萬集筆試題硬件電路工程師筆試題.pdf

2013應(yīng)屆畢業(yè)生筆試題硬件電路工程師筆試題 -、基本信息 姓名性別革齡 學(xué)歷 畢業(yè)學(xué)校專業(yè)方向 畢業(yè)時(shí)問手機(jī) 郵箱 期望薪資得分 二、選擇題(每題1紗，總給15分) 1.在放大電路的通頻簾E圍內(nèi)，真電壓放大倍數(shù)()0 A.隨頻率的升高而增大B.隨頻率的降低而減小 c.墓本不隨頻率的變化而變化D.隨頻率的升高而減小 2.多級(jí)放大電路比單級(jí)放大電路的通頻帶()。 A.寬B.窄C一樣D.無法確定 3.一個(gè)正常放大的三極管，測(cè)得它的三個(gè)電極c、b、e的電位分別的6V、3.7V、 3.0V I則該管是()管。 A 1 :錨PNPB.錨NPNC.硅PNPD.硅NPN 4.通常所說的32位微處理器是指()0 .地址總線的寬度為32位 C. CPU字長(zhǎng)為32位 B.處理數(shù)據(jù)長(zhǎng)度只能是32位 D.通用寄存器的個(gè)數(shù)是32個(gè) 1/7 C B D B 5.在輸入量不變的情況下，引入反饋后()，則說明引入的是負(fù)反饋。 A.輸入電阻增大B.輸出量增大 C凈輸入量增大D.凈輸入量減小 6.放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)下降的原因是()，而島頻信號(hào)作用時(shí)放 大倍數(shù)下降的原因是()。 A.輯臺(tái)電窯和旁路電窯的存在 B.半導(dǎo)體管極間電窯和分布電窯的存在 C半導(dǎo)體管的非線性特性 D.放大倍數(shù)的靜態(tài)、工作點(diǎn)不合適 7.設(shè)榜的入榜序列為1、2、3，4，5則下列序列中不可能為真出錢序列的是()。 A. 2 3 4 1 5 B. 5 4 1 3 2 C. 2 3 1 4 5 D. 1 5 4 3 2 8.與CMOS電路相比，TTL電路功耗()，抗干擾能力()。 A.大，強(qiáng)B.小，強(qiáng) c.大，弱D.小，弱 9.對(duì)于穩(wěn)定電壓為10V的穩(wěn)壓管，當(dāng)環(huán)境溫度升高肘，真穩(wěn)定電壓將()。 A.升高 C不變 B.降低 D.無法確定 10.一個(gè)已經(jīng)具備運(yùn)行條件，但由于沒杳獲得CPU而不能運(yùn)行的進(jìn)程處于()。 A.就緒狀態(tài)、B.睡眠狀態(tài) C等待狀態(tài)D.掛起狀態(tài) 11.某三極管工作在放大區(qū)，當(dāng)IB從10uA增大到25uA肘，IC從2mA增大 2/7 D B D B C D A 到4mA，那么宮的P約為()。 A.133 B. 100 C. 88 D. 150 12.開關(guān)型直流電源比線性直流電源效率高的原因在于()。 A調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài) C可以不用電源變壓器 B.輸出端有LC濾波電路 D.線性直流電源更加發(fā)熱 13.組合邏輯產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)與冒險(xiǎn)的原因是()。 A.電源不穩(wěn)定B.數(shù)字信號(hào)的脈沖干擾 C電路延時(shí)D.邏輯關(guān)系錯(cuò)誤 14.二極管的作用很多，但以下()不是它的功能。 A.整流B、穩(wěn)壓C、放大D、檢波 15.標(biāo)準(zhǔn)RS-232在TXD和RXD引腳上電平定義邏輯1的電平范圍是() A. OO.2V C. -3 -15V 三、填空題每題1紗，共15分) B. -5 OV D. -15OV 1.當(dāng)處理器處于復(fù)位的狀態(tài)下，晶振電路處于什么狀態(tài) 2.硬件電路設(shè)置看門狗定時(shí)器的作用 。 。 3. C語言中，全局變量、Static局部變量和非Static局部變量的存儲(chǔ)空間占用 是奮區(qū)別的，前兩者在普通數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)中生成，而非Static局部變量在 中生成。 4.中斷向量表中存儲(chǔ)的內(nèi)容是: 。 5.5VCMOS中輸入大于V為高電平，輸入小于V為低電平;5VTTL中 輸入大于V為高電平，輸入小于V為低電平。 3/7 A C A C C 0:+3+15 防止程序進(jìn)入死循環(huán) 從新鎖定狀態(tài) 堆棧中 中斷程序入口地址 3.51.5 2.0 ？0.8 ？ 6.一般情況下，開關(guān)型穩(wěn)壓地電路比線性穩(wěn)壓電路的效率一一一原因 是 。 7.開環(huán)控制與閉環(huán)控制的主要區(qū)別是 。 8.邏輯函數(shù)Y= ABC + BC的最小項(xiàng)之和形式為 。 9.交流負(fù)反饋四種形式分別為，主要有什么優(yōu) 點(diǎn) 。 10.單相橋式整流電路中，如果冥中一個(gè)二極管極性接反，則可能出 現(xiàn) 。 11.場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是利用與之間的來控制漏 極電流。 12.整流電路中，整流的目的曰 。 13.同步時(shí)序電路與異步時(shí)序電路比較，區(qū)別在于 。 14.下面代碼執(zhí)行后結(jié)果是什么? int a=6,b=7,c; c=a+b; 這段代碼執(zhí)行后 c=一一一-b= a=一一一_0 15.設(shè)高一被測(cè)量溫度的變化范圍為20O( 1200 O( I要求測(cè)量誤差不超過 址。，則應(yīng)選用A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率至少應(yīng)該為位。 四、簡(jiǎn)答與計(jì)算題(11題，共70分) 1.請(qǐng)你用邏輯電路設(shè)計(jì)一個(gè)8分頻器。(7分) 2.對(duì)一塊剛剛完成焊接的硬件電路板進(jìn)行操作，上電之后發(fā)現(xiàn)程序沒有執(zhí)行 4/7 /氣 高 調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài) 有無反饋 Y(A,B,C)=sigma(3,6,7) 電壓串聯(lián)負(fù)反饋 電流串聯(lián)負(fù)反饋 電 壓并聯(lián)負(fù)反饋 電流并聯(lián)負(fù)反饋 擴(kuò)展放大器的頻帶寬 度和減小非線性失真 丟失一半整流電流 柵極與源極之間的電壓 將交流變成直流 是否使用同一個(gè)時(shí)鐘 源 c=13, b=7, a=7 11 那么從哪些方面去考慮解決這個(gè)問題?(6分) 3.假如設(shè)計(jì)一個(gè)低功耗的產(chǎn)品，大部分時(shí)間處于休眠狀態(tài)，由10中斷來喚醒工 作。在休眠前，如何設(shè)置MCU的10狀態(tài)、?(6分) 4.搭建一個(gè)自己設(shè)計(jì)中的單片機(jī)最小系統(tǒng)，畫出系統(tǒng)組成框圈，簡(jiǎn)述真主要功 能平日特點(diǎn)并分析最主要的選型依據(jù)。(6分) 5.列舉NOR型flash與NAND型flash的區(qū)別。(5分) 6.描述RS232幀格式，以傳輸數(shù)據(jù)OxA5為例畫出對(duì)應(yīng)的示波器測(cè)試圖。(5 分) 7.說明三極管工作在放大、截止、飽和導(dǎo)通三種狀態(tài)下的條件。(5分) 8.什么是EMC?語說出至少三種EMC測(cè)試中的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目并簡(jiǎn)述在自己的設(shè)計(jì) 中曾出現(xiàn)什么EMC問題以及如何解決的。(7分) 9.檢查以下代碼是否存在錯(cuò)誤，如有請(qǐng)指出并說明原因。(7分) a) #define DAY_OF_FIRSTHALF 176; #defjne DAY_OF_SECONDHALF 179; #define DAYOF YEAR DAY OF FIRSTHALF+DAY OF SECONDHALF: #defjne SECOND_OF_DAY 24古60*60; #define SECOND OF YEAR DAY OF YEAR*SECOND OF DAY: b) #define BUFF LEN500 5/7 -氣 電源檢查（通斷，短路），晶振是否起振，是否復(fù)位 輸入且能響應(yīng)中斷 存儲(chǔ)器容量，外設(shè)接口 NOR型容量小，價(jià)格貴，讀速度 快，寫和擦除的速度慢，可以直 接跑程序，作為程序存儲(chǔ)器 高低電平變化開始， 低高電平變化結(jié)束， 低位開始傳輸 電磁兼容，串?dāng)_（線間距拉大，或 中間鋪地）、反射（源端終端匹配 電阻）、地彈（電源芯片，寄生電 容電感）（加濾波電路） void mainO unsigned char aBUFF _LEN; uint8 bBUFF _LEN; unsigned char i,j u山J川m川1吐t8m; tor(i=O;i BUFF _LEN;i+ +,j+ +) ai = j; m= ai* ai; bi=m; 10.編程實(shí)現(xiàn)函數(shù)intGetBitCount(short nn) ，函數(shù)實(shí)現(xiàn)將輸入nn的二進(jìn)制數(shù) 表示中所高的零的個(gè)數(shù)記錄下來;例如GetBitCount(7)=O; GetBitCou nt(333)斗。(6分 6/7 J 11運(yùn)放應(yīng)用計(jì)算(10分) 個(gè) (1 U1 +5V -5V (2 T-v U2 電路圖中的參數(shù)說明: (1) U1為集成運(yùn)放，真特性:可用于放大差分信號(hào)，放大倍數(shù)由接在Rg之間的 電阻阻值決定，Gain=1+(49.4k/Rg) , REF管腳為輸出電壓的參考電平管腳; (2) U2、U3為相同性質(zhì)的集成運(yùn)放，當(dāng)