2025晶體硅光伏組件

GB/T191GB/T2296GB/T 1部分:按接收質(zhì)量限(AOL)GB/T GB/T GB/T GB/T GB/T 光伏（PV）1GB/T341602017GB/T GB/T GB/T GB/T 1GB/T GB/T31985GB/T GB/T36289.1- 1GB/T36289.2- 2GB/T GB/T NB/T Pmax：最大功率（maximumpower）Isc：短路電流（short-circuitcurrent）FF：填充因子（FillFactor）IP67：防護(hù)安全級(jí)別（IngressProtectionRating67按照電池片類型，可分為單晶硅組件和多晶硅組件兩大類；單晶硅組件又分為P型和N型兩類；按照組件的電池片切割工藝，可分為：1/2片；示例：DAS-WH144P6-450P166144450WGB/T9535(IEC61215)GB/T20047(IEC61730)標(biāo)準(zhǔn)，晶體硅光伏組件應(yīng)滿GB/T9535(IEC61215)系列和GB/T20047(IEC61730)系列標(biāo)準(zhǔn)的相應(yīng)要求。并聯(lián)電阻：≥30透光率：≥93.8%（380-1100nm范圍內(nèi)%%%透水率：<35體積電阻率：1.0*1015耐磨性：≥60%水汽透過(guò)率：≤2.0g/（m2·24h）（電解傳感器法阻燃性：VTM擊穿電壓：≥17體積電阻率：≥1.0×1015DTI：≥150μm（1000V），≥300CTI：＞600VCTI：＞600700Lux~1000Lux1m面積≤6mm25處；度≤50mm,數(shù)量≤3處；GB/T34160-2017或等同測(cè)試方法，P21.0%;N型單晶硅21.5%;19.0%。GB/T953510.7GB/T953510.8GB/T953510.9GB/T953510.12GB/T953510.14GB/T953510.15GB/T953510.17表1MQTMQTMQT小于40MΩ.㎡。MQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQT2、對(duì)于面積大于0.1不小于40MΩ.㎡。MQTMQT旁路二極旁路二極管MQT1旁路二極管MQT穩(wěn)定MQTMQT（P-P）/P表2MSTMSTMST小于40MΩ.㎡。MST5MSTMSTMSTMST接線盒保持在安MST力測(cè)MSTMST管試驗(yàn)旁路二極MST1旁路二極MSTMSTMSTMSTMSTMSTMSTMSTMST于0.1Ω。MST1MST1IEC61730-15.5MSTIEC61730-2B所規(guī)定MST的施放點(diǎn)垂直高度超過(guò)150mm的時(shí)間不允許超過(guò)15s。MST1MST23直徑為76mm6.5cm的微粒。MSTMSTMSTMST3IEC61215-2MQT13GB/T6495.1（IECIEC61730-2-MST54GB/T6495.1（IEC組件動(dòng)態(tài)機(jī)械載荷試驗(yàn)依據(jù)IEC61215-2MQT20的要求進(jìn)行。試驗(yàn)前后按照GB/T6495.1(IEC60904-1)的要求進(jìn)行組件最大功率測(cè)試。PID試驗(yàn)依據(jù)IEC61215-2MQT21IEC62804-1的要求進(jìn)行。試驗(yàn)前后按照GB/T6495.1(IEC60904