T-CASME 1417-2024 風(fēng)力發(fā)電機(jī)組分布式IO 模塊 第2部分：試驗(yàn)方法

ICS27.180CASMEWindturbinedistributedIOmodulePart2:TestmethoIT/CASME1417—2024前言 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語和定義 24縮略語 25試驗(yàn)條件 25.1試驗(yàn)平臺(tái) 25.2環(huán)境條件 25.3電源條件 36儀器設(shè)備 37樣品 38試驗(yàn)步驟 38.1外觀檢查 38.2功能試驗(yàn) 38.3基本性能試驗(yàn) 48.4環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn) 48.5電磁兼容性試驗(yàn) 68.6安全性試驗(yàn) 78.7有害物質(zhì)限值 79試驗(yàn)報(bào)告 7T/CASME1417—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由重慶科凱前衛(wèi)電氣有限公司提出。本文件由中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會(huì)歸口。本文件起草單位：重慶科凱前衛(wèi)電氣有限公司、重慶前衛(wèi)科技集團(tuán)有限公司、新疆中聯(lián)科電力檢測(cè)研究院有限公司、重慶翊成企業(yè)管理咨詢有限公司。本文件主要起草人：陳柳竹、徐鍵、劉行中、劉志祥、梁媛媛、楊春渝、張豪、張宏圖、胡恩、廖川、陳劍、鄧銀江、田朋鶴、方國華、萬春玲。1T/CASME1417—2024風(fēng)力發(fā)電機(jī)組分布式IO模塊第2部分：試驗(yàn)方法本文件規(guī)定了風(fēng)力發(fā)電機(jī)組分布式IO模塊（以下簡稱“IO模塊”）的試驗(yàn)條件、儀器設(shè)備、樣品、試驗(yàn)步驟和試驗(yàn)報(bào)告。本文件適用于T/CASMES287—2024規(guī)定的IO模塊的試驗(yàn)。注：T/CASMES287—2024是由中國中小企業(yè)協(xié)會(huì)于2024年3月1日發(fā)布的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2422環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)方法編寫導(dǎo)則術(shù)語和定義GB/T2423.1—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A：低溫GB/T2423.2—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B：高溫GB/T2423.4—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db交變濕熱（12h＋12h循環(huán)）GB/T2423.5—2019環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則：沖擊GB/T2423.10—2019環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc:振動(dòng)（正弦）GB/T2423.22—2012環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)N：溫度變化GB/T15969.2—2008可編程序控制器第2部分：設(shè)備要求和測(cè)試GB/T17212工業(yè)過程測(cè)量和控制術(shù)語和定義GB/T17626.2電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.3電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.6電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GB/T17626.8電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.17電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.29電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)GB/T26125電子電氣產(chǎn)品六種限用物質(zhì)（鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚）的測(cè)定GB/T26804.4—2011工業(yè)控制計(jì)算機(jī)系統(tǒng)功能模塊模板第4部分：模擬量輸入輸出通道模板性能評(píng)定方法2T/CASME1417—2024GB/T26804.6—2011工業(yè)控制計(jì)算機(jī)系統(tǒng)功能模塊模板第6部分：數(shù)字量輸入輸出通道模板性能評(píng)定方法T/CASMES287—2024風(fēng)力發(fā)電機(jī)組分布式IO模塊第1部分：技術(shù)要求3術(shù)語和定義GB/T2422、GB/T17212、GB/T15969.2—2008界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4縮略語下列縮略語適用于本文件。CAN：控制器局域網(wǎng)總線（ControllerAreaNetwork）IO：輸入輸出（InputOutput）PC：個(gè)人計(jì)算機(jī)（PersonalComputer）PLC：可編程序控制器（ProgrammableLogicController）5試驗(yàn)條件5.1試驗(yàn)平臺(tái)試驗(yàn)應(yīng)在與實(shí)際工作等效的工況條件下進(jìn)行，試驗(yàn)平臺(tái)如圖1所示。圖1試驗(yàn)平臺(tái)結(jié)構(gòu)圖5.2環(huán)境條件IO模塊的功能試驗(yàn)應(yīng)在下述的環(huán)境條件下進(jìn)行：3T/CASME1417—2024a)溫度：15℃~35℃;b)相對(duì)濕度：45％～75%;c)大氣壓力：86kPa～106kPa。注：任何試驗(yàn)期間，允許溫度最大變化率為1K/10min，并在試驗(yàn)報(bào)告中注明實(shí)際的溫度最大變化率。5.3電源條件應(yīng)滿足下列要求：a)電壓允許偏差：±1%;b)交流電源諧波含量5%;c)直流電源紋波0.1％。6儀器設(shè)備試驗(yàn)中所用的儀器、設(shè)備應(yīng)按相關(guān)規(guī)定進(jìn)行檢定、校準(zhǔn)或核查，且符合精度要求。7樣品按T/CASMES287—2024生產(chǎn)的IO模塊。8試驗(yàn)步驟8.1外觀檢查8.1.1在光線充足的自然光下，檢查并記錄IO模塊的面板和表面噴漆涂層是否符合T/CASMES287—2024中8.1.1規(guī)定的要求。8.1.2在光線充足的自然光下，檢查并記錄IO模塊的銘牌、文字?jǐn)?shù)字和標(biāo)志是否符合T/CASMES287—2024中8.1.2規(guī)定的要求。8.1.3在光線充足的自然光下，檢查并記錄IO模塊的緊固件有無松動(dòng)、脫落和損傷，活動(dòng)部件是否靈活可靠。8.2功能試驗(yàn)8.2.1數(shù)字輸入、輸出8.2.1.1對(duì)數(shù)字輸入模塊的輸入端口分別輸入范圍為15V～34V的高電平和范圍為0V～5V的低電平，在IO模塊調(diào)試軟件觀察各數(shù)字輸入端口的狀態(tài)，輸入高電平時(shí)指示燈亮，輸入低電平指示燈時(shí)熄滅。8.2.1.2在IO模塊調(diào)試軟件中，強(qiáng)制各數(shù)字輸出端口的輸出值分別為高低電平，在數(shù)字輸出模塊的輸出端口用萬用表測(cè)試實(shí)際輸出高電平范圍應(yīng)為18V～34V，低電平范圍應(yīng)為0V～5V。8.2.2模擬輸入、輸出8.2.2.1對(duì)模擬量模塊的輸入端口分別輸入標(biāo)準(zhǔn)電流、電壓、熱電阻值，在IO模塊調(diào)試軟件觀察各模塊對(duì)應(yīng)端口的電流、電壓、溫度應(yīng)與輸入值相適應(yīng)，電流和電壓允許誤差范圍為輸入值的±0.3溫度允許誤差范圍為輸入值的±1℃。8.2.2.2在模擬量模塊的輸出端口用萬用表測(cè)試實(shí)際輸出電壓應(yīng)與調(diào)試軟件的電壓值相適應(yīng)，允許誤差范圍為輸入值的±0.3％。4T/CASME1417—20248.2.3電網(wǎng)測(cè)量在電網(wǎng)模塊電壓輸入端口接入3×400VAC電壓，電流輸入端口接入三相電流，在IO模塊調(diào)試軟件觀察該模塊的三相電壓值、三相電流值、頻率、有功功率、無功功率與輸入值相適應(yīng)，電壓和電流允許誤差范圍為輸入值的±0.2％；頻率允許誤差范圍為輸入值的±0.01Hz；有功功率和無功功率允許誤差范圍為輸入值的±0.5％。8.2.4編碼器信號(hào)和脈沖信號(hào)測(cè)量8.2.4.1在編碼器模塊的編碼器測(cè)量端口接入增量編碼器，在IO模塊調(diào)試軟件觀察該模塊的編碼器轉(zhuǎn)速和方向與輸入值相適應(yīng)。8.2.4.2在編碼器模塊的脈沖測(cè)量端口接入脈沖信號(hào)，在IO模塊調(diào)試軟件觀察該模塊的脈沖計(jì)數(shù)值與輸入值相適應(yīng)。8.2.5主控制器測(cè)量將主控制器和PC端連接，在IO模塊調(diào)試軟件觀察通訊狀態(tài)顯示正常，則可與PC端調(diào)試軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)交互；將主控制器和PLC控制器連接，在Solutionsenter軟件CAN網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)觀察到IO模塊狀態(tài)為Operation，則可與PLC控制器進(jìn)行數(shù)據(jù)交互。8.3基本性能試驗(yàn)8.3.1模擬量輸入模塊按GB/T26804.4—2011中5.3的規(guī)定執(zhí)行，觀察并記錄試驗(yàn)結(jié)果是否符合T/CASMES287—2024中8.3.1的要求。8.3.2模擬量輸出模塊按GB/T26804.4—2011中6.3的規(guī)定執(zhí)行，觀察并記錄試驗(yàn)結(jié)果是否符合T/CASMES287—2024中8.3.2的要求。8.3.3數(shù)字量輸入模塊按GB/T26804.6—2011中5.2的規(guī)定執(zhí)行，觀察并記錄試驗(yàn)結(jié)果是否符合T/CASMES287—2024中8.3.3的要求。8.3.4數(shù)字量輸出模塊按GB/T26804.6—2011中6.2的規(guī)定執(zhí)行，觀察并記錄試驗(yàn)結(jié)果是否符合T/CASMES287—2024中8.3.4的要求。8.4環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)8.4.1耐干熱按GB/T2423.2—2008規(guī)定的試驗(yàn)Bb進(jìn)行。將IO模塊無包裝、不通電置于試驗(yàn)箱內(nèi)，試驗(yàn)箱溫度設(shè)定為70℃±2℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到70℃時(shí)保持16h。試驗(yàn)持續(xù)期結(jié)束時(shí)，將試驗(yàn)箱溫度恢復(fù)至室溫。試驗(yàn)后檢查并記錄IO模塊的外觀、結(jié)構(gòu)，通電后IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。8.4.2耐高溫5T/CASME1417—2024按GB/T2423.2—2008規(guī)定的試驗(yàn)Bd進(jìn)行。將IO模塊通電、無包裝置于試驗(yàn)箱內(nèi)，試驗(yàn)箱溫度先設(shè)定為60℃±2℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到60℃時(shí)保持持續(xù)運(yùn)行時(shí)間為16h。在高溫通電運(yùn)行期間，對(duì)IO模塊的輸入輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)試并記錄。試驗(yàn)持續(xù)期結(jié)束時(shí)，先將被測(cè)IO模塊斷電，然后將試驗(yàn)箱溫度恢復(fù)至室溫。試驗(yàn)后檢查并記錄IO模塊的外觀、結(jié)構(gòu)，通電后IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。8.4.3耐干冷按GB/T2423.1—2008規(guī)定的試驗(yàn)Ab進(jìn)行。將IO模塊無包裝、不通電置于試驗(yàn)箱內(nèi)，試驗(yàn)箱溫度設(shè)定為-40℃±3℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到-40℃時(shí)保持16h。試驗(yàn)持續(xù)期結(jié)束時(shí)，將試驗(yàn)箱溫度恢復(fù)至室溫。試驗(yàn)后應(yīng)檢查并記錄IO模塊的外觀、結(jié)構(gòu)，通電后IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。8.4.4耐低溫按GB/T2423.1—2008規(guī)定的試驗(yàn)Ad進(jìn)行。將IO模塊通電、無包裝置于試驗(yàn)箱內(nèi)，試驗(yàn)箱溫度先設(shè)定為-30℃±3℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到-30℃時(shí)保持16h。在低溫通電運(yùn)行期間，對(duì)IO模塊的輸入輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)試并記錄。試驗(yàn)持續(xù)期結(jié)束時(shí)，先將被測(cè)IO模塊斷電，然后將試驗(yàn)箱溫度恢復(fù)至室溫。試驗(yàn)后檢查并記錄IO模塊的外觀、結(jié)構(gòu)，通電后IO模塊的功能、性能是否符合T287—2024的相關(guān)要求。8.4.5耐溫度變化8.4.5.1按GB/T2423.22—2012規(guī)定的試驗(yàn)Na進(jìn)行。將IO模塊無包裝、不通電置于試驗(yàn)箱內(nèi)，試驗(yàn)箱溫度先設(shè)定為-40℃±3℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到-40℃時(shí)保持3h；再將試驗(yàn)箱溫度設(shè)定為70℃±2℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到70℃時(shí)保持3h。8.4.5.2循環(huán)重復(fù)8.4.5.1操作5次，每次溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間不超過3min。8.4.5.3將試驗(yàn)箱溫度恢復(fù)至室溫，試驗(yàn)后檢查并記錄IO模塊的外觀、結(jié)構(gòu)，通電后IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。8.4.6抗溫度變化8.4.6.1按GB/T2423.22—2012規(guī)定的試驗(yàn)Nb進(jìn)行。將IO模塊通電、無包裝置于試驗(yàn)箱內(nèi)，試驗(yàn)箱溫度先設(shè)定為55℃±2℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到55℃時(shí)保持3h；再將試驗(yàn)箱溫度設(shè)定為5℃±2℃,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到5℃時(shí)保持3h。8.4.6.2循環(huán)重復(fù)8.4.6.1操作2次，每次溫度變化率為3K/min±0.6K/min。8.4.6.3將試驗(yàn)箱溫度恢復(fù)至室溫，試驗(yàn)后檢查并記錄IO模塊的外觀、結(jié)構(gòu)，通電后IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。8.4.7耐交變濕熱按GB/T2423.4—2008規(guī)定的方法1進(jìn)行，升溫過程中保持環(huán)境濕度不低于90恒溫過程中保持濕度不低于95％。將IO模塊無包裝、不通電置于試驗(yàn)箱內(nèi)，試驗(yàn)箱溫度先設(shè)定為55℃、濕度95待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到55℃、95％時(shí)保持9h；再將試驗(yàn)箱溫度設(shè)定為25℃、濕度95%,待試驗(yàn)箱內(nèi)實(shí)際溫度達(dá)到25℃、95％時(shí)保持6h。試驗(yàn)后將受試樣品烘干，檢查并記錄IO模塊的外觀、結(jié)構(gòu)，環(huán)境溫度恢復(fù)至室溫后，通電后IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。6T/CASME1417—20248.4.8振動(dòng)按GB/T2423.10—2019規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)條件按表1的規(guī)定。將IO模塊通電情況下無包裝置于試驗(yàn)箱內(nèi)。試驗(yàn)完成后，檢查并記錄IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。表1振動(dòng)試驗(yàn)5Hz9Hz3.5mm位移，恒定振幅1.0g加速度，恒定振幅8.4.9沖擊按GB/T2423.5—2019規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)條件按表2的規(guī)定。將IO模塊通電、無包裝置于試驗(yàn)箱內(nèi)。試驗(yàn)完成后，檢查并記錄IO模塊的功能、性能是否符合T/CASMES287—2024的相關(guān)要求。表2沖擊試驗(yàn)8.5電磁兼容性試驗(yàn)8.5.1靜電放電抗擾度按GB/T17626.2規(guī)定的方法進(jìn)行，觀察并記錄試驗(yàn)結(jié)果是否符合T/CASMES287—2024中8.5.1的要求。8.5.2電磁場輻射抗擾度按GB/T17626.3規(guī)定的方法進(jìn)行，觀察并記錄試驗(yàn)結(jié)果是否符合T/CASMES287—2024中8.5.2的要求。8.5.3工頻磁場抗擾度按GB/T17626.8規(guī)定的方法進(jìn)行，觀察并記錄試驗(yàn)結(jié)果是否符合T/CASMES287—2024