模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷-第一章復(fù)習(xí).pdf

題目部分 卷面共有 67 題 205 0 分 各大題標(biāo)有題量和總分 一 選擇題 40 小題 共 132 0 分 4 分 1 晶體管工作在放大區(qū)時(shí) 發(fā)射結(jié)為 集電結(jié)為 工作在飽和區(qū)時(shí) 發(fā)射結(jié) 為 集電結(jié)為 A 正向偏置 B 反向偏置 C 零偏置 2 分 2 1 NPN 和 PNP 型晶體管的區(qū)別取決于 A 半導(dǎo)體材料硅和鍺的不同 B 摻雜元素的不同 C 摻雜濃度的不同 D P 區(qū)和 N 區(qū)的位置不同 2 N 溝道和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別在于 A 襯底材料前者為硅 后者為鍺 B 襯底材料前者為 N 型 后者為 P 型 C 導(dǎo)電溝道中載流子前者為 電子 后者為空穴 2 分 3 晶體管工作在放大區(qū)時(shí) 發(fā)射結(jié)為 流過(guò)發(fā)射結(jié)的主要是 集電結(jié)為 流過(guò)集電結(jié)的主要是 A 正向偏置 B 反向偏置 C 零偏置 D 擴(kuò)散電流 E 漂移電流 3 分 4 硅二極管的正向電壓從 0 65V 增大 10 則流過(guò)的正向電流增大 A 約 10 B 小于 10 C 大于 10 1 分 5 N 型半導(dǎo)體是在純凈半導(dǎo)體中摻入 P 型半導(dǎo)體是在純凈半導(dǎo)體中摻入 A 帶負(fù)電的電子 B 帶正電的離子 C 三價(jià)元素 如硼等 D 五價(jià)元素 如磷等 2 分 6 普通小功率硅二極管的正向?qū)▔航导s為 反向電流一般 普通小功率鍺二 極管的正向?qū)▔航导s為 反向電流一般 A 0 1 0 3V B 0 6 0 8V C 小于A 1 D 大于A 1 2 分 7 當(dāng) PN 結(jié)外加正向電壓時(shí) 擴(kuò)散電流漂移電流 耗盡層 當(dāng) PN 結(jié)外加反向 電壓時(shí) 擴(kuò)散電流漂移電流 耗盡層 A 大于 B 小于 C 等于 D 變寬 E 變窄 F 不變 3 分 8 某硅二極管在正向電壓V6 0 D U時(shí) 正向電流mA10 D I 當(dāng) D U增加 10 即 增大到 0 66V 時(shí) 則 D I約為 A 10mA B 11mA C 20mA D 100mA 4 分 9 隨著溫度的升高 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中 少數(shù)載流子的濃度 而多數(shù)載流子的濃度 A 明顯增大 B 明顯減小 C 變化較小 2 分 10 在保持二極管反向電壓不變的條件下 二極管的反向電流隨溫度升高而 在保 持二極管的正向電流不變的條件下 二極管的正向?qū)妷弘S溫度升高而 A 增大 B 減小 C 不變 2 分 11 設(shè)某二極管反向電壓為 10V 時(shí) 反向電流為1 0 A 在保持反向電壓不變的條件 下 當(dāng)二極管的結(jié)溫升高 10 反向電流大約為 A 0 05 A B 0 1 A C 0 2 A D 1 A 2 分 12 設(shè)某二極管反向電壓為 10V 時(shí) 反向電流為1 0 A 在保持反向電壓不變的條件下 當(dāng)二極管的結(jié)溫降低 10 反向電流大約為 A 0 01 A B 0 05 A C 0 1 A D 0 2 A 4 分 13 在如圖所示的電路中 當(dāng) V 3V 時(shí) 測(cè)得 I 1mA V7 0 D U 1 當(dāng) V 調(diào)到 6V 則 I 將為 A 1mA B 大于 1mA 但小于 2mAC 2mA D 大于 2mA 2 保持 V 3V 不變 溫度升高 20 則 D U將為 A 小于 0 7V B 0 7V 不變 C 大于 0 7V R VDUD V I 4 分 14 在如圖所示的電路中 當(dāng) V 6V 時(shí) 測(cè)得 I 2mA V7 0 D U 1 當(dāng) V 降至 3V 時(shí) 則 I 將為 A 小于 1mA B 1mA C 大于 1mA 但小于 2mA D 2mA 2 保持 V 不變 溫下降 20 則 D U將為 A 小于 0 7V B 0 7V 不變 C 大于 0 7V R VDUD V I 2 分 15 設(shè)某二極管在正向電流 ID 10mA 時(shí) 其正向壓降 D U 0 65V 在 ID保持不變的條 件下 當(dāng)二極管的結(jié)溫升高 20 D U約為 A 0 4V B 0 6V C 0 65V D 0 7V 2 分 16 在本征半導(dǎo)體中 空穴濃度 電子濃度 在 N 型半導(dǎo)體中 空穴濃度 電子 濃度 在 P 型半導(dǎo)體中 空穴濃度 電子濃度 A 大于 B 小于 C 等于 2 分 17 在 中 空穴濃度大于電子濃度 在 中 空穴濃度等于電子濃度 在 中 空穴濃度小于電子濃度 A 本征半導(dǎo)體 B P 型半導(dǎo)體 C N 型半導(dǎo)體 1 分 18 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中 多數(shù)載流子的濃度主要取決于 而少數(shù)載流子的濃度與 關(guān)系十分密切 A 溫度 B 摻雜工藝 C 雜質(zhì)濃度 4 分 19 已知圖中二極管的反向擊穿電壓為 100V 在 V 10V 時(shí) 測(cè)得 I 1 A 1 當(dāng) V 增加到 20V 時(shí) I 將 A 為 2 A 左右 B 小于 1 A C 變化不大 D 遠(yuǎn)大于 2 A 2 保持 V 不變 溫度升高 10 則 I 將 A 為 2 A 左右 B 小于 1 A C 變化不大 D 遠(yuǎn)大于 2 A R VDUD V I 10k 2 分 20 電路如圖所示 V sin1 0 i tu 當(dāng)直流電源電壓 V 增大時(shí) 二極管 VD 的動(dòng) 態(tài)電阻 d r將 A 增大 B 減小 C 保持不變 R VD V i u 1V 2 分 21 設(shè)某二極管在正向電流 ID 10mA 時(shí) 其正向壓降 UD 0 6V 在 ID保持不變的條件 下 當(dāng)二極管的結(jié)溫降低 20 UD約為 A 0 55V B 0 6V C 0 65V D 0 75V 2 分 22 設(shè)某二極管在正向電流 ID 10mA 時(shí) 其正向壓降 UD 0 6V 在 UD保持不變的條 件下 當(dāng)二極管的結(jié)溫升高 10 ID將 A 小于 10mA B 大于 10mA C 等于 10mA 6 分 23 在如圖所示的電路中 已知二極管的反向擊穿電壓為 100V 當(dāng) V 10V 溫度為 20 時(shí) I 1 A 1 當(dāng) V 增大到 20V 時(shí) 則 I 約為 A 10 A B 2 A C 1 A D 0 5 A 2 當(dāng) V 保持 10V 不變 溫度升高到 30 則 I 約為 A 10 A B 2 A C 1 A D 0 5 A 3 在實(shí)際使用中 該二極管的反向工作電壓通常不應(yīng)該超過(guò) A 100V B 50V C 10V R VD V I 6 分 24 在如圖所示的電路中 已知二極管的反向擊穿電壓為 300V 當(dāng) V 100V 溫度為 20 時(shí) I 1 A 1 當(dāng) V 降低到 50V 則 I 約為 A 0 1 A B 0 5 A C 1 A D 2 A 2 當(dāng) V 保持 100V 不變 溫度降低到 10 則 I 約為 A 0 1 A B 0 5 A C 1 A D 2 A 3 該二極管在反向電壓為 200V 的電路中使用是 A 安全的 B 不夠安全的 R VD V I 4 分 25 已知圖中二極管的反向擊穿電壓為 100V 測(cè)得 I 1 A 1 當(dāng) R 從 10 k減小至 5 k時(shí) I 將 A 為 2 A 左右 B 為 0 5 A 左右 C 變化不大 D 遠(yuǎn)大于 2 A 2 保持 V 和 R 不變 溫度下降 10 I 將 A 為 2 A 左右 B 為 0 5 A 左右 C 變化不大 D 遠(yuǎn)大于 2 A R VD V I 10k 20V 5 分 26 圖中給出不同連接方式的復(fù)合管 為下列不同要求選擇合適的復(fù)合管 用 a b c d 填空 如果存在多種選擇 應(yīng)都選擇 1 要求等效 PNP 型 應(yīng)選擇 2 要求等效輸入電阻大 應(yīng)選擇 3 要求等效 UBE的溫度系數(shù)小 應(yīng)選擇 a c b d 5 分 27 圖中給出不同連接方式的復(fù)合管 為下列不同要求選擇合適的復(fù)合管 用 a b c d 填空 如果存在多種選擇 應(yīng)都選擇 1 要求等效 NPN 型 應(yīng)選擇 2 要求基 射極靜態(tài)電壓小 應(yīng)選擇 3 要求輸入電阻大 應(yīng)選擇 a c b d 6 分 28 額定功耗和最大集電極電流相近的兩個(gè)晶體管組成如圖所示的復(fù)合管 1 復(fù)合管的額定功耗約等于 A VT1管的額定功耗 B VT2管的額定功耗 C 兩管額定功耗之和 D 兩管中額定功耗較大者 E 兩管中額定功耗較小者 2 復(fù)合管的反向擊穿電壓約等于 A VT1管的反向擊穿電壓 B VT2管的反向擊穿電壓 C 兩管的擊穿電壓之和 D 兩管中擊穿電壓較大者 E 兩管中擊穿電壓較小者 3 復(fù)合管的最大集電極電流約等于 A VT1管的最大集電極電流 B VT2管的最大集電極電流 C 兩管的最大集電極電流之和 D 兩管中集電極電流較大者 E 兩管中集電極電流較小者 VT1 VT2 5 分 29 試判斷圖中復(fù)合管的接法哪些是合理的 哪些是錯(cuò)誤的 在正確的復(fù)合管中進(jìn)一步 判斷它們的等效類型 管 是 管 是 管 是 管 是 管 是 A NPN 管 B PNP 管 C N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管 D P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管 E 錯(cuò)誤的 13245 5 分 30 試判斷圖中復(fù)合管的接法哪些是合理的 哪些是錯(cuò)誤的 在正確的復(fù)合管中進(jìn)一步 判斷它們的等效類型 管 是 管 是 管 是 管 是 管 是 A NPN 管 B PNP 管 C N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管 D P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管 E 錯(cuò)誤的 3245 1 4 分 31 在某放大電路中 測(cè)得晶體管的三個(gè)電極 的流入電流分別為 1 22mA 0 02mA 1 2mA 由此可判斷電極 是 電極 是 電極 是 A 發(fā)射極 B 基極 C 集電極 該晶體管的類型是 A PNP 型 B NPN 型 該晶體管的共射 電流放大系數(shù)約為 A 40 B 60 C 100 4 分 32 在某放大電路中 測(cè)得晶體管的三個(gè)電極 的流入電流分別為 1 2mA 0 03mA 1 23mA 由此可判斷電極 是 電極 是 電極 是 A 發(fā)射極 B 基極 C 集電極 該晶體管的類型是 A PNP 型 B NPN 型 該晶體管的共射電流放大系數(shù)約為 A 40 B 100 C 400 1 分 33 對(duì)于同一個(gè)晶體管來(lái)說(shuō) CBOI CEOI BR CBOU BR CEOU A 小于 B 大于 C 等于 1 分 34 隨著溫度升高 晶體管的電流放大系數(shù) 穿透電流CEOI 在 IB不變的情 況下 b e 結(jié)電壓 UBE A 增大 B 減小 C 不變 2 分 35 隨著溫度升高 晶體管的共射正向輸入特性曲線將 輸出特性曲 線將 輸出特性曲線的間隔將 A 上移 B 下移 C 左移 D 右移 E 增大 F 減小 G 不變 6 分 36 用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示 試判斷這些晶體 管分別處于什么狀態(tài) A 放大 B 飽和 C 截止 D 損壞 1 3 2 5 2V 3 7V 6V 5 6V 0 7V 6 7V 7 8V 12V 6V 3V 8 5V 12V 3V 6 3V 4 6V 3 分 37 1 已知某晶體管的特征頻率 fT 150MHz 低頻時(shí)50 0 則該管的截止頻率 f 約為 A 1MHz B 3MHz C 10MHz D 50MHz 2 當(dāng)管子工作頻率達(dá) 30MHz 時(shí) 約為 A 50 B 10 C 5 D 1 3 分 38 1 已知某晶體管的截止頻率Z MH20 f 低頻時(shí)50 0 則該管的特征頻率 fT約為 A 10MHz B 20MHz C 100MHz D 1000MHz 2 當(dāng)管子工作頻率達(dá) 200MHz 時(shí) 約為 A 1 B 5 C 10 D 50 6 分 39 用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示 試判斷這些晶體 管處于什么狀態(tài) A 放大 B 飽和 C 截止 D 損壞 1 3 2 5 3 3V 2 5V 9V 12V 6 3V 0 7V 12V 6V 6V 0V 2 3V 3V0V 4 0 7V 3V 硅硅鍺硅 鍺 6 分 40 用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示 試判斷這些晶體 管分別處于什么狀態(tài) A 放大 B 飽和 C 截止 D 損壞 1 3 2 5 0V 0V 6V 6V 0 7V 12 7V 9 2V 18V 12V 3V 8 5V 12V 3V 5 3V 5 7V 4 二 是非 27 小題 共 73 0 分 2 分 1 P 型半導(dǎo)體可以通過(guò)在純凈半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得 2 分 2 晶體三極管具有兩個(gè) PN 結(jié) 因此把兩個(gè)二極管反向串聯(lián)起來(lái) 也能具有放大能力 2 分 3 測(cè)出某晶體管的共基電流放大系數(shù) 小于 1 表明該管子沒(méi)有放大能力 2 分 4 由于晶體管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度不同 所以發(fā)射極和集電極互換后電流放 大能力大大減小 1 分 5 穩(wěn)壓管是一種特殊的二極管 它通常工作在反向擊穿狀態(tài) 它不允許工作在 正向?qū)顟B(tài) 3 分 6 半導(dǎo)體中的空穴是 半導(dǎo)體中的晶格缺陷形成的 電子脫離共價(jià)鍵后留 下的空位 帶正電的離子 2 分 7 在 N 型半導(dǎo)體中 摻入高濃度的三價(jià)硼元素可以改型為 P 型半導(dǎo)體 2 分 8 P 型半導(dǎo)體是呈中性的 N 型半導(dǎo)體是帶負(fù)電的 2 分 9 N 型半導(dǎo)體可以通過(guò)在純凈半導(dǎo)體中摻入三價(jià)硼元素而獲得 2 分 10 在 P 型半導(dǎo)體中 摻入高濃度的五價(jià)磷元素可以改型為 N 型半導(dǎo)體 2 分 11 P 型半導(dǎo)體帶正電 N 型半導(dǎo)體帶負(fù)電 2 分 12 PN 結(jié)內(nèi)的漂移電流是少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的 2 分 13 PN 結(jié)方程既描寫了 PN 結(jié)的正向特性和反向特性 又描寫了 PN 結(jié)的反向擊穿特性 3 分 14 本征半導(dǎo)體在溫度升高后 自由電子和空穴數(shù)目都不變 自由電子和 空穴數(shù)目都增加 但增量相同 1 分 15 本征半導(dǎo)體是指沒(méi)有摻雜的純凈半導(dǎo)體 1 分 16 摻雜半導(dǎo)體因含有雜質(zhì) 所以在制造半導(dǎo)體器件時(shí)是沒(méi)有用處的 2 分 17 由于 PN 結(jié)交界面兩邊存在電位差 所以當(dāng)把 PN 結(jié)兩端短路時(shí)就有電流流過(guò) 6 分 18 復(fù)合管的穿透電流近似等于組成復(fù)合管的各晶體管的穿透電流之和 2 分 19 用雙極型晶體管組成的共射放大電路與用場(chǎng)效應(yīng)管組成的共源放大電路相比 前者 的輸入電阻比后者大 前者的噪聲系數(shù)比后者小 前者靜態(tài)工作點(diǎn)的溫度漂 移比后者大 2 分 20 小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用中 其源極和漏極可以互換 雙極型晶體管具 有 NPN 或 PNP 對(duì)稱結(jié)構(gòu) 所以發(fā)射極和集電極也可以互換 6 分 21 復(fù)合管的 值近似等于組成復(fù)合管的各晶體管的 值乘積 6 分 22 一個(gè) NPN 管和一個(gè) PNP 管可以復(fù)合成 NPN 管也可以復(fù)合成 PNP 管 6 分 23 一個(gè) NMOS 管和一個(gè) PNP 管可以復(fù)合成 NMOS 管也可以復(fù)合成 PNP 管 6 分 24 兩個(gè) MOS 管可以復(fù)合成一個(gè) MOS 管 2 分 25 場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是有很高的輸入電阻和很低的輸出電阻 2 分 26 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極靜態(tài)輸入電流比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的小 2 分 27 耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極靜態(tài)電流比增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的小 答案 答案部分 卷面共有 67 題 205 0 分 各大題標(biāo)有題量和總分 一 選擇題 40 小題 共 132 0 分 4 分 1 答案 A B A A 2 分 2 答案 D C 2 分 3 答案 A D B E 3 分 4 答案 C 1 分 5 答案 D C 2 分 6 答案 B C A D 2 分 7 答案 A E B D 3 分 8 答案 D 4 分 9 答案 A C 2 分 10 答案 A B 2 分 11 答案 C 2 分 12 答案 B 4 分 13 答案 D A 4 分 14 答案 A C 2 分 15 答案 B 2 分 16 答案 C B A 2 分 17 答案 B A C 1 分 18 答案 C A 4