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電力電子技術(shù)(陜西國(guó)防工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋陜西國(guó)防工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院緒論單元測(cè)試
電力電子技術(shù)是使用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)行變換和控制的技術(shù)。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)電力變換通常分為四大類(lèi):交流-直流變換、直流-交流變換、直流-直流變換和交流-交流變換。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第一章單元測(cè)試
電力二極管的主要參數(shù)有正向平均電流、正向壓降和反向重復(fù)峰值電壓。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)晶閘管屬于半控型器件。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)晶閘管是四層的PNPN結(jié)構(gòu)。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)在晶閘管的銘牌上,額定電壓是以電壓等級(jí)的形式給出的。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)整流二極管、晶閘管及可關(guān)斷晶閘管均屬于半控型器件。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,門(mén)極加上正向觸發(fā)電壓,晶閘管導(dǎo)通。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,門(mén)極加上反向觸發(fā)電壓,晶閘管不導(dǎo)通。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)把晶閘管從承受正向陽(yáng)極電壓起到受觸發(fā)脈沖觸發(fā)而導(dǎo)通之間的電角度稱(chēng)為觸發(fā)延遲角,也稱(chēng)為移相角。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)觸發(fā)延遲角用θ表示,導(dǎo)通角用α表示。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)單相橋式半控整流電路α的移相范圍為0~180度。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第二章單元測(cè)試
三相半波可控整流電路的電源由三相整流變壓器供電,也可直接由三相四線制交流電網(wǎng)供電。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)U、V、W三相電相電壓正半波的相鄰交點(diǎn),稱(chēng)為自然換相點(diǎn)。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)理想情況下,晶閘管導(dǎo)通期間,管壓降約等于零。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)三相半波可控電阻性負(fù)載電路,當(dāng)α=60°時(shí),整流電路輸出電壓的波形處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)三相可控整流電路中,改變對(duì)晶閘管施加脈沖的時(shí)間,不能改變整流電路輸出電壓的波形。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)三相半波可控整流電阻性負(fù)載電路α的取值范圍為0~150度。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)三相全控橋式整流電阻性負(fù)載電路實(shí)質(zhì)上是由一組共陰極組與一組共陽(yáng)極組的三相半波整流電路相串聯(lián)構(gòu)成的。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)三相全控橋式整流電感性負(fù)載電路α大于60°時(shí),整流電路輸出電壓的波形出現(xiàn)負(fù)面積。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)三相半控橋式整流電阻性負(fù)載電路和電感性負(fù)載電路的整流輸出電壓波形相同。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)三相半控橋式整流電路只用了3個(gè)晶閘管,只需3套觸發(fā)電路。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
第三章單元測(cè)試
門(mén)極可關(guān)斷晶閘管是通過(guò)門(mén)極對(duì)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)行控制的,是屬于全控型電力電子器件。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)GTO具有四層的PNPN結(jié)構(gòu)。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)電力晶體管GTR屬于雙極型器件,電力場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極型器件。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)IGBT有三個(gè)電極,分別為基極B、集電極C和發(fā)射極E。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)電力場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極分別為源極、漏極和柵極。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)電力晶體管GTR存在二次擊穿的問(wèn)題。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)電力場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET不存在二次擊穿的問(wèn)題。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)改變開(kāi)關(guān)管VT在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期中的導(dǎo)通時(shí)間TS,即改變導(dǎo)通占空比D,即可改變電壓比M。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)的必要條件是門(mén)極加上足夠大的反向脈沖電流。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
第四章單元測(cè)試
在分析晶閘管三相有源逆變電路的波形時(shí),逆變角的大小是從自然換相點(diǎn)開(kāi)始向左計(jì)算的。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)實(shí)現(xiàn)有源逆變的條件是:α小于90度,且E>ud。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)在整流狀態(tài)下,ud>E,電機(jī)工作在電動(dòng)狀態(tài)下。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)在逆變狀態(tài)下,E>ud,電機(jī)工作在發(fā)電制動(dòng)狀態(tài)下。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)有源逆變是整流的逆過(guò)程,不同條件下,兩種過(guò)程可以用同一套變流電路來(lái)實(shí)現(xiàn),能量的傳遞方向相同。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)在負(fù)載電流相位超前于負(fù)載電壓的場(chǎng)合,即可實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)換相。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)換相重疊角與整流變壓器的漏抗有關(guān)。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)直流斬波電路是將直流電變?yōu)榱硪还潭妷夯蚩烧{(diào)電壓的直流電,也稱(chēng)為直接直流-直流變換器。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)習(xí)慣上,變流器工作在整流狀態(tài),用α表示晶閘管的觸發(fā)延遲角,在逆變狀態(tài)時(shí)用β表示逆變角。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)器件換相方式是利用全控型器件的自關(guān)斷能力進(jìn)行換相的。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第五章單元測(cè)試
雙向晶閘管是全控型器件。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)雙向晶閘管是NPNPN五層三端半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)雙向晶閘管有四種觸發(fā)方式。(
)
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)雙向晶閘管正反兩個(gè)方向都能導(dǎo)通,門(mén)極加正負(fù)信號(hào)都能導(dǎo)通。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)雙向晶閘管電壓裕量通常取兩倍,380V線路用的交流開(kāi)關(guān)一般應(yīng)選1000~1200V的雙向晶閘管。(
)
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)單相交流調(diào)壓電路帶電阻負(fù)載時(shí)移相范圍為(
)。
A:0°~180°B:ψ~180°C:0°~120°D:0°~90°
答案:0°~180°單相交流調(diào)壓電路帶電感性負(fù)載時(shí),可采用(
)觸發(fā)。
A:雙窄脈沖B:窄脈沖C:寬脈沖D:雙寬脈沖
答案:寬脈沖交流開(kāi)關(guān)可用(
)或兩個(gè)普通晶閘管反并聯(lián)組成。
A:二極管
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