標準解讀

《YB 3209-1982 鍛鋼冷軋工作輥超聲波探傷方法》是一項專門針對鍛鋼冷軋工作輥進行質量檢測的標準,旨在通過超聲波技術對這些關鍵部件內部可能存在的缺陷進行無損檢測。該標準適用于制造過程中以及使用前后的質量控制。

根據(jù)此標準,超聲波探傷作為一種非破壞性測試手段被用來檢查鍛鋼冷軋工作輥是否存在裂紋、夾雜物或其他類型的不連續(xù)性問題。其主要流程包括準備試件表面以確保良好的聲耦合條件;選擇合適的探頭頻率與類型;設置適當?shù)撵`敏度;按照規(guī)定的方法和路徑進行全面掃描;最后記錄下所有發(fā)現(xiàn)的異常信號,并據(jù)此評估材料的質量狀況。

在執(zhí)行具體操作時,需遵循以下幾點:

  • 探測面應平滑清潔,去除油脂等污物。
  • 根據(jù)被檢對象的具體情況合理選擇探頭參數(shù)(如晶片尺寸、角度等)。
  • 檢查過程中應注意調整儀器的工作狀態(tài),保證檢測結果準確可靠。
  • 對于疑似缺陷區(qū)域,需要進一步采取措施加以確認,比如改變探測角度或增加掃查次數(shù)。
  • 最終報告中應當詳細描述檢測過程、所用設備及參數(shù)設置情況、缺陷位置大小及其性質等內容。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1982-08-13 頒布
  • 1983-07-01 實施
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文檔簡介

丫ill中華人民共和國冶金工業(yè)部部標準-YB 3 209-8 2鍛鋼冷軋工作輥超聲波探傷方法1 9 8 2一 0 8一1 3 發(fā)布1 9 8 3 一 0 7 一 0 1 實施中華人民 共和 國冶 金工業(yè)部批準中華人民共和國冶金工業(yè)部部標準YB 3 2 09 -9 2鍛鋼冷軋工 作輥超聲波探傷方法 本標準適用于檢驗鍛鋼冷軋工作輥 ( 包括軋制有色金屬薄板及箔材、光亮鋼板及鋼帶、普通鋼板及鋼帶用冷軋工作輥,平整機工作輥,有色金屬冷開坯工作輥等)的鍛件和成品。1 儀器裝置 1 . 1 探傷所用儀器,應符合J B 1 8 3 4 -7 6 ( A型脈沖反射式超聲波 探傷儀 技術條 件的要求。 1 . 2 采用單晶片直探頭,工作頻率 2 - - 2 . 5 MHz , 必要時可采用 其它類型 探頭或變換 探傷頻率進行探測 。2 探傷方法 2 . 1 采用接觸法探傷,以適當?shù)臋C油作為禍合劑。 2 . 2 軋輥鍛件探傷,應先將鍛件加工成簡單圓柱體 ( 各部位凹槽、 盤鼓狀、 各段臺階過渡及內孔等,應在探傷后加工),探傷表面的光潔度應不低于p5 . 2 . 3 探傷掃描速度不大于l 0 0 m m / s , 探頭移動掃描時,晶片直徑的覆蓋應不 小于1 0 % , 2 . 4 探測面以圓柱面為主, 必要時應對端面進行探測, 鑒于低倍缺陷的方向性和探頭超聲場的特性,被 探軋輥 應放在使軋輥可以自由 轉動的支架上,以 保證整個圓周面能 被掃 描。 2 . 5 起始靈敏度: 根 據(jù)D G S ( A V G )法,在工件 完好 部位, 按誘 2 m m 平 底孔當 量,將 底波調至2 0 %屏高。 2 . 6 對穿透性不良部位,允許重新退火后再探。驗收條件 3 . 1 不允許有白 點、裂紋、縮管殘 余及線性波形 與游 動性波型缺 陷。對無丙孔的 軋輥 允許有不大于輥身直徑1 2 %的中心疏松。 3 . 2 第四次底反射應不小于7 0 %滿屏高。 3 . 3 軋輥按圖 1 和圖2所示的部位分區(qū),各區(qū)允許存在的缺陷不應超過表 1 的規(guī)定。圖 1 D 2 5 0 mmI 表面區(qū):S 二 。 . 3 D, S , 二 。 . 2 D ( 電渣鋼)、 0 . 1 5 D ( 非電渣鋼);11 中已 、 區(qū):S2 二0 . 1 h;班 中間區(qū);IV-輥頸非傳 動端區(qū),當兩端 均為傳 動端或兩端輥頸 需表面淬火時,則 屬111 區(qū)。 表 1區(qū)別輥身直徑D,mm4 2 5 0夕 2 5 0允 許存 在的 缺陷I在規(guī)定的靈敏度 ,不允許有缺陷波0允許有零星分散的、小于功3.m當徽缺陷允許有零星分散的、不大于0Z mm當量的缺陷m 允許有單個零星分散的、嬌2 一4 mm當量缺陷,其間距應不小于s o . m。在輥身部分,此種缺陷應不多于1 0 個I V 允許有單個零星分散的02 一6 mm當 ,.缺陷,其中0 9 一 6 m m 當 最 缺 陷 不 得 多 于 5 個 , 且 其 間 距 應 不 小 于5 0 m m; 允許有不大于 02 -m 當員的缺陷密集區(qū)3 處,每個密集區(qū)的面積應不大于g c .2 ,各密集以問距應不, 、 于1 5 0 .-4 檢驗與報告 4 . 1 軋 輥 的 探 傷 應 由 制 造 廠 進 行 , 用 戶 可 以 復 驗 ; 也 可 經 雙 方 協(xié) 議 , 由 用 戶 進 行 , 探 傷 結 果 如 不 合格,應由制造廠負責。 4 , 2 探傷報告應對存在的缺陷作詳細記錄,記錄可用文字說明, 也可以用圖形與數(shù)字或符號來表明缺陷的性質、大小和位置。對零星分散的小于功2 mm當量的缺陷可不作記錄。Y B 32 0 9- 9 2 附錄A缺 陷 的 測 定 ( 補充件)A. 1 單個 缺陷大小 缺陷尺寸小于探頭晶片 直徑時, 按DGS ( AV G)法 確定缺 陷當 量; 缺陷尺寸 大于 探頭晶 片直徑時, 采用半波高法 確定缺 陷大小。A. 2 密 集缺陷 缺陷數(shù)量在3 個以上,且其間距小于缺 陷平 均直徑的3 倍 ( 對不大于砂 2 m m 缺陷, 其間距按不大于6 m m 計),或在 探測方向上無法區(qū) 分缺陷大小的3 個以上缺 陷的區(qū)域, 稱為密集缺陷,其面 積從 探頭中 心算 起, 并通過幾何計算所求得的實 際缺 陷面積。A. 3 線性缺 陷 按半波 高法測定長 度不小于3 0 m m 的連 續(xù)線性缺陷;或將探頭 移動3 0 m m,在同一 深度上 斷續(xù)出現(xiàn)3 個以 上缺陷信號,且間距小于缺陷平均尺寸3 倍的斷續(xù)線性缺 陷。A. 4 游 動信號 隨著探頭的 移動, 在示波 屏上出 現(xiàn)明顯游動的缺 陷信號。A. 5 中心疏松在探傷掃描的靈敏度下,中心出現(xiàn)的草狀波 ( 必要時以較低頻率核對),這些缺陷信號 按D G S ( A V G )法衰減至 該位置價 2 m m當 量波 高為2 0 %屏高時,反射 信號應在屏上消失或少于5 %滿屏高。A. 6 穿透性不良區(qū)底反射的次數(shù)和高度小于標準規(guī)定值的區(qū)域。V B 3 2 0. 一 日 2 附錄B探傷報告的缺陷記錄 ( 補充件) 當 采用符號與數(shù) 字來記 錄缺 陷時.為 使記錄 能為 雙方所確認,推薦下述的記錄方法。B. 1 缺陷記錄B. 1 . 1 缺陷記錄方法,采用三段記錄形式: 第一 段一 第二段一 第三 段 第一 段記錄缺陷在軸向剖面上投影的位置。 用D ; 表示 缺 陷所在的 軸段( 以打印端 的軸段為D , ) ,用數(shù)字表示缺陷與該軸段基準面 ( 近打印端方向的端面)的距 離 ( mm ) ,游 動信號則加上小 括號并以分子表示距離、分母表示深度。 第側段 記錄缺 陷在徑向剖面上 投影 的位 置。 以 倪表 示4 個等分圓周的 基準點, 順時針方 向排列( 其中: 與 “ 打印位置”方位相同) , 用分數(shù)表示缺陷位置, 其中分子 表示距基準點周向距 離( m m )分母表示缺陷徑向深度。游動信號則加上小括號,小括號的下角表示對應的軸向距離。 第三段記錄缺陷大小及性質。 當 量缺陷以當 量值表示, 例如04。 線 性缺陷以當 量值和長度 ( m m )表示,例如嬌 4 x 5 0 ; 大于探頭晶片直徑的缺陷以方括號內的面 積 ( m m 2 )表 示,例如 2 0 x 3 0 )。 密集缺陷用當 量大小及大括號內的面 積( cm, ) 表示, 例如0 4 3 x 4 ( 當缺陷當 量不大于 0 2 m m時, 缺陷當量符號可以省略)。B. 1之 記錄示例,參看圖B. 1 。 圖 1 3 1 例1 D , 5 0 一 G Z 1 2 0 / 4 0 一 功4 表 示缺 陷A在第一 軸段,軸向 距端面 5 0 m m , 周向FPG : 點1 2 0 m m ,徑向深度4 0 m m , 缺陷大小為0 4 mm當量。 例2 D 2 2 0 0 一( * , 1 0 0 , 1 5 0 一06 5 0 表 示缺 陷B在第二軸段,軸向 距基準端面 2 0 0 - I n , 19 1p 1 距G , 1 0 0 m m ,徑向深 度5 0 m m ,缺陷為Y B32 0 9 - 8 2功 6 m m 當 員、 長S O m m 的線 性缺陷。 例3 D 2 ( 1 4 0 / 7 0 一 2 0 0 / 3 0 )一 G 3 ( 8 0 / 4 0 一1 6 0 / 3 0 ) 2 0 0 表 示缺 陷為游 動信號c在第二 軸段,軸向距離1 4 0 m m , 深度7 0 m m , 游動到軸向距離2 0 0 m m, 深度3 0 m m 。在軸向 距離2 0 0 m m 處該缺 陷從距G 3 8 0 m m, 深4 0 m m 游動至距G 3 1 6 0 m m, 深度為3 0 m m o 例4 D, 1 5 0 一 G 3 1 2 0 / 4 0 一 2 0 x 3 0 ) 表示缺陷在第一軸 段, 軸向距基準面1 5 0 mm , 周向距G3 1 2 0 m m ,徑向 深度4 0 m m,為大于 探頭晶片直徑的缺 陷,其尺寸為 2 0 x 3 0 _ _3 , 例5 D2 1 8 0 一 G 4 1 6 0 / 5 0 一 0 3 i 3 x 4 i 表 示該缺 陷為 功3 m m 密集缺陷, 缺陷軸向位置在第2 軸 段, 距 基準面 8 0 m m , 周向距G 4 點1 6 0 m m,徑向深 度5 0 m m ,缺 陷面 積為 3 x 4 c m “ 。B. 2 底反射次數(shù)記錄B. 2 . 1 記錄方法 D ;( x 一x ) / x 只 表示所在軸段, ( x 一x ) 表示起點與終

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