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專項(xiàng)提能特訓(xùn)(7)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合大題突破1.(2021·湖南卷,18)硅、鍺(Ge)及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為_(kāi)___________,晶體硅和碳化硅熔點(diǎn)較高的是____________(填化學(xué)式);(2)硅和鹵素單質(zhì)反應(yīng)可以得到SiX4。SiX4的熔、沸點(diǎn)SiF4SiCl4SiBr4SiI4熔點(diǎn)/K183.0203.2278.6393.7沸點(diǎn)/K187.2330.8427.2560.7①0℃時(shí),SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4呈液態(tài)的是__________(填化學(xué)式),沸點(diǎn)依次升高的原因是____________________,氣態(tài)SiX4分子的空間結(jié)構(gòu)是________;②SiCl4與N甲基咪唑()反應(yīng)可以得到M2+,其結(jié)構(gòu)如圖所示:N甲基咪唑分子中碳原子的雜化軌道類型為_(kāi)_______,H、C、N的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開(kāi)_______,1個(gè)M2+中含有________個(gè)σ鍵;(3)下圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化合物的晶胞示意圖。①已知化合物中Ge和O的原子個(gè)數(shù)比為1∶4,圖中Z表示________原子(填元素符號(hào)),該化合物的化學(xué)式為_(kāi)___________;②已知該晶胞的晶胞參數(shù)分別為anm、bnm、cnm,α=β=γ=90°,則該晶體的密度ρ=________g·cm-3(設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,用含a、b、c、NA的代數(shù)式表示)。解析:(1)硅原子核外有14個(gè)電子,有1s、2s、2p、3s、3p五個(gè)能級(jí),每個(gè)能級(jí)的電子數(shù)分別是2、2、6、2、2,則基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為。晶體硅和碳化硅均為共價(jià)晶體,碳原子半徑比硅原子半徑小,則C—Si鍵鍵長(zhǎng)比Si—Si鍵鍵長(zhǎng)短,故碳化硅的熔點(diǎn)較高。(2)①0℃≈273K,由題表中的數(shù)據(jù)可知,只有SiCl4的熔點(diǎn)低于273K,沸點(diǎn)高于273K,則SiCl4在0℃時(shí)為液態(tài)。SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4均為分子晶體,結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,則分子間作用力依次增大,沸點(diǎn)逐漸升高。SiX4的中心原子Si周圍的σ鍵電子對(duì)數(shù)=4+eq\f(1,2)×(4-1×4)=4,無(wú)孤電子對(duì),由VSEPR理論可知,其VSEPR模型與分子空間結(jié)構(gòu)均為正四面體。②中甲基碳原子為飽和碳原子,是sp3雜化,碳碳雙鍵中的碳原子為sp2雜化。短周期同周期元素從左到右,電負(fù)性逐漸增大,且H的電負(fù)性比C小,故電負(fù)性由大到小的順序是N>C>H。中1個(gè)基團(tuán)有1個(gè)N—Si、4個(gè)N—C、1個(gè)N=C、1個(gè)C=C、6個(gè)C—H,共有13個(gè)σ鍵,4個(gè)基團(tuán),則含13×4=52(個(gè))σ鍵,另外還有2個(gè)Si—Cl鍵,故1個(gè)中含有σ鍵的數(shù)目為54個(gè)。(3)①由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,1個(gè)晶胞中,對(duì)于X原子,8個(gè)位于頂點(diǎn)、4個(gè)位于棱上、6個(gè)位于面上、3個(gè)位于晶胞內(nèi),故1個(gè)晶胞中含有X的數(shù)目為8×eq\f(1,8)+4×eq\f(1,4)+6×eq\f(1,2)+3=8(個(gè));對(duì)于Y原子,4個(gè)Y原子均位于晶胞內(nèi);對(duì)于Z原子,16個(gè)Z原子均位于晶胞內(nèi)。其中Ge和O的原子個(gè)數(shù)比為1∶4,則X為Mg,Y為Ge,Z為O。由上述分析可知,該化合物的化學(xué)式為Mg2GeO4。②1個(gè)晶胞的質(zhì)量=eq\f(24×8+73×4+16×16,NA)g=eq\f(740,NA)g,1個(gè)晶胞的體積=abc×10-21cm3,則晶體的密度ρ=eq\f(\f(740,NA)g,abc×10-21cm3)=eq\f(740×1021,abcNA)g·cm-3。答案:(1)SiC(2)①SiCl4SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4都是分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增大正四面體②sp2、sp3N>C>H54(3)①OMg2GeO4②eq\f(740×1021,abcNA)2.(2020·天津卷,13)Fe、Co、Ni是三種重要的金屬元素?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)Fe、Co、Ni在周期表中的位置為_(kāi)_______,基態(tài)Fe原子的電子排布式為_(kāi)_______。(2)CoO的面心立方晶胞如圖1所示。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則CoO晶體的密度為_(kāi)_______g·cm-3;三種元素二價(jià)氧化物的晶胞類型相同,其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)開(kāi)_______________________________________________________________________________________________________________________________________________。圖1(3)Fe、Co、Ni能與Cl2反應(yīng),其中Co和Ni均生成二氯化物,由此推斷FeCl3、CoCl3和Cl2的氧化性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)開(kāi)_____________________________________________________________________________________________________________________,Co(OH)3與鹽酸反應(yīng)有黃綠色氣體生成,寫出反應(yīng)的離子方程式:________________________________________________________________________________________________________________________________________________。(4)95℃時(shí),將Ni片浸在不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的硫酸中,經(jīng)4小時(shí)腐蝕后的質(zhì)量損失情況如圖2所示,當(dāng)w(H2SO4)大于63%時(shí),Ni被腐蝕的速率逐漸降低的可能原因?yàn)開(kāi)___________________________________________________________________________________。由于Ni與H2SO4反應(yīng)很慢,而與稀硝酸反應(yīng)很快,工業(yè)上選用H2SO4和HNO3的混酸與Ni反應(yīng)制備NiSO4。為了提高產(chǎn)物的純度,在硫酸中添加HNO3的方式為_(kāi)_______(填“一次過(guò)量”或“少量多次”),此法制備NiSO4的化學(xué)方程式為_(kāi)______________________________________________________________________________________________。圖2解析:(1)Fe、Co、Ni三種元素在周期表中位于第四周期第Ⅷ族;Fe的原子序數(shù)為26,根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知,基態(tài)Fe原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2。(2)由題給圖示可知,O2-位于頂點(diǎn)和面心,因此一個(gè)晶胞中含有O2-的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)=4;Co2+位于棱上和體心,因此一個(gè)晶胞中含有Co2+的個(gè)數(shù)為12×eq\f(1,4)+1=4,即一個(gè)晶胞的質(zhì)量為eq\f(4×75,NA)g,一個(gè)晶胞的體積為(a×10-7)3cm3,因此CoO晶體的密度為eq\f(3×1023,NA·a3)g·cm-3。Fe、Co、Ni的原子序數(shù)逐漸增大,原子半徑逐漸減小,因此FeO、CoO、NiO微粒間的作用力由大到小的順序?yàn)镹iO>CoO>FeO,三種晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹iO>CoO>FeO。(3)由Fe和Cl2反應(yīng)生成FeCl3可知,氧化性:Cl2>Fe3+;由Co和Cl2反應(yīng)只生成CoCl2而不能生成CoCl3可知,氧化性:Co3+>Cl2。綜上分析,F(xiàn)eCl3、CoCl3和Cl2三者氧化性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镃oCl3>Cl2>FeCl3。Co(OH)3與鹽酸反應(yīng)生成氯氣和Co2+,反應(yīng)的離子方程式為2Co(OH)3+6H++2Cl-=2Co2++Cl2↑+6H2O。(4)由鐵、鋁與濃硫酸能發(fā)生鈍化可推知,其原因可能是硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于63%時(shí),鎳表面逐漸形成致密的氧化物保護(hù)膜,使反應(yīng)速率減慢。因?yàn)镹i與稀硝酸反應(yīng)較快,所以添加HNO3時(shí)應(yīng)少量多次而不是一次過(guò)量。由題給信息可知,反應(yīng)物為Ni、H2SO4、HNO3,Ni被氧化生成NiSO4,HNO3被還原為NO或NO2,因此該反應(yīng)的化學(xué)方程式為3Ni+3H2SO4+2HNO3=3NiSO4+2NO↑+4H2O或Ni+H2SO4+2HNO3=NiSO4+2NO2↑+2H2O。答案:(1)第四周期第Ⅷ族1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2(2)eq\f(3×1023,NA·a3)NiO>CoO>FeO(3)CoCl3>Cl2>FeCl32Co(OH)3+6H++2Cl-=2Co2++Cl2↑+6H2O(4)隨H2SO4質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加,Ni表面逐漸形成致密氧化膜少量多次3Ni+3H2SO4+2HNO3=3NiSO4+2NO↑+4H2O或Ni+H2SO4+2HNO3=NiSO4+2NO2↑+2H2O3.(2021·調(diào)研題)2021年我國(guó)啟動(dòng)新一輪新能源汽車下鄉(xiāng)活動(dòng),電池性能是制約新能源汽車發(fā)展的瓶頸之一。鈷酸鋰(LiCoO2)、錳酸鋰(LiMn2O4)、磷酸亞鐵鋰(LiFePO4)等是制作鋰電池的重要材料。回答下列問(wèn)題:(1)基態(tài)Mn原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)_______________。(2)五羰基鐵[Fe(CO)5]可用于制取微納米級(jí)羰基鐵粉,其中與Fe配位的原子是________(填元素名稱);常壓下,五羰基鐵的熔點(diǎn)為-20℃,沸點(diǎn)為103.6℃,其晶體類型為_(kāi)_______。(3)N和P同主族,NH3的鍵角________(填“>”“<”或“=”)PH3的鍵角,原因是________。(4)LiX(X代表F、Cl、Br或I)具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)。當(dāng)陰、陽(yáng)離子電荷的絕對(duì)值相同且它們的半徑相近時(shí),生成的鹽類一般難溶于水。由上述規(guī)則可以判斷LiF、LiCl、LiBr、LiI中溶解度最小的是________。(5)CoO的面心立方晶胞如圖所示。①晶胞中a原子坐標(biāo)參數(shù)為(0,0,0),b原子坐標(biāo)參數(shù)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(1,\f(1,2),1)),則c原子坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)_______。②晶胞中O2-的配位數(shù)為_(kāi)_______;Co2+位于O2-所形成的正八面體的體心,該正八面體的邊長(zhǎng)為_(kāi)_______nm。解析:(1)Mn是25號(hào)元素,其基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為3d54s2。(2)Fe(CO)5中碳原子含有孤電子對(duì),且電負(fù)性弱于氧原子,所以碳原子提供孤電子對(duì),該物質(zhì)的熔沸點(diǎn)較低,因此形成的晶體是分子晶體。(3)由于電負(fù)性N強(qiáng)于P,中心原子的電負(fù)性越強(qiáng),成鍵電子對(duì)離中心原子越近,成鍵電子對(duì)之間的距離越小,成鍵電子對(duì)之間的斥力越大,因此鍵角變大。(4)Li+帶1個(gè)單位正電荷,有1個(gè)電子層;X-均帶1個(gè)單位負(fù)電荷,而F-、Cl-、Br-、I-的半徑依次增大,其中與Li+半徑最接近的為F-,根據(jù)題意可知,LiF的溶解度最小。(5)①根據(jù)晶胞中a原子坐標(biāo)參數(shù)為(0,0,0),b原子坐標(biāo)參數(shù)在eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(1,\f(1,2),1)),則c原子坐標(biāo)參數(shù)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0,1,\f(1,2)))。②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,周圍與O2-最近且等距離的Co2+的個(gè)數(shù)是6,即晶胞中O2-的配位數(shù)為6;Co2+位于O2-所形成的正八面體的體心,該正八面體的邊長(zhǎng)是面對(duì)角線的一半,則為eq\f(\r(2),2)d。答案:(1)3d54s2(2)碳分子晶體(3)>電負(fù)性N強(qiáng)于P,中心原子的電負(fù)性越強(qiáng),成鍵電子對(duì)離中心原子越近,成鍵電子對(duì)之間的距離越小,成鍵電子對(duì)之間的斥力越大,鍵角越大(4)LiF(5)①eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0,1,\f(1,2)))②6eq\f(\r(2),2)d4.(2021·原創(chuàng))鐵、銅、硫等都是生活生產(chǎn)中常用的元素,請(qǐng)?zhí)顚懴铝锌瞻住?1)基態(tài)二價(jià)銅離子的電子排布式為_(kāi)_______________________。(2)固態(tài)SO3的三聚體環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖所示,該結(jié)構(gòu)中S原子的雜化軌道類型為_(kāi)_______;該分子中含有________個(gè)σ鍵。(3)已知Cu、Zn的第二電離能分別為1957.9kJ·mol-1、1733.3kJ·mol-1,前者高于后者的原因是________________________________________________________________________________________________________________________________________________。(4)單質(zhì)硫與熟石灰加熱產(chǎn)物之一為CaS3,Seq\o\al(2-,3)的空間結(jié)構(gòu)是________,與其互為等電子體的分子是________(任寫1種)。(5)FeCO3可作補(bǔ)血?jiǎng)?,CoCO3可用于陶瓷工業(yè)的著色劑。已知:①r(Fe2+)為61pm,r(Co2+)為65pm。②隔絕空氣加熱:FeCO3eq\o(=,\s\up7(高溫))FeO+CO2↑;CoCO3eq\o(=,\s\up7(高溫))CoO+CO2↑。分別加熱FeCO3和CoCO3時(shí),F(xiàn)eCO3的分解溫度低于CoCO3,其原因是_______________________________________________________________________________________。(6)CuFeS2的晶胞如圖所示,晶胞參數(shù)分別為anm、bnm、cnm;CuFeS2的晶胞中每個(gè)Cu原子與________個(gè)S原子相連,晶體密度ρ=____________g·cm-3(列出計(jì)算表達(dá)式,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值);圖中原子2和3的坐標(biāo)分別為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0,1,\f(1,2)))、eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2),\f(1,2),0)),則原子1的坐標(biāo)為_(kāi)____________________________________________________。解析:(1)基態(tài)二價(jià)銅離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9。(2)觀察題圖可知,SO3的三聚體中1個(gè)S原子形成4個(gè)σ鍵,故硫原子的雜化軌道類型為sp3;SO3的三聚體中有3個(gè)S原子,故共含有12個(gè)σ鍵。(3)Cu原子的價(jià)電子排布式為3d104s1,失去一個(gè)電子后的價(jià)層電子排布式為3d10,達(dá)到全充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu),而基態(tài)Zn原子的價(jià)電子排布式為3d104s2,失去一個(gè)電子后的價(jià)層電子排布式為3d104s1,Zn+的4s1上的電子比Cu+的3d10上的電子易失去,所以Cu的第二電離能高于Zn。(4)Seq\o\al(2-,3)的中心原子的孤電子對(duì)數(shù)為eq\f(6+2-2×2,2)=2,形成σ鍵的數(shù)目是2,故空間結(jié)構(gòu)為V形;與其互為等電子體的分子是OF2或Cl2O。(5)FeO和CoO都是離子晶體。
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