模擬電子技術知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋齊魯工業(yè)大學

模擬電子技術知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋齊魯工業(yè)大學第一章單元測試

P型半導體是摻入三價元素形成的，多子是自由電子，少子是空穴。（）

A:錯B:對

答案:錯在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度取決于（）。

A:溫度B:本征半導體C:雜質濃度D:摻雜工藝

答案:雜質濃度PN結正偏時導通，反偏時截止，所以PN結具有單向導電性。（）

A:錯B:對

答案:對穩(wěn)定二極管穩(wěn)壓時是處于反向偏置狀態(tài)，而二極管導通時是處于正向偏置狀態(tài)。（）

A:錯B:對

答案:對空穴電流是由自由電子填補空位形成的。（）

A:錯B:對

答案:錯如圖所示電路中，設二極管特性理想，則UO為（）。

A:－12VB:12VC:9VD:－9V

答案:－9V如圖所示，設二極管的導通電壓UD＝0.7V，則UO＝（）V。

A:-2VB:1.3VC:0.7VD:2V

答案:1.3VPN結正向偏置時，其內電場被（）。

A:削弱B:不變C:不確定D:增強

答案:削弱半導體二極管加正向電壓時，有（）。

A:電流小電阻大B:電流小電阻小C:電流大電阻大D:電流大電阻小

答案:電流大電阻小PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將變寬。（）

A:錯B:對

答案:錯

第二章單元測試

某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓Va=1.2V，Vb=0.5V，Vc=3.6V，試問該三極管是（）型的三極管，該管的集電極是a、b、c中的（）。（）

A:aB:cC:bD:NPNE:PNP

答案:c；NPN三極管具有放大作用外部電壓條件是發(fā)射結正偏，集電結正偏。（）

A:錯B:對

答案:錯共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為（），此時應該（）偏置電阻。（）

A:截止失真B:增大C:飽和失真D:減小。E:交越失真

答案:截止失真；減小。在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用共射組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用共集組態(tài)，共基組態(tài)的頻率響應好。（）

A:對B:錯

答案:對某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入12kΩ的負載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（）

A:10kΩB:4kΩC:3kΩD:2kΩ

答案:4kΩ帶射極電阻Re的共射放大電路，在并聯(lián)交流旁路電容Ce后，其電壓放大倍數(shù)將（）

A:變?yōu)榱鉈:減小C:增大D:不變

答案:增大有兩個放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具有內阻的信號源電壓進行放大。在負載開路的條件下，測得A放大器的輸出電壓小，這說明A的（）

A:輸出電阻小B:輸入電阻大C:輸出電阻大D:輸入電阻小

答案:輸入電阻小為了使高內阻信號源與低阻負載能很好的配合，可以在信號源與低阻負載間接入（）

A:共基電路B:共集電路C:共集-共基串聯(lián)電路D:共射電路

答案:共集電路當用外加電壓法測試放大器的輸出電阻時，要求（）

A:獨立信號源短路，負載短路B:獨立信號源開路，負載短路C:獨立信號源開路，負載開路D:獨立信號源短路，負載開路

答案:獨立信號源短路，負載開路某放大狀態(tài)的晶體管,知β＝50,測得其IE＝2.04mA,忽略穿透電流,則其IB為（）μA。

A:獨立信號源開路，負載開路B:獨立信號源開路，負載短路C:獨立信號源短路，負載開路D:獨立信號源短路，負載短路

答案:獨立信號源短路，負載短路

第三章單元測試

場效應管同雙極型三極管相比，其輸入電阻大，熱穩(wěn)定性好。（）

A:對B:錯

答案:對場效應管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。（）

A:錯B:對

答案:對場效應管是電流控制電流型器件，只依靠多數(shù)載流子導電。（）

A:對B:錯

答案:錯根據(jù)場效應管的輸出特性，其工作情況可以分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和截止區(qū)四個區(qū)域。（）

A:對B:錯

答案:對能采用分壓式偏置電路的是（）場效應管。

A:結型、增強型和耗盡型B:結型C:耗盡型D:增強型

答案:結型、增強型和耗盡型圖（）表示N溝道增強型MOS管。

A:(c)B:(b)C:(a)D:(d)

答案:(a)某場效應管的轉移特性如圖所示，該管為（）。

A:增強型NMOS管B:耗盡型NMOS管C:增強型PMOS管D:耗盡型PMOS管

答案:耗盡型PMOS管一場效應管的輸出特性曲線如圖所示，則該管是（）。

A:耗盡型PMOS管B:增強型PMOS管C:耗盡型NMOS管D:增強型NMOS管

答案:耗盡型NMOS管某場效應管的的轉移特性曲線如圖所示，則該管是（）。

A:耗盡型PMOS管B:增強型NMOS管C:增強型PMOS管D:耗盡型NMOS管

答案:增強型PMOS管結型場效應管發(fā)生預夾斷后，管子（）。

A:可變電阻區(qū)B:進入飽和區(qū)C:進入恒流區(qū)D:關斷

答案:進入恒流區(qū)

第四章單元測試

多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合，光電耦合。（）

A:錯B:對

答案:對在多級放大電路里，可以把后級的輸入電阻作為是前級的負載，可以把前級輸出電阻是后級的信號源電阻。（）

A:錯B:對

答案:對多級放大電路的輸入電阻就是第一級的輸入電阻，輸出電阻就是最后一級的輸出電阻。（）

A:錯B:對

答案:對阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立，它只能放大交流信號。（）

A:錯B:對

答案:對直接耦合多級放大電路各級的Q點相互影響，它只能放大直流信號。（）

A:對B:錯

答案:錯直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是（）。

A:晶體管參數(shù)的分散性B:電源電壓不穩(wěn)定C:晶體管參數(shù)受溫度影響D:電阻阻值有誤差

答案:電源電壓不穩(wěn)定；晶體管參數(shù)受溫度影響集成電路中多采用（）耦合方式。

A:直接耦合電路B:阻容耦合電路C:變壓器耦合電路D:光電耦合

答案:直接耦合電路兩級放大電路第一級電壓放大倍數(shù)時為50，第二級電壓放大倍數(shù)為80，則總的電壓放大倍數(shù)為（）。

A:400B:130C:40000D:4000

答案:4000把前一級輸出端（或經過電阻等）直接接到下一級輸入端，這種連接方式稱為（）耦合。

A:變壓器耦合電路B:光電耦合C:直接耦合電路D:阻容耦合電路

答案:直接耦合電路直接耦合放大電路的放大倍數(shù)越大，在輸出端出現(xiàn)的漂移電壓就越（）。

A:跟放大倍數(shù)無關B:大C:不確定D:小

答案:大

第五章單元測試

差分式放大電路能放大直流和交流信號，它對共模信}具有放大能力，它對差模信號具有抑制能力。（）

A:對B:錯

答案:錯差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個信號，稱為共模信號，而加上大小相等、極性相反的兩個信號，稱為差模信號。（）

A:錯B:對

答案:對共模抑制比KCMR越大，表明電路（）。

A:輸入信號中的差模成分越大B:交流放大倍數(shù)越大C:放大倍數(shù)越穩(wěn)定D:抑制零漂能力越強

答案:抑制零漂能力越強若差分放大電路由單端輸出變?yōu)殡p端輸出，則其空載時的差模電壓放大倍數(shù)將（）。

A:不變B:減小一半C:約增加1.5倍D:增加一倍

答案:增加一倍在集成電路中，采用差分放大電路的主要目的是為了（）。

A:減小輸出電阻B:消除溫度漂移C:提高輸入電阻D:提高放大倍數(shù)

答案:消除溫度漂移在雙端輸入的差動放大電路中，輸入信號uI1和uI2分別為60mV和40mV，則其共模輸入信號uIc和差模輸入信號uId為（）。

A:100mV和10mVB:50mV和50mVC:50mV和20mVD:100mV和20mV

答案:50mV和20mV在單端輸出的理想對稱長尾式差分放大電路中，若增大發(fā)射極電阻RE（保持ICQ不變），則有（）。。

A:|Ad|減小，|Ac|減小B:|Ad|不變，|Ac|不變C:|Ad|減小，|Ac|不變D:|Ad|不變，|Ac|減小

答案:|Ad|不變，|Ac|減小直接耦合放大電路存在有零點漂移現(xiàn)象，對此現(xiàn)象有較強抑制作用的電路是（）。

A:共集電極組態(tài)B:差動放大電路C:功率放大電路D:共射極組態(tài)

答案:差動放大電路在如圖所示的雙端輸入單端輸出的差動放大電路中，差模電壓放大倍數(shù)|Ad2|=50，共模電壓放大倍數(shù)|Ac|=0.5，若輸入電壓ui1=60mV，ui2=40mV，則輸出電壓uo2為（）。

A:+1.025B:+0.975C:-1.025D:-0.975

答案:+0.975如圖所示差分放大電路中，為提高抑制零點漂移的能力，試問采用下列（）措施好。

A:采用恒流源差分電路B:加大RCC:減小工作點電流D:提高電源電壓

答案:采用恒流源差分電路

第六章單元測試

工作在線性區(qū)的運算放大器應置于（）狀態(tài)。

A:深度反饋B:正反饋C:開環(huán)D:閉環(huán)

答案:閉環(huán)集成運放通常由輸入級、中間級、輸出級和偏置級四個部分組成。（）

A:對B:錯

答案:對理想集成運放的開環(huán)電壓放大倍數(shù)Auo為無窮大，輸出電阻為無窮大。（）

A:對B:錯

答案:錯理想集成運放工作在線性區(qū)的兩個特點是虛短和虛斷。（）

A:錯B:對

答案:對集成運算放大器構成的反相比例運算電路的一個重要特點是（）。

A:輸入電阻大B:電壓串聯(lián)負反饋C:反相輸入端為虛地D:電流并聯(lián)負反饋

答案:反相輸入端為虛地下列對集成電路運算放大器描述正確的是（）。

A:是一種低電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路B:是一種高電壓增益、高輸入電阻和高輸出電阻的多級直接耦合放大電路C:是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路D:是一種高電壓增益、低輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路

答案:是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路集成運放電源電壓±VCC=±12Ｖ，若uI=-2V，則uo約為（）。

A:12VB:-12VC:20VD:22V

答案:12V如圖所示電路為一般單限比較器電路，其門限電壓UT為（）。

A:+4VB:+2VC:-2VD:-4V

答案:-4V

第七章單元測試

電流負反饋能穩(wěn)定電路的輸出電流，同時使輸出電阻增大。（）

A:錯B:對

答案:對電壓并聯(lián)負反饋能穩(wěn)定電路的輸出電壓，同時使輸入電阻增大。（）

A:對B:錯

答案:錯在如圖所示的電路，RF引入了（）。

A:電流串聯(lián)負反饋B:電壓串聯(lián)負反饋C:電流并聯(lián)負反饋D:電壓并聯(lián)負反饋

答案:電流并聯(lián)負反饋負反饋所能抑制的干擾和噪聲是（）。

A:輸入信號所包含的干擾和噪聲B:輸出信號中的干擾和噪聲C:反饋環(huán)內的干擾和噪聲D:反饋環(huán)外的干擾和噪聲

答案:反饋環(huán)內的干擾和噪聲在如圖所示的電路，RF引入了()。對輸入電阻的影響是（）。（）

A:電壓串聯(lián)負反饋B:電壓并聯(lián)負反饋C:減小輸入電阻D:增大輸入電阻E:電流串聯(lián)負反饋F:電流并聯(lián)負反饋

答案:減小輸入電阻；電流并聯(lián)負反饋某傳感器產生的是電壓信號（幾乎不能提供電流），經過放大后希望輸出電壓與信號成正比，這是放大電路應選（）。

A:電流串聯(lián)負反饋B:電壓并聯(lián)負反饋C:電流并聯(lián)負反饋D:電壓串聯(lián)負反饋

答案:電壓串聯(lián)負反饋在如圖所示的電路中，R1=10kΩ,RF=100kΩ，則閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Auf的值為（）。

A:-10B:-11C:10D:11

答案:-118、電路如圖所示，ui=2V，負載電流iL與負載電阻RL之間的關系為（）。

A:RL減小，iL增大B:iL的大小與RL基本無關C:RL增大，iL增大D:RL增大，iL減小

答案:iL的大小與RL基本無關在如圖所示的電路，所引入的級間反饋組態(tài)是（）。

A:電壓并聯(lián)負反饋B:電壓串聯(lián)負反饋C:電流串聯(lián)負反饋D:電流并聯(lián)負反饋

答案:電壓串聯(lián)負反饋串聯(lián)負反饋放大電路環(huán)內的輸入電阻是無反饋時輸入電阻的（）。

A:1＋AF倍B:1/AF倍C:1/(1＋AF)倍D:1/F倍

答案:1＋AF倍

第八章單元測試

正弦波振蕩電路是由放大電路、反饋網絡、選頻網絡、穩(wěn)幅環(huán)節(jié)四個部分組成。（）

A:錯B:對

答案:對文氏橋式振蕩電路（RC正弦波振蕩電路）在穩(wěn)幅振蕩時，放大電路的電壓放大倍數(shù)為3。（）

A:錯B:對

答案:對正弦波振蕩電路能夠起振的條件是{}。（）

A:錯B:對

答案:對LC振蕩電路主要用來產生低頻正弦信號。（）

A:錯B:對

答案:錯正弦波振蕩電路利用正反饋產生振蕩的相位平衡條件是（）。

A:2nπ，n為整數(shù)B:nπ/2，n為整數(shù)C:不確定D:(2n+1)π，n為整數(shù)

答案:2nπ，n為整數(shù)振蕩器與放大器的區(qū)別是（）。

A:振蕩器需要外加激勵信號，放大器無需外加激勵信號B:振蕩器無需外加激勵信號，放大器需要外加激勵信號C:振蕩器比放大器失真小D:振蕩器比放大器電源電壓高

答案:振蕩器無需外加激勵信號，放大器需要外加激勵信號下列正弦波振蕩電路中，頻率穩(wěn)定性最高的是（）。

A:電容三點式振蕩電路B:變壓器反饋式振蕩電路C:電感三點式振蕩電路D:石英晶體振蕩電路

答案:石英晶體振蕩電路在如下圖所示的RC正弦波振蕩電路中，集成運放圖形符號上同相輸入端和反相輸入端的正負號標記應為（）。

A．上正下負

A:上下均負B:上負下正C:上下均正

答案:上下均負LC正弦波振蕩器電路的振蕩頻率為（）。

A:B:C:D:

答案:已知正弦波振蕩電路的RC串并聯(lián)選頻網絡中，R=10kΩ，C=0.01μF，則該電路的振蕩頻率f0=（）。

A:856.7HzB:1591.5HzC:2618.1HzD:343Hz

答案:1591.5Hz

第九章單元測試

OCL電路是雙電源互補功率放大電路；OTL電路是單電源互補功率放大電路。（）

A:錯B:對

答案:對功放管的導通角是180°的放大電路是乙類放大電路，功放管的導通角是360°的放大電路是甲類放大電路。（）

A:對B:錯

答案:對在甲乙類放大電路中,放大管導通角為大于180°而小于360°。（）

A:對B:錯

答案:對乙類互補對稱功率放大電路的特點說法錯誤的是（）。

A:管耗小B:效率高C:存在交越失真D:效率低

答案:效率低功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時，輸出基本不失真情況下負載上獲得的最大（）。

A:交流功率B:平均功率C:有功功率D:直流功率

答案:交流功率乙類放大電路是指放大管的導通角等于（）。

A:180°B:0°C:360°D:90°

答案:180°設計一個輸出功率為20W的擴音機電路，若用OCL互補對稱功放電路，則應選最大允許功耗至少為（）W的功率管兩個。

A:10B:20C:2D:4

答案:4互補輸出級采用射極輸出方式是為了使（）。

A:帶負載能力強B:輸出電阻增大C:電壓放大倍數(shù)高D:輸出電流小

答案:帶負載能力強9、若OCL功率放大器的輸出電壓波形如圖1所示，為消除該失真，應：（）。

A:進行相位補償B:適當增大負載電阻的阻值C:適當增大功放管的靜態(tài)