專業(yè)英語1-20100310.ppt

課程目的 基礎(chǔ)英語科技英語專業(yè)英語 能力培養(yǎng) 閱讀能力 寫作能力 聽說能力 說明：英語是現(xiàn)代社會三個(gè)基本工具之一，必須掌握。 （了解國際動態(tài)、學(xué)習(xí)先進(jìn)技術(shù)； 外資企業(yè)工作語言。） 但是應(yīng)該明確目的：用好工具，不是研究英語。,閱讀能力：專業(yè)詞匯、基本語法、專業(yè)知識； 閱讀材料選?。航Y(jié)合專業(yè)、難度適中； 閱讀方式：精讀、泛讀相結(jié)合。 寫作能力：論文、技術(shù)總結(jié)； 將中譯本內(nèi)容翻譯為英文，與英語原文對比。 考核方式：課堂作業(yè)（20%）、考試（80%） 教材：“微電子技術(shù)專業(yè)英語” 西安電子科技大學(xué),推薦采用合適的字典 “英漢科學(xué)技術(shù)詞典” 清華大學(xué)外語系“英漢科學(xué)技術(shù)詞典”編寫組編 國防工業(yè)出版社 “Longman Dictionary of Contemporary English” (朗文當(dāng)代英語詞典） 外語教學(xué)與研究出版社 網(wǎng)絡(luò)字典： 有道字典：/,提高專業(yè)英語閱讀、翻譯能力的 基本要素 1、專業(yè)詞匯 2、基本語法關(guān)系 3、結(jié)合專業(yè)內(nèi)容,1、專業(yè)詞匯 特別注意行業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可的名稱。 The majority of bipolar transistors used in ICs are of the npn type because the higher mobility of minority carriers (electrons) in the base region results in higher speed performance than can be obtained with pnp types. IC中所用雙極晶體管大多數(shù)是NPN型的，因?yàn)樗诨鶇^(qū)中少數(shù)載體（電子）的更高移動性產(chǎn)生比PNP型所能得到的更高速度的性能。 應(yīng)改為：IC中所用雙極晶體管大多數(shù)是NPN型的，因?yàn)榛鶇^(qū)中少數(shù)載流子（電子）具有較高的遷移率，使NPN晶體管的速度性能高于PNP晶體管。,1、專業(yè)詞匯 特別注意行業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可的名稱。 Next, a high-temperature (1100C) drive-in step forms the n+-buried layer, which has a typical sheet resistance of 20/. 接著，一個(gè)高溫（約為1100）驅(qū)入步驟形成N+埋入層，它具有典型的平板電阻20/。 (注：此處原書似有誤，此處“”似應(yīng)為cm3，后面同。-譯者注) 應(yīng)改為：然后采用高溫（約為1100）再分布步驟形成N+埋層，其方塊電阻典型值為20/。 （說明：符號“”是正確的，并不錯(cuò)） Figure 2.33b shows a cross-sectional view of the device after the epitaxial process. 圖2-33b示出了外延過程之后，器件的交叉區(qū)視圖。 建議改為：圖2-33b顯示的是經(jīng)過外延工藝之后的器件剖面圖。,1、專業(yè)詞匯 特別注意行業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可的名稱。 The conventional MOS isolation process has some disadvantages that make it unsuitable for deep-submicrometer (0.25m) fabrication. 傳統(tǒng)MOS隔離過程具有一些劣勢，這使之不適合于深度次微米(0.25m)制造 應(yīng)改為：傳統(tǒng)MOS隔離工藝具有一些缺點(diǎn)，使其不適合于深亞微米(0.25m)制造 To control the formation of such defects, special inline monitoring techniques are required. 為了控制這種缺陷的形成，就要求有特殊的內(nèi)嵌（inline）監(jiān)控技術(shù)。 應(yīng)改為：為了控制這些缺陷的形成，要求采用特殊的在線（inline）監(jiān)控技術(shù)。,1、專業(yè)詞匯 特別注意應(yīng)該使用行業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可的名稱。,(P89)圖3-20 互連接層的基本測試結(jié)構(gòu) (a)迂回結(jié)構(gòu) (b)雙峰結(jié)構(gòu),應(yīng)改為：圖3-20 互連層基本測試結(jié)構(gòu) (a)蛇狀結(jié)構(gòu)(b)雙梳狀結(jié)構(gòu),2、基本語法關(guān)系 分析語法關(guān)系是為了幫助正確理解內(nèi)容，不能為了追求語法細(xì)節(jié)而分析語法。 In this section we discuss the physical effects that are exploited in those semiconductor memories that can retain stored data after power supplies are disconnected, and where the stored data can be modified. 該句有5個(gè)謂語，分析從句關(guān)系有助于理解內(nèi)容。 本節(jié)討論具有下述特點(diǎn)的半導(dǎo)體存儲器中采用的物理效應(yīng)：這種存儲器在切斷電源后仍然能保留業(yè)已存儲的數(shù)據(jù)，而且其中存儲的數(shù)據(jù)可以被修改。,3、結(jié)合專業(yè)內(nèi)容 Hence carriers move away from the junctions after injection by diffusion and the action of any fields built in by variable doping. 提示：如果根據(jù)其位置關(guān)系分析，可能認(rèn)為“by diffusion and the action of any fields”是修飾直接位于其前面的“injection”。但是基于物理含義分析，應(yīng)該修飾“move”。這是專業(yè)英語中經(jīng)常出現(xiàn)的問題，即如果對物理含義不是很清楚，在翻譯時(shí)出現(xiàn)的錯(cuò)誤不是語法問題，而是違背了物理含義；“by variable doping”修飾其前面的“built in”。 全句可翻譯為：因此，載流子在注入以后將通過擴(kuò)散的方式離開結(jié)，如果（基區(qū)）雜質(zhì)分布不均勻還會受到自建電場的作用。,3、結(jié)合專業(yè)內(nèi)容 The associated delay times are found by dividing the charge that must be moved by the current that moves it. 提示：根據(jù)物理含義分析，“by the current”應(yīng)該是修飾動名詞dividing（表示數(shù)學(xué)運(yùn)算中的“除”），表示用來除“the charge”。如果從語法角度分析，可以認(rèn)為“by the current”修飾直接位于其前面的moved，但是如果這樣翻譯成漢語，盡管不應(yīng)該說語法錯(cuò)誤，但是物理含義不對；句子兩個(gè)that均是引導(dǎo)定語從句，分別修飾各自前面的名詞charge和current。 全句可翻譯為：用必須被移開的電荷除以用于移動電荷的電流，就得到相應(yīng)的延遲時(shí)間。,3、結(jié)合專業(yè)內(nèi)容 When passing current all devices have been found to have low-frequency noise power in excess of the value predicted by 4kTRdf. 提示：“by 4kTRdf”修飾“predicted”表示預(yù)計(jì)值為4kTRdf，而不是修飾“in excess of”表示超過的大小為4kTRdf。如果僅僅從英語語法考慮，上述兩種修飾關(guān)系均有可能。但是結(jié)合物理含義分析，只能理解為修飾“predicted”，否則翻譯出的語句出現(xiàn)物理含義錯(cuò)誤。 全句可翻譯為：業(yè)已發(fā)現(xiàn)，在有電流通過時(shí)，所有器件都具有比預(yù)計(jì)值4kTRdf大的低頻噪聲功率。,The intrinsic carrier concentration for silicon at T = 300 K may be calculated by using the effective density of states function values from Table 4.1. The value of ni calculated from Equation (4.8) for Eg = 1.12 eV is ni = 6.95 109 cm-3. The commonly accepted value of ni for silicon at T = 300 K is approximately 1.5 1010 cm-3. This discrepancy may arise from several sources. First, the values of the effective masses are determined at a low temperature. Since the effective mass is an experimentally determined parameter, and since the effective mass is a measure of how well a particle moves in a crystal, this parameter may be a slight function of temperature. Next, the density of states function for a semiconductor was obtained by generalizing the model of an electron in a three-dimensional infinite potential well. This theoretical fun