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文檔簡介
第二章答案
2-2(1)一晶面在小八z軸上的截距分別為2a、3b、6c,求該晶面的晶面指數(shù);(2)一
晶面在x、y、z軸上的截距分別為a/3、6/2、c,求出該晶面的晶面指數(shù)。
J2.
答:⑴h:k:>25n=3:2:1,.?.該晶面的晶面指數(shù)為(321);
(2)h:k:l=3:2:1,,該晶面的晶面指數(shù)為(321).
2-3在立方晶系晶胞中畫出下列晶面指數(shù)和晶向指數(shù):(001)與[210],(111)與[11刃,
(1T0)與[111],(死2)與[236],(257)與[11T],(123)與口力],(102),(112),
(213),[110],[120],[321]
答:
[112]
(123)
[120]
y
2-4定性描述晶體結(jié)構(gòu)的參量有哪些?定量描述晶體結(jié)構(gòu)的參量又有哪些?
答:定性:對稱軸、對稱中心、晶系、點(diǎn)陣。定量:晶胞參數(shù)。
2-5依據(jù)結(jié)合力的本質(zhì)不同,晶體中的鍵合作用分為哪幾類?其特點(diǎn)是什么?
答:晶體中的鍵合作用可分為離子鍵、共價鍵、金屬鍵、范德華鍵和氫鍵。
離子鍵的特點(diǎn)是沒有方向性和飽和性,結(jié)合力很大。共價鍵的特點(diǎn)是具有方向性和飽和
性,結(jié)合力也很大。金屬鍵是沒有方向性和飽和性的的共價鍵,結(jié)合力是離子間的靜電
庫侖力。范德華鍵是通過分子力而產(chǎn)生的鍵合,分子力很弱。氫鍵是兩個電負(fù)性較大的
原子相結(jié)合形成的鍵,具有飽和性。
2-6等徑球最緊密堆積的空隙有哪兩種?一個球的周圍有多少個四面體空隙、多少個八面體
空隙?
答:等徑球最緊密堆積有六方和面心立方緊密堆積兩種,一個球的周圍有8個四面體空隙、
6個八面體空隙。
2-7〃個等徑球作最緊密堆積時可形成多少個四面體空隙、多少個八面體空隙?不等徑球是
如何進(jìn)行堆積的?
答:〃個等徑球作最緊密堆積時可形成n個八面體空隙、2n個四面體空隙。
不等徑球體進(jìn)行緊密堆積時,可以看成由大球按等徑球體緊密堆積后,小球按其大小分
別填充到其空隙中,稍大的小球填充八面體空隙,稍小的小球填充四面體空隙,形成不
等徑球體緊密堆積。
2-8寫出面心立方格子的單位平行六面體上所有結(jié)點(diǎn)的坐標(biāo)。
答:面心立方格子的單位平行六面體上所有結(jié)點(diǎn)為:(000)、(001)(100)(101)(110)
111111111111
(010)(Oil)(111)(202)(022)(22o)(122)(212)(221)o
2-9計(jì)算面心立方、密排六方晶胞中的原子數(shù)、配位數(shù)、堆積系數(shù)。
43
4Ax一加4X,3
APC=—\—=^^5-=74.05%
a(2問
答::面心:原子數(shù)4,配位數(shù)6,堆積密度
二43r43
6x.—7Ta6x—癡
卬刀土-r=-^~~F=-=74.05%
3后|8
------------C-----A-a
六方:原子數(shù)6,配位數(shù)6,堆積密度22V3
2-10根據(jù)最緊密堆積原理,空間利用率越高,結(jié)構(gòu)越穩(wěn)定,金剛石結(jié)構(gòu)的空間利用率很低
(只有34.01%),為什么它也很穩(wěn)定?
答:最緊密堆積原理是建立在質(zhì)點(diǎn)的電子云分布呈球形對稱以及無方向性的基礎(chǔ)上的,故只
適用于典型的離子晶體和金屬晶體,而不能用最密堆積原理來衡量原子晶體的穩(wěn)定性。另外,
金剛石的單鍵個數(shù)為4,即每個原子周圍有4個單鍵(或原子),由四面體以共頂方式共價
結(jié)合形成三維空間結(jié)構(gòu),所以,雖然金剛石結(jié)構(gòu)的空間利用率很低(只有34.01%),但是
它也很穩(wěn)定。
2-11證明等徑圓球六方最密堆積的空隙率為25.9%。
43^43
-na4x-7H3t
答:設(shè)球半徑為a,則球的體積為3,球的Z=4,則球的總體積(晶胞)3,立
方體晶胞體積:(2短a”=16點(diǎn)a)空間利用率=球所占體積/空間體積=74.1%,空隙率
=1-74.1%=25.9%?
2T2金屬鎂原子作六方密堆積,測得它的密度為1.74g/cm3,求它的晶胞體積。
答:設(shè)晶胞的體積為V,相對原子質(zhì)量為M,則晶胞體積
V=—=------------------=1.37xlQ-22
MQ6.023X1023X1.74加
2-13根據(jù)半徑比關(guān)系,說明下列離子與O'一配位時的配位數(shù)各是多少?已知東一=0.132nm,
4++3+2+
zji=0.039nm,2k=0.131nm,2AI=0.057nm,2i(g=0.078nm?
答:對于Si"、K\Al3\Mg"來說,其匚依次是0.295、0.99、0.43、0.59;依據(jù)正離子配
位數(shù)與正負(fù)離子半徑比的關(guān)系知配位數(shù)為:Si"4;18;A產(chǎn)6;Mg2+6.
2-14為什么石英不同系列變體之間的轉(zhuǎn)化溫度比同系列變體之間的轉(zhuǎn)化溫度高得多?
答:石英同一系列之間的轉(zhuǎn)變是位移性轉(zhuǎn)變,不涉及晶體結(jié)構(gòu)中鍵的破裂和重建,僅是鍵長、
鍵角的調(diào)整、需要能量較低,且轉(zhuǎn)變迅速可逆;而不同系列之間的轉(zhuǎn)變屬于重建性轉(zhuǎn)變,都
涉及到舊鍵的破裂和新鍵的重建,因而需要較的能量,且轉(zhuǎn)變速度緩慢;所以石英不同系列
之間的轉(zhuǎn)化溫度比同系列變體之間轉(zhuǎn)化的溫度要高的多。
2-15有效離子半徑可通過晶體結(jié)構(gòu)測定算出。在下面NaCl型結(jié)構(gòu)晶體中,測得MgS和MnS
的晶胞參數(shù)均為a=0.520mn(在這兩種結(jié)構(gòu)中,陰離子是相互接觸的)。若CaSQ=O.567nm)、
CaO(a=0.480nm)和MgO(a=0.420nm)為一般陽離子一陰離子接觸,試求這些晶體中各
離子的半徑。
答:MgS中a=0.502nm,陰離子相互接觸,a=2源r,/.rS2=0.177nm;CaS中a=0.567nm,陰
一陽離子相互接觸,a=2(r++r-),rcaz.=O.107nm;CaO中a=0.408nm,a=2(r++r),
.'.ro2-=O.097nm;MgO中a=0.420nm,a=2(r*+r),”屋+=0.113nm。
2-16氟化鋰(LiF)為NaCl型結(jié)構(gòu),測得其密度為2.6g/cn?,根據(jù)此數(shù)據(jù)計(jì)算晶胞參數(shù),
并將此值與你從離子半徑計(jì)算得到數(shù)值進(jìn)行比較。
答:設(shè)晶胞的體積為V,相對原子質(zhì)量為M,對于NaCl型結(jié)構(gòu)來說,其n=4,
則晶胞體積6023x1023x26
則晶胞參數(shù):?o=Vr=o,4O5^i
根據(jù)離子半徑計(jì)算:a=2(r++r-)=4.14nm.,.°o〈az
2-17LizO的結(jié)構(gòu)是O'-作面心立方堆積,Li+占據(jù)所有四面K//
體空隙位置,氧離子半徑為0.132nm。求:(1)計(jì)算負(fù)離/、、
子彼此接觸時,四面體空隙所能容納的最大陽離子半徑,/\\
并與書末附表Li+半徑比較,說明此時O'-能否互相接觸;/T,
(2)根據(jù)離子半徑數(shù)據(jù)求晶胞參數(shù);(3)求LLO的密度。人一生
解:根據(jù)上圖GO=FO=_^“AB=BC=AC=AD=BD=CD=2ro~\F
由幾何關(guān)系知:B
=也斷“空、次=尊=xQ
比Li'的離子半徑rLi+=0.078nm小,所以此時0?不能互相接觸。
a_5產(chǎn)
晶胞參數(shù)=0.373nm
n4
6.02x10e
p=——xMx29.8794=3.82
V(0.373x10-71
g/cmJ
Li20的密度
2-18MgO和CaO同屬NaCl型結(jié)構(gòu),而它們與水作用時則CaO要比MgO活潑,試解釋之。
解:因?yàn)閚J與?。翰煌?,入2+>八M,使CaO結(jié)構(gòu)較MgO疏松,HQ易于進(jìn)入,所以活潑。
2-19CaFz的晶胞參數(shù)為0.547nm。(1)根據(jù)CaFz晶胞立體圖畫出CaFz晶胞在(001)面上
的投影圖;(2)畫出CaFz(110)面上的離子排列簡圖;(3)正負(fù)離子半徑之和為多少?
解⑴
(001)面上的投影圖
(2)
?-------------------{)-------------------
t
7
1__________
7
i-------------------i
----------(CaFz(110)面上的離子排列簡圖
(3)正負(fù)離子半徑之和
^-acbFi0.547%.
r=-...........=------------=0.193nm
22
2-20計(jì)算CdL晶體中的廣及CaTi(h晶體中-的電價是否飽和?
解:CdL晶體中Ccf的配位數(shù)CN=6,「與三個在同一邊的Cd"相連,且1的配位數(shù)CN=3
Z=1=lz-l
所以iC曾,即I電價飽和
CaTi。,晶體中,Ca2的配位數(shù)CN=12,Ti"的配位數(shù)CN=6,0?的配位數(shù)CN=6
2=iz~i
所以iCN,即爐電價飽和。
2-21(1)畫出(T作面心立方堆積時,各四面體空隙和八面體空隙的所在位置(以一個晶
胞為結(jié)構(gòu)基元表示出來);(2)計(jì)算四面體空隙數(shù)、八而休空隙數(shù)與O?一數(shù)之比
解(1)略
(2)四面體空隙數(shù)與0?一數(shù)之比為2:1,八面體空隙數(shù)與O'一數(shù)之比為1:1
2-22根據(jù)電價規(guī)則,在下面情況下,空隙內(nèi)各需填入何種價數(shù)的陽離子,并對每一種結(jié)構(gòu)
舉出一個例子。(1)所有四面體空隙位置均填滿;(2)所有八面體空隙位置均填滿;(3)
填滿一半四面體空隙位置;(4)填滿一半八面體空隙位置。
答:分別為(1)陰陽離子價態(tài)比應(yīng)為1:2如CaFz(2)陰陽離子價態(tài)比應(yīng)為1:1如NaCl
(3)陰陽離子價態(tài)比應(yīng)為1:1如ZnS(4)陰陽離子價態(tài)比應(yīng)為1:2如TiO?
2-23化學(xué)手冊中給出NH£1的密度為1.5g/cm3,X射線數(shù)據(jù)說明NH4C1有兩種晶體結(jié)構(gòu),一
種為NaCl型結(jié)構(gòu),a=Q.726nm;另一種為CsCl結(jié)構(gòu),a=0.387nmo上述密度值是哪一種
晶型的?(NHJ離子作為一個單元占據(jù)晶體點(diǎn)陣)。
解:若NH4cl為NaCl結(jié)構(gòu)
n--------壺X52.5
獷戶_6.02x10233
7
則可由公式"—可得:(0.726X10-)=0912g/c^
若NH4cl為NaCl結(jié)構(gòu),
?——-^^x52.5
瓦".02x10233
r7
則可由公式"一1xM可得:(0.387x10)50g
由計(jì)算可知NaCl型結(jié)構(gòu)的NH.C1與化學(xué)手冊中給出NH.C1的密度接近,所以該密度
NaCl晶型
2-24MnS有三種多晶體,其中兩種為NaCl型結(jié)構(gòu),一種為立方ZnS型結(jié)構(gòu),當(dāng)有立方型ZnS
結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)镹aCl型結(jié)構(gòu)時,體積變化的百分?jǐn)?shù)是多少?己知CN=6時,、"=0.08nm,
-=0.184nm;CN=4時,n:+=0.073nm,*"=0.167nm。
44
=―尸""~『x0.167=
解:當(dāng)為立方ZnS型結(jié)構(gòu)時:J2=J20.472nm
/\
a22座"+r^~
2
當(dāng)為NaCl型結(jié)構(gòu)時:I)=2(2i,i?-'+rs)=2(0.08+0.184)=0.384nm
”0,4723-0.3843
V=----5-=------5---
所以體積變化:a\0.472=46.15%
2-25鈦酸鋼是一種重要的鐵電陶瓷,其晶型是鈣鈦礦結(jié)構(gòu),試問:(1)屬于什么點(diǎn)陣?(2)
這個結(jié)構(gòu)中離子的配位數(shù)為若干?(3)這個結(jié)構(gòu)遵守鮑林規(guī)則嗎?請作充分討論。
答:(1)屬于立方晶系
(2)Ba"、Ti"和O'的配位數(shù)分別為12、6和6
(3)這個結(jié)構(gòu)遵守鮑林規(guī)則
鮑林第一規(guī)則一一配位多面體規(guī)則
ro2~=0.132?wrjs4+=O.QGAnmr&2+=0.143nm
_Q,064
0.485
對于Ti"聲一0.132
配位數(shù)為6
^-^=1,083
對于B『ro-0.132配位數(shù)為12
符合鮑林第一規(guī)則
鮑林第二規(guī)則——電價規(guī)則
24
AX4+-X2=2
126
即負(fù)離子電荷7=iCN則02離子電荷=與爐離子電荷相等,
故符合鮑林第二規(guī)則,又根據(jù)鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)知其配位多面體不存在共棱或共面的情況,結(jié)構(gòu)
情況也符合鮑林第四規(guī)則——不同配位體連接方式規(guī)則和鮑林第五規(guī)則一一節(jié)約規(guī)則
所以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)遵守鮑林規(guī)則。
2-26硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)有何特點(diǎn)?怎樣表征其學(xué)式?
答:硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,但不同的結(jié)構(gòu)之間具有下面的共同特點(diǎn):
(1)結(jié)構(gòu)中的Si"離子位于02-離子形成的四面體中心,構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元
[SiO,]四面體。Si-0-Si是一條夾角不等的折線,一般在145°左右。
(2)[Sift]四面體的每個頂點(diǎn),即02-離子最多只能為兩個[SiO/四面體所共用。
(3)兩個相鄰的[SiOj四面體之間只能共頂而不能共棱或共面連接。
(4)[SiO,]四面體中心的Si”離子可以部分地被A1"離子所取代,取代后結(jié)構(gòu)本身不發(fā)生太
大變化,即所謂的同晶取代,但晶體的性質(zhì)發(fā)生了很大的變化。這為材料的改性提供了可能。
硅酸鹽的化學(xué)式表征方法主要有以下兩種:
(1)氧化物表示法
將構(gòu)成硅酸鹽晶體的所有氧化物按一定的比例和順序全部寫出來,先是1價的堿金屬氧化
物,其次是2價、3價的金屬氧化物,最后是SiOz
(2)無機(jī)絡(luò)合鹽表示法
構(gòu)成硅酸鹽晶體的所有離子按一定的比例和順序全部寫出來,再把相關(guān)的絡(luò)陰離子用中括號
括起來即可。先是1價、2價的金屬離子,其次是A1"離子和Si"離子,最后是O'離子和0H
離子。
氧化物表示法的優(yōu)點(diǎn)在于一目了然的反應(yīng)出晶體的化學(xué)組成,可以按此配料來進(jìn)行晶體的實(shí)
驗(yàn)室合成。用無機(jī)絡(luò)合鹽法則可以比較直觀的反應(yīng)出晶體所屬的結(jié)構(gòu)類型,進(jìn)而可以對晶體
結(jié)構(gòu)及性質(zhì)作出一定程度的預(yù)測。兩種表示方法之間可以相互轉(zhuǎn)換。
2-27硅酸鹽晶體的分類依據(jù)是什么?可分為那幾類,每類的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是什么?
答:硅酸鹽晶體主要是根據(jù)[SiOj在結(jié)構(gòu)中的排列結(jié)合方式來分類,具體可以分為五類:島
狀、組群狀、鏈狀、層狀和架狀。結(jié)構(gòu)和組成上的特征見下表:
結(jié)構(gòu)類型[SiO/共用02-數(shù)形狀絡(luò)陰離子團(tuán)Si:0
I島狀0四面體[Si0,]b1:4
6
組群狀1雙四面體[Si207]-2:7
6
2三節(jié)環(huán)[Si309]-1:3
8
2四節(jié)環(huán)[Si.O12]1:3
12
2六節(jié)環(huán)[Si60,8]-1:3
鏈狀2單鏈[SiaOe]4-1:3
2、3雙鏈[SiQj"4:11
層狀3平面層[SiAo]4-4:10
架狀4骨架[SiOj”1:4
[(Al?:1:4
2-28下列硅酸鹽礦物各屬何種結(jié)構(gòu)類型:MgzISiOj,K[AlSi3O8],CaMg[Si2O6],Mg3[SiAo]
(OH)2>CasAl[AlSiO,]?
答:分別為島狀;架狀;單鏈;層狀(復(fù)網(wǎng));組群(雙四面體)。
2-29根據(jù)MgzlSiO,]在(100)面的投影圖回答:(1)結(jié)構(gòu)中有幾種配位多面體,各配位多
面體間的連接方式怎樣?(2)O'-的電價是否飽和?(3)晶胞的分子數(shù)是多少?(4)Si4
+和M/+所占的四面體空隙和八面體空隙的分?jǐn)?shù)是多少?
解:(1)有兩種配位多面體,[SiOj,[MgOe],同層的[Mg06]八面體共棱,如59[Mg0e]和
49[Mg0j共棱7502和270”,不同層的[MgOs]八面體共頂,如1[MgOe]和51[Mg()6]共頂是2202,
同層的[MgOs]與[SiO」共頂,如T[MgOe]和7[Si0/共頂22(f,不同層的[MgOe]與[SiOj共棱,
T[Mg&]和43[SiO]共2802和280。
V——=2=|z~|
(2)。2與3個[MgOe]和1個[SiO/,iCW,所以-飽和
(3)z=4;
(4)Si*占四面體空隙=1/8,Mg”占八面體空隙=1/2。
2-30石棉礦如透閃石CazMgsISiOj(0H)2具有纖維狀結(jié)晶習(xí)性,而滑石MgsISiO。](0H)
2卻具有片狀結(jié)晶習(xí)性,試解釋之。
解:透閃石雙鏈結(jié)構(gòu),鏈內(nèi)的Si-0鍵要比鏈5的Ca-0、\Ig-0鍵強(qiáng)很多,所以很容易沿鏈間
結(jié)合力較弱處劈裂成為纖維狀;滑石復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu),復(fù)網(wǎng)層由兩個[Si04]層和中間的水鎂石層
結(jié)構(gòu)構(gòu)成,復(fù)網(wǎng)層與復(fù)網(wǎng)層之間靠教弱的分之間作用力聯(lián)系,因分子間力弱,所以易沿分子
間力聯(lián)系處解理成片狀。
2-31石墨、滑石和高嶺石具有層狀結(jié)構(gòu),說明它們結(jié)構(gòu)的區(qū)別及由此引起的性質(zhì)上的差異。
解:石墨與滑石和高嶺石比較,石墨中同層c原子進(jìn)行SP2雜化,形成大n鍵,每一層都
是六邊形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。由于間隙較大,電子可在同層中運(yùn)動,可以導(dǎo)電,層間分子間力作用,
所以石墨比較軟。
滑石和高嶺石區(qū)別主要是滑石是M『取代A13+的2:1型結(jié)構(gòu)八面體層為三八面體型結(jié)構(gòu)而高
嶺石為1:1型二八面體結(jié)構(gòu)
2-32(1)在硅酸鹽晶體中,A1"為什么能部分置換硅氧骨架中的Si";(2)+置換Si"
+后,對硅酸鹽組成有何影響?(3)用電價規(guī)則說明A-+置換骨架中的Si"+時,通常不超
過一半,否則將使結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。
解:(1)A產(chǎn)可與()2-形成[Aio,]:A產(chǎn)與Si"處于第二周期,性質(zhì)類似,易于進(jìn)入硅酸鹽晶
體結(jié)構(gòu)中與Si”發(fā)生同晶取代,由于遵循鮑林規(guī)則,所以只能部分取代;(2)A1"置換$廣
是部分取代,A1"取代Si"時,結(jié)構(gòu)單元[AlSiO/lASiOs],失去了電中性,有過剩的負(fù)電荷,
為了保持電中性,將有一些半徑較大而電荷較低的陽離子如K'、Ca2\Ba"進(jìn)入結(jié)構(gòu)中;(3)
設(shè)A1”置換了一半的Si",則O'-與一個sF一個A-,相連,陽離子靜電鍵強(qiáng)度
=3/4X1+4/4X1=7/4,0?電荷數(shù)為-2,二者相差為1/4,若取代超過一半,二者相差必然〉1/4,
造成結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。
第三章答案
3-2試述位錯的基本類型及其特點(diǎn)。
解:位錯主要有兩種:刃型位錯和螺型位錯。刃型位錯特點(diǎn):滑移方向與位錯線垂直,符號
1,有多余半片原子面。螺型位錯特點(diǎn):滑移方向與位錯線平行,與位錯線垂直的面不是平
面,呈螺施狀,稱螺型位錯。
3-3非化學(xué)計(jì)量化合物有何特點(diǎn)?為什么非化學(xué)計(jì)量化合物都是n型或p型半導(dǎo)體材料?
解:非化學(xué)計(jì)量化合物的特點(diǎn):非化學(xué)計(jì)量化合物產(chǎn)生及缺陷濃度與氣氛性質(zhì)、壓力有關(guān);
可以看作是高價化合物與低價化合物的固溶體;缺陷濃度與溫度有關(guān),這點(diǎn)可以從平衡常數(shù)
看出;非化學(xué)計(jì)量化合物都是半導(dǎo)體。由于負(fù)離子缺位和間隙正離子使金屬離子過剩產(chǎn)生金
屬離子過剩(n型)半導(dǎo)體,正離子缺位和間隙負(fù)離子使負(fù)離子過剩產(chǎn)生負(fù)離子過剩(p型)
半導(dǎo)體。
3-4影響置換型固溶體和間隙型固溶體形成的因素有哪些?
解:影響形成置換型固溶體影響因素:(1)離子尺寸:15%規(guī)律:1.(R「R)/Rl>15%不連
續(xù)。2.〈15%連續(xù)。3.>40%不能形成固熔體。(2)離子價:電價相同,形成連續(xù)固熔體。(3)
晶體結(jié)構(gòu)因素:基質(zhì),雜質(zhì)結(jié)構(gòu)相同,形成連續(xù)固熔體。(4)場強(qiáng)因素。(5)電負(fù)性:差
值小,形成固熔體。差值大形成化合物。
影響形成間隙型固溶體影響因素:(1)雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大?。杭刺砑拥脑佑?,易形成固溶體,
反之亦然。(2)晶體(基質(zhì))結(jié)構(gòu):離子尺寸是與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系密切相關(guān)的,在一定程
度上來說,結(jié)構(gòu)中間隙的大小起了決定性的作用。一般晶體中空隙愈大,結(jié)構(gòu)愈疏松,易形
成固溶體。(3)電價因素:外來雜質(zhì)原子進(jìn)人間隙時,必然引起晶體結(jié)構(gòu)中電價的不平衡,
這時可以通過生成空位,產(chǎn)生部分取代或離子的價態(tài)變化來保持電價平衡.
3-5試分析形成固溶體后對晶體性質(zhì)的影響。
解:影響有:(1)穩(wěn)定晶格,阻止某些晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)生;(2)活化晶格,形成固溶體后,
晶格結(jié)構(gòu)有一定畸變,處于高能量的活化狀態(tài),有利于進(jìn)行化學(xué)反應(yīng);(3)固溶強(qiáng)化,溶
質(zhì)原子的溶入,使固溶體的強(qiáng)度、硬度升高;(4)形成固溶體后對材料物理性質(zhì)的影響:
固溶體的電學(xué)、熱學(xué)、磁學(xué)等物理性質(zhì)也隨成分而連續(xù)變化,但一般都不是線性關(guān)系。固溶
體的強(qiáng)度與硬度往往高于各組元,而塑性則較低
3-6說明下列符號的含義:VNS,VS,VCI,,(V/Vci,),Cax,,Cac.,Ca,一
解:鈉原子空位;鈉離子空位,帶一個單位負(fù)電荷;氯離子空位,帶一個單位正電荷;最鄰
近的Na'空位、C1空位形成的締合中心;Ca"占據(jù)K.位置,帶一個單位正電荷;Ca原子位于
Ca原子位置上;Ca/處于晶格間隙位置。
3-7寫出下列缺陷反應(yīng)式:(1)NaCl溶入CaClz中形成空位型固溶體;(2)CaCb溶入NaCl
中形成空位型固溶體;(3)NaCl形成肖特基缺陷;(4)Agl形成弗倫克爾缺陷(Ag,進(jìn)入
間隙)。
解:(1)NaClqjNaca'+Clci+Vci,
(2)CaC12^^CaNa,+2C1Ci+VNa
(3)。沁V/+Vci'
(4)AgAgiVAg'+Ag)
3-8MgO的密度是3.58g/cm3,其晶格參數(shù)是0.42nm,計(jì)算單位晶胞MgO的肖特基缺陷數(shù)。
解:設(shè)有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子數(shù)為x,晶胞體積\,=(4.20)3,X=PVN0/M=3.96,單位
晶胞的肖脫基缺陷數(shù)=4-x=0.04。
3-9MgO(NaCl型結(jié)構(gòu))和LizO(反螢石型結(jié)構(gòu))均以氧的立方密堆為基礎(chǔ),而且陽離子都
在這種排列的間隙中,但在MgO中主要的點(diǎn)缺陷是肖特基缺陷,而在Li£中是弗倫克爾型,
請解釋原因。
解:Mg占據(jù)四面體空隙,Li占據(jù)八面體空隙。
3-10Mg0晶體的肖特基缺陷生成能為84kJ/mol,計(jì)算該晶體1000K和1500K的缺陷濃度。
(答:6.4X107,3.5X10-2)
解:n/N=exp(-E/2RT),R=8.314,T=1000k:n/N=6.4X103;T=1500k:n/N=3.5X102?
3-11非化學(xué)計(jì)量化合物FeQ中,Fe"/Fe"=0.1,求FeQ中的空位濃度及x值。(答:2.25X10
~6;0.956)
解:Fe203-E"T2FeF「+3Oo+VFj'
y2yy
-^-=0.172y=0.1-0.3y-y=0.1/2.3=0.0435
Fe=Fe。.。,1一丁
X=l-y=l-O.0435=0.9565,Fe0.95cs0
1-y0.0435
[VFJ']=x+l=1+0.9565=2.22x102
3-12非化學(xué)計(jì)量缺陷的濃度與周圍氣氛的性質(zhì)、壓力大小相關(guān),如果增大周圍氧氣的分
壓.非化學(xué)計(jì)量化合物Fe-Q及Zm“O的密度將發(fā)生怎么樣的變化?增大還是減???為什
么?
解:Zn(g)TZnJ+e'
Zn(g)+l/2O2=ZnO
Zn「+e'+l/2O2->ZnO
[ZnO]=[e>]
,P02T[Zni-]JpJ
1
2O2(g)(->Oo+VF/'+2h'
;
k=[Oo][VM''][h'l/PO,1/2=4[00][VP/]3/P02l/2
[VFJ'18Po21/6,
,POJMJ,]JPJ
3-13對于刃位錯和螺位錯,區(qū)別其位錯線方向、伯氏矢量和位錯運(yùn)動方向的特點(diǎn)。
解:刃位錯:位錯線垂直于b,位錯線垂直于位錯運(yùn)動方向;螺位錯:位錯線平行于b,位錯
線平行于位錯運(yùn)動方向。
3-15有兩個相同符號的刃位錯,在同一滑移面上相遇,它們將是排斥還是吸引?
解:排斥,張應(yīng)力重疊,壓應(yīng)力重疊。
3-16晶界對位錯的運(yùn)動將發(fā)生怎么樣的影響?能預(yù)計(jì)嗎?
解:晶界對位錯運(yùn)動起阻礙作用。
3-17晶界有小角度晶界與大角度晶界之分,大角度晶界能用位錯的陣列來描述嗎?
解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于無序的狀態(tài),而位錯之間的距離可能只有1、
2個原子的大小,不適用于大角度晶界。
3-18從化學(xué)組成、相組成考慮,試比較固溶體與化合物、機(jī)械混合物的差別。
固溶體機(jī)械混合物化合物
以原子尺寸“溶解”
形成原因粉末混合原子間相互反映生成
生成
相數(shù)均勻單相多相單相均勻
化學(xué)計(jì)量不遵守定比定律遵守定比定律
有幾種混合物就有多
化學(xué)組成不確定確定
少化學(xué)組成
以AO溶質(zhì)溶解在B2O3溶劑中為例:
比較項(xiàng)固溶體化合物機(jī)械混合物
化學(xué)組成B%xAxAB2O4AO+B2O3
2(尸0?2)
相組成均勻單相單相兩相有界面
3-19試闡明固溶體、晶格缺陷和非化學(xué)計(jì)量化合物三者之間的異同點(diǎn),列出簡明表格比較。
解:固溶體、晶格缺陷、非化學(xué)計(jì)量化合物都是點(diǎn)缺陷,是晶體結(jié)構(gòu)缺陷,都是單相均勻的
固體,結(jié)構(gòu)同主晶相。熱缺陷一一本征缺陷;固溶體一一非本征缺陷;
分類形成原因形成條件缺陷反應(yīng)化學(xué)式溶解度、缺陷濃度
肖特基MX
熱缺陷熱起伏T>Ok只受溫度控制
弗倫克爾'+VMMX
無:受溫度控制
大小,電負(fù)
無限,有限,攙雜有:攙雜量〈固溶度
固溶體性,電價,受溫度控制
置換,間隙溶解攙雜量>固溶度受
結(jié)構(gòu)
固溶度控制
[h」Jo"
陽缺Fei-xO
非化學(xué)環(huán)境中氣
陰間UO2.X
計(jì)量化氛性質(zhì)和
陽間Zm+xO3]8P臚
合物壓力變化
陰缺Ti0-x
2[V。]8P臚
3-20在面心立方空間點(diǎn)陣中,面心位置的原子數(shù)比立方體項(xiàng)角位置的原子數(shù)多三倍。原子
B溶入A晶格的面心位置中,形成置換型固溶體,其成分應(yīng)該是AaB呢還是AaB?為什么?
解:略。
3-2達(dá)1力3在MgO中形成有限固溶體,在低共熔溫度1995℃時.約有18wt%AbO3溶入MgO
中,假設(shè)MgO單位晶胞尺寸變化可忽略不計(jì)。試預(yù)計(jì)下列情況的密度變化。1)A1*為填隙
離子;2)A1"為置換離子。
解:(a)Al"為填隙離子:
缺陷反應(yīng)為:皿。3*^2爾?+30°+3聯(lián)(1)
A1XV,O
固溶式分子式:卜^
")A1"為置換離子:
缺陷反應(yīng)為:皿。3腌°LALk+3O0+%⑵
Mg3A1XV1O
固溶式分子式:‘十噸^(3)
取100g試樣為基準(zhǔn):(為摩爾數(shù))
1818八?
m4o=------=---=0.176
叫'Min?
1V1^°31UZ(m為摩爾數(shù))
8282八…
m出0=-----=----=2.035
噸。M腌。40.3
AMgO中固溶18%wt的A1Q后的分子式為:
2.O35MgO?0.176A12()3或Mg2.O35Alo.35202.563(4)
(4)式各項(xiàng)除以2.563得Mgo,Alo.137。(5)
由(5)式得尸0.137代入(2)(3)式,
Mg3N013?V3。
對”)有2
即Mg0.794-^0.137^NgO206°
(b)有Mg”94囚0.137^1^0690
設(shè):固溶前后晶胞體積不變,則密度變化為:
p'_0.176MA12O3+2.035MMgO_0.176xl02+2.035x40.3
PM§02.563MMgO2.563x40.3
(PMgO,P'分別代表固溶前后密度)所以,固溶后的密度小于固溶前的密度。
3-22對硫鐵礦進(jìn)行化學(xué)分析:按分析數(shù)據(jù)的Fe/S計(jì)算,得出兩種可能的成分:Fe-S和FeS『“
前者意味著是Fe空位的缺陷結(jié)構(gòu),后者是Fe被置換。設(shè)想用一種實(shí)驗(yàn)方法以確定該礦物
究竟屬哪一類成分?
解:Fe「*S中存在Fe空位,V;非化學(xué)計(jì)量,存在h.P型半導(dǎo)體;FeS…中金屬離子過剩,
存在S,空位,存在e,N型半導(dǎo)體;因Fe-S、FeS-分屬不同類型半導(dǎo)體,通過實(shí)驗(yàn)確定其半
導(dǎo)體性質(zhì)即可。
3-23說明為什么只有置換型固溶體的兩個組分之間才能相互完全溶解,而填隙型固溶體則
不能。
解:(1)晶體中間隙位置是有限的,容納雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)能力<10%;(2)間隙式固溶體的生成,
一般都使晶格常數(shù)增大,增加到一定的程度,使晶格變得不穩(wěn)定而離解;置換固溶體形成是
同號離子交換位置,不會對接產(chǎn)生影響,所以可形成連續(xù)固溶體。
3-24對于MgO、AI2O3和C0O3,其正、負(fù)離子半徑比分別為0.47、0.36和0.40,則A1B
和AW)3形成連續(xù)固溶體。(1)這個結(jié)果可能嗎?為什么?(2)試預(yù)計(jì),在MgO-Cr2()3系
統(tǒng)中的固溶度是有限的還是無限的?為什么?
解:(1)AI2O3與CmOs能形成連續(xù)固溶體,
原因:1)結(jié)構(gòu)內(nèi)型相同,同屬于剛玉結(jié)構(gòu)。
0.40-0.36
=10%<15%
~040~
(2)MgO與Cr203的固溶度為有限
原因:結(jié)構(gòu)類型不同MgO屬于NaCl型結(jié)構(gòu),Cr2O3屬剛玉結(jié)構(gòu)。
r大一40.47-0.40
=14.89<15%
雖然「大0.47
也不可能形成連續(xù)固溶體。
3-25某種NiO是非化學(xué)計(jì)量的,如果NiO中NF/N/=1()T,問每In^中有多少載流子?
解:設(shè)非化學(xué)計(jì)量化合物為NiQ,
Ni◎—>2N1Ni+30o+VNi
y2yy
232
Ni\Ni;-3,O->Ni7Ni=2y/(l-3y)=10、
則y=5Xl(T",x=l-y=0.99995,0.999950
每中有多少載流子即為空位濃度:[“Niky/(l+x)=2.5X10:
3-26在MgO-AkOs和PbTiCh-PbZrOs中哪一對形成有限固溶體,哪一對形成無限固溶體,
為什么?
三—>15%
解:MgO-ALA:r大,即.、r.半徑相差大,MgO(NaCl型)、AL2O3(剛玉)
結(jié)構(gòu)類型差別大,形成有限固溶體;
PbTi(VPbZrO3形成無限固溶體,因?yàn)楸M管Ti"、Zr"半徑相差較大(15.28),但都是(ABOJ
鈣鈦礦型結(jié)構(gòu),Ti"、Zr"都填充八面體空隙,該空隙體積較大,可填入的陽離子的半徑r
值可在一定范圍內(nèi)變化,而不至于使結(jié)構(gòu)變化。
3-27CeO2為螢石結(jié)構(gòu),其中加入15mol%CaO形成固溶體,測得固溶體密度d=7.Olg/cm)
晶胞參數(shù)a=0.5417nm,試通過計(jì)算判斷生成的是哪一種類型固溶體。已知原子量Cel40.12,
Ca40.08,016.00?
解:對于CaO-CeO,固溶體來說,從滿足電中性來看,可以形成氧離子空位的固溶體也可形
成Ca"嵌入陰離子間隙中的固溶體,其固溶方程為:
Ce2
CaO0>Ca'u+O0+V;'
CeOa
2CaO>Cagt+2O0+Ca:
對于置換式固溶體有x=0.15,l-x=0.85,2-x=l.85,所以置換式固溶體化學(xué)式Ca0,i5Ceo.85OLS5
有因?yàn)镃eO?屬于螢石結(jié)構(gòu),晶胞分子數(shù)Z=4,晶胞中有Ca,Ce"、0"三種質(zhì)點(diǎn)。
晶胞質(zhì)量
/0.15八0.85V門1.85
4x-----xMr2++4x------xMr4++8x------xM_2.
W=YWi=------1--------------------1--------------------------------=102.766xlO-22(g)
J6.022xlO22
w
d,=—=0.64653
直V
對于間隙固溶體,其化學(xué)式CazyCeca,與已知組成Cao.isCeo.8501.85相比,0“一不同,
Cao.IsCeo.85()1.85-^Ca),15X2/1.85Ce。.83X2/1.8502
0.15x20.85x2,
2y=-------,l-y=--------=y=0.15/1.85
1.851.85
;?間隙式固溶體化學(xué)式Cao.13X2/1.fisCCl,7/1.85O2
同理可得
d間=£=7033%
實(shí)測密度為d=7.0逐'em,接近于d2
.?.形成間隙固溶體,存在間隙Ca"離子
第四章答案
4-1略。
4-2試簡述硅酸鹽熔體聚合物結(jié)構(gòu)形成的過程和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
解:聚合物的形成是以硅氧四面體為基礎(chǔ)單位,組成大小不同的聚合體??煞譃槿齻€階段:
初期:石英的分化,架狀[SiO,]斷裂,在熔體中形成了各種聚合程度的聚合物。
中期:縮聚并伴隨變形一般鏈狀聚合物易發(fā)生圍繞Si-0軸轉(zhuǎn)動同時彎曲,層狀聚合物
使層本身發(fā)生褶皺、翹曲、架狀聚合物熱缺陷增多,同時Si-0-Si鍵角發(fā)生變化。
[SiOjNa.^[Si207]Na6——[Si30lo]Na8+Na20(短鍵)
3[SiQ。]N須——[Sie0,8]Na,2+2Na20(六節(jié)環(huán))
后期:在一定時間和溫度范圍內(nèi),聚合和解聚達(dá)到平衡??s聚釋放的Na?0又能進(jìn)一步
侵蝕石英骨架而使其分化出低聚物,如此循環(huán),直到體系達(dá)到分化-縮聚平衡為止。
4-3試用實(shí)驗(yàn)方法鑒別晶體si。?、sia玻璃、硅膠和sia熔體。它們的結(jié)構(gòu)有什么不同?
解:利用X射線檢測。
晶體Si02——質(zhì)點(diǎn)在三維空間做有規(guī)律的排列,各向異性。
SiOz熔體一一內(nèi)部結(jié)構(gòu)為架狀,近程有序,遠(yuǎn)程無序。
SiOz玻璃一一各向同性。
硅膠----疏松多孔。
4-4影響熔體粘度的因素有哪些?試分析一價堿金屬氧化物降低硅酸鹽熔體粘度的原因。
解:(1)影響熔體粘度的主要因素:溫度和熔體的組成。
堿性氧化物含量增加,劇烈降低粘度。
隨溫度降低,熔體粘度按指數(shù)關(guān)系遞增。
(2)通常堿金屬氧化物(LizO、Na/0、KQ、RbQ、Cs20)能降低熔體粘度。這些正離子由于
電荷少、半徑大、和O'-的作用力較小,提供了系統(tǒng)中的“自由氧”而使O/Si比值增加,導(dǎo)
致原來硅氧負(fù)離子團(tuán)解聚成較簡單的結(jié)構(gòu)單位,因而使活化能減低、粘度變小。
4-5熔體粘度在727℃時是10,Pa?s,在1156'C時是l()3pa?s,在什么溫度下它是1(/Pa?s?
log?;=H—
解:根據(jù)T
B
7log10=---------
727℃時,〃=10'Pa?s,由公式得:727+273(1)
D
log10J=A-\----------
1156C時,/7=103Pa?s,由公式得:1156+273(2)
聯(lián)立(1),(2)式解得...爐-6.32,於13324
1m<5公”上13324
log10=—6.32H-------
當(dāng)〃=10%?s時,t+273
解得片808.5℃?
4-6試述石英晶體、石英熔體、NazO?2Si()2熔體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上的區(qū)別。
石英晶體石英熔體Na20*2Si02
[SiOj按共頂方式對稱有規(guī)基本結(jié)構(gòu)單元[SiO]呈基本結(jié)構(gòu)單元[Si60M]4呈六
結(jié)構(gòu)
律有序排列,遠(yuǎn)程有序架狀結(jié)構(gòu),遠(yuǎn)程無序節(jié)環(huán)或八節(jié)環(huán),遠(yuǎn)程無序
固體無流動性,熔點(diǎn)高,硬
有流動性,n大,電導(dǎo)有流動性,n較石英熔體小,
性質(zhì)度大,導(dǎo)電性差,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,
率大,表面張力大電導(dǎo)率大,表面張力大
化學(xué)穩(wěn)定性好
4
4-14影響玻璃形成過程中的動力學(xué)因素是什么?結(jié)晶化學(xué)因素是什么?試簡要敘述之。
解:影響玻璃形成的關(guān)鍵是熔體的冷卻速率,熔體是析晶還是形成玻璃與過冷度、粘度、成
核速率、晶體生長速率有關(guān)。玻璃形成的結(jié)晶化學(xué)因素有:復(fù)合陰離子團(tuán)大小與排列方式,
鍵強(qiáng),鍵型。
4-15試計(jì)算下列玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)及非橋氧分?jǐn)?shù)。(1)岫20?Si02:(2)Na20?CaO?AI2O3?Si02;
(3)Na2O?l/SAlA?SiO2;(4)18Na20?lOCaO?72SiO2(wt%)
解:⑴Z=4,R=3/l=3,X=2R-Z=6-4=2,Y=8-2R=8-6=2
非橋氧%="二=二=66.7%
工+X1+2
2
Na2O+CaO?
(2)Al203>1:Al”被視為網(wǎng)絡(luò)形成離子
K="1+3+2=233
Z=4,2+1X=2R-Z=4.66-4=0.66,Y=4-0.66=3.34
非橋氧%='=28.3%
Na.0.
-7%=3
(3)VAl2°3>1:A產(chǎn)被視為網(wǎng)絡(luò)形成離子
R==2.4
勿+1
Z=4,,X=2R-Z=4.8-4=0.8,Y=4-0.8=3.2
非橋氧%=-0-8-=33.3%
1.6+0.8
(4)
Na20CaOSi02
Wt%181072
mol0.2900.1791.200
mol%17.4%10.7%71.9%
17.4+10.7+71.9x2
£\=--=---2-.-3--9---------------------
Z=4,71.9,X=2R-Z=0.78,Y=4-0.78=3.22
非橋氧%=就第=32.6%
4-16有兩種玻璃其組成(mol%)如下表,試計(jì)算玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù),并比較兩種玻璃的粘度
在高溫下何者大?
序號Na#|CaOAI2O3|Si02B203
1|20|1。10600
210b206010
Na2O+
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