yè)大學(xué)應(yīng)用化學(xué)系,黑龍江哈爾濱150001)摘要:在以氟化鈉,甘油及硅酸鈉作為穩(wěn)定劑的電解液中采用恒電流密度對(duì)A73lB鎂合金進(jìn)行微弧氧化處理.通過4因素3水平的正交實(shí)驗(yàn),確定了電解液中以上3種穩(wěn)定劑的適宜含量分別為2L,l0n1l/1,6g/L研究了各種輔助成分如鋁酸鹽,氫氧化物等對(duì)微弧氧化過程及陶瓷膜層性能的影響,結(jié)果發(fā)現(xiàn)氫氧

2、化鉀的加入有利于火花的產(chǎn)生.但易于引起尖端放電現(xiàn)象,應(yīng)嚴(yán)格控制其加入量;同時(shí)它還會(huì)使膜層的顏色從灰色逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榘咨?顯著提高膜層的耐蝕性.動(dòng)點(diǎn)位極化曲線及電化學(xué)交流阻抗測(cè)試表明,微弧氧化處理后的鎂合金耐蝕性顯著提高關(guān)鍵詞:鎂合金;微弧氧化;耐蝕性;動(dòng)電位極化;電化學(xué)交流阻抗中圖分類號(hào):TQI53.6文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):1004227X(2004)060001一o4Electrolyteformulaoptimizationalloysandevaluationofmicro-arcoxidationformagnesiumoffilmcorrosionresistanceGUOHong-f

3、ei,ANMaozhong,XUShen,HUOHui-bin(DepartmentofAppliedChemistry,HarbinUniversityofTechnology,Harbin150001,China)Abstract:AZ3IBmagnesiumalloysweretreatedbymicIDarcoxidizationunderaconstantcurrentdensityinakindofsolutioncontainingsodiumfluoride,glycerin,sodiumsilicateusedasstabilizersTheelectrolytesoluti

4、onwasopti-mizedbyorthogonaltest,andthesuitableconcentrationofthethreekindsofstabilizersmentionedaboveare2L,l0mL/L,6Lrespectively.Auxiliaryingredientssuchasaluminate,alkalimetalshydroxideetc.wererespectivelyaddedintothesolutionandtheirinfluencesonoxidizationprocessandfilmpropertieswerestudied.Theresu

5、hsshowthatpotassiumhydroxideisbeneficialtoproducingsparkontheelectrodesurface,buttoohighpotassiumh),droxidecontentresultsinpointdischarge.Therefore,itscontentshouldbecontrolledstrictly.ThecorrosionresistanceofthefilmwasimprovedconsiderablyandthefilmcolorWaschangedfromgraytowhiteasaddingpotassiumhydr

6、oxideint(1thesolution.ZetapotentialcurvesandelectrochemicalACimpedencetestdemonstratethatmicro-arcoxidizationimprovesthecorrosionresistanceofMgalloysgreatly.Keywords:nmesiumalloy;micro-arcoxidation;corrosionresistance;zetapotential;electrochemicalACimpedence1前言鎂合金因比重小,能量衰減系數(shù)大以及優(yōu)良的電磁屏蔽等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為2l世紀(jì)理想的電

7、子產(chǎn)品殼體材料.但鎂是極活潑的金屬,標(biāo)準(zhǔn)電極電位較負(fù)(一2.36V,相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)氫電極),即使在室溫下也會(huì)在空氣中發(fā)生氧化,生成的自然氧化膜疏松多孔,耐蝕性較差,特別收稿日期:20040614修回日期:20040715作者簡介:郭洪飛(1977一),男,吉林扶余人,在讀博士研究生,研究方向?yàn)殡娀瘜W(xué).作者聯(lián)系方式:(Email)Gn.(Te1)04518641372123.是在含有cl一的環(huán)境中l(wèi)lJ.目前,有許多方法可鎂合金表面形成防護(hù)層,如化學(xué)轉(zhuǎn)化膜l2一,電鍍及化學(xué)鍍-,3,陽極氧化等.轉(zhuǎn)化膜耐蝕性較差,只能作為底層,無法單獨(dú)應(yīng)用,且傳統(tǒng)的鉻酸鹽轉(zhuǎn)化膜含有六價(jià)鉻,會(huì)對(duì)

8、人體及環(huán)境造成強(qiáng)烈危害;陽極氧化膜多孔,要想得到滿意的耐蝕性還需封孔處理,增加了處理成本;電鍍及化學(xué)鍍前處理相當(dāng)困難,且鍍液存在污染.這些方法制備的膜層均不能承受惡劣環(huán)境下的腐蝕.近年來興起的微弧氧化技術(shù)是一種在傳統(tǒng)陽極氧化基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型表面處理技術(shù).該技術(shù)是將Al,M等閥金屬及其合金置于電解液中,利用電化學(xué)方法,使該材料表面產(chǎn)生火花放電斑點(diǎn),在熱化學(xué),等離2004年12月電鍍與涂飾Electroplating&Finishing第6期子體化學(xué)和電化學(xué)共同作用下,生成陶瓷氧化膜層.該陶瓷膜結(jié)構(gòu)致密,與基體結(jié)合牢固,耐磨損,耐腐蝕,硬度高,電絕緣性能優(yōu)良l8,傳統(tǒng)的化學(xué)轉(zhuǎn)化膜,電鍍

9、,化學(xué)鍍及陽極氧化處理方法得到的膜層性能無法與之相比.電解液組成及濃度,電參數(shù),溶液溫度,pH值及處理時(shí)間等對(duì)微弧氧化過程及成膜效果均有影響,其中電解液組分及濃度是影響微弧氧化的決定性因素,直接關(guān)系到微弧氧化的成敗,強(qiáng)烈的影響微弧氧化成膜過程及膜層性能ll卜”J.在這方面的研究大部分集中在對(duì)陶瓷氧化膜的相組成,表面形貌及膜層中所含的元素成分的分析上l1,而關(guān)于電解液對(duì)微弧氧化過程及膜層性能的影響報(bào)道較少.鎂合金的微弧氧化通常采用堿性的鋁酸鹽【16”體系或硅酸鹽體系懈,鋁酸鹽體系形成的氧化膜極光滑,具有良好的外觀,但耐蝕性,耐磨性,硬度明顯不如硅酸鹽體系,且硅酸鹽體系成本較低,提高鎂合金的耐蝕性

10、又是要解決的首要問題.因此本文采用硅酸鹽體系對(duì)鎂合金進(jìn)行微弧氧化處理,通過正交試驗(yàn)確定微弧氧化液的最佳配方,研究經(jīng)微弧氧化處理得到的陶瓷氧化膜的耐腐蝕能力.2實(shí)驗(yàn)部分2.1實(shí)驗(yàn)材料與方法所采用的實(shí)驗(yàn)材料為AL3lB鎂合金,其各組分質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為:Al2,5%3.5%,Zn0.6%1,4%,Mn0.2%1.0%,Si0.1%,Fe0.005%,Cu0,05%,Ni0.005%,余量為Mg.試樣規(guī)格為30mln30rnm3mln標(biāo)準(zhǔn)長方體塊.經(jīng)酸洗去除自然氧化膜,水磨砂紙打磨,自來水漂洗后進(jìn)行微弧氧化.電解液的主要成分為硅酸鈉,氟化鈉,甘油,氫氧化鉀,實(shí)驗(yàn)藥品均為分析純,以去離子水配制.以所處理的

11、鎂合金試樣為陽極,盛裝電解液的不銹鋼容器兼做陰極.處理過程中通過循環(huán)水冷卻使電解液的溫度保持在40.微弧氧化采用恒電流操作,電流密度為3A/rim2,處理時(shí)問為15min.電化學(xué)測(cè)試采用3電極體系:以研究試樣鎂合金為工作電極,鉑片作為輔助電極,飽和甘汞電極(SCE)為參比電極.測(cè)試介質(zhì)采用pH值為7的刪(NaCI)=3.5%NaC1水溶液,用稀HC1及稀NaOH水溶液調(diào)整pH值.動(dòng)電位極化曲線采用上海華晨公司生產(chǎn)的CHI630電化學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)測(cè)得,測(cè)試前在開路電壓下浸泡l0min,以保證測(cè)試過程穩(wěn)定.掃描參數(shù)為:初始電位一2.0V,終止電位一1.0V,掃描速度10mV/s;EIS的測(cè)試采用美

12、國EG&G公司生產(chǎn)的M273電化學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)完成,測(cè)試前在開路電壓下浸泡60min,以保證測(cè)試過程穩(wěn)定,測(cè)試條件:交流信號(hào)振幅值為5mV,頻率響應(yīng)范圍為l0lO5Hz,采用開路電位測(cè)量.2.2正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)通過大量探索性實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)硅酸鈉單獨(dú)存在時(shí),低電流密度下無法產(chǎn)生火花放電,也就無法成膜;加入少量的氟化鈉,在電極表面上就很容易產(chǎn)生火花放電現(xiàn)象,但氟化鈉含量稍高時(shí)又會(huì)抑制放電或產(chǎn)生尖端放電;甘油的加入可以在一定程度上避免尖端放電,同時(shí)使膜層變得更均勻,增強(qiáng)耐蝕性,但會(huì)輕微減小膜層的厚度.因此選擇硅酸鈉,氟化鈉,甘油的含量作為正交試驗(yàn)的3個(gè)影響因素,分別用A,B,C表示,每因素取3個(gè)水

13、平,見表l.表1正交試驗(yàn)因素水平值Table1Factorsandlevelsoforthogonaltest選取I-9(3)正交試驗(yàn)表并按此進(jìn)行表頭設(shè)計(jì),實(shí)驗(yàn)指標(biāo)包括3項(xiàng):氧化膜厚度,每個(gè)試樣測(cè)l0次(兩側(cè)各5次),取平均值;腐蝕電流密度.,(腐蝕),每個(gè)試樣測(cè)3次,取平均值;外觀等級(jí),肉眼觀察打分,滿分100,粗糙,有深孔,手感極差為60分,粗糙,不均勻,手感差為70分,較均勻,手感一般為80分,均勻發(fā)亮,手感極好為90分.依照正交表做9組試驗(yàn).3實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析3.1正交試驗(yàn)結(jié)果分析3.1.1直觀分析正交試驗(yàn)結(jié)果見表2.由表2可見,膜層厚度最高的是第5組實(shí)驗(yàn),為26tan,對(duì)應(yīng)的各因素水平是

14、Ac3;腐蝕電流密度最低的是第1組實(shí)驗(yàn),為1.273cm2,對(duì)應(yīng)的各因素水平是A.B.C.;外觀較好的方案是第4或7組實(shí)驗(yàn),得分為90分,其因素水平分別是A2B1C2或A3BlC極差分析各因素的K,k,R值的計(jì)算值見表3,K分別表示某因素第i水平狀態(tài)下所對(duì)應(yīng)的指標(biāo)值總和,是相應(yīng)?2?鎂含金微弧氧化配方的優(yōu)化及膜層耐蝕性能評(píng)價(jià)的算術(shù)平均值,尺是值的級(jí)差.表2正交試驗(yàn)結(jié)果Table2Resultsoforthogonaltest指標(biāo)!墮/(!因素ABCABCABC級(jí)差尺的大小反應(yīng)某因素的變化對(duì)實(shí)驗(yàn)指標(biāo)的影響程度,尺值越大,說明該因素對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響越顯著.由表3可見影響膜層厚度的因素

15、主次順序是BA(或C),影響腐蝕電流密度的因素主次順序是BA,影響外觀的因素主次順序是BCA.各因素對(duì)膜厚,腐蝕電流密度,外觀的影響主次順序基本一致,即BcAo3.1.3較優(yōu)方案的選取微弧氧化的主要目的是提高鎂合金的耐蝕性,從直觀分析可以看出,B取I水平時(shí),雖然氧化膜層的厚度不是很高,但其耐蝕性和外觀都較好,實(shí)驗(yàn)的可操作性也較好.C的加入是為了穩(wěn)定溶液,避免尖端放電現(xiàn)象,從表2中可以看出,C取I水平時(shí)雖然對(duì)外觀有一定影響,但耐蝕性最好,且由于甘油較粘稠,會(huì)影響到溶液的電導(dǎo)率,同時(shí)會(huì)減薄膜層,綜合考慮選I水平.A對(duì)各項(xiàng)指標(biāo)的影響均最小,但實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),其含量較低時(shí)不易引起放電,含量較高時(shí),火花放電

16、在金屬表面大面積劇烈發(fā)生,使得膜層變得粗糙,同時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱,綜合考慮選取2水平.根據(jù)前面的分析,考慮到在3個(gè)指標(biāo)中耐蝕性較為重要,其次為外觀,膜厚,結(jié)合實(shí)驗(yàn)中觀察到的現(xiàn)象,最終確定最佳配方為B.c.A,即l0(氟化鈉)2L,甘油體積濃度10rr?I/L,10(硅酸鈉)6g/L.3.2添加劑的選擇為了進(jìn)一步改善陶瓷氧化膜的性能,添加了各種輔助成分以改善實(shí)驗(yàn)效果,如氫氧化鉀,鋁酸鈉,油酸鈉,草酸鈉,硼酸,檸檬酸,氟硅酸鈉,四硼酸鈉等.實(shí)驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn):少量鋁酸鈉會(huì)明顯加快放電,但會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的邊緣放電現(xiàn)象,導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)操作困難;油酸鈉,草酸鈉,硼酸,檸檬酸的加入會(huì)導(dǎo)致電壓無法上升,或者在初始階段需要一

17、個(gè)大的激發(fā)電流,待電壓升到100V以上時(shí),再調(diào)小電流方能進(jìn)行實(shí)驗(yàn),否則無法成膜,總之這些成分的實(shí)驗(yàn)效果不佳.少量四硼酸鈉的加入使電極表面產(chǎn)生藍(lán)色的火花,但產(chǎn)生的膜層較薄.少量氫氧化鉀的加入明顯有助于放電,雖然會(huì)引起邊緣放電現(xiàn)象,但會(huì)明顯改善陶瓷氧化膜的表面狀態(tài),使膜層變得更均勻,顏色變白,同時(shí)還會(huì)提高耐蝕性,所以確定采用氫氧化鉀作為輔助添加成分,添加量以獲得的膜層耐蝕性最佳為依據(jù),如圖l所示,當(dāng)KOH的質(zhì)量濃度為2L時(shí),膜層耐蝕性最好.8642O./S2圖1KOH的添加量對(duì)耐蝕性的影響FigureIEffectofKOHadditionamountO11corrosionrsistenoeof

18、deposits3.3膜層耐蝕性測(cè)試3.3.1動(dòng)電位極化圖2為鎂合金基體及經(jīng)過微弧氧化處理后的試樣在室溫下于氯化鈉水溶液(pH=7)中測(cè)得的動(dòng)電位極化曲線,其中a為鎂合金基體,b,c,d為經(jīng)微弧氧化處理后的試樣.電解液的組成分別為:b.硅酸鈉加氟化鈉,c.在b基礎(chǔ)上添加甘油,d.在C的基礎(chǔ)上添加氫氧化鉀.從圖中可以看出,與鎂合金基體相比,在含有硅酸鈉及氟化鈉電解液中經(jīng)微弧氧化處理后,腐蝕電位正移,腐蝕電流密度明顯降低.隨著甘油和氫氧化鉀的加?3?覃1.罐l;jill;i茸;jigl,l$llllj1薅tl毒建譴譬lj.;iil4l;1#4ii&匿H*B&*HH#B媾2004年1

19、2月電鍍與涂飾Electroplating&Finishing第6期入,腐蝕電位進(jìn)一步正移,腐蝕電流密度也進(jìn)一步降低,表4為動(dòng)電位極化曲線的擬合結(jié)果.沿陰極和陽極動(dòng)電位極化曲線的直線段反推得到交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電位為腐蝕電位,對(duì)應(yīng)的電流為腐蝕電流.尺為極化電阻,通過如下公式求得:.:“一2.303?.(b+b).8.16.14-12-10妒,】/V圖2AZ31B鎂合金在處理前后的動(dòng)電位極化曲線Figure2ZetapotentialcurvesofAZ31Bngalloysbeforeandaftertreatment表4曲線擬合后的電化學(xué)參數(shù)Table4Electrochemicalpara

20、metersoffittingcurves由表4可以看出,鎂合金基體的腐蝕電位為一1.498V,腐蝕電流密度為ll4.4tA/cm2;在含有硅酸鈉及氟化鈉電解液中經(jīng)微弧氧化處理后,腐蝕電位為一1.433V,正向移動(dòng)了0.065V,腐蝕電流密度為2.246cm2,同基體相比降低了將近50倍;當(dāng)加入甘油和氫氧化鉀時(shí),腐蝕電位分別為一1.380V,一1.318V,分別正向移動(dòng)了0.1l8v,0.180V,腐蝕電流密度為0.601crn2,0.06Ocrn2,與鎂合金基體相比明顯降低,分別相差190倍,l906倍,說明微弧氧化處理明顯提高了鎂合金的抗腐蝕性能.3.3.2電化學(xué)交流阻抗鎂合金基體及經(jīng)過微

21、弧氧化處理后在室溫下于氯化鈉水溶液(pH=7)中測(cè)得的交流阻抗測(cè)試結(jié)果用復(fù)數(shù)平面圖表示,如圖3所示,左上角為基體的交流阻抗譜圖.從圖中可以看出,鎂合金表面形成陶瓷氧化膜后耐蝕性明顯高于鎂基體合金.同基體相比,3種氧化膜的耐蝕性分別提高150倍,400倍,6OO倍以上,趨勢(shì)同動(dòng)電位極化曲線的測(cè)試結(jié)果基本吻合.圖3AZ31B鎂合金在處理前后的交流阻抗譜圖Figure3ACinlengediagramsofAZ31Bngalloysbeforeandaftertreatment4結(jié)論(1)通過I_q(3)正交試驗(yàn),在較少的實(shí)驗(yàn)次數(shù)內(nèi)得到了電解液組分及濃度對(duì)微弧氧化膜性能的影響規(guī)律,最終確定鎂合金微弧

22、氧化配方為:10(硅酸鈉)6g/L,p(氟化鈉)2g/L,甘油體積濃度l0nl/L.(2)考察了多種添加劑對(duì)微弧氧化過程以及陶瓷膜層性能的影響,發(fā)現(xiàn)加入少量氫氧化鉀可以改善膜層的外觀,顯著提高其耐蝕性.以耐蝕性為指標(biāo),通過電化學(xué)交流阻抗測(cè)試最終選擇氫氧化鉀為添加劑,含量為2g/L.(3)動(dòng)電位極化曲線及電化學(xué)交流阻抗測(cè)試表明,經(jīng)微弧氧化處理后的鎂合金耐蝕忡顯著提高.參考文獻(xiàn):1GrayJE,LuanB.ProtectivecoatingsmmagnesiummiditsdloysacriticalreviewJ.JoumdofAlloy.%andConlp【lunds,2002,336:88一

23、l13.2郭洪飛,安茂忠,劉榮娟.鎂及其合金表面化學(xué)轉(zhuǎn)化處理技術(shù)J.輕合金加工技術(shù),2003,33(8):3538.3郭洪飛,安茂忠.鎂及鎂合金電鍍化學(xué)鍍J.電鍍與環(huán)保,2【x】3,24(2):15.4郭洪飛.安茂忠.鎂及鎂合金陽極氧化技術(shù)J.輕合金加工技術(shù),2003,31(12):15.5薛文斌,鄧志威,張通和,等.鑄造鎂合金微弧氧化機(jī)理J.稀有金屬材料與工程,1999,18(6):353356.6薛文斌,來永春,鄧志威,等.鎂合金微等離子體氧化膜的特性J.材料科學(xué)與工藝,1997,5(2):8992.7OscarK,DannyW.AnodizingofpuremaolesiuminKOH-

24、AluminateSOlutionsundersparkingJ.JElectrochems,1999,146(5):17571761.(下轉(zhuǎn)第ll頁)?4?之04罐m鋁材常溫封孔質(zhì)量影響因素的探討間太短,封孔不完全,時(shí)間太長,易引起過封孔,型材表面起灰嚴(yán)重,影響型材的外觀質(zhì)量.對(duì)鋁型材而言,其陽極氧化膜厚度越大,封孔越難,氧化膜失重越大,封孔質(zhì)量越差,生產(chǎn)時(shí)要注意合理控制氧化膜的厚度.4結(jié)論鋁材常溫封孔質(zhì)量的影響因素有:封孔液中的封孔物質(zhì)鎳鹽,氟離子,封孔添加劑及其含量,這3個(gè)因素是決定鋁材封孔質(zhì)量效果的關(guān)鍵性因素;溶液的pH值,溫度和封孔時(shí)間是影響鋁型材封孔質(zhì)量的重要條件因素;而提高槽液的

25、潔凈度,減小雜質(zhì)的含量是鋁材封孔質(zhì)量的重要保證.經(jīng)過試驗(yàn)表明,保證鋁材常溫封孔質(zhì)量適宜生產(chǎn)工藝條件應(yīng)為:Ni(AC)25g/LF一0.50.8L添加劑4.0g/L3035(上接第4頁)8蔣百靈,張淑芬,吳囤建,等.鎂合金做弧氧化陶瓷層微缺陷-qN組成及其耐蝕性J.中國有色金屬,20O2,12(3):455457.9ZozulinAJ.AnodizingcoatingformagnesiumMg-AIalloyslJj.Metalfinishing,1994,92(3):3944.10劉元?jiǎng)?張巍,李久青,等.鎂合金做弧氧化膜結(jié)構(gòu)及耐蝕性的初步研究J.材料保護(hù),2O04,34(1):1718.1

26、1張永君,嚴(yán)川偉,趙桂芹,等.壓鑄鎂合金AZ91D環(huán)保型陽極氧化電解液配方研究J.腐蝕與防護(hù),2002,23(4):148151.12張永君,嚴(yán)川I偉,王福會(huì),等.鎂及鎂合金環(huán)保型陽極氧化電解液及其工藝J.材料保護(hù),2002,35(3):4446.1l3jYongimaZhang,ChuanweiYan.StudyontheenvirommntallyfriendlyanodizingofAZ91DmagnesiumalloylJj.Surfaceandcoatingtechnolo-,2002,161:3643.14蔣百靈,吳國建,張淑芬,等.鎂合金微弧氧化陶瓷層牛長過程(上接第7頁)(3)

27、制備的梯度納米合金鍍層具有優(yōu)異的抗磨和減摩性能,因此可以用于既要求耐磨性高,又需要摩擦系數(shù)低的應(yīng)用場合,如要求耐磨與潤滑的汽車發(fā)動(dòng)機(jī)等零部件.參考文獻(xiàn):1SeifriedS,WintererM,HahnH.NanocustallinegradientfihnsthroughchemicalvaporsynthesisJ.ScriptaMate!,2001,44(8):21652168.2HadianSE,GabeDR.Residualstressesinelectrodepositsofnickelandnickel-ironalloysJ.SurfCoatTechnol,1999,122:1l8135.tl020minDH值5.56.5并采用純水來配制槽液,加工過程中注意不要帶入其它雜質(zhì)或其它槽內(nèi)的溶液.參考文獻(xiàn):f1王風(fēng)璋.鋁材常溫封孔工藝應(yīng)用J.輕金屬,1997,(8):5960.f2暨調(diào)和.鋁氧化膜常溫封孔機(jī)理和時(shí)效特性J.電鍍與涂飾,1995.14(4):1115.f3暨調(diào)和,陳國新.鋁陽極氧化膜常溫封閉劑雜質(zhì)影響初探J.電鍍與精飾,1990,12(4):811.f4許旋,羅一帆.不同添加劑對(duì)鋁合金陽極氧化膜形成的影響J.應(yīng)用化學(xué),2002,(4):355358.5王為,曾曙,郭鶴桐.恒壓陽極氧化AI2膜形成過程