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…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁,總=sectionpages22頁第=page11頁,總=sectionpages11頁2025年湘教新版選擇性必修2化學上冊階段測試試卷含答案考試試卷考試范圍:全部知識點;考試時間:120分鐘學校:______姓名:______班級:______考號:______總分欄題號一二三四五總分得分評卷人得分一、選擇題(共5題,共10分)1、若將基態(tài)6C的電子排布式寫成ls22s22p2x,它違背了A.能量守恒原理B.泡利原理C.能量最低原理D.洪特規(guī)則2、工業(yè)上用C還原SiO2可得半導體材料Si和CO。下列說法正確的是A.鍵能大?。篍(C-C)B.電離能大?。篒1(Si)<I1(O)C.電負性大?。簒(O)<x(C)D.酸性強弱:H2CO32SiO33、某化合物可用于治療汞中毒;結構如下圖所示,其中X;W、Y、M、Z是短周期主族元素且原子序數(shù)依次增大,Y與Z屬于同族元素。下列說法正確的是。
A.簡單離子半徑大?。篗>Y>XB.簡單氫化物的沸點:Y>WC.電負性大小:Y>W>ZD.除X以外,其它元素均滿足8電子穩(wěn)定結構4、四種基態(tài)原子的價電子排布式如下:①2s22p5;②3s23p3;③2s22p4;④3s23p2,下列有關說法正確的是A.電負性:③>④>①B.簡單離子半徑:①>③C.單質(zhì)的氧化性:②>③D.最高價含氧酸的酸性:②>④5、某多孔儲氫材料前驅(qū)體結構如圖;M;W、X、Y、Z五種短周期元素原子序數(shù)依次增大,Z原子最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的3倍。下列說法正確的是。
A.Z的氧化物只含極性鍵B.原子半徑:M>W>X>Y>ZC.Z的氫化物沸點一定比X的氫化物的沸點高D.W形成最高價氧化物對應水化物的酸性弱于X評卷人得分二、多選題(共7題,共14分)6、下列敘述不正確的是A.z≥83的元素都是放射性元素B.周期表中過渡元素種數(shù)比主族元素種數(shù)多C.在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子D.離子化合物中不一定含有非金屬元素7、膦(PH3)又稱磷化氫,在常溫下是一種無色有大蒜臭味的有毒氣體,電石氣的雜質(zhì)中常含有磷化氫。以下關于PH3的敘述正確的是A.PH3分子中無未成鍵的孤對電子B.PH3是極性分子C.它的分子構型是三角錐形D.磷原子采用sp2雜化方式8、下列各組分子的立體構型相同的是A.B.C.D.9、下列分子或離子中,VSEPR模型為四面體形,但分子或離子的空間結構為V形的是A.B.C.D.10、鈷是重要的過渡元素,能形成多種穩(wěn)定的配合物。CoCl3·6NH3是一種重要的配合物,研究分子結構發(fā)現(xiàn)其絡離子形狀為正八面體。取1mol該配合物,加入足量硝酸銀溶液,產(chǎn)生xmol不溶于稀硝酸的白色沉淀。下列說法正確的是A.Co元素在周期表中位于第4周期VIIIB族B.配合物中絡離子化學式為[Co(NH2)6]3+C.x≤3D.若晶體Co為A1型密堆積,晶胞參數(shù)為acm,則鈷原子的半徑為a×1010pm11、金屬鐵有δ;γ、α三種結構;各晶胞如圖。下列說法不正確的是。
A.三種晶胞中實際含有的鐵原子的個數(shù)之比為2:4:1B.三種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為1:3:2C.三種晶胞密度之比為32:37:29D.δ-Fe晶胞的空間利用率為12、設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法中正確的是A.12g金剛石中含有C-C的個數(shù)為4NAB.124g白磷(P4)晶體中含有P-P的個數(shù)為6NAC.28g晶體硅中含有Si-Si的個數(shù)為2NAD.SiO2晶體中1mol硅原子可與氧原子形成2NA個共價鍵(Si-O)評卷人得分三、填空題(共5題,共10分)13、銅礦資源是金屬礦產(chǎn)資源之一;我國具有豐富的銅礦資源,主要有斑巖型;硅卡巖型、砂巖型、火山巖型、銅鎳型等?;卮鹣铝袉栴}:
(1)焰火中的綠色是銅的焰色,基態(tài)銅原子在灼燒時價電子發(fā)生了_______而變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)。
(2)基態(tài)Cu原子的價電子排布式為_______,基態(tài)鎳原子的價電子軌道表示式為_______。
(3)黃銅是人類最早使用的合金之一,主要由Zn和Cu組成。Zn的第一電離能_______(填“大于”或“小于”)Cu的第一電離能﹐原因是_______。14、Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知:①Z的原子序數(shù)為26,其余的均為短周期主族元素;②Y原子價電子(外圍電子)排布msnmpn③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù);④Q;X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。請回答下列問題:
(1)R3-的核外電子排布式是____________________________;
(2)寫出Z(OH)3加熱的化學方程式_________________________;
(3)Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙,下列判斷正確的是________;
a.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲>乙b.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲<乙。
c.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲<乙d.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲>乙。
(4)Q、R、Y三種元素的原子半徑從大到小的順序為____________(用元素符號作答)
(5)Q的一種氫化物相對分子質(zhì)量為26,其電子式為__________________
(6)X和Y形成的化合物晶體屬于____________。15、(1)比較結合OH-能力的強弱:___________Al3+(填“>”“<”或“=”)。用一個化學方程式來說明乙酸的酸性強于碳酸___________。
(2)已知化學式為NH5的物質(zhì)是離子化合物,其中氮元素的化合價為-3價,各原子均達到稀有氣體的穩(wěn)定結構,其電子式為___________。
(3)SiO2的熔點比CO2的熔點高。原因是___________。16、CO2和CH4在一定條件下合成乙酸:CO2+CH4CH3COOH。完成下列填空:
(1)①寫出碳原子最外電子層的軌道表示式______
②鈦(Ti)是22號元素,它是______(選填編號)
a.主族元素b.副族元素c.短周期元素d.長周期元素。
(2)CS2分子的電子式為______;其熔沸點比CO2高,原因是______常溫下,向1LpH=10的NaOH溶液中持續(xù)通入CO2。通入CO2的體積(V)與溶液中水電離產(chǎn)生的OH﹣離子濃度(c)的關系如圖所示。
(3)c點溶液中離子濃度由大至小的關系是:______
(4)a點溶液中由水電離產(chǎn)生的c(H+)=______;b點溶液中c(H+)______1×10﹣7mol/L(填寫“等于”;“大于”或“小于”)
(5)能使0.1mol/L乙酸溶液的電離程度以及pH都增大的是______(選填序號)
a.加水稀釋b.加入少量乙酸鈉固體c.通氯化氫d.加入少量苛性鈉固體17、Goodenough等人因在鋰離子電池及鈷酸鋰;磷酸鐵鋰等正極材料研究方面的卓越貢獻而獲得2019年諾貝爾化學獎?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Fe2+價電子排布圖為___________。
(2)Li及其周期表中相鄰元素的第一電離能(I1)如表所示。I1(Li)>I1(Na),原因是___________。I1(Be)>I1(B)>I1(Li),原因是___________。熔點Li2O___________Na2O(填“>”或“<”)。I1/(kJ/mol)Li:520Be:900B:801Na:496Mg:738Al:578
(3)磷酸根離子的空間構型為___________,其中P的雜化軌道類型為___________;與PO互為等電子體的陰離子有___________(寫出一種離子符號)。
(4)金剛石與石墨都是碳的同素異形體。金剛石屬于___________晶體。若碳原子半徑為rnm,根據(jù)硬球接觸模型,金剛石晶胞中碳原子的空間占有率為___________(用含π的代數(shù)式表示)。
評卷人得分四、結構與性質(zhì)(共2題,共8分)18、已知銅的配合物A(結構如圖)。請回答下列問題:
(1)Cu的簡化電子排布式為___________________。
(2)A中配位原子是_________,配位原子的第一電離能由大到小順序為_________,雜化軌道類型均為_______________。
(3)配體氨基乙酸根(H2NCH2COO-)受熱分解可產(chǎn)生CO2和N2,N2中α鍵和π鍵數(shù)目之比是_________;N2O與CO2互為等電子體,且N2O分子中0只與一個N相連,則N2O的電子式為_________。
(4)在Cu催化下,甲醇可被氧化為甲醛(HCHO),甲醛分子中H—C—O的鍵角_________(選填“大于”、“小于”或“等于”)120?。甲醇沸點_________甲醛(選填“大于”、“小于”或“等于”),原因是_________。
(5)立方氮化硼與金剛石結構相似,是超硬材料。立方氮化硼的晶胞如圖所示,N填充在由B組成的四面體空隙中,則N原子半徑RN最大為_________(用B原子半徑RB和晶體邊長a表示),立方氮化硼晶體內(nèi)B—N鍵數(shù)與硼原子數(shù)之比為_________。結構化學上用原子坐標參數(shù)表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置,下圖(右)立方氮化硼的晶胞中,B原子的坐標參數(shù)分別有:B(0,0,0);B(l/2,0,l/2);B(l/2,l/2,0)等。則距離上述三個B原子最近且等距的N原子的坐標參數(shù)為_________。19、氫;氮、氧、鐵、銅等元素及其化合物在人們的日常生活中有著廣泛的用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)寫出基態(tài)銅原子的價電子排布式__________________
(2)和銅在同一周期中,基態(tài)原子未成對電子數(shù)為2的元素共有______種。
(3)NH4HF2中HF2-的結構為F-HF-,則NH4HF2中含有的化學鍵有_________
(A)離子鍵(B)共價鍵(C)金屬鍵(D)氫鍵(E)配位鍵。
(4)寫出與NH4+互為等電子體的一種分子的化學式________;
(5)CH3OH分子中C原子的雜化方式為_________,鍵角:H-C-H_______H-O-C。(填“<”、“>”;“=”)
(6)Cu與Cl形成某種化合物的晶胞如下圖所示,Cu的配位數(shù)是________,該晶體的密度為ρg·cm-3,晶胞邊長為acm,則阿伏加德羅常數(shù)為____________(用含ρ;a的代數(shù)式表示)。
評卷人得分五、計算題(共4題,共12分)20、(1)鈷的一種氧化物的晶胞如圖所示,在該晶體中與一個鈷原子等距離且最近的鈷原子有___________個;與一個鈷原子等距離且次近的氧原子有___________個;若該鈷的氧化物晶體中鈷原子與跟它最近鄰的氧原子之間的距離為r,該鈷原子與跟它次近鄰的氧原子之間的距離為___________;已知在該鈷的氧化物晶體中鈷原子的半徑為apm,氧原子的半徑為bpm,它們在晶體中是緊密接觸的,則在該鈷的氧化物晶體中原子的空間利用率為___________(用含a、b的式子表示)。
(2)筑波材料科學國家實驗室一個科研小組發(fā)現(xiàn)了在5K下呈現(xiàn)超導性的晶體,該晶體具有CoO2的層狀結構(如下圖所示,小球表示Co原子,大球表示O原子)。下列用粗線畫出的重復結構單元示意圖不能描述CoO2的化學組成的是___________。
21、根據(jù)晶胞結構示意圖;計算晶胞的體積或密度。
(1)N和Cu元素形成的化合物的晶胞結構如圖所示,則該化合物的化學式為____。該化合物的相對分子質(zhì)量為M,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。若該晶胞的邊長為acm,則該晶體的密度是______g·cm-3。
(2)S與Cu形成化合物晶體的晶胞如圖所示。已知該晶體的密度為ag·cm-3,則該晶胞中硫原子的個數(shù)為______的體積為______cm3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。
22、石墨的片層結構如圖所示;試回答:
(1)片層中平均每個正六邊形含有_______個碳原子。
(2)在片層結構中,碳原子數(shù)、C-C鍵、六元環(huán)數(shù)之比為_______。
(3)ng碳原子可構成_______個正六邊形。23、10mL某氣態(tài)烴,在50mLO2中充分燃燒,得到液態(tài)水,以及35mL混合氣體(所有氣體均在同溫同壓下測定),該氣態(tài)烴是什么?____________(寫出計算過程和烴的分子式)參考答案一、選擇題(共5題,共10分)1、D【分析】【分析】
【詳解】
A.能量既不會憑空產(chǎn)生,也不會憑空消失,它只能從一種形式轉(zhuǎn)化為別的形式,或者從一個物體轉(zhuǎn)移到別的物體,在轉(zhuǎn)化或轉(zhuǎn)移的過程中其總量不變,6C的電子排布式寫成ls22s22p2x沒有違背能量守恒原理;故A不符合題意;
B.泡利原理指的是在一個原子軌道里,最多只能容納兩個電子,而且它們的自旋狀態(tài)相反,基態(tài)6C的電子排布式寫成ls22s22p2x;沒有違背泡利原理,故B不符合題意;
C.能量最低原則指的是電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的原子軌道,使整個原子體系能量處于最低,這樣的狀態(tài)是原子的基態(tài),6C的電子排布式寫成ls22s22p2x;沒有違背能量最低原理,故C不符合題意;
D.6C原子2p能級上有3個軌道,2p能級上有2個電子,2個電子應該排在2個不同的軌道上,且自旋方向相同,若將基態(tài)6C的電子排布式寫成ls22s22p2x,它違背了洪特規(guī)則,正確的電子排布式為:1s22s22px12py1;故D符合題意;
答案選D。2、B【分析】【詳解】
A.同主族元素;隨著原子核電荷數(shù)變大,半徑半徑變大,鍵能變小,故E(C-C)>E(Si-Si),A錯誤;
B.同周期原子第一電離能隨著核電荷數(shù)變大呈增大趨勢,第VA族遵循半滿規(guī)則,能量最低,電離能大于第VIA族電離能,電離能大小VA族>VIA族>IVA族,故I1(C)<I1(O),同主族元素第一電離能隨著核電荷數(shù)增大而增大,故I1(Si)<I1(C),故I1(Si)<I1(O);B正確;
C.同周期原子,電負性隨核電荷數(shù)增大而增大,電負性大小:x(C)<x(O);C錯誤;
D.同主族元素,非金屬性隨核電荷數(shù)增加而減弱,最高價氧化物對應的水化物酸性減弱:H2CO3>H2SiO3;D錯誤;
故答案為:B。3、B【分析】【分析】
X原子序數(shù)最??;且X與Y形成1個共價鍵,說明X的最外層含有1個電子,則X為H,Y與Z屬于同族元素,而Y形成2個共價鍵,則Y為O;Z為S,W原子序數(shù)比O小,且形成4個共價鍵,則W為C,M的原子序數(shù)大于O小于S,且形成一個正電荷的陽離子,則M為Na;
【詳解】
分析可知;X為H,W為C,Y為O,M為Na,Z為S元素;
A.電子層越多離子半徑越大,電子層結構相同時,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,則簡單離子半徑大小順序為:O2->Na+>H+;即Y>M>X,故A錯誤;
B.由于H2O中含有氫鍵,沸點比H2S高,則簡單氫化物的沸點:Y>W;故B正確;
C.非金屬性越強電負性越大,非金屬性O>S>C,則電負性:Y>Z>W;故C錯誤;
D.該化合物中S元素只形成4個共價鍵;最外層只有6個電子,Z不滿足8電子穩(wěn)定結構,故D錯誤;
故選:B。4、D【分析】【分析】
由四種元素基態(tài)原子價電子排布式可知,①2s22p5是F元素;②3s23p3是P元素;③2s22p4是O元素;④3s23p2是Si元素;據(jù)此解答。
【詳解】
A.同周期自左而右電負性增大;同主族自上而下電負性減小,所以電負性是F>O>Si,即①>③>④,故A錯誤;
B.核外電子排布相同;離子半徑隨原子序數(shù)的增大而減小,故簡單離子半徑O>F,即③>①,故B錯誤;
C.非金屬性O>P;所以單質(zhì)的氧化性:③>②,故C錯誤;
D.同周期自左而右非金屬性逐漸增強;最高價含氧酸的酸性逐漸增強,非金屬性P>Si,所以最高價含氧酸的酸性P>Si,即:②>④,故D正確;
故選D。5、D【分析】【分析】
Z原子最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的3倍;則Z是O元素;根據(jù)多孔儲氫材料前驅(qū)體結構可知M是H元素,W是B元素,X是C元素,Y是N元素,以此解題。
【詳解】
A.O的氫化物有H2O、H2O2,H2O2中含極性鍵;非極性鍵;A錯誤;
B.同周期越靠右原子半徑越大,一般來說電子層越多半徑越大,故原子半徑:B>C>N>O>H;B錯誤;
C.C能形成多種氫化物,有些C的氫化物呈固態(tài),所以H2O、H2O2的沸點不一定比C的氫化物的沸點高;C錯誤;
D.非金屬性越強;其最高價氧化物對應水化物的酸性越強,故碳酸的酸性大于硼酸,D正確;
故選D。二、多選題(共7題,共14分)6、AD【分析】【分析】
【詳解】
略7、BC【分析】【分析】
【詳解】
A.PH3分子中的孤對電子數(shù)為=1,故PH3中有1個孤電子對;A錯誤;
B.N和P為同一主族元素,故PH3與NH3互為等電子體,NH3極易溶于水,根據(jù)相似相溶原理可知,故PH3是極性分子;B正確;
C.由A分析可知,PH3中P原子周圍形成了3個σ鍵;有1對孤電子對,故它的分子構型是三角錐形,C正確;
D.有A和C分析可知,磷原子周圍的價層電子對數(shù)為4,故P采用sp3雜化方式;D錯誤;
故答案為:BC。8、AC【分析】【詳解】
A.空間構型為V形;中O原子的價層電子對數(shù)為2+=4;有1對孤電子對,分子的立體構型為V形,選項A正確;
B.中O原子的價層電子對數(shù)為2+=4,有1對孤電子對,分子的立體構型為V形;NH3中N原子的價層電子對數(shù)為3+=4,有一對孤電子對,則N原子為sp3雜化;分子的空間構型為三角錐形,選項B錯誤;
C.中Sn原子的價層電子對數(shù)為2+=3,有1對孤電子對,則中Sn原子為sp2雜化,分子的空間構型為V形;中N原子的價層電子對數(shù)為2+=2;有1對孤電子對,則N原子為sp雜化,分子的空間構型為V形,選項C正確;
D.中C原子的價層電子對數(shù)為4+=4,無孤電子對,C原子為sp3雜化,分子的立體構型為正四面體;SO3中S原子的價層電子對數(shù)為3+=3,無孤電子對,則S原子為sp2雜化;分子的空間構型為平面三角形,選項D錯誤;
答案選AC。9、AD【分析】【詳解】
A.中心原子價層電子對數(shù)為2+=4;則VSEPR模型為四面體形,空間構型為V形,故A正確;
B.中心原子價層電子對數(shù)為3+=4;則VSEPR模型為四面體形,空間構型為三角錐形,故B錯誤;
C.中心原子價層電子對數(shù)為2+=2;則VSEPR模型為直線形,空間構型為直線形,故C錯誤;
D.中心原子價層電子對數(shù)為2+=4;則VSEPR模型為四面體形,空間構型為V形,故D正確;
故答案為AD。10、BD【分析】【詳解】
A.鈷元素的原子序數(shù)為27;位于元素周期表第四周期Ⅷ族,故A錯誤;
B.由絡離子形狀為正八面體可知,鈷離子與6個氨氣分子形成絡離子,化學式為[Co(NH2)6]3+;故B正確;
C.由絡離子形狀為正八面體可知,鈷離子與6個氨氣分子形成絡離子,氯離子為外界離子,配合物的化學式為[Co(NH2)6]Cl3;1mol配合物與足量硝酸銀溶液反應生成3mol不溶于稀硝酸的氯化銀白色沉淀,故C錯誤;
D.若晶體鈷為面心立方堆積,鈷原子位于晶胞的頂點和面心,設鈷原子的半徑為r,則面對角線為4r,由晶胞參數(shù)為acm可得:(4r)2=a2+a2,解得r=acm=a×1010pm;故D正確;
故選BD。11、BC【分析】【分析】
【詳解】
A.三種晶胞中實際含有的鐵原子的個數(shù)之比為(8×+1):(8×+6×):(8×)=2:4:1;故A正確;
B.δ-Fe為體心立方堆積;以體心Fe研究可知Fe原子配位數(shù)為8,γ-Fe為面心立方堆積,F(xiàn)e原子配位數(shù)為12,α-Fe為簡單立方堆積,可知Fe原子配位數(shù)為6,故δ-Fe;γ-Fe、α-Fe兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為8:12:6=4:6:3,故B錯誤;
C.設鐵原子半徑為a,根據(jù)晶胞結構圖,γ-Fe晶體中晶胞的棱長為δ-Fe晶體中晶胞的棱長為α-Fe晶體中晶胞的棱長為2a,所以三種晶胞的棱長之比為:233,原子數(shù)之比2:4:1,密度之比:=故C錯誤;
D.δ-Fe晶胞的空間利用率為==故D正確;
故選BC。12、BC【分析】【分析】
【詳解】
A.金剛石中每個C原子形成4個C-C鍵,每個C-C鍵被兩個C原子共用,則每個C具有=2個C-C鍵,12g金剛石含有1mol碳原子,含有C-C的個數(shù)為2NA;A錯誤;
B.1mol白磷含有6molP—P鍵,124g白磷(P4)物質(zhì)的量為1mol,因此124g白磷晶體中含有P—P鍵的個數(shù)為6NA;B正確;
C.與金剛石類似,晶體硅中每個Si原子形成Si-Si鍵,28g晶體硅物質(zhì)的量為1mol,因此中含有Si—Si鍵的個數(shù)為2NA;C正確;
D.SiO2晶體中每個Si與周圍4個O原子結合形成4個Si—O鍵,因此SiO2晶體中每摩爾硅原子可與氧原子形成4NA個共價鍵(Si—O鍵);D錯誤;
綜上所述答案為BC。三、填空題(共5題,共10分)13、略
【分析】【分析】
【詳解】
(1)基態(tài)銅原子在灼燒時價電子會發(fā)生躍遷;變成激發(fā)態(tài),而焰火中的綠色是由激發(fā)態(tài)到基態(tài)的發(fā)射光譜;
(2)Cu為29號元素,根據(jù)核外電子排布規(guī)律,核外電子排布為[Ar]3d104s1,故價電子排布為:3d104s1;鎳的原子序數(shù)是28,則基態(tài)鎳原子的價電子軌道表示式為
(3)Zn為30號原子,核外電子排布為[Ar]3d104s2,軌道電子處于全滿結構,能量較低,物質(zhì)較穩(wěn)定,難失去電子,所以Zn的第一電離能大于Cu的第一電離能。【解析】躍遷大于Zn核外電子排布為全滿結構,難失去電子14、略
【分析】【分析】
Z的原子序數(shù)為26,則Z為Fe元素;Q、R、X、Y均為短周期主族元素,Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。Q、X的p軌道為2和4,二者有2個電子層,則為Q為C元素和X為O元素;Y原子價電子(外圍電子)排布msnmpn;s能級容納電子數(shù)為2,則Y可能為C或Si,由于Q為C元素,所以Y為Si元素;R的核外L層為奇數(shù),所以R有2個電子層,則可能為Li;B、N或F,R的原子序數(shù)介于Q與X之間,Q為C元素,X為O元素,則R為N元素。所以可推出:Q為C,R為N,X為O,Y為Si,Z為Fe,據(jù)此答題。
【詳解】
(1)則R為N元素,N3-核外電子排布式為:1S22S22P6,故答案為:1S22S22P6;
(2)Z為Fe,F(xiàn)e(OH)3加熱的化學方程式為:故答案為:
(3)Q、Y的氫化物分別為CH4和SiH4,由于C的非金屬性強于Si,則穩(wěn)定性CH4>SiH4.因為SiH4的相對分子質(zhì)量比CH4大,故分子間作用力大,沸點高,故答案為:b;
(4)Q為C;R為N,Y為Si,C;N和Si中,C、Si位于同一主族,Si的原子半徑大于C.N位于同一周期,C的半徑大于N,故原子半徑從大到小的順序為:Si>C>N,故答案為:Si>C>N;
(5)C、H形成的相對分子質(zhì)量為26的物質(zhì)為C2H2;其電子式為:H∶C┇┇C∶H,故答案為:H∶C┇┇C∶H;
(6)X為O,Y為Si,兩者構成的SiO2;構成微粒是原子,作用力是共價鍵,則屬于原子晶體,故答案為:原子晶體。
【點睛】
本題主要考查了核外電子排布、配位鍵、原子半徑比較、化學鍵、晶體類型等知識,元素推斷是解題的前提,答題時注意審題,按要求答題。【解析】1S22S22P6bSi>C>NH∶C┇┇C∶H原子晶體15、略
【分析】【詳解】
(1)由反應Al3++3NH3·H2O=Al(OH)3↓+3可知,NH3·H2O電離出OH-的能力比Al(OH)3強,則結合OH-能力的強弱:<Al3+。能說明乙酸的酸性強于碳酸的化學方程式為NaHCO3+CH3COOH=CH3COONa+H2O+CO2↑。答案為:NaHCO3+CH3COOH=CH3COONa+H2O+CO2↑;
(2)已知化學式為NH5的物質(zhì)是離子化合物,其中氮元素的化合價為-3價,各原子均達到稀有氣體的穩(wěn)定結構,則其化學式為NH4H,電子式為答案為:
(3)SiO2與CO2雖然組成類似,但晶體類型不同,前者形成原子晶體,后者形成分子晶體,所以SiO2的熔點比CO2的熔點高,原因是SiO2形成原子晶體,熔化時破壞Si、O原子間的共價鍵,CO2形成分子晶體,熔化時破壞分子間的作用力,而共價鍵的能量比分子間作用力大得多。答案為:SiO2形成原子晶體,熔化時破壞Si、O原子間的共價鍵,CO2形成分子晶體,熔化時破壞分子間的作用力,而共價鍵的能量比分子間作用力大得多。【解析】①.<②.NaHCO3+CH3COOH=CH3COONa+H2O+CO2↑③.④.SiO2形成原子晶體,熔化時破壞Si、O原子間的共價鍵,CO2形成分子晶體,熔化時破壞分子間的作用力,而共價鍵的能量比分子間作用力大得多16、略
【分析】【分析】
(1)①C原子共2個電子層;最外層電子為2s;2p電子;
②鈦(Ti)是22號元素;位于第四周期ⅣB族;
(2)CS2的電子式類似于CO2;二者都為分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,熔點越高;
(3)當水電離出的OH?離子濃度最大時;說明此時的溶液是碳酸鈉溶液,對水的電離起促進作用;
(4)水電離出的氫離子與氫氧根離子的濃度始終相等,a是沒有通二氧化碳的情況,即pH=10的NaOH溶液,結合水的離子常數(shù)分析求解;b點是強堿溶液對水的電離起抑制作用,所以溶液中的c(H+)<1×10?7mol/L;
(5)電離程度增大;電離平衡應正向移動,且pH增大,則酸性減弱,以此來解答。
【詳解】
(1)①C原子共2個電子層,最外層電子為2s、2p電子,最外電子層的軌道表示式為故答案為:
②鈦(Ti)是22號元素,位于第四周期ⅣB族,為長周期副族元素,故答案為:bd;
(2)CS2的電子式類似于CO2,電子式為二者都為分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,則熔點越高,故答案為:二者都為分子晶體;相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大;
(3)當水電離出的OH?離子濃度最大時,說明此時的溶液是碳酸鈉溶液,對水的電離起促進作用,所以離子溶液濃度大小為c(Na+)>c(CO32﹣)>c(HCO3﹣),故答案為:c(Na+)>c(CO32﹣)>c(HCO3﹣);
(4)水電離出的氫離子與氫氧根離子的濃度始終相等,a是沒有通二氧化碳的情況,即pH=10的NaOH溶液,則c(H+)=1×10?10mol/L,而氫離子來源于水的電離,所以水電離出的c(H+)=1×10?10mol/L,b點是強堿溶液對水的電離起抑制作用,所以溶液中的c(H+)<1×10?7mol/L,故答案為:1×10?10mol/L;小于;
(5)a.加水稀釋,促進電離,且氫離子濃度減小,pH增大,故選;
b.加入少量乙酸鈉固體,抑制電離,電離程度減小,故不選;
c.通氯化氫,酸性增強,pH減小,故不選;
d.加入少量苛性鈉固體;促進電離,且氫離子濃度減小,pH增大,故選;
故答案為:ad。【解析】bd二者都為分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大c(Na+)>c(CO32﹣)>c(HCO3﹣)1×10﹣10mol/L小于ad17、略
【分析】【分析】
(1)
基態(tài)Fe2+的電子排布式為3d6,可得基態(tài)Fe2+的電子排布圖為
(2)
①Na與Li同主族;Na的電子層數(shù)更多,原子半徑更大,故第一電離能更??;
②Li;Be、B為同周期元素;同周期元素從左向右,第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢,但由于基態(tài)Be原子的s能級軌道處于全充滿狀態(tài),能量更低更穩(wěn)定,故其第一電離能大于B的;
③氧化鈉跟氧化鋰都是離子晶體;所以晶格能越大,熔點越高。比較晶格能,看離子半徑和,半徑和越小,晶格能越大。鈉離子的半徑大于鋰離子,所以氧化鋰的熔點高。
(3)
磷酸根中心原子磷的成鍵電子對數(shù)目為4,價層電子對數(shù)目為4,磷酸根離子中不含有孤電子對,因此其構型為正四面體形,P原子是采用sp3雜化形成的4個sp3雜化軌道。
等電子體是指價電子數(shù)和原子數(shù)(氫等輕原子不計在內(nèi))相同的分子;離子或原子團。據(jù)此可寫出與磷酸根離子互為等電子體的陰離子。
(4)
金剛石是正八面體結構。C碳原子按四面體成鍵方式互相連接,組成無限的三維骨架,是典型的原子晶體,每個碳原子都以sp3雜化軌道與另外4個碳原子形成共價鍵,構成正四面體;由晶胞的位置關系可得體對角線為8r,設晶胞邊長為anm,則晶胞中有8個C,則空間占有率為【解析】(1)
(2)Na與Li同主族,Na的電子層數(shù)更多,原子半徑更大,故第一電離能更小Li、Be、B為同周期元素,同周期元素從左向右,第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢,但由于基態(tài)Be原子的s能級軌道處于全充滿狀態(tài),能量更低更穩(wěn)定,故其第一電離能大于B的>
(3)正四面體形sp3SO或ClOBrOIOSiO等。
(4)原子四、結構與性質(zhì)(共2題,共8分)18、略
【分析】【詳解】
試題分析:(1).根據(jù)能量最低原則、泡利不相容原理、洪特規(guī)則書寫核外電子排布式;(2)根據(jù)A的結構式,銅原子與N、O原子形成配位鍵;原子最外層電子為全滿、半滿為相對穩(wěn)定結構,能量較低,失去電子較難,氮原子最外層電子為半滿結構,第一電離能高于相鄰的原子;形成配位鍵的N、O原子,全形成單鍵為sp3雜化;(3)N2中含有氮氮三鍵;二氧化碳和笑氣分子具有相似的結構,且N2O分子中氧原子只與一個氮原子相連,所以笑氣的電子式為:(4)甲醇分子中的碳采取sp3雜化,是四面體結構,甲醛分子中的碳采取sp2雜化,是平面三角形結構,所以甲醇分子的O-C-H鍵角小于甲醛分子的O-C-H鍵角;(5)根據(jù)均攤原則,一個氮化硼晶胞含有4個B、4個N,根據(jù)晶胞的體積=4個B的體積+4個N原子的體積,;根據(jù)坐標B(0,0,0);B(l/2,0,l/2);B(l/2,l/2;0),可知晶胞的邊長為1。
解析:(1).根據(jù)能量最低原則、泡利不相容原理、洪特規(guī)則,29號Cu元素的簡化電子排布式為[Ar]3d104S1;(2)根據(jù)A的結構式,銅原子與N、O原子形成配位鍵;原子最外層電子為全滿、半滿為相對穩(wěn)定結構,能量較低,失去電子較難,氮原子最外層電子為半滿結構,第一電離能高于相鄰的原子,所以第一電離能N>O;形成配位鍵的N、O原子,全形成單鍵,所以軌道雜化方式為sp3雜化;(3)N2中含有氮氮三鍵;二氧化碳和笑氣分子具有相似的結構,且N2O分子中氧原子只與一個氮原子相連,根據(jù)成鍵規(guī)律,笑氣的電子式為:(4)甲醇分子中的碳采取sp3雜化,是四面體結構,甲醛分子中的碳采取sp2雜化,是平面三角形結構,所以甲醇分子的O-C-H鍵角小于甲醛分子的O-C-H鍵角;(5)根據(jù)均攤原則,一個氮化硼晶胞含有4個B、4個N,根據(jù)晶胞的體積=4個B的體積+4個N原子的體積,則根據(jù)坐標B(0,0,0);B(l/2,0,l/2);B(l/2,l/2,0),可知晶胞的邊長為1,距離上述三個B原子最近且等距的N原子的坐標參數(shù)為()。
點睛:根據(jù)均攤原則,頂點上的原子被一個晶胞占用棱上的原子被一個晶胞占用面上的原子被一個晶胞占用晶胞中心的原子被一個晶胞完全占用。【解析】[Ar]3d104S1NON>0sp3雜化1∶2大于大于甲醇和甲醛都屬于分子晶體,甲醇分子之間存在氫鍵,分子間作用力較大,故沸點較高4∶1()19、略
【分析】【分析】
(1)Cu是29號元素,處于中第四周期第IB族,屬于過渡元素,價電子包括3d、4s電子;
(2)與Cu同周期,基態(tài)原子未成對電子數(shù)為2的元素價電子排布式為3d24s2、3d84s2、4s24p2、4s24p4;
(3)NH4+與HF2-形成離子鍵,HF2-中F與H原子之間存在極性鍵、氫鍵,NH4+中含有配位鍵;氫鍵不屬于化學鍵;
(4)與NH4+互為等電子體的一種分子可以用C原子替換N原子與1個單位正電荷;
(5)碳原子沒有孤電子對數(shù);形成4個σ鍵,C原子雜化軌道數(shù)目=0+3=4;孤對電子之間排斥力>孤對電子與成鍵電子對之間排斥力>成鍵電子對之間排斥力,排斥力越大化學鍵鍵角被壓縮程度越大;
(6)由晶胞結構可知;黑色球的配位數(shù)為4,而晶胞中黑色球;白色球數(shù)目均為4,二者配位數(shù)相同;結合晶胞中原子數(shù)目用阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞質(zhì)量,而晶胞質(zhì)量=晶體密度×晶胞體積,聯(lián)立計算。
【詳解】
(1)Cu是29號元素,處于中第四周期第IB族,屬于過渡元素,價電子包括3d、4s電子,故價電子排布式為:3d104s1;
(2)與Cu同周期,基態(tài)原子未成對電子數(shù)為2的元素價電子排布式為3d24s2、3d84s2、4s24p2、4s24p4;共有4種;
(3)NH4+與HF2-形成離子鍵,HF2-中F與H原子之間存在極性鍵、氫鍵,NH4+中含有配位鍵;氫鍵不屬于化學鍵;
(4)與NH4+互為等電子體的一種分子可以用C原子替換N原子與1個單位正電荷為CH4等;
(5)碳原子沒有孤電子對數(shù),形成4個σ鍵,C原子雜化軌道數(shù)目=0+3=4,C原子采取sp3雜化;O原子有2對孤電子對,形成2
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