EMI電源端傳到干擾測試教程.ppt

EMITrain ByRoyiDQEdepartment QRALITEONELECTRONICS DONGGUAN CO LTD 一 EMI標(biāo)準(zhǔn) 1 美國及國際標(biāo)準(zhǔn)化組織對EMI 電磁干擾 和RFI 射頻干擾 制定標(biāo)準(zhǔn) 0 10KHZ無意性高頻干擾 VDE 0879 VDE 0875 10KHZ有意性高頻干擾 VDE 0871 VDE 0872 2 EMI 指傳導(dǎo)噪聲 頻率在30MHZ以下 電子設(shè)備的電源線不足一個波長長 難以向空中傳播 量測電源線上的感應(yīng)電壓 可以得知電磁干擾程度 3 RFI 指輻射噪聲 頻率在30MHZ以上 波長很短 要直接測量傳播到空間的大小 二 EMI設(shè)備 1 EMITESTRECEIVERER55C2 人工電源網(wǎng)絡(luò)LS 16 LS16ALineImpedanceStabilizationNetwork 3 目前我們判斷POWER的標(biāo)準(zhǔn)EN55022 1994 CISPR22CLASSA CLASSB 一 ER55S及LS16間介 1 ER55C測量縣地之間產(chǎn)生的菲對稱電壓 dBuV來表示 測量時把POWER的電源線看作電源供給側(cè)的阻抗規(guī)一化 測量這阻抗上的電壓即可 電源線阻抗隨頻率變化 統(tǒng)一為50歐姆2 我們在測量時 會有從電源側(cè)來之POWER以外的噪聲 干擾精度 所以采用人工電源網(wǎng)絡(luò) LS16 來消除 ER55C測量時有 歐姆的輸入阻抗 可直接轉(zhuǎn)化為 歐姆的LS16的阻抗 所以在我們的L1 N有50歐姆的檢測 三 噪聲來源 1 開關(guān)電源把交流電整流為直流 通過MOSFET的ON OFF經(jīng)高頻變壓器送到二次側(cè) 再整流濾波後變?yōu)榉€(wěn)定直流 在其過程中 波形的變化所產(chǎn)生的噪聲 輸入側(cè)洩漏的為傳導(dǎo)噪聲 輸出側(cè)的就表現(xiàn)為汶波 2 POWER的開關(guān)噪聲來源於晶體管 高頻變壓器 輸出二極管 保護(hù)主Q的二極管 控制電路本身 3 POWER的噪聲端子電壓頻率有個範(fàn)圍 CISPR22 EN55022標(biāo)準(zhǔn) 0 15MHZ 30MHZ 四 EMI基本架構(gòu) 1 C1 C2 C3 L1 L2它由共態(tài)額流圈L1 L2 K跨接線路電容C3 X電容 高通濾波電容C1 C2 Y電容 組成 L1 L2濾除低頻共態(tài) 共模 C3濾除低頻正態(tài) 差模 C1 C2濾除高頻 四 EMI抑制 1 在開關(guān)電源中 在輸入側(cè)抑制交流電產(chǎn)生的EMI 在輸出側(cè)抑制直流產(chǎn)生的汶波和EMI2 0 15MHZ 10MHZ 這種頻率範(fàn)圍的噪聲主要為共態(tài)噪聲 主要採用共態(tài)扼流圈3 10MHZ 30MHZ 這種噪聲與濾波器的幾何結(jié)構(gòu)和電路板構(gòu)造 系統(tǒng)的外圍配置有關(guān) 五 EMI元器件的參數(shù)選擇 1 原則上講 濾波電容和濾波電感抑制低頻開管電源 參數(shù)選擇越大越好 其實(shí)情況並不是這樣 1 電容量的容量大時 漏電流也大2 從機(jī)構(gòu)設(shè)計看來 電容的小型化有助於POWER的小型化 但電感的小型化還是困難的 在考慮到跌落的重心分布 不利於大體積電感的安排 在POWER產(chǎn)品中 意味著點(diǎn)膠量的增加 3 從安規(guī)來考慮 這些電容一旦損壞 會引起火災(zāi)電幾 所以它有嚴(yán)格的安規(guī)要求 五 EMI元器件的參數(shù)選擇 1 低頻正態(tài)的頻率 需要較大容量的電容器所以X電容需要0 1 0 22UF的薄膜電容 或則0 01UF的陶瓷電容2 對於Y電容來說 它主要抑制共態(tài) 但它有嚴(yán)格的安規(guī)要求 漏電流過大不好 它一般採用1000PF 4700PF的陶瓷電容3 輸出側(cè)的噪聲也可能造成EMI問題 這類濾波器由大容量的 端子陶瓷電容為好 五 EMI元器件的參數(shù)選擇 1 對於濾波電感 由於體積的大小 在同等的條件下 增加正態(tài)扼流圈有助於參數(shù)的變小 兩級的濾波電感 從產(chǎn)品的價格比和抑制效果來做判定 2 對於Y電容來說 放在率波電感的後端比置在前端抑制的效果要好的多 一般在電路設(shè)計中 單純從噪聲的抑制來講 基本上在