《單晶硅單位產(chǎn)品能源消耗限額》（征求意見稿）

ICSCCS點(diǎn)擊此處添加CCS號(hào)51EnergyconsumptionlimitperunitproductofmonocrystallinesiliconIDB51/TXXXX—XXXX 32規(guī)范性引用文件 33術(shù)語和定義 34能耗限額等級(jí) 35技術(shù)要求 46統(tǒng)計(jì)范圍 47計(jì)算方法 5 7 8DB51/TXXXX—XXXX本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。本文件由四川省發(fā)展和改革委員會(huì)提出、歸口并解釋。本文件由四川省市場監(jiān)督管理局批準(zhǔn)與發(fā)布。本文件起草單位：……本文件主要起草人：……本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為：——本次為首次發(fā)布。DB51/TXXXX—XXXX3單晶硅單位產(chǎn)品能源消耗限額本文件規(guī)定了單晶硅單位產(chǎn)品能源消耗（以下簡稱能耗）限額的術(shù)語和定義、技術(shù)要求、統(tǒng)計(jì)范圍與計(jì)算方法、節(jié)能管理與措施。本文件適用于單晶硅方棒和單晶硅片單位產(chǎn)品能耗的計(jì)算、考核，以及對新建、改建和擴(kuò)建項(xiàng)目的能耗控制。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2589綜合能耗計(jì)算通則GB/T12723單位產(chǎn)品能源消耗限額編制通則GB17167用能單位能源計(jì)量器具配備和管理通則GB/T23331能源管理體系要求GB/T15498企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系基礎(chǔ)保障3術(shù)語和定義GB/T2589和GB/T12723界定的術(shù)語和定義適用于本文件。3.1單晶硅方棒monocrystallinesiliconsquarerod高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)用直拉法，通過籽晶使硅溶液按照一定的晶格排序進(jìn)行生長形成的單晶硅棒材，截?cái)嗪笄谐煞叫危侵圃靻尉Ч杵脑稀?.2單晶硅片monocrystallinesilicon通過切割技術(shù)，將單晶硅方棒切割成一定厚度薄片，并通過清洗去除硅片表面微粉、金屬離子等，最終獲得表面清潔的單晶硅片。3.3產(chǎn)品綜合電耗comprehensiveelectricityconsumptionoftheproduct統(tǒng)計(jì)期內(nèi)，用于生產(chǎn)合格產(chǎn)品所消耗的用電量，按照規(guī)定的統(tǒng)計(jì)范圍和計(jì)算方法得到的總和。3.4產(chǎn)品綜合能耗productcomprehensiveenergyconsumption統(tǒng)計(jì)期內(nèi)，用于生產(chǎn)合格產(chǎn)品所消耗的各種能源和耗能工質(zhì)，按照規(guī)定的計(jì)算方法和單位分別折算后的總和。DB51/TXXXX—XXXX44能耗限額等級(jí)4.1單晶硅方棒單位產(chǎn)品能耗單晶硅方棒單位產(chǎn)品能耗限額見表1，其中1級(jí)能耗最低。表1單晶硅方棒單位產(chǎn)品能耗等級(jí)指標(biāo)產(chǎn)品名稱指標(biāo)能耗限定等級(jí)單晶硅方棒單位產(chǎn)品綜合電耗（kW·h/kg）單位產(chǎn)品綜合能耗（kgce/kg）2.62.83.04.2單晶片單位產(chǎn)品能耗單晶硅片單位產(chǎn)品能耗限額見表2，其中1級(jí)能耗最低。表2單晶硅片單位產(chǎn)品能耗等級(jí)指標(biāo)產(chǎn)品名稱規(guī)格指標(biāo)能耗限定等級(jí)單晶硅片182mm×6.56.87.0單位產(chǎn)品綜合能耗（tce/百萬片）8.08.59.0注：以182mm×182mm/130μm為基準(zhǔn)，其它規(guī)格硅片產(chǎn)量在實(shí)物量基礎(chǔ)上乘以折標(biāo)系數(shù)，折標(biāo)系數(shù)為該硅片規(guī)格除以182mm×182mm/130μm。5技術(shù)要求5.1現(xiàn)有單晶硅方棒生產(chǎn)企業(yè)單位產(chǎn)品能耗限定值應(yīng)不大于表1中的3級(jí)，新建、改擴(kuò)建單晶硅方棒企業(yè)單位產(chǎn)品能耗準(zhǔn)入值應(yīng)不大于表1中的2級(jí)。5.2現(xiàn)有單晶硅片生產(chǎn)企業(yè)單位產(chǎn)品能耗限定值應(yīng)不大于表2中的3級(jí)，新建、改擴(kuò)建單晶硅片企業(yè)單位產(chǎn)品能耗準(zhǔn)入值應(yīng)不大于表2中的2級(jí)。6統(tǒng)計(jì)范圍6.1單晶硅方棒主要生產(chǎn)系統(tǒng)：從硅料開始到制備出單晶硅方棒成品為止。包括從洗料、拉單晶、截?cái)唷㈤_方、制冷、供排水等。6.2單晶硅片主要生產(chǎn)系統(tǒng)：從單晶硅方棒開始到單晶硅硅片為止。包括從單晶硅方棒滾磨、切片、清洗、廢液排放等。6.3輔助生產(chǎn)系統(tǒng)：為生產(chǎn)系統(tǒng)服務(wù)的工藝過程、設(shè)施和設(shè)備，包括供水、供電、供氣、供熱、制冷、機(jī)修、儀修、照明、庫房、廠內(nèi)原料輸送以及安全、環(huán)保等裝置及設(shè)施。DB51/TXXXX—XXXX56.4附屬生產(chǎn)系統(tǒng)：為生產(chǎn)系統(tǒng)專門配置的生產(chǎn)指揮系統(tǒng)（廠部）和廠區(qū)內(nèi)生產(chǎn)服務(wù)的部門和單位，包括操作室、中控室、檢測化驗(yàn)室、辦公室、休息室、更衣室等。6.5綜合電耗統(tǒng)計(jì)包括：主要生產(chǎn)系統(tǒng)、輔助生產(chǎn)系統(tǒng)和附屬生產(chǎn)系統(tǒng)所有環(huán)節(jié)消耗的電量。6.6綜合能耗統(tǒng)計(jì)包括：主要生產(chǎn)系統(tǒng)、輔助生產(chǎn)系統(tǒng)和附屬生產(chǎn)系統(tǒng)所有環(huán)節(jié)消耗的電量和其他各種能源的總和。6.7外購的輔助生產(chǎn)系統(tǒng)用能（如空壓站）應(yīng)計(jì)入電耗和能耗，余熱利用裝置用能計(jì)入能耗。回收能源自用部分，計(jì)入自用工序；回收的能源外供或其他非生產(chǎn)用途的應(yīng)予以扣除。6.8能源的低位發(fā)熱量和耗能工質(zhì)耗能量，應(yīng)按實(shí)測值或供應(yīng)單位提供的數(shù)據(jù)折標(biāo)準(zhǔn)煤。無法獲得實(shí)測值的，其折標(biāo)煤系數(shù)可參照國家統(tǒng)計(jì)局公布的數(shù)據(jù)或參考附錄A和附錄B。自產(chǎn)的二次能源，其折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)應(yīng)根據(jù)實(shí)際投入產(chǎn)出計(jì)算確定。7計(jì)算方法7.1單位產(chǎn)品綜合電耗統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，單晶硅方棒或單晶硅片單位合格產(chǎn)品綜合電耗按公式（1）計(jì)算：（1）式中：e——單位單晶硅方棒或單晶硅片單位產(chǎn)品綜合電耗，單位為千瓦時(shí)每千克（kW·h/kg）或萬千瓦時(shí)每百萬片（萬kW·h/百萬片W——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)單晶硅方棒或單晶硅片產(chǎn)品生產(chǎn)綜合耗電量，單位為千瓦時(shí)（kW·h）或萬千M——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)單晶硅方棒或單晶硅片的合格產(chǎn)品產(chǎn)量，單位為千克（kg）或百萬片。7.2綜合能耗統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，單晶硅方棒或單晶硅片合格產(chǎn)品生產(chǎn)所需的綜合能源消耗量按公式（2）計(jì)算：（2）式中：E——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，生產(chǎn)單晶硅方棒或單晶硅片產(chǎn)品實(shí)際所需的綜合能源消耗量，單位為千克標(biāo)準(zhǔn)煤（kgce）或噸標(biāo)煤（tceqi——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，生產(chǎn)單晶硅方棒或單晶硅片產(chǎn)品消耗的第i種能源實(shí)物量，單位為實(shí)物量單位；i——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，生產(chǎn)單晶硅方棒或單晶硅片產(chǎn)品消耗的第i種能源的當(dāng)量折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)；n——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，生產(chǎn)單晶硅方棒或單晶硅片產(chǎn)品消耗的能源品種數(shù)。DB51/TXXXX—XXXX67.3單位產(chǎn)品綜合能耗統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，生產(chǎn)單位合格單晶硅方棒或單晶硅片的綜合能源消耗量按公式（3）計(jì)算：Ed=（3）式中：d——單晶硅方棒或單晶硅片單位產(chǎn)品綜合能耗，單位為千克標(biāo)煤每千克（kgce/kg）或噸標(biāo)煤每百萬片（tce/百萬片E——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)，生產(chǎn)合格單晶硅方棒或單晶硅片產(chǎn)品實(shí)際所需的綜合能源消耗量，單位為千克標(biāo)準(zhǔn)煤（kgce）或噸標(biāo)煤（tceM——統(tǒng)計(jì)報(bào)告期內(nèi)單晶硅方棒或單晶硅片的合格產(chǎn)品產(chǎn)量，單位為千克（kg）或百萬片。DB51/TXXXX—XXXX7（資料性附錄）各種能源折標(biāo)準(zhǔn)煤參考系數(shù)（參考值）各種能源折標(biāo)準(zhǔn)煤參考系數(shù)（參考值）見表A.1。表A.1各種能源折標(biāo)準(zhǔn)煤參考系數(shù)（參考值）能源名稱平均低位發(fā)熱量折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)原煤20934kJ/kg0.7143kgce/kg洗精煤26377kJ/kg0.9000kgce/kg天然氣32238~38979kJ/m31.1000kgce/m3~1.3300kgce/m3熱力（當(dāng)量值）-0.03412kgce/MJ電力（當(dāng)量值）3600kJ/（kW·h）0.1229kgce/（kW·h）8（資料性附錄）各種耗能工質(zhì)折標(biāo)準(zhǔn)煤參考系數(shù)（參考值）各種耗能工質(zhì)折標(biāo)準(zhǔn)煤參考系數(shù)（參考值）見表B.1。表B.1各種耗能工質(zhì)折標(biāo)準(zhǔn)煤參考系數(shù)（參考值）耗能工質(zhì)名稱單位耗能工質(zhì)能耗量折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)新水7.54MJ/t0.2571kgce/t軟水14.24MJ/t0.4857kgce/t壓縮空氣1.17MJ/