2025電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法合訂本

供不同類型的電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力可靠性試驗(yàn)方法，T/CECXXXXXXGB/T9178-1988集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T4365-2003GB/T4937.23-202323GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)GB/T42968.1-20231GB/T43034.3-20233IEC62132-44(Integrated-Measurementofelectromagneticimmunity150kHzto1GHz-Part4:DirectRFpowerinjection電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)板ElectromagnetictemperaturecomprehensivestressexperimentalIC(Integratedcircuit)DUT（Deviceundertest）dB分貝（Decibel）6dB（典型值），并應(yīng)在試驗(yàn)前進(jìn)行確認(rèn)。CW150kHz～3GB/T42968.1-20037.4.1

=???=exp

之前，應(yīng)檢查試驗(yàn)使用的所有設(shè)備（DUT），以確保其具有足夠的電磁抗擾度。IEC62132-44.2、4.3DUT1.5，增益準(zhǔn)確度應(yīng)在±0.5dB，失真小于-20dBc（RF20dB）；——瞬態(tài)電磁干擾發(fā)生器包含電快速瞬變脈沖群、浪涌、阻尼振蕩波的發(fā)生器，應(yīng)按照GB/T17626.4-2018、GB/T17626.5-2019、GB/T17626.18-20166.1DUTDUTDUT1注：試驗(yàn)限值（例如電磁干擾和溫度的試驗(yàn)限值）DUTF；d）DUTDUT168hDUT下4h4h2DUT附錄IC附錄線路驅(qū)動(dòng)器：驅(qū)動(dòng)離開(kāi)應(yīng)用板的信號(hào)（全局引腳）ISO9141LINb)ISO9141LINLVDSCANLVDSICCPU（CU（控制單元））并執(zhí)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算（ALU（算術(shù)/邏輯單元））；ICEMCIC電路的一部分。與這些電路相關(guān)的所有引腳（例如分頻器、數(shù)字邏輯輸入引腳）IC附錄ICC.1附錄100Ω的其它電阻值。在試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)說(shuō)明所采用的電阻值和電容值。D.1D.2D.2附錄E.1，其中ICE.1E.2IOE.3DUT的功能。E.3E.4E.5n.p.——除非為了ICRu/RoGB/T17626.4GB/T17626.5附錄F.1 F.2瞬態(tài)電磁干擾試驗(yàn)限值等級(jí)示例 附錄A（資料性）通用試驗(yàn)項(xiàng) 附錄B（資料性）監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè) 附錄C（資料性）試驗(yàn)報(bào) 提供不同類型電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法，T/CECXXXXXX3GB/T4365-2003GB/T4937.2323GB/T17626.4-2018GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)GB/T42968.1-20231GB/T43034.3-20233T/CECXXXX.1- 1deviceundermicrocontrolIDD0靜態(tài)工作電流PVIL輸出低電平VIH輸出高電平VDD電源電壓VDDIOADC模擬數(shù)字轉(zhuǎn)化器(Analog-to-DigitalConverter)CAN控制器局域網(wǎng)總線（ControllerAreaNetwork）GPIO（General-purposeinput/output）I2C（Inter-IntergratedCircuit）MAC媒體訪問(wèn)控制(MediaAccessControl)PWM（PulseWidthModulation）SPI（SerialPeripheralUART（UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter）USB通用串行總線（UniversalSerialBus）B。T/CECXXXX.1-20XXDET/CECXXXX.1-20XXDE的要求。對(duì)于高速通信引腳，還需要額4附錄GPIOGPIO（典型值及極限值）可參考被測(cè)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)。GPIODUTDUTA.1GPIOMCUI2C、SPI、UART、USB、CAN、MACADCPWM連。ADCADCPWMA.2CANMAC附錄DUTB.1中所示。DUTDUT的功能DUT的電氣參數(shù)的測(cè)試。B.1附錄

C.1 DUTDUTDUT運(yùn)行模式/率：次溫度UART 附錄A（資料性）電源芯片特征參數(shù)測(cè)量方 附錄B（資料性）試驗(yàn)報(bào) 提供不同類型電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法，T/CECXXXXXX323GB/T9178-1988集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T4365-2003GB/T4937.23-202323GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)GB/T42968.1-20231GB/T43034.3-20233T/CECXXXX.1-20XX1GB/T17626.4-2018、GB/T17626.5-2019、GB/T17626.18-2016T/CECXXXX.1-20XXPowerIntegratedLineLoadPowerSupplyRejectionRatioPowerDUT被測(cè)設(shè)備（DeviceUnderTest）VCC電路供電電壓（VoltCurrentCondenser）GND接地端（Ground）VIN電壓輸入（VoltageInput）VOUT電壓輸出（VoltageOutput） 12V、5V、3.3VDUTDUT——DUT——DUT——DUT——DUT——DUTDUTDUTT/C