HSPICE中的瞬態(tài)分析.ppt

HSPICE中的瞬態(tài)分析,集成電路CAD(4),瞬態(tài)分析的概念,瞬態(tài)分析(Transient analysis)即時(shí)域分析,目的是分析一個(gè)電路的輸出或內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的電壓或電流在某種輸入信號(hào)的作用下,或在振蕩狀態(tài)下,隨時(shí)間變化的規(guī)律. 瞬態(tài)分析類似于用示波器觀察波形.,瞬態(tài)分析中使用的信號(hào)源,方波信號(hào)(Pulse),可以是電壓源,也可以是電流源.以下以電壓源為例. 語(yǔ)法: VX 正端接點(diǎn) 負(fù)端接點(diǎn) + PULSE V1 V2 TD TR TF PW PER 例:VIN 1 0 0 5 5N 5N 5N 20N 50N,參數(shù)定義,V1:起始電壓 V2:脈沖電壓 TD:延遲時(shí)間 TR:上升時(shí)間 TF:下降時(shí)間 PW:脈沖寬度 PER:周期,瞬態(tài)分析語(yǔ)句,在HSPICE中,使用.TRAN語(yǔ)句進(jìn)行瞬態(tài)分析,除基本的瞬態(tài)分析外,還可同時(shí)對(duì)第二個(gè)參數(shù)進(jìn)行掃描,有多種語(yǔ)句格式.,瞬態(tài)分析格式1,.TRAN 步長(zhǎng) 停止時(shí)間 例: .TRAN 1n 10u 瞬態(tài)分析總是從0時(shí)刻開(kāi)始的,只需要給出停止時(shí)間. 步長(zhǎng)小,分析精度高,但運(yùn)行時(shí)間長(zhǎng),占用資源大.,脈沖信號(hào)源參數(shù)研究,做一個(gè)簡(jiǎn)單的瞬態(tài)分析,研究脈沖信號(hào)源的參數(shù)定義.,CMOS反相器的瞬態(tài)分析,一個(gè)AMI06工藝的CMOS反相器,L都為0.6u,W均為1.5u.負(fù)載電容10f,輸入信號(hào)為方波,頻率100MHz.工作電壓5V.,瞬態(tài)分析格式2,在進(jìn)行瞬態(tài)分析時(shí),可以對(duì)另一個(gè)參數(shù)進(jìn)行掃描,可以是一個(gè)獨(dú)立源,也可以是一個(gè)用戶定義的參數(shù). 格式: .TRAN step stop SWEEP var start stop incr 例:.TRAN 0.01N 20N SWEEP SUPPLY 3 5 1,反相器在不同工作電壓下的特性分析,分析CMOS反相器在3V,4V,5V時(shí)的延遲時(shí)間. 首先要使用.PARA語(yǔ)句定義一個(gè)參數(shù)SUPPLY 問(wèn)題: 電壓高時(shí)速度快,還是電壓低時(shí)速度快?,瞬態(tài)分析格式3,在瞬態(tài)分析時(shí),進(jìn)行溫度掃描 格式: .TRAN step stop SWEEP TEMP start stop incr 例: .TRAN 0.01n 20n SWEEP temp -40 80 40 問(wèn)題:溫度高快還是溫度低快?,格式2和3的變化,非等間隔掃描 格式: .TRAN 0.01n 20n sweep supply poi 3 3 3.3 4.5,實(shí)驗(yàn)二,以AMI06工藝最小尺寸反相器為例進(jìn)行基本瞬態(tài)分析,在負(fù)載電容為0.1P,VDD=3V的條件測(cè)量平均延遲時(shí)間. 在瞬態(tài)分析時(shí)