工藝流程_cmos集成電路工藝流程

第三章CMOS集成電路工藝流程 白雪飛中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 2 多晶硅柵CMOS工藝流程可用器件工藝擴展 提綱 多晶硅柵CMOS工藝流程 4 初始材料重摻雜P型 100 襯底硅 P 減小襯底電阻 提高抗CMOS閂鎖效應(yīng)能力外延生長在襯底上生長一層輕摻雜P型外延層 P 厚度5 10um可以比CZ硅更精確的控制外延層的電學(xué)特性 從而更好的控制器件參數(shù) 襯底材料 5 N阱擴散熱氧化N阱掩模板光刻氧化層磷離子注入高溫推進 同時形成緩沖氧化層N阱工藝能夠提供性能稍好的NMOS晶體管 并允許襯底接地 N阱擴散 6 反型槽工藝淀積氮化硅反型槽掩模板光刻氮化硅刻蝕場區(qū)氮化硅 反型槽 7 溝道終止注入 8 LOCOS氧化刻蝕去除氮化硅去除緩沖氧化層生長虛擬氧化層 LOCOS工藝和虛擬柵氧化 9 閾值調(diào)整硼注入調(diào)整閾值電壓剝除虛擬柵氧化層?xùn)叛趸瘜痈裳醴ㄑ趸^程很短 柵氧化層很薄 閾值調(diào)整和柵氧化層生長 10 本征多晶硅淀積多晶硅掩模光刻 多晶硅層刻蝕多晶硅重摻雜磷 淀積 注入 多晶硅淀積和光刻 11 NSD PSD掩模板光刻通過暴露的柵氧化注入雜質(zhì)多晶硅柵作為源 漏自對準注入的掩模板去除光刻膠短暫退火 激活注入雜質(zhì) 源 漏注入 12 接觸淀積多層氧化物 MLO 接觸掩模光刻 刻蝕接觸孔區(qū)域重摻雜區(qū)域可以形成歐姆接觸金屬化接觸孔硅化難熔金屬薄膜淀積 摻銅鋁層淀積金屬掩模光刻 金屬刻蝕 形成互連結(jié)構(gòu)淀積夾層氧化物 ILO 刻蝕ILO通孔 第二層金屬互連 保護層最后一層金屬上淀積保護層 厚的磷硅玻璃 壓縮氮化層等 接觸 金屬化和保護層 13 多晶硅柵CMOS晶圓剖面 14 典型CMOS工藝流程圖 15 典型CMOS工藝流程圖 16 典型CMOS工藝流程圖 17 典型CMOS工藝流程圖 18 典型CMOS工藝流程圖 19 典型CMOS工藝流程圖 20 典型CMOS工藝流程圖 21 典型CMOS工藝流程圖 22 典型CMOS工藝流程圖 23 典型CMOS工藝流程圖 24 典型CMOS工藝流程圖 25 典型CMOS工藝流程圖 26 典型CMOS工藝流程圖 27 典型CMOS工藝流程圖 28 典型CMOS工藝流程圖 29 典型CMOS工藝流程圖 30 典型CMOS工藝流程圖 31 典型CMOS工藝流程圖 32 典型CMOS工藝流程圖 33 典型CMOS工藝流程圖 34 典型CMOS工藝流程圖 35 典型CMOS工藝流程圖 36 典型CMOS工藝流程圖 37 典型CMOS工藝流程圖 38 典型CMOS工藝流程圖 39 典型CMOS工藝流程圖 40 典型CMOS工藝流程圖 41 典型CMOS工藝流程圖 42 典型CMOS工藝流程圖 可用器件 44 NMOS晶體管 45 PMOS晶體管 46 襯底PNP管 47 電阻多晶硅電阻NSD PSD電阻N阱電阻金屬電阻多晶硅電阻必須使用硅化物阻擋掩模板 多晶硅電阻 48 NSD PSD電阻 49 電容MOS電容金屬電容 MOM Mi