2024華為硬件機試題庫

下載后可任意編輯 華為硬件機試題目（2024版本）1.(推斷題)DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。(4分)

A.正確

B.錯誤2.(推斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動、噪聲和衰減。(4分)

A.正確

B.錯誤3.(推斷題)以太網(wǎng)交換機將沖突域限制在每個端口，提高了網(wǎng)絡(luò)性能。(4分)

A.正確

B.錯誤4.(推斷題)放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。(4分)

A.正確

B.錯誤5.(推斷題)1的8位二進制補碼是0000_0001,-1的8位二進制補碼是1111_1111。(4分)

A.正確

B.錯誤6.(推斷題)洗衣機，電冰箱等家用電器都使用三孔插座，是因為假如不接地，家用電器是不能工作的。(4分)

A.正確

B.錯誤7.(推斷題)十進制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運算結(jié)果為：0x00。(4分)

A.正確

B.錯誤8.(推斷題)硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大(4分)

A.正確

B.錯誤9.(單選題)一空氣平行板電容器，兩級間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時電容器原板間電壓變?yōu)?4分)

A.U/3

B.2U/3

C.3U/4

D.不變10.(單選題)8086CPU內(nèi)部包括哪些單元(4分)

A.ALU,EU

B.ALU,BIU

C.EU,BIU

D.ALU,EU,BIU11.(單選題)為了避開50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器，應該用那種濾波器：(4分)

A.帶阻濾波器

B.帶通濾波器

C.低通濾波器

D.高通濾波器12.(單選題)關(guān)于SRAM和DRAM，下面說話正確的是：(4分)

A.SRAM需要定時刷新，否則數(shù)據(jù)會丟失

B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息

C.SRAM的集成度高于DRAM

D.只要不掉點，DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會丟失13.(單選題)在RS232串口中，采納哪一種校驗方式：(4分)

A.CRC校驗

B.海明碼校驗

C.多種校驗方式的組合

D.奇偶校驗14.(單選題)對于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時間，這個時間稱為:(4分)

A.保持時間

B.恢復時間

C.穩(wěn)定時間

D.建立時間15.(單選題)本征半導體中加入（）元素可形成N型半導體(4分)

A.五價

B.四價

C.三價

D.二價16.(單選題)模擬信號數(shù)字化的過程是(4分)

A.采樣->量化->編碼

B.采樣->編碼->量化

C.編碼->采樣->量化

D.量化->編碼->采樣17.(單選題)在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是(4分)

A.采納多項并聯(lián)的模式

B.開關(guān)管內(nèi)置，提高電源的開關(guān)頻率

C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容

D.增大輸出濾波電感量18.(單選題)圖示電路中a、b端的等效電阻Rab在開關(guān)K打開與閉合時分別為：

(4分)

A.10Ω，8Ω

B.8Ω，10Ω

C.10Ω，10Ω

D.10Ω，16Ω19.(單選題)關(guān)于PCI總線的描述，錯誤的是:(4分)

A.PCI總線是一個16位寬的總線

B.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復用的

C.PCI是一種獨立于處理器的總線標準，可以支持多種處理器

D.PCI支持即插即用功能20.(單選題)中繼器、以太網(wǎng)交換機、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上：(4分)

A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層

B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層

C.物理層、鏈路層、傳輸層

D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層21.(單選題)某電路，對100KHz以下低頻信號干擾敏感，為減少干擾，應采納（）濾波器。(4分)

A.高通

B.低通

C.帶阻

D.帶通22.(單選題)捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式（）進行觸發(fā)(4分)

A.Width

B.Edge

C.Glitch

D.State23.(單選題)以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試(4分)

A.信號占空比超標

B.信號上升緩慢

C.6個信號的異常組合

D.信號抖動過大24.(單選題)8421碼10010111表示的十進制數(shù)是（）(4分)

A.98

B.151

C.97

D.22725.(單選題)晶體管能夠放大的外部條件是（4分）

A.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

D.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏第二套1.(單選題)以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試(4分)

A.信號抖動過大

B.6個信號的異常組合

C.信號上升緩慢

D.信號占空比超標2.(推斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動、噪聲和衰減。(4分)

A.正確

B.錯誤3.(單選題)通常情況下，電磁波在介質(zhì)中的傳播速度比在真空中的傳播速度要(4分)

A.快

B.一樣

C.慢4.1mV等于0dBmV，等于30dBuV(4分)

A.對

B.錯5.(單選題)中繼器、以太網(wǎng)交換機、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上：(4分)

A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層

B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層

C.物理層、鏈路層、傳輸層

D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層6.中繼器工作在數(shù)據(jù)鏈路層上，網(wǎng)絡(luò)層工作在物理層上，路由器工作在網(wǎng)絡(luò)層上。(4分)

A.正確

B.錯誤7.(單選題)設(shè)計一個同步十進制計數(shù)器，需要多少個觸發(fā)器：(4分)

A.3

B.4

C.6

D.58.(單選題)下面的邏輯工藝中，哪一種速度最快(4分)

A.CMOS

B.ECL

C.TTL

D.NMOS9.(單選題)對于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時間，這個時間稱為:(4分)

A.恢復時間

B.建立時間

C.保持時間

D.穩(wěn)定時間10.(單選題)某數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入為8為二進制數(shù)字信號（D7-D0），輸出為0-25.5V的模擬電壓。若數(shù)字信號的最低三位是“1”其余各位是“0”，則輸出的模擬電壓為

A.1.4V

B.2.8V

C.0.7V

D.0.35V11.將兩輸入的或非門當非門使用時，另一端的揭發(fā)應該是：

A.懸空

B.接低電平

C.接高電平12.3-8譯碼器屬于：

A.組合邏輯電路

B.時序邏輯電路13.兩個TTL電平輸出的信號可以采納線與的方式實現(xiàn)這兩個信號相與的功能

A.正確

B.錯誤14.采納奇偶校驗可以發(fā)現(xiàn)兩個比特的數(shù)據(jù)錯誤

A.正確

B.錯誤15.(單選題)關(guān)于PCI總線的描述，錯誤的是:(4分)

A.PCI總線是一個16位寬的總線

B.PCI支持即插即用功能

C.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復用的

D.PCI是一種獨立于處理器的總線標準，可以支持多種處理器16.指令MOVAX，[3070H]中，源操作數(shù)的尋址方式為

A.直接尋址

B.寄存器間接尋址

C.立即尋址

D.變址尋址17.I/O設(shè)備必須通過適配器（接口）才能接到系統(tǒng)總線上和CPU進行信息交換

A.正確

B.錯誤18.電容實現(xiàn)濾波的原理是電容對溝通信號呈現(xiàn)低阻抗的特性，以下對電容阻抗描述正確的是

A.工作頻率越低，電容值越小則電容的阻抗越小

B.工作頻率越低，電容值越大則電容的阻抗越小

C.工作頻率越高，電容值越小則電容的阻抗越小

D.工作頻率越高，電容值越大則電容的阻抗越小19.三極管是_器件，MOS管是_

器件。

A.都不是

B.單極型/雙極型

C.雙極型/單極型20.N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電

A.正確

B.錯誤21.放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。(4分)

A.正確

B.錯誤22.為了安全的操作示波器，應該

A.在接觸示波器和探頭前，先佩戴靜電手環(huán)，將身份的靜電進行泄放

B.學會識別可能存在危險的電氣元件

C.通過合適的三管腳的電源線將示波器接地

D.以上都對23.一個電感器有一個10匝繞組，感量為200uH，第9匝與第10匝出現(xiàn)匝間短路，請問電感的感量

A.162uH

B.大于200uH

C.200uH

D.小于162uH

E.大于162uH，且小于200uH24.圖示電路中a、b端的等效電阻Rab在開關(guān)K打開與閉合時分別為：

A.10Ω，8Ω

B.8Ω，10Ω

C.10Ω，10Ω

D.10Ω，16Ω25.全橋全波整流變換器中輸出電感電流頻率是開關(guān)頻率的（）倍

A.2

B.3

C.4

D.1個人工作業(yè)務總結(jié)本人于2024年7月進入新疆中正鑫磊地礦技術(shù)服務有限公司(前身為“西安中正礦業(yè)信息咨詢有限公司”)，主要從事測量技術(shù)工作，至今已有三年。在這寶貴的三年時間里，我邊工作、邊學習測繪相專業(yè)書籍，遇到不懂得問題積極的請教工程師們，在他們耐心的教授和指導下，我的專業(yè)知識水平得到了很到的提高，并在實地測量工作中加以運用、總結(jié)，不斷的提高自己的專業(yè)技術(shù)水平。同時積極的參加技術(shù)培訓學習，加速自身知識的不斷更新和自身素養(yǎng)的提高。努力使自己成為一名合格的測繪技術(shù)人員。在這三年中，在公司各領(lǐng)導及同事的幫助帶領(lǐng)下，根據(jù)崗位職責要求和行為法律規(guī)范，努力做好本職工作，仔細完成了領(lǐng)導所交給的各項工作，在思想覺悟及工作能力方面有了很大的提高。

在思想上積極向上，能夠仔細貫徹黨的基本方針政策，積極學習政治理論，堅持四項基本原則，遵紀守法，愛崗敬業(yè)，具有強烈的責任感和事業(yè)心。積極主動學習專業(yè)知識，工作態(tài)度端正，仔細負責，具有良好的思想政治素養(yǎng)、思想品質(zhì)和職業(yè)道德。

在工作態(tài)度方面，勤奮敬業(yè)，熱愛本職工作，能夠正確仔細的對待每一項工作，能夠主動尋找自己的不足并及時學習補充，始終保持嚴謹仔細的工作態(tài)度和一絲不茍的工作作風。

在公司領(lǐng)導的關(guān)懷以及同事們的支持和幫助下，我迅速的完成了職業(yè)角色的轉(zhuǎn)變。一、回顧這四年來的職業(yè)生涯，我主要做了以下工作：1、參加了新疆庫車縣新疆庫車縣胡同布拉克石灰?guī)r礦的野外測繪和放線工作、點之記的編寫工作、1:2000地形地質(zhì)圖修測、1:1000勘探剖面測量、測繪內(nèi)業(yè)資料的編寫工作，提交成果《新疆庫車縣胡同布拉克石灰?guī)r礦普查報告》已通過評審。2、參加了庫車縣城北水廠建設(shè)項目用地壓覆礦產(chǎn)資源評估項目的室內(nèi)地質(zhì)資料編寫工作，提交成果為《庫車縣城北水廠建設(shè)項目用地壓覆礦產(chǎn)資源評估報告》，現(xiàn)已通過評審。3、參加了《新疆庫車縣巴西克其克鹽礦普查》項目的野外地質(zhì)勘查工作，參加項目包括：1:2000地質(zhì)測圖、1:1000勘查線剖面測量、測繪內(nèi)業(yè)資料的編寫工作；最終提交的《新疆庫車縣康村鹽礦普查報告》已通過評審。4、參加了新疆哈密市南坡子泉金礦2024年度礦山儲量監(jiān)測工作，項目包括：野外地質(zhì)測量與室內(nèi)地質(zhì)資料的編寫，提交成果為《新疆哈密市南坡子泉金礦2024年度礦山儲量年報》，現(xiàn)已通過評審。6、參加了《新疆博樂市五臺石灰?guī)r礦9號礦區(qū)勘探》項目的野外地質(zhì)勘查工作，項目包括：1:2000地質(zhì)測圖、1:1000勘探剖面測量、測繪內(nèi)業(yè)資料的編寫工作，并繪制相應圖件。7、參加了《新疆博樂市托特克斜花崗巖礦詳查報告》項目的野外地質(zhì)勘查工作，項目包括：1:2000地質(zhì)測圖、1:1000勘探剖面測量、測繪內(nèi)業(yè)資料的編寫工作，并繪制相應圖件。通過以上的這些工作，我學習并具備了以下工作能力：

1、通過實習，對測繪這門學科的討論內(nèi)容及實際意義有了系統(tǒng)的認識。加深對測量學基本理論的理解，能夠用有關(guān)理論指導作業(yè)實踐，做到理論與實踐相統(tǒng)一，提高分析問題、解決問題的能力，從而對測量學的基本內(nèi)容得到一次實際應用，使所學知識進一步鞏固、深化。2、熟悉了三、四等控制測量的作業(yè)程序及施測方法，并掌握了全站儀、靜態(tài)GPS、RTK等測量儀器的工作原理和操作方法。3、掌握了GPS控制測量內(nèi)業(yè)解算軟件（南方測繪Gps數(shù)據(jù)處理）以及內(nèi)業(yè)成圖軟件（南方cass）的操作應用。能夠?qū)⑼鈽I(yè)測量的數(shù)據(jù)導入軟件進行地形圖成圖和處理。4、在項目技術(shù)負責的指導下熟悉了測量技術(shù)總結(jié)的編寫要求和方法，并參加了部分項目測量技術(shù)總結(jié)章節(jié)的編寫工作。5、在項目負責的領(lǐng)導下參加整個測量項目的組織運作，對項目的實施過程有了深刻理解。通過在項目組的實習鍛煉了自己的組