《電子封裝、微機(jī)電與微系統(tǒng)》課件第4章

第四章封裝工藝4.1薄膜技術(shù)4.2厚膜技術(shù)4.3基板技術(shù)4.4釬焊技術(shù)4.5薄膜覆蓋封裝技術(shù)4.6金屬柱互連技術(shù)4.7通孔互連技術(shù)4.8倒裝芯片技術(shù)4.9壓接封裝技術(shù)4.10引線(xiàn)鍵合技術(shù)4.11載帶自動(dòng)焊(TAB)技術(shù)4.12倒裝芯片鍵合(FCB)技術(shù)4.13電連接技術(shù)4.14焊接中的常見(jiàn)問(wèn)題

4.1薄膜技術(shù)

薄膜技術(shù)是指真空蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、電鍍、旋涂、陽(yáng)極氧化等成膜技術(shù)。薄膜技術(shù)有下述優(yōu)點(diǎn)：

●薄膜技術(shù)的多樣性可形成多種材料的薄膜，如金屬膜、合金膜、氧化物膜、玻璃膜、陶瓷膜、聚合物膜等；

●薄膜平整光潔，便于采用光刻等圖形成形技術(shù)。

4.2厚膜技術(shù)

厚膜材料是有機(jī)介質(zhì)摻入微細(xì)金屬粉、玻璃粉或陶瓷粉末的混合物，通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝，印制到絕緣基板上。無(wú)機(jī)相金屬粉可確定厚膜成分：

●金屬或金屬合金組成無(wú)機(jī)相導(dǎo)體；

●金屬合金或釕(Ruthenium)系化合物組成厚膜電阻；

●玻璃或玻璃陶瓷無(wú)機(jī)相組成多層介質(zhì)、密封劑或高介電常數(shù)的電容層。厚膜的絲網(wǎng)印刷法有下述優(yōu)點(diǎn)：

●可直接形成電路圖形；

●膜層較厚，經(jīng)燒結(jié)收縮變得致密，電阻率低，容易實(shí)現(xiàn)很低的電路電阻；

●導(dǎo)體層、電阻層、絕緣層、介電層及其它功能層都可以印刷成膜；

●容易實(shí)現(xiàn)多層化；

●設(shè)備簡(jiǎn)單，投資少。

4.3基板技術(shù)

基板提供芯片及元器件間的有效互連與模塊的機(jī)械支撐，是模塊的基礎(chǔ)。選擇基板材料時(shí)，要考慮以下性能：

●機(jī)械性能方面：有足夠高的機(jī)械強(qiáng)度作為模塊的機(jī)械支撐；便于加工，尺寸精度高；表面光潔，平整度好，無(wú)微細(xì)裂紋。

●電氣性能方面：絕緣性能高，介電常數(shù)低，介電損耗小，在溫度高、濕度大的條件下性能穩(wěn)定。

●熱性能方面：導(dǎo)熱率高，耐熱特性好，熱膨脹系數(shù)與相關(guān)材料匹配。

●其它性能化學(xué)穩(wěn)定性好，無(wú)吸濕性，制造容易，成本低。

4.4釬焊技術(shù)

釬焊技術(shù)的主要工藝過(guò)程如下：

●清潔待焊金屬表面，去除表面氧化物，使表面對(duì)釬料具有良好的潤(rùn)濕性；

●熔融焊料潤(rùn)濕金屬表面；

●在焊料與被焊金屬間形成一層金屬間化合物。4.4.1波峰焊

如圖4-1所示，波峰焊是指將熔化的軟釬焊料經(jīng)電動(dòng)泵或電磁泵噴流成設(shè)計(jì)要求的焊料波峰，亦可通過(guò)向焊料池注入氮?dú)鈦?lái)形成，使預(yù)先裝有器件的PCB板通過(guò)焊料波峰，實(shí)現(xiàn)元器件焊端或引腳與PCB板焊盤(pán)之間機(jī)械與電氣連接的軟釬焊。圖4-2所示為波峰焊爐。圖4-1波峰焊原理圖圖4-2波峰焊爐4.4.2回流焊

有研究表明，回流焊溫度曲線(xiàn)的變化會(huì)對(duì)金屬間化合物的生長(zhǎng)帶來(lái)影響。回流焊技術(shù)具有以下技術(shù)特征：

●在回流焊過(guò)程中，不需要把元器件直接浸在熔融焊料中，元器件受到的熱沖擊??；

●僅在需要部位施放焊料，能控制焊料釋放量，避免橋接等缺陷產(chǎn)生；

●元器件貼放位置有一定偏離時(shí)，由于熔融焊料表面張力的作用，位置可以自對(duì)準(zhǔn)。圖4-3單面貼裝回流焊

1.單面貼裝

1)錫膏預(yù)涂

將焊膏涂敷到PCB焊盤(pán)圖形上的方法，廣泛采用的是印刷涂敷技術(shù)。印刷涂敷技術(shù)的大致過(guò)程為：印刷前將PCB放在工作支架上，由真空或機(jī)械方法固定，將已加工好的印刷圖像窗口的絲網(wǎng)/漏模板在金屬框架上繃緊，并與PCB對(duì)準(zhǔn)；絲網(wǎng)印刷時(shí)，PCB頂部與絲網(wǎng)/漏模板底部之間有一定距離；印刷開(kāi)始時(shí)，預(yù)先將焊膏放在絲網(wǎng)/漏模板上，使其與PCB板表面接觸，同時(shí)壓刮焊膏，通過(guò)絲網(wǎng)/漏模板上的印刷圖像窗口，將焊膏印制(沉積)在PCB的焊盤(pán)上。

2)貼裝

貼裝分為手工貼裝和機(jī)器自動(dòng)貼裝兩種。SMT生產(chǎn)中的貼裝技術(shù)通常是指用一定的方式，將片式元器件準(zhǔn)確地貼放到PCB指定的位置上。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)之為“PickandPlace”，是指吸取/拾取與放置兩個(gè)動(dòng)作。貼片機(jī)的總體結(jié)構(gòu)大致可分為：機(jī)架、PCB傳送機(jī)構(gòu)及支撐臺(tái)、XY與Z/θ定位系統(tǒng)、光學(xué)識(shí)別系統(tǒng)、貼片頭、供料器、傳感器和計(jì)算機(jī)操作軟件。圖4-4JUKIFX-3高速貼片機(jī)

3)回流焊

回流焊工藝是表面安裝技術(shù)的主要工藝技術(shù)，它是使焊料合金和結(jié)合的金屬表面之間形成合金層的一種連接技術(shù)。這種焊接技術(shù)的主要工藝特征是：用焊劑將要焊接的金屬表面洗凈(去除氧化物等)，使之對(duì)焊料具有良好的潤(rùn)濕性；供給熔融焊料潤(rùn)濕金屬表面，在焊料和被焊金屬間形成金屬間化合物。圖4-5HELLER1809MKⅢ9溫區(qū)回焊爐

4)清洗

通常在焊接后，總是存在不同程度的助焊劑的殘留物及其它類(lèi)型的污染物，如孔膠、高溫膠帶的殘留膠、手跡和飛塵等，因此清洗對(duì)保證電子產(chǎn)品的可靠性有著極其重要的作用。根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，清洗技術(shù)有溶劑清洗和水清洗。根據(jù)清洗工藝和設(shè)備不同，清洗技術(shù)又可分為間歇式清洗和連續(xù)式清洗。根據(jù)清洗方法不同，清洗技術(shù)還可以分為高壓噴洗和超聲波清洗。

2.雙面貼裝

雙面貼裝工藝類(lèi)似于單面貼裝工藝，主要工藝過(guò)程如下：

●?A面預(yù)涂錫膏；

●貼片，分為手工貼裝和機(jī)器自動(dòng)貼裝；

●回流焊；

●?B面預(yù)涂錫膏；

●貼片，分為手工貼裝和機(jī)器自動(dòng)貼裝；

●回流焊；

●清洗檢查；

●?電測(cè)試。

3.回流焊的溫度曲線(xiàn)

回流焊技術(shù)的核心環(huán)節(jié)是利用外部熱源加熱，使焊料熔化后再次流動(dòng)浸潤(rùn)，完成電路板的焊接過(guò)程。

影響回流焊工藝的因素很多，也很復(fù)雜。在SMT生產(chǎn)流程中，回流爐參數(shù)設(shè)置的好壞是影響焊接質(zhì)量的關(guān)鍵，而溫度曲線(xiàn)又是回流爐的關(guān)鍵參數(shù)。圖4-6回流焊溫度曲線(xiàn)

1)預(yù)熱段

預(yù)熱段的目的是把室溫的PCB盡快加熱，以達(dá)到特定目標(biāo)。升溫速率要控制在適當(dāng)范圍以?xún)?nèi)。升溫過(guò)快，會(huì)產(chǎn)生熱沖擊，電路板和元件都可能受損；升溫過(guò)慢，則溶劑揮發(fā)不充分，影響焊接質(zhì)量。由于加熱速度較快，因此在溫區(qū)的后段溫差較大。為防止熱沖擊對(duì)元器件的損傷，規(guī)定最大速度為4℃/s。通常上升速率設(shè)定為1℃～3℃/s，典型的升溫速率為2℃/s。

2)保溫段

保溫段是指溫度從120℃～150℃升至焊膏熔點(diǎn)的區(qū)域，其主要目的是使PCB上各元器件的溫度趨于穩(wěn)定，盡量減少溫差。應(yīng)保證足夠的時(shí)間，使較大元器件的上升溫度同較小元器件上升溫度同步，保證焊膏中的助焊劑得到充分揮發(fā)。

3)回流段

在回流區(qū)域里，加熱溫度最高，元器件的溫度快速上升至峰值溫度。在回流階段，不同的焊膏，焊接峰值溫度不同，一般為焊膏的熔點(diǎn)溫度加20℃～40℃。對(duì)于熔點(diǎn)為183℃的Sn63Pb37焊膏和熔點(diǎn)為179℃的Sn62Pb36Ag2焊膏，峰值溫度一般為210℃～230℃。回流時(shí)間不要過(guò)長(zhǎng)，以防對(duì)PCB及元器件造成不良影響。理想的溫度曲線(xiàn)是超過(guò)焊錫熔點(diǎn)“尖端區(qū)”覆蓋的面積最小。

4)冷卻段

在冷卻區(qū)域里，焊膏內(nèi)的鉛錫粉末已經(jīng)熔化，并充分潤(rùn)濕，被連接于表面。用盡可能快的速度進(jìn)行冷卻，有助于得到明亮的焊點(diǎn)，并有好的外形和低的接觸角度。緩慢冷卻，會(huì)導(dǎo)致電路板的更多分解，從而進(jìn)入錫中，進(jìn)而產(chǎn)生灰暗毛糙的焊點(diǎn)，在極端的情形下，引起焊接不良或焊點(diǎn)結(jié)合力減弱。冷卻階段降溫速率一般為3℃～10℃/s，冷卻至75℃即可。

4.5薄膜覆蓋封裝技術(shù)

圖4-7所示為通用電氣公司采用薄膜覆蓋封裝技術(shù)(Thin-filmPowerOverlayTechnology)構(gòu)成的功率模塊。芯片的背面焊接在DBC陶瓷基板上，芯片正面粘貼聚酰亞胺絕緣薄膜。粘貼前，薄膜已按要求形成一定距離和大小的過(guò)孔，過(guò)孔的位置與下面芯片電極的位置對(duì)應(yīng)，用濺射法使過(guò)孔金屬化，過(guò)孔提供了芯片到頂層的互連。之后沉積金屬層，并光刻出圖形。圖4-7采用薄膜覆蓋封裝技術(shù)構(gòu)成的功率模塊薄膜覆蓋技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：

●芯片產(chǎn)生的熱量主要經(jīng)過(guò)銅墊片傳送到DBC陶瓷基板，然后通過(guò)導(dǎo)熱或輻射向大氣散發(fā)。同時(shí)，一部分熱量通過(guò)金屬化過(guò)孔傳送至頂層金屬，再通過(guò)對(duì)流或輻射向大氣散發(fā)，實(shí)現(xiàn)了三維散熱。

●外形尺寸小，寄生參數(shù)小。

●多層結(jié)構(gòu)便于實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。

4.6金屬柱互連技術(shù)

圖4-8所示為金屬柱互連平行板結(jié)構(gòu)(MetalPostsInterconnectedParallelPlateStructure，MPIPPS)的封裝示意圖。圖4-8金屬柱互聯(lián)技術(shù)封裝模塊

4.7通孔互連技術(shù)

通孔互連技術(shù)(TSV)是一種新穎的互連方式。如圖4-9所示，與傳統(tǒng)的互連(如引線(xiàn)鍵合)不同，它是通過(guò)在硅片或玻璃上刻蝕通孔實(shí)現(xiàn)的。這種互連技術(shù)因?yàn)槭谴怪边B接電路的兩端，所以電連接距離短、密度高，寄生、串?dāng)_等效應(yīng)也較小。圖4-9引線(xiàn)鍵合和通孔互連技術(shù)比較

1.通孔刻蝕

1)濕法腐蝕

如圖4-10所示，濕法腐蝕是一種利用KOH溶液對(duì)硅片進(jìn)行腐蝕的方法，一般使用<100>晶向的硅片，以熱氧化形成的二氧化硅層做掩膜，腐蝕過(guò)程中腐蝕速率與溶液溫度有關(guān)。圖4-10KOH濕法腐蝕

2)干法刻蝕

如圖4-11所示，干法刻蝕是一種采用SF6作為刻蝕氣體，CF4作為保護(hù)氣體，以二氧化硅層或光刻膠作掩膜的各向異性的反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)。圖4-11干法刻蝕

2.絕緣層淀積

硅片本身具有導(dǎo)電性，為了保證硅片上通孔間的絕緣，防止短路，在通孔制作完畢后，必須在通孔的側(cè)壁淀積一層絕緣介質(zhì)層。通常采用化學(xué)氣相淀積的方法，在通孔的側(cè)壁沉積Si3N4或SiO2介質(zhì)層。

3.孔內(nèi)電連通

斜孔深度一般有幾百微米，要在其側(cè)壁上形成電通路，通?？刹捎脼R射、蒸發(fā)、電鍍等方法。直孔電連通的常用方法有低溫化學(xué)淀積、熔融金屬淀積、電鍍等。

4.重布線(xiàn)

通孔內(nèi)金屬層制作完畢后，可以采用類(lèi)似于集成電路的再分布技術(shù)對(duì)鍵合好的圓片表面進(jìn)行重新布線(xiàn)。

5.寄生電容的形成

在玻璃片上制作通孔，一般不考慮通孔寄生電容問(wèn)題。因?yàn)椴Ａ旧砜烧J(rèn)為是絕緣的，所以玻璃上的通孔可以運(yùn)用于超高頻的電路中。

如圖4-12所示，因?yàn)楣杵旧淼膶?dǎo)電性，所以在通孔內(nèi)淀積金屬或多晶硅之前，會(huì)先在通孔的側(cè)壁上淀積一層絕緣層，這樣就會(huì)在硅片和金屬層之間形成一個(gè)MOS寄生電容。圖4-12寄生電容

4.8倒裝芯片技術(shù)

倒裝芯片技術(shù)(FlipChipTechnology，F(xiàn)CT)是1960年首先由IBM公司設(shè)計(jì)并開(kāi)發(fā)研制出來(lái)的，但一直到近幾年才開(kāi)始應(yīng)用于高速、單芯片微處理器或微電子集成芯片。倒裝芯片技術(shù)應(yīng)用于少數(shù)功率器件，則是在最近的時(shí)間內(nèi)。倒裝芯片技術(shù)可實(shí)現(xiàn)芯片和基板的互連距離最短。根據(jù)芯片與基板的互連媒介種類(lèi)，芯片倒裝互連主要可分為三種類(lèi)型：

●焊料凸點(diǎn)倒裝互連技術(shù)；

●聚合物倒裝互連技術(shù)；

●熱壓共晶焊技術(shù)。圖4-13焊料凸點(diǎn)倒裝互連技術(shù)通過(guò)對(duì)芯片上施加的壓力來(lái)控制焊點(diǎn)的塌陷程度，彌補(bǔ)因芯片與基板的缺陷(如芯片凸點(diǎn)的高度不同，板的凹凸、扭曲等)而產(chǎn)生的焊接不均勻性，使所有凸點(diǎn)都能可靠互連。由于焊料表面張力的存在，按照基板焊盤(pán)尺寸的百分比，即使芯片的焊料凸點(diǎn)與焊盤(pán)的中心誤差達(dá)到25%，也能在回流焊接時(shí)使凸點(diǎn)回復(fù)到焊盤(pán)的中心位置，使凸點(diǎn)和襯底焊盤(pán)“自對(duì)中”，如圖4-14所示。圖4-14倒裝焊“自對(duì)中”效應(yīng)

4.9壓接封裝技術(shù)

壓接封裝技術(shù)(PressurePackTechnology)是富士公司、東芝公司和ABB公司最早開(kāi)發(fā)研制出來(lái)的一種封裝技術(shù)。圖4-15所示為銅塊壓接封裝技術(shù)示意圖。這種技術(shù)采用壓力裝配，多個(gè)芯片的連接通過(guò)過(guò)渡鉬片扣合完成，取消了焊接和焊接面。圖4-15銅塊壓接封裝技術(shù)

4.10引線(xiàn)鍵合技術(shù)

1.熱壓鍵合

熱壓鍵合是最早用于芯片互連的方法，目前已很少采用。熱壓鍵合是指通過(guò)壓力與加熱，使鍵合區(qū)產(chǎn)生塑性變形，實(shí)現(xiàn)引線(xiàn)與焊盤(pán)的連接。熱量與壓力通過(guò)毛細(xì)管形或楔形工具，以靜載或脈沖方式施加到鍵合區(qū)。

2.熱超聲引線(xiàn)鍵合

熱超聲引線(xiàn)鍵合是指在熱壓鍵合基礎(chǔ)上引入超聲波，在超聲波作用下將引線(xiàn)軟化，可降低鍵合溫度和壓力，提高鍵合強(qiáng)度。圖4-16熱超聲引線(xiàn)鍵合過(guò)程圖4-17正向金球熱超聲焊主要步驟圖4-18球焊鍵合過(guò)程圖4-19金絲鍵合圖4-20劈刀圖4-21鍵合點(diǎn)鑒于封裝形式的變化，如圖4-22所示，有時(shí)引線(xiàn)鍵合需要在兩塊芯片上(如3D封裝等)。因此，此類(lèi)引線(xiàn)鍵合需要采用引線(xiàn)反打技術(shù)。圖4-23所示為引線(xiàn)反打鍵合的主要步驟。圖4-22雙芯片引線(xiàn)鍵合圖4-23引線(xiàn)反打鍵合主要步驟圖4-24鋁絲鍵合

3.超聲引線(xiàn)鍵合

超生引線(xiàn)鍵合是指在常溫下，施加超聲和鍵合力(超聲波振動(dòng)平行于鍵合面，鍵合力垂直于鍵合面)，將引線(xiàn)鍵合到焊盤(pán)上的方法。由于采用如圖4-25所示的楔形劈刀，故又稱(chēng)楔鍵合(WedgeBanding)。圖4-25超聲引線(xiàn)鍵合圖4-26超聲引線(xiàn)鍵合過(guò)程

4.11載帶自動(dòng)焊(TAB)技術(shù)

隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，微電子器件I/O數(shù)目亦隨之增加。超聲鍵合作為一種點(diǎn)焊技術(shù)，其鍵合質(zhì)量和鍵合效率已經(jīng)不能適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)的要求，群焊技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生。載帶自動(dòng)焊技術(shù)是群焊技術(shù)的一種。圖4-27載帶自動(dòng)焊內(nèi)鍵合技術(shù)

4.12倒裝芯片鍵合(FCB)技術(shù)

倒裝芯片鍵合(Flip-ChipBonding，F(xiàn)CB)是一種面陣列芯片互連技術(shù)，具有高的互連密度和互連強(qiáng)度。

1)回流焊接技術(shù)

回流焊接技術(shù)即倒裝鍵合技術(shù)最初的原型，它有可靠性好，可焊接的I/O點(diǎn)多等優(yōu)點(diǎn)，但其焊盤(pán)和倒裝凸點(diǎn)的制作技術(shù)復(fù)雜、成本高，因此主要針對(duì)大批量生產(chǎn)的應(yīng)用。

2)導(dǎo)電膠粘接技術(shù)

導(dǎo)電膠粘接是指在基板上涂覆帶有納米導(dǎo)電粒子的環(huán)氧樹(shù)脂，芯片凸點(diǎn)和基板焊盤(pán)通過(guò)納米導(dǎo)電粒子連通。

3)熱壓鍵合技術(shù)

熱壓鍵合技術(shù)是指芯片焊盤(pán)通過(guò)引線(xiàn)鍵合的方式植入金凸點(diǎn)，將芯片倒置，凸點(diǎn)向下反扣在基板焊盤(pán)上，然后采用熱壓鍵合的方式，將芯片凸點(diǎn)鍵合到基板焊盤(pán)上。熱壓鍵合技術(shù)沒(méi)有鉛污染問(wèn)題，效率也較高，但存在可靠性差、可鍵合窗口小等缺點(diǎn)，且高溫高壓的鍵合條件對(duì)芯片不利。

4)熱超聲倒裝鍵合技術(shù)

熱超聲倒裝鍵合技術(shù)借鑒熱超聲引線(xiàn)鍵合技術(shù)，在超聲、鍵合力和熱的作用下，將金凸點(diǎn)鍵合到基板焊盤(pán)上。具體步驟為：首先在芯片焊盤(pán)上用超聲引線(xiàn)鍵合的方式植入金凸點(diǎn)；然后將芯片倒置，凸點(diǎn)向下反扣在基板焊盤(pán)上；通過(guò)超聲、鍵合力和溫度的共同作用，將芯片凸點(diǎn)鍵合到基板焊盤(pán)陰。圖4-28連接技術(shù)和I/O數(shù)關(guān)系

4.13電?連?接?技?術(shù)

電子封裝電連接的主要功能是：

●信號(hào)的輸入、輸出端向外界的過(guò)渡；

●功率的輸入、輸出端向外界的過(guò)渡。

4.14焊接中的常見(jiàn)問(wèn)題

1.橋聯(lián)

焊接加熱過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生焊料塌邊，主要出現(xiàn)在預(yù)熱和主加熱兩種場(chǎng)合。當(dāng)預(yù)熱溫度在幾十至一百度范圍內(nèi)時(shí)，溶劑黏度會(huì)降低，并流出。如果溶劑流量大，會(huì)將焊料顆粒擠出焊區(qū)外。熔融時(shí)溶劑如不能及時(shí)返回到焊區(qū)內(nèi)，其內(nèi)部的含金顆粒將滯留形成焊料球。圖4-29所示即

為橋聯(lián)。圖4-29橋聯(lián)

2.立碑(曼哈頓現(xiàn)象)

立碑指片式元器件在遭受急速加熱情況下發(fā)生翹立的現(xiàn)象。導(dǎo)致立碑的原因主要為急熱。急熱使元器件兩端存在溫差，電極端一邊的焊料完全熔融后獲得良好的濕潤(rùn)，而另一邊的焊料未完全熔融而引起濕潤(rùn)不良，元件翹立。

3.潤(rùn)濕不良

潤(rùn)濕不良是指焊接過(guò)程中焊料和電路基板的焊區(qū)(銅箔)或元器件的外部電極，經(jīng)浸潤(rùn)后不生成相互間的反應(yīng)層，造成漏焊或少焊故障。圖4-30所示為潤(rùn)濕不良。圖4-30潤(rùn)濕不良

4.黑焊盤(pán)

黑焊盤(pán)指焊盤(pán)表面化鎳浸金鍍層形態(tài)良好，但金層下的鎳層已變質(zhì)生成為鎳氧化物的脆性黑色物質(zhì)，對(duì)焊點(diǎn)的可靠性構(gòu)成很大威脅。圖4-31所示為黑焊盤(pán)。圖4-31黑焊盤(pán)

5.脫焊

脫焊容易造成橋聯(lián)、短路、對(duì)不準(zhǔn)等現(xiàn)象。圖4-32所示為脫焊。圖4-32脫焊

6.助焊劑殘留

助焊劑殘留既影響板面的光潔程度，又影響PCB板本身的電氣性。圖4-33所示為殘留助焊劑。圖4-33殘留助焊劑

7.錫瘟

在13℃或更低的溫度條件下，Sn會(huì)發(fā)生同位素異形轉(zhuǎn)變，由灰白色的β-Sn(四角形晶體結(jié)構(gòu))轉(zhuǎn)變?yōu)榘咨嘈缘姆勰瞀?Sn(立方晶體結(jié)構(gòu))，該轉(zhuǎn)變速度在-30℃的時(shí)候達(dá)到最大值。航