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文檔簡介

ICS13.020.10

CCSZ04

T/CI

團體標準

T/CIxxx—2023

晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價技術(shù)要求

Technicalrequirementsforcarbonfootprintevaluationofcrystallinesiliconproducts

2023-XX-XX發(fā)布2023-XX-XX實施

中國國際科技促進會??發(fā)布

T/CIxxx—2023

晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價技術(shù)要求

1范圍

本文件規(guī)定了晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價的目標、核算范圍、功能單位、系統(tǒng)邊界、數(shù)據(jù)收集與處理、

核算、報告等內(nèi)容。

本文件適用于晶體硅產(chǎn)品碳足跡核算活動。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,

僅該日期對應的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本

文件。

GB/T24040環(huán)境管理生命周期評價原則與框架

GB/T24044環(huán)境管理生命周期評價要求與指南

GB/T32150工業(yè)企業(yè)溫室氣體排放核算和報告通則

ISO14064-1溫室氣體-第一部分:在組織層面溫室氣體排放和移除的量化和報告指南性規(guī)范

(Greenhousegases-Part1:Specificationwithguidanceattheorganizationlevelfor

quantificationandreportingofgreenhousegasemissionsandremovals)

3術(shù)語和定義

GB/T24040、GB/T24044、GB/T32150界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

產(chǎn)品碳足跡productcarbonfootprint;PCF

主要為量化商品或服務(統(tǒng)稱為產(chǎn)品)生命周期中,因直接及間接活動累積于商品或服務的溫室氣

體排放量?;谏芷谠u價方法,產(chǎn)品生命周期內(nèi)各階段的溫室氣體排放量,主要涉及的溫室氣體包

括京都議定書規(guī)定的六種氣體二氧化碳(CO2)、甲烷(CH4)、氧化亞氮(N2O)、六氟化硫(SF6)、全氟碳化

物(PFCs)以及氫氟碳化物(HFCs)。

[來源:ISO14064-1]

3.2

功能單位functionalunit

用來作為基準單位的量化的產(chǎn)品系統(tǒng)性能。

[來源:GB/T24044-2008,3.20]

3.3

單元過程unitprocess

進行生命周期清單分析時為量化輸入和輸出數(shù)據(jù)而確定的最基本部分。

[來源:GB/T24044-2008,3.34]

4評價目標

4.1評價目標

通過量化多晶硅、單晶硅等晶體硅產(chǎn)品生命周期內(nèi)所有顯著的碳排放,來計算該產(chǎn)品對全球暖化的

潛在貢獻(以二氧化碳當量表示)。

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T/CIxxx—2023

4.2評價內(nèi)容

產(chǎn)品碳足跡評價內(nèi)容應與評價目標相一致。在確定評價內(nèi)容時應考慮并清晰描述以下項目:

1)核算范圍

2)功能單位;

3)系統(tǒng)邊界,包括產(chǎn)品系統(tǒng)的地理范圍;

4)數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)質(zhì)量要求;

5)分配原則;

6)計算。

5核算范圍

在確定產(chǎn)品碳足跡核算范圍過程中,應考慮并描述包括但不限于下列各項:

——產(chǎn)品(系統(tǒng))范圍:明確產(chǎn)品名稱、型號、功能、功能單位(第6章)和系統(tǒng)邊界(第7章);

——時間范圍:選擇核算碳足跡有代表性的時間段;

注:與產(chǎn)品生命周期中具體單元過程相關的溫室氣體排放和清除隨時間變化,選擇的時間范圍應可以確定產(chǎn)品生命

周期中溫室氣體排放和清除的平均值,如:季節(jié)性生產(chǎn)的產(chǎn)品應覆蓋產(chǎn)品生產(chǎn)的整個時間周期,不能僅使用部

分時間段的數(shù)據(jù)進行核算。

——溫室氣體范圍:二氧化碳(CO2)、甲烷(CH4)、氧化亞氮(N2O)、氫氟碳化合物(HFCs)、全氟碳化

合物(PFCs)、六氟化硫(SF6)和三氟化氮(NF3)。

6功能單位

核算產(chǎn)品碳足跡應確定功能單位。功能單位的表述中應包含影響碳足跡核算的產(chǎn)品系統(tǒng)的主要功能。

示例:1千克高純多晶硅。

7系統(tǒng)邊界

按照本文件核算產(chǎn)品碳足跡應主要核算產(chǎn)品在原材料獲取、制造階段的溫室氣體排放。

8數(shù)據(jù)收集與處理

8.1數(shù)據(jù)質(zhì)量要求

數(shù)據(jù)收集與處理過程中,相關數(shù)據(jù)應滿足以下數(shù)據(jù)質(zhì)量要求:

——技術(shù)代表性:數(shù)據(jù)反映實際生產(chǎn)技術(shù)情況,即體現(xiàn)實際工藝流程、技術(shù)和設備類型、原料與

能耗類型、生產(chǎn)規(guī)模等因素的影響;

——時間代表性:數(shù)據(jù)反應單元過程的實際時間;

——地理代表性:排放因子等相關參數(shù)的選擇考慮單元過程所處的地理位置;

——數(shù)據(jù)完整性:按照數(shù)據(jù)取舍準則,判斷是否已收集各生產(chǎn)過程的主要消耗和排放數(shù)據(jù),盡可

能避免數(shù)據(jù)缺失,缺失的數(shù)據(jù)需在報告中說明;

——數(shù)據(jù)準確性:原料、輔料、能耗、包裝等數(shù)據(jù)需采用企業(yè)實際生產(chǎn)統(tǒng)計記錄,環(huán)境排放數(shù)據(jù)

優(yōu)先采用環(huán)境監(jiān)測報告;所有數(shù)據(jù)均有相關的數(shù)據(jù)來源和數(shù)據(jù)處理算法;估算或引用文獻的

數(shù)據(jù)需在報告中說明;

——數(shù)據(jù)一致性:每個過程的消耗與排放數(shù)據(jù)需保持一致的統(tǒng)計標準,即基于相同產(chǎn)品產(chǎn)出、相

同過程邊界、相同數(shù)據(jù)統(tǒng)計期;存在不一致情況時需在報告中說明。

——數(shù)據(jù)收集原則:活動水平數(shù)據(jù)優(yōu)先采用直接計量、測量獲得的原始數(shù)據(jù),其次采用通過原始

數(shù)據(jù)折算獲得的二次數(shù)據(jù),以上數(shù)據(jù)均不可獲得時可采用來自相似單元過程的替代數(shù)據(jù)。使

用階段可使用統(tǒng)計數(shù)據(jù)、設計數(shù)據(jù)或估算數(shù)據(jù)。

8.2分配原則

2

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在邊界設置或數(shù)據(jù)收集時,應盡量避免進行數(shù)據(jù)分配。若發(fā)現(xiàn)至少有一個過程的輸入和輸出包含多

個產(chǎn)品,則總排放量需要在產(chǎn)品生命周期內(nèi)進行分配。分配的原則如下:

——優(yōu)先使用物理關系參數(shù)(包括但不限于生產(chǎn)量、生產(chǎn)工時等)進行分配;

——無法找到物理關系時,則依經(jīng)濟價值進行分配;

——若使用其他分配方法,須提供所使用參數(shù)的基礎及計算說明。

8.3數(shù)據(jù)取舍準則

在產(chǎn)品碳足跡核算過程中,可規(guī)定一套數(shù)據(jù)取舍準則,舍棄產(chǎn)品碳足跡影響較小的因素,簡化數(shù)據(jù)

收集過程。小于產(chǎn)品重量1%的原輔料引起的排放可舍棄,同類物料應按合計重量判斷,但總共舍棄的

重量不宜超過產(chǎn)品重量的5%。產(chǎn)品生產(chǎn)過程中人員產(chǎn)生的溫室氣體排放可舍棄。

9產(chǎn)品碳足跡核算要求

9.1產(chǎn)品碳足跡

晶體硅產(chǎn)品碳足跡的核算見公式(1):

···························

燃燒外購電外購熱過程(1)

式中:

???=