標準解讀
《YB 1601-1983 硅多晶》是一項關(guān)于硅多晶材料的技術(shù)標準,由當時的冶金工業(yè)部提出并負責起草。該標準主要規(guī)定了用于半導(dǎo)體器件制造的硅多晶的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內(nèi)容。
根據(jù)標準,硅多晶按照電阻率的不同被分為多個等級,每個等級對應(yīng)著特定的應(yīng)用領(lǐng)域。例如,高純度的硅多晶適用于制備高性能的半導(dǎo)體元件,而較低純度的產(chǎn)品則可能被用于太陽能電池板等對材料純度要求相對不那么嚴格的應(yīng)用場合。
對于硅多晶的質(zhì)量控制,本標準詳細列出了包括外觀質(zhì)量(如表面缺陷)、尺寸偏差在內(nèi)的物理性能指標;同時也涵蓋了電學性質(zhì)如電阻率的具體數(shù)值范圍及其測量方法。此外,還指定了通過拉伸試驗來評估材料力學性能的要求,并且提供了有關(guān)樣品準備、測試條件等方面的指導(dǎo)信息。
在檢測過程中,除了上述提到的基本物理化學性質(zhì)外,《YB 1601-1983》還特別強調(diào)了雜質(zhì)元素含量分析的重要性,因為這些微量雜質(zhì)的存在會直接影響到最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。因此,標準中給出了使用光譜法或其他適當手段進行定量測定的具體操作步驟。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1983-08-18 頒布
- 1984-10-01 實施



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