《集成電路封裝工藝項(xiàng)目教程(活頁(yè)式)》 課件 1.4 任務(wù)三 晶圓減薄質(zhì)量檢查及異常處理_第1頁(yè)
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任務(wù)三晶圓減薄質(zhì)量檢查及異常處理晶圓減薄知識(shí)目標(biāo)任務(wù)三晶圓減薄質(zhì)量檢查及異常處理1.了解減薄故障的分析與處理流程2.理解減薄故障的分析與處理過(guò)程注意事項(xiàng)3.掌握減薄故障的分析與處理的設(shè)備操作和崗位技能任務(wù)描述(1)判斷減薄過(guò)程中不同的故障現(xiàn)象,分析其產(chǎn)生的原因;(2)針對(duì)故障進(jìn)行排查與處理。一、晶圓貼膜氣泡每完成一片晶圓貼膜,都要對(duì)貼膜外觀進(jìn)行檢查,確認(rèn)晶圓貼膜質(zhì)量是否合格,并對(duì)存在問(wèn)題的貼膜進(jìn)行相應(yīng)處理,保證后續(xù)工藝的正常進(jìn)行。一、晶圓貼膜氣泡1.異?,F(xiàn)象與原因晶圓背面存在顆粒物操作時(shí)貼膜的溫度未達(dá)到設(shè)定值貼膜溫度設(shè)置不合適晶圓貼膜氣泡一、晶圓貼膜氣泡2.異常排查與處理晶圓貼膜氣泡轉(zhuǎn)移至揭膜區(qū)揭膜檢查與處理步驟一、晶圓貼膜氣泡2.異常排查與處理轉(zhuǎn)移至揭膜區(qū)揭膜檢查晶圓背面,排查異物檢查與處理步驟一、晶圓貼膜氣泡2.異常排查與處理轉(zhuǎn)移至揭膜區(qū)揭膜檢查晶圓背面,排查異物去除背面灰塵重新貼膜檢查貼膜質(zhì)量檢查與處理步驟二、晶圓劃傷遇到晶圓劃傷異?,F(xiàn)象時(shí),需要針對(duì)可能的原因,進(jìn)行排查與處理。背面劃傷:重新研磨。正面劃傷:報(bào)廢處理。晶圓正面劃傷示意圖二、晶圓劃傷1.異常現(xiàn)象與原因晶圓劃傷固體顆粒物或尖銳物造成的減薄機(jī)臺(tái)盤與晶圓背面有固體顆粒2.異常排查與處理晶圓放入減薄機(jī)上料區(qū)上料區(qū)二、晶圓劃傷異常晶圓放入減薄機(jī)檢查與處理步驟2.異常排查與處理二、晶圓劃傷用氣槍清理減薄的減薄載片臺(tái)異常晶圓放入減薄機(jī)排除顆粒雜質(zhì)的影響檢查與處理步驟2.異常排查與處理二、晶圓劃傷異常晶圓放入減薄機(jī)排除顆粒雜質(zhì)的影響處理劃傷晶圓檢查與處理步驟顯示器下方操作盤2.異常排查與處理二、晶圓劃傷異常晶圓放入減薄機(jī)排除顆粒雜質(zhì)的影響處理劃傷晶圓確認(rèn)處理情況檢查與處理步驟晶圓劃傷處理完成遇到該故障時(shí),需要針對(duì)可能的原因,進(jìn)行排查與處理。損壞嚴(yán)重:報(bào)廢處理。損傷較輕:重新減薄。注意:厚度不可低于規(guī)定的最小范圍,否則芯片在后續(xù)作業(yè)中易損壞。三、晶圓裂痕晶圓裂痕示意圖1.異常現(xiàn)象與原因三、晶圓裂痕晶圓裂痕有不良外力造成晶圓表面損傷如:作業(yè)參數(shù)不良如:磨削砂輪磨損2.異常排查與處理三、晶圓裂痕到對(duì)應(yīng)的作業(yè)工位檢查與處理步驟前往減薄區(qū)作業(yè)工位檢查2.異常排查與處理三、晶圓裂痕到對(duì)應(yīng)的作業(yè)工位檢查減薄參數(shù)檢查與處理步驟核對(duì)減薄機(jī)界面參數(shù)減薄作業(yè)參數(shù)2.異常排查與處理三、晶圓裂痕到對(duì)應(yīng)的作業(yè)工位檢查減薄參數(shù)檢查磨削砂輪檢查與處理步驟磨削砂輪損壞嚴(yán)重2.異常排查與處理三、晶圓裂痕到對(duì)應(yīng)的作業(yè)工位檢查減薄參數(shù)檢查磨削砂輪更換磨削砂輪檢查與處理步驟更換新的磨削砂輪2.異常排查與處理三、晶圓裂痕到對(duì)應(yīng)的作業(yè)工位檢查減薄參數(shù)檢查磨削砂輪更換磨削砂輪設(shè)備調(diào)試,確認(rèn)更換正常檢查與處理步驟1.晶圓貼膜氣泡的可能原因分析

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